專利名稱：具有edmos晶體管的半導(dǎo)體器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，尤其涉及一種具有擴(kuò)展漏極金 屬氧化物半導(dǎo)體(EDMOS)晶體管及其制備方法。
背景技術(shù)：
實施例涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，尤其涉及一種擴(kuò)展漏極金屬氧 化物半導(dǎo)體(EDMOS)晶體管器件及其制備方法。半導(dǎo)體器件可能需要的組 件中的一種是控制高電壓的晶體管。EDMOS晶體管可能用于該目的。EDMOS 晶體管在柵極和漏極之間具有相對厚的氧化物層，用于改進(jìn)柵極和施加高電壓 的漏極之間的絕緣特征。參考圖1解釋相關(guān)EDMOS晶體管。圖1是示出形成相關(guān)EDMOS晶體管的方法的橫截面視圖。如圖1所示， 在半導(dǎo)體基片1的特定區(qū)域之上形成第一柵極氧化物層2。具體地，以下述方 式形成第一柵極氧化物層2。首先，在半導(dǎo)體基片1之上形成具有開口的氮化 物層圖形。開口暴露半導(dǎo)體基片1的特定區(qū)域。在包括氮化物層圖形的半導(dǎo)體 基片l上執(zhí)行熱氧化工藝，以形成第一柵極氧化物層2。隨后去除氮化物層圖 形。在第一柵極氧化物層2下的半導(dǎo)體基片1中形成摻雜漂移區(qū)3。在第一柵 極氧化物層2兩側(cè)的半導(dǎo)體基片1中形成源極區(qū)4s和漏極區(qū)4d。形成的源極 區(qū)4s與第一柵極氧化物層2水平分離。形成的漏極區(qū)4d與第一柵極氧化物層 2相鄰。摻雜漂移區(qū)3與漏極區(qū)4d彼此接觸。用相同類型摻雜劑摻雜摻雜漂 移區(qū)3和源極區(qū)和漏極區(qū)4s和4d。在源極區(qū)4s和第一柵極氧化物層2之間的半導(dǎo)體基片1之上形成第二柵 極氧化物層5。形成的第二柵極氧化物層5薄于第一柵極氧化物層2。在第一 和第二柵極氧化物層2和5之上形成柵極6。形成的柵極6覆蓋第一柵極氧化物層2的一部分。因此，柵極6和漏極區(qū)4d彼此分離。在根據(jù)上述方法形成的EDMOS晶體管中，即使將高電壓施加到漏極區(qū) 4d，相對厚的第一柵極氧化物層2提供在柵極6和漏極區(qū)4d之間的充分絕緣。 形成的摻雜漂移區(qū)3的摻雜劑濃度低于漏極區(qū)4d。這改進(jìn)源極區(qū)4s和漏極區(qū) 4d之間的擊穿電壓。然而，通過LOCOS工藝使用氮化物層圖形形成相關(guān)EDMOS晶體管中的 第一柵極氧化物層2。這在第一柵極氧化物層2的周界導(dǎo)致鳥嘴現(xiàn)象，其使得 難于減小EDMOS晶體管的平面面積。然而，減小EDMOS晶體管的平面面積 能夠增加半導(dǎo)體器件的集成度。發(fā)明內(nèi)容實施例涉及一種具有EDMOS晶體管的半導(dǎo)體器件及其制備方法，其對于 高集成度是優(yōu)化的。實施例涉及一種具有EDMOS晶體管的半導(dǎo)體器件及其制 備方法，其可以減小EDMOS晶體管平面面積。實施例涉及一種半導(dǎo)體器件，其可能包括在半導(dǎo)體基片中分離形成的源極 區(qū)和漏極區(qū)。第一柵極絕緣層可能填充在源極和漏極區(qū)之間的半導(dǎo)體基片中形 成的溝槽。第一柵極絕緣層可能臨近漏極區(qū)而與源極區(qū)分離?？赡茉诘谝粬艠O 絕緣層和源極區(qū)之間的半導(dǎo)體基片之上形成第二柵極絕緣層，第二柵極絕緣層 薄于第一柵極絕緣層。可能在第一和第二柵極絕緣層之上形成柵極?？赡茉诘?一柵極絕緣層之下的半導(dǎo)體基片中形成慘雜漂移區(qū)，摻雜漂移區(qū)與漏極區(qū)接 觸。實施例涉及一種半導(dǎo)體器件，其可能包括在半導(dǎo)體基片中分離形成的源極 區(qū)和漏極區(qū)?？赡茉谠礃O和漏極區(qū)之間的半導(dǎo)體基片中形成摻雜漂移區(qū)。摻雜 漂移區(qū)可能與源極區(qū)分離而與漏極區(qū)接觸?？赡茉趽诫s漂移區(qū)中形成計數(shù)摻雜 區(qū)?？赡軐艠O絕緣層和柵極相繼地沉積到在源極和漏極區(qū)之間的半導(dǎo)體基片 之上?？赡苡玫谝粋鲗?dǎo)率型摻雜劑摻雜半導(dǎo)體基片和計數(shù)摻雜區(qū)，而用第二傳 導(dǎo)率型摻雜劑摻雜源極區(qū)、漏極區(qū)和摻雜漂移區(qū)。在實施例中，形成的柵極絕緣層和計數(shù)摻雜區(qū)可能填充在柵極和摻雜漂移 區(qū)之間的溝槽。這允許減小EDMOS晶體管平面面積，由此實現(xiàn)更加高度集成 半導(dǎo)體器件。實施例涉及一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，其可能包括在半導(dǎo)體基片特 定區(qū)域中形成溝槽并形成填充該溝槽的第一柵極絕緣層。在該方面，在第一柵 極絕緣層之下的半導(dǎo)體基片中形成摻雜漂移區(qū)。在第一柵極絕緣層兩側(cè)的半導(dǎo) 體基片中形成源極區(qū)和漏極區(qū)。源極區(qū)與第一柵極絕緣層分離而漏極區(qū)與摻雜 漂移區(qū)接觸。可能在第一柵極絕緣層和源極區(qū)之間的半導(dǎo)體基片之上形成第二 柵極絕緣層，第二柵極絕緣層薄于第一柵極絕緣層。可能隨后在第一和第二柵 極絕緣層之上形成柵極。實施例涉及一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，其可能包括在摻雜了第一傳 導(dǎo)率型摻雜劑的半導(dǎo)體基片特定區(qū)域中形成摻雜了第二傳導(dǎo)率型摻雜劑的摻 雜漂移區(qū)。可能在摻雜漂移區(qū)兩側(cè)的半導(dǎo)體基片中形成與摻雜漂移區(qū)接觸的漏 極區(qū)并形成與摻雜漂移區(qū)分離的源極區(qū)。為了形成計數(shù)摻雜區(qū)可能將第一傳導(dǎo) 率型摻雜劑離子注入到摻雜漂移區(qū)中，并且隨后在源極和漏極區(qū)之間的半導(dǎo)體 基片之上相繼形成柵極絕緣層和柵極。源極和漏極區(qū)摻雜了第二傳導(dǎo)率型摻雜 劑。
圖1是用于形成相關(guān)EDMOS晶體管的方法的橫截面視圖。 示例圖2是示出根據(jù)實施例的具有EDMOS晶體管的半導(dǎo)體器件的橫截面 視圖。示例圖3和4是示出根據(jù)實施例的用于形成具有EDMOS晶體管的半導(dǎo)體 器件的橫截面視圖。示例圖5是示出根據(jù)實施例的具有EDMOS晶體管的半導(dǎo)體器件的橫截面 視圖。示例圖6是示出根據(jù)實施例的用于形成具有EDMOS晶體管的半導(dǎo)體器件 的橫截面視圖。
具體實施方式
示例圖2是示出根據(jù)實施例的具有EDMOS晶體管的半導(dǎo)體器件的橫截面 視圖。如示例圖2所示，第一柵極絕緣層104填充在半導(dǎo)體基片100中形成的
溝槽102。在實施例中，溝槽102可能具有圓形形狀。在實施例中，溝槽102 從半導(dǎo)體基片100的頂表面可能具有大約2000A到大約8000A的深度。在第 一柵極絕緣層104兩側(cè)的半導(dǎo)體基片100中形成源極區(qū)108s和漏極區(qū)108d。 源極區(qū)108s與第一柵極絕緣層104分離而漏極區(qū)108d與第一柵極絕緣層104 相鄰。在第一柵極絕緣層104之下的半導(dǎo)體基片100中形成摻雜漂移區(qū)106。摻 雜漂移區(qū)106可能與漏極區(qū)108d接觸。己經(jīng)以相同類型摻雜劑摻雜了漏極區(qū) 108d、源極區(qū)108s及摻雜漂移區(qū)106。在實施例中，摻雜漂移區(qū)106可能具 有低于漏極區(qū)108d的摻雜劑濃度。源極和漏極區(qū)108s和108d可能具有相同 的摻雜劑濃度。在源極區(qū)108s和溝槽102之間的半導(dǎo)體基片100之上形成第二柵極絕緣 層IIO，即在第一柵極絕緣層104之上。第二柵極絕緣層IIO與第一柵極絕緣 層104的一部分相接觸。第一柵極絕緣層104可能包括氧化物層。特別地，第 一柵極絕緣層104可能包括化學(xué)氣相沉積(CVD)氧化物層。第二柵極絕緣層 110可能也包括氧化物層。特別地，第二柵極絕緣層110可能包括熱氧化物層。在第一和第二柵極絕緣層104和110之上形成柵極112。柵極112可能覆 蓋放置在源極區(qū)108s和溝槽102之間的半導(dǎo)體基片100之上的第二柵極絕緣 層110的整個表面。相反，柵極112可能僅覆蓋第一柵極絕緣層104的一部分。 特別地，柵極112可能覆蓋第一柵極絕緣層104臨近第二柵極絕緣層110的部 分。因此，柵極112和漏極區(qū)108d彼此分離。柵極112包括導(dǎo)電材料。例如， 柵極112可能至少包括從由摻雜多晶硅、諸如鎢或鉬的金屬、諸如硅化鎢或硅 化鈷的金屬硅化物和諸如氮化鈦或氮化鉭的導(dǎo)電金屬氮化物構(gòu)成的組中選擇 的一種材料。在如上所述構(gòu)建的EDMOS晶體管中，第一柵極絕緣層104填充在半導(dǎo)體 基片100中形成的溝槽102。與使用相關(guān)LOCOS工藝形成的柵極氧化物層相 比，這明顯減小了第一柵極絕緣層104的平面面積。這導(dǎo)致EDMOS晶體管平 面面積的減小，由此實現(xiàn)更加高度集成半導(dǎo)體器件。示例圖3和4是示出根據(jù)實施例的用于形成具有EDMOS晶體管的半導(dǎo)體 器件的橫截面視圖。如示例圖3所示，在半導(dǎo)體基片100之上形成硬掩膜圖形 101。開口暴露半導(dǎo)體基片100的特定區(qū)域。硬掩膜圖形101可能包括相對半 導(dǎo)體基片100具有變化蝕刻選擇性的材料(例如，氮化物層)。使用硬掩膜圖形101作為掩膜蝕刻暴露的半導(dǎo)體基片100，以形成溝槽 102。在實施例中，可能以圓形形狀形成溝槽102。在實施例中，形成的溝槽 102從半導(dǎo)體基片100的頂表面可能具有大約2000A到大約8000A的深度。如示例圖4所示，在半導(dǎo)體基片100之上形成絕緣層，以填充溝槽102， 并且隨后使其平坦化，直到暴露硬掩膜圖形101，由此形成第一柵極絕緣層 104。隨后去除硬掩膜圖形101。當(dāng)去除硬掩膜圖形101時可能蝕刻第一柵極 絕緣層104的上部。選擇性注入第一摻雜劑離子，以在第一柵極絕緣層104之下的半導(dǎo)體基片 100中形成摻雜漂移區(qū)106。選擇性注入第二摻雜劑離子，以在第一柵極絕緣 層104兩側(cè)的半導(dǎo)體基片100中形成漏極區(qū)108d和源極區(qū)108s。第一和第二 摻雜劑離子是相同類型的。漏極區(qū)108d可能與摻雜漂移區(qū)106接觸，而源極 區(qū)108s可能與第一柵極絕緣層104分離。在包括摻雜漂移區(qū)106和源極和漏極區(qū)108s和108d的半導(dǎo)體基片100 之上形成第二柵極絕緣層110?？赡苡扇缟纤龅臒嵫趸飳有纬傻诙艠O絕 緣層110。第二柵極絕緣層110可能薄于第一柵極絕緣層104。在包括第一和第二柵極絕緣層104和110的半導(dǎo)體基片IOO之上形成柵極 導(dǎo)電層，并且隨后將其定形，以形成如示例圖2所示的柵極112?？赡苋コ?柵極112兩側(cè)的第二柵極絕緣層110的部分，以便暴露源極和漏極區(qū)108s和 108d。示例圖5是示出根據(jù)實施例的具有EDMOS晶體管的半導(dǎo)體器件的橫截面 視圖。如示例圖5所示，在半導(dǎo)體基片200的特定區(qū)域中形成摻雜漂移區(qū)202。 可能用第一傳導(dǎo)率型摻雜劑摻雜基片?？赡苡玫诙鲗?dǎo)率型摻雜劑摻雜摻雜漂 移區(qū)202。在摻雜漂移區(qū)202兩側(cè)的半導(dǎo)體基片200中形成源極區(qū)206s和漏 極區(qū)206d?？赡苡玫诙鲗?dǎo)率型摻雜劑摻雜源極和漏極區(qū)206s和206d。源 極區(qū)206s可能與摻雜漂移區(qū)202分離。相反，漏極區(qū)206d與摻雜漂移區(qū)202 相鄰，由此它們彼此接觸。在摻雜漂移區(qū)202中形成計數(shù)摻雜區(qū)204。計數(shù)慘雜區(qū)204的側(cè)面和底面 由摻雜漂移區(qū)202包圍。用第一傳導(dǎo)率型慘雜劑摻雜計數(shù)摻雜區(qū)204。就是說， 用第一傳導(dǎo)率型摻雜劑摻雜半導(dǎo)體基片200和計數(shù)摻雜區(qū)204，而用第二傳導(dǎo)
率型摻雜劑摻雜源極區(qū)206s、漏極區(qū)206d和摻雜漂移區(qū)202。例如，第一傳 導(dǎo)率型摻雜劑可能是n-型慘雜劑而第二傳導(dǎo)率型摻雜劑可能是p-型摻雜劑。 替代地，第一傳導(dǎo)率型摻雜劑可能是p-型摻雜劑而第二傳導(dǎo)率型摻雜劑可能是 n-型摻雜劑。在源極區(qū)206s和漏極區(qū)206d之間的半導(dǎo)體基片200之上相繼地沉積柵極 絕緣層208和柵極210。柵極210可能覆蓋在源極區(qū)206s和摻雜漂移區(qū)202 之間的半導(dǎo)體基片200的整個表面。另外，柵極210可能覆蓋摻雜漂移區(qū)202 的一部分和計數(shù)摻雜區(qū)204的一部分。柵極210具有彼此相對的第一和第二側(cè) 壁。柵極210的第一側(cè)壁靠近源極區(qū)206s而柵極210的第二側(cè)壁靠近漏極區(qū) 206d。柵極210的第二側(cè)壁可能與漏極區(qū)206d水平分離。如上所述構(gòu)建的EDMOS晶體管具有計數(shù)摻雜區(qū)204。當(dāng)將高電壓施加到 漏極區(qū)206d時，計數(shù)摻雜區(qū)204降低柵極210和漏極區(qū)206d之間的電場，由 此改進(jìn)柵極210和漏極區(qū)206d之間的擊穿電壓特征。另外，計數(shù)摻雜區(qū)204 具有非常小的平面面積。例如，即使將計數(shù)摻雜區(qū)204的平面面積減小到在通 過相關(guān)LOCOS形成的柵極氧化物層的大約20%和50%之間，其擊穿電壓特 征與柵極氧化物層相同。其結(jié)果是，可以最小化EDMOS晶體管的平面面積，以便實現(xiàn)更加高度集成半導(dǎo)體器件。示例圖6是示出根據(jù)實施例的用于形成具有EDMOS晶體管的半導(dǎo)體器件 的橫截面視圖。如示例圖6所示，將使用第二傳導(dǎo)率型摻雜劑的第一摻雜劑離 子選擇性注入到用第一傳導(dǎo)率型摻雜劑慘雜的半導(dǎo)體基片200中，以在半導(dǎo)體 基片200中形成摻雜漂移區(qū)202。將使用第二傳導(dǎo)率型摻雜劑的第二摻雜劑離 子選擇性注入到半導(dǎo)體基片200中，以在摻雜漂移區(qū)202兩側(cè)的半導(dǎo)體基片 200中形成源極區(qū)206s和漏極區(qū)206d。源極區(qū)206s與摻雜漂移區(qū)202水平分 離，而漏極區(qū)206d與摻雜漂移區(qū)202接觸。將使用第一傳導(dǎo)率型摻雜劑的第 三摻雜劑離子選擇性注入到半導(dǎo)體基片200中，以形成計數(shù)摻雜區(qū)204。這里， 在摻雜漂移區(qū)202中形成計數(shù)摻雜區(qū)204?？赡茉趫?zhí)行用于形成源極和漏極區(qū) 206s和206d的第二摻雜劑離子的注入之后或之前執(zhí)行用于形成計數(shù)摻雜區(qū) 204的第三摻雜劑離子的注入。在第一傳導(dǎo)率型摻雜劑是p-型摻雜劑而第二傳導(dǎo)率型摻雜劑是n-型摻雜 劑的情況中，可能通過注入具有大約1到2000KeV的能量的B或BF2執(zhí)行用
于形成計數(shù)摻雜區(qū)204的第三摻雜劑離子的注入?？赡芤源蠹s1011到大約1016 atoms/cm2的離子劑量和0°到大約60。的離子注射角執(zhí)行該工藝。在第一傳導(dǎo)率型慘雜劑是n-型摻雜劑而第二傳導(dǎo)率型摻雜劑是p-型摻雜 劑的情況中，可能通過注入具有大約1到2000 KeV的能量的P或As執(zhí)行用 于形成計數(shù)摻雜區(qū)204的第三摻雜劑離子的注入。可能以大約10"到大約1016 atoms/cm2的離子劑量和0°到大約60。的離子注射角執(zhí)行該工藝。隨后在包括源極和漏極區(qū)206s和206d、摻雜漂移區(qū)202和計數(shù)摻雜區(qū)204 的半導(dǎo)體基片200之上形成示例圖5所示的柵極絕緣層208和柵極210。如從上述描述顯而易見的，例如，在摻雜漂移區(qū)之上形成填充溝槽的柵極 絕緣層。這允許使用相關(guān)LOCOS工藝形成具有比具有柵極氧化物層的 EDMOS晶體管小的平面面積的EDMOS晶體管，由此實現(xiàn)更加高度集成半導(dǎo) 體器件。替代地，可能在摻雜漂移區(qū)中形成計數(shù)摻雜區(qū)，代替使用相關(guān)LOCOS工 藝在其之上形成柵極氧化物層。用與摻雜漂移區(qū)不同類型的摻雜劑摻雜計數(shù)摻 雜區(qū)。與使用相關(guān)LOCOS工藝形成的柵極氧化物層相比，計數(shù)摻雜區(qū)的平面 面積明顯減小。這導(dǎo)致EDMOS晶體管平面面積的減小，由此實現(xiàn)更加高度集 成半導(dǎo)體器件。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員，明顯的和顯而易見的是，可以在公開的實施例中作 出不同修改和改變。因此，意欲公開實施例覆蓋明顯的和顯而易見的修改和改 變，只要它們在權(quán)利要求及其等效的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種裝置，包括在半導(dǎo)體基片中分離形成的源極區(qū)和漏極區(qū)；填充在所述源極和漏極區(qū)之間的半導(dǎo)體基片中形成的溝槽的第一柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層臨近所述漏極區(qū)而與所述源極區(qū)分離；在所述第一柵極絕緣層和源極區(qū)之間的半導(dǎo)體基片之上形成的第二柵極絕緣層；在所述第一和第二柵極絕緣層之上形成的柵極；以及在所述第一柵極絕緣層之下的半導(dǎo)體基片中形成的摻雜漂移區(qū)，所述摻雜漂移區(qū)與所述漏極區(qū)接觸。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述溝槽具有圓形形狀。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述柵極覆蓋所述第一柵 極絕緣層的一部分而且與所述漏極區(qū)分離。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述摻雜漂移區(qū)具有低于 所述漏極區(qū)的摻雜劑濃度。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二柵極絕緣層薄于 所述第一柵極絕緣層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述基片、源極、柵極和 漏極形成擴(kuò)展漏極金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
7、 一種裝置，包括 在半導(dǎo)體基片中形成的源極區(qū)和漏極區(qū)；在所述源極和漏極區(qū)之間的半導(dǎo)體基片中形成的摻雜漂移區(qū)，所述摻雜漂 移區(qū)與源極區(qū)分離而與所述漏極區(qū)接觸；在所述摻雜漂移區(qū)中形成的計數(shù)摻雜區(qū)；以及 在所述源極和漏極區(qū)之間的半導(dǎo)體基片之上的柵極絕緣層和柵極。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述柵極具有靠近所述源 極區(qū)的第一側(cè)壁和靠近所述漏極區(qū)的第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁與所述漏極區(qū)分 離。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述摻雜漂移區(qū)具有低于所述漏極區(qū)的摻雜劑濃度。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，用第一傳導(dǎo)率型摻雜劑摻 雜所述半導(dǎo)體基片和計數(shù)摻雜區(qū)，而用第二傳導(dǎo)率型摻雜劑摻雜所述源極區(qū)、 漏極區(qū)和摻雜漂移區(qū)。
11、 一種方法，包括 在半導(dǎo)體基片特定區(qū)域中形成溝槽； 形成填充所述溝槽的第一柵極絕緣層；在所述第一柵極絕緣層之下的半導(dǎo)體基片中形成摻雜漂移區(qū)；在所述第一柵極絕緣層兩側(cè)的半導(dǎo)體基片中形成源極區(qū)和漏極區(qū)，所述源 極區(qū)與所述第一柵極絕緣層分離，而所述漏極區(qū)與所述第一柵極絕緣層接觸；在所述第一柵極絕緣層和源極區(qū)之間的半導(dǎo)體基片之上形成第二柵極絕 緣層；以及在所述第一和第二柵極絕緣層之上形成柵極。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于，所述溝槽具有圓形形狀。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，形成的所述柵極僅覆蓋 在所述第二柵極絕緣層之上的所述第一柵極絕緣層的一部分。
14、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，形成的所述摻雜漂移區(qū) 具有低于所述漏極區(qū)的摻雜劑濃度。
15、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二柵極絕緣層薄 于所述第一柵極絕緣層。
16、 一種方法，包括在摻雜了第一傳導(dǎo)率型摻雜劑的半導(dǎo)體基片的區(qū)域中形成摻雜了第二傳 導(dǎo)率型摻雜劑的摻雜漂移區(qū)；在所述摻雜漂移區(qū)兩側(cè)的半導(dǎo)體基片中形成與所述摻雜漂移區(qū)接觸的漏 極區(qū)和與摻雜漂移區(qū)分離的源極區(qū)；將第一傳導(dǎo)率型摻雜劑離子注入到所述摻雜漂移區(qū)中，以形成計數(shù)摻雜 區(qū)；以及在所述源極和漏極區(qū)之間的半導(dǎo)體基片之上相繼形成柵極絕緣層和柵極， 其中所述源極和漏極區(qū)摻雜了第二傳導(dǎo)率型摻雜劑。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，形成的所述柵極具有靠 近所述源極區(qū)的第一側(cè)壁和靠近所述漏極區(qū)的第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁與漏極 區(qū)水平分離。
18、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，形成的摻雜漂移區(qū)具有低于所述漏極區(qū)的摻雜劑濃度。
19、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，通過注入具有大約1 KeV 到大約2000 KeV的能量的第一傳導(dǎo)率型摻雜劑離子執(zhí)行用于形成所述計數(shù)摻 雜區(qū)的第一傳導(dǎo)率型摻雜劑離子的注入。
20、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，通過注入具有在大約1011 到大約1016 atoms/cn^之間的離子劑量和在大約0。到60。之間的離子注射角的 第一傳導(dǎo)率型摻雜劑離子執(zhí)行用于形成所述計數(shù)摻雜區(qū)的第一傳導(dǎo)率型摻雜 劑離子的注入。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有EDMOS晶體管的半導(dǎo)體器件及其制備方法。該半導(dǎo)體器件包括在半導(dǎo)體基片中分離形成的源極和漏極區(qū)，填充在源極和漏極區(qū)之間的基片中形成的溝槽的第一柵極絕緣層，第一柵極絕緣層臨近漏極區(qū)而與源極區(qū)分離，在第一柵極絕緣層和源極區(qū)之間的半導(dǎo)體基片之上形成的第二柵極絕緣層，第二柵極絕緣層薄于第一柵極絕緣層，在第一和第二柵極絕緣層之上形成的柵極，和在第一柵極絕緣層之下的基片中形成的摻雜漂移區(qū)，摻雜漂移區(qū)與漏極區(qū)接觸。這減小EDMOS晶體管平面面積，由此實現(xiàn)高度集成半導(dǎo)體器件。
文檔編號H01L29/78GK101211975SQ20071019488
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月29日
發(fā)明者慎賢守 申請人:東部高科股份有限公司