專利名稱：Cmos圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種CMOS圖像傳感器。更具體地說，本發(fā)明涉及一種CMOS 圖像傳感器及其制造方法，在其中簡化了用于電連接浮置擴(kuò)散區(qū)域和圖像傳感 器的驅(qū)動晶體管的配線。
背景技術(shù)：
圖像傳感器是一種用于將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為電信號的器件。通常，當(dāng)前應(yīng)用 于工藝中的圖像傳感器或者為互補(bǔ)金屬氧化硅(CMOS)圖像傳感器或者為電荷 耦合器件(CCD)圖像傳感器。CCD圖像傳感器具有極好的光敏感性和噪聲特性，但是難于將其合并到 高集成度器件中，而且和CMOS圖像傳感器相比其具有相對較高的耗能率。 另一方面，CMOS圖像傳感器具有比較簡單的工藝和較低的耗能率，這使其更 適于在高度集成器件中。最近，已發(fā)展出一種制造半導(dǎo)體器件的技術(shù)，其中，CMOS圖像傳感器 具有改進(jìn)的特性。由于這些發(fā)展，引起了人們對CMOS圖像傳感器的極大關(guān) 注。通常，CMOS圖像傳感器包括能夠接收光的光電二極管以及能夠控制 從光電二極管輸入的圖像信號的晶體管。根據(jù)晶體管的數(shù)量，CMOS圖像傳感 器分為三T型或四T型。這里，三T型傳感器包括一個光電二極管和三個晶 體管，而四T型具有一個光電二極管和四個晶體管。圖1中所示為現(xiàn)有技術(shù)的四T型CMOS圖像傳感器，四T型CMOS圖像 傳感器包括形成于有源區(qū)域1中的光電二極管區(qū)域(PD)，在具有最廣闊區(qū)域的 有源區(qū)域l的部分。圖像傳感器也包括轉(zhuǎn)移晶體管(Tx)、復(fù)位晶體管(Rx)、以
及驅(qū)動晶體管(DX)，驅(qū)動晶體管形成以在除了光電二極管區(qū)域以外的區(qū)域中與 有源區(qū)域1相重疊圖2示出了 CMOS圖像傳感器的各層。CMOS傳感器包括P型外延層4， 型外延層4形成于？++型半導(dǎo)體襯底2上。另外，傳感器包括器件隔離層 6、柵極10、柵氧化膜12和柵間隔墊14、 n-型擴(kuò)散區(qū)域16、 n+型擴(kuò)散區(qū)域18、 層間電介質(zhì)層26、第一和第二接觸孔20和30、第一和第二接觸插栓22和32、 以及金屬線(wiring) 24。在設(shè)置光電二極管區(qū)域(PD)、有源區(qū)域l、以及器件隔離區(qū)域的位置，器 件隔離層6形成于半導(dǎo)體襯底2的器件隔離區(qū)中。柵極10形成于柵隔離層8上，柵隔離層8形成于外延層4上，以便形成 轉(zhuǎn)移晶體管(Tx)和驅(qū)動晶體管(Dx)。柵氧化膜12和柵間隔墊14形成于柵極10 的兩側(cè)壁上。n-型擴(kuò)散區(qū)域16形成于光電二極管區(qū)域(PD)的外延層4中。而n+型擴(kuò)散 區(qū)域18形成于各個晶體管(Tx， Rx, Dx)之間的有源區(qū)域1。層間電介質(zhì)層26形成于外延層4上，以覆蓋包括柵間隔墊14的柵極10， 并形成第一接觸孔20從而穿透層間電介質(zhì)層26以暴露浮置擴(kuò)散區(qū)(FD)。形成 第二接觸孔，從而穿透層間電介質(zhì)層26，以暴露驅(qū)動晶體管(Dx)的柵極10。 第一和第二接觸插栓22和32形成于層間電介質(zhì)層26的第一和第二接觸孔20 和30中，并且金屬線24形成于第一和第二接觸插栓22和32上，以使浮置擴(kuò) 散區(qū)域(FD)和驅(qū)動晶體管(Dx)的柵極10電接觸。光電二極管(PD)感應(yīng)入射光，以根據(jù)光的量在感應(yīng)器中產(chǎn)生電荷。轉(zhuǎn)移晶 體管(Tx)將從光電二極管(PD)產(chǎn)生的電荷轉(zhuǎn)移至浮置擴(kuò)散區(qū)(FD)。在轉(zhuǎn)移電荷 之前，浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)將電子從光電二極管(PD)移動到復(fù)位晶體管(Rx)，以 導(dǎo)通復(fù)位晶體管。隨后，將浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)設(shè)置在預(yù)定的低電荷值。復(fù)位晶 體管(Rx)釋放儲存在浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)中的電荷，從而探測信號。驅(qū)動晶體 管(Dx)將電荷轉(zhuǎn)換為電壓信號。通常，應(yīng)用金屬線，以連接浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD) 和驅(qū)動晶體管(Dx)。對照四T型CMOS圖像傳感器，圖3中示出了現(xiàn)有技術(shù)中公知的三T型 CMOS圖像傳感器。三T型CMOS圖像傳感器包括形成于有源區(qū)域最廣闊 部分的光電二極管區(qū)域(PD)，復(fù)位晶體管(Rx)，以及驅(qū)動晶體管(Dx)，驅(qū)動晶 體管形成以在除了光電二極管區(qū)域(PD)以外的區(qū)域中與有源區(qū)域重疊。在三T型CMOS圖像傳感器中，金屬線用于電連接光電二極管(PD)和驅(qū)動晶體管 (Dx)。金屬線40通過第一接觸插栓和第二接觸插栓(未示出)而電連接到多種元 件。第一接觸插栓形成于其中暴露驅(qū)動晶體管(Dx)的柵極的第一接觸孔42中， 而第二接觸插栓形成于暴露光電二極管(PD)的第二接觸孔44中。應(yīng)用這些配置，三T型和四T型圖像傳感器將從光電二極管區(qū)域(PD)產(chǎn) 生的電荷轉(zhuǎn)變成驅(qū)動晶體管(Dx)處的電壓信號。這里，應(yīng)用金屬線24和40以 將光電二極管(PD)或浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)與驅(qū)動晶體管(Dx)電連接。制造現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的一個難點是，金屬線的制造是復(fù)雜 的。另外，在不增加CMOS傳感器中的層數(shù)的情況下，沒有足夠的空間形成 用于連接諸如外圍晶體管的附加元件的附加金屬線。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明意于通過提供一種制造CMOS圖像傳感器的方法解決上述問題， 其中通過簡化傳感器中電連接浮置擴(kuò)散區(qū)域和驅(qū)動晶體管的配線，該CMOS 圖像傳感器具有減少的層數(shù)。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明一方案是CMOS圖像傳感器，其包括外延 層，其形成于半導(dǎo)體層上；器件隔離層，其形成于外延層上，以將外延層劃分 為有源區(qū)域和晶體管區(qū)域，該有源區(qū)域包括光電二極管區(qū)域；驅(qū)動晶體管，其 包括形成于外延層上的柵極以及形成于柵極兩側(cè)壁上的柵間隔墊；浮置擴(kuò)散區(qū) 域，其形成于外延層上；隧道孔，其形成于光電二極管區(qū)域和浮置擴(kuò)散區(qū)域之 間的器件隔離層和外延層中；多晶硅線，其形成于從柵極延伸至驅(qū)動晶體管的 隧道孔中；以及雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，其由將離子注入柵間隔墊側(cè)部上的外延層中形成。為了實現(xiàn)上述配置，本發(fā)明的另一方案為一種制造CMOS圖像傳感器的 方法，該方法包括在半導(dǎo)體層上形成外延層；在外延層上形成器件隔離層， 以將外延層劃分為有源區(qū)域和器件隔離區(qū)域，該有源區(qū)域包括光電二極管區(qū)域 和晶體管區(qū)域；在光電二極管區(qū)域和浮置擴(kuò)散區(qū)域之間的器件隔離層和外延層中形成隧道孔；在驅(qū)動晶體管區(qū)域中，在外延層上的柵隔離層上形成柵極；在 從柵極延伸至并將柵極直接連接到光電二極管區(qū)域或浮置擴(kuò)散區(qū)域的隧道孔
中形成多晶硅線；在柵極的側(cè)壁上形成柵間隔墊；以及通過將離子注入柵間隔墊各側(cè)上的外延層，而形成雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)。
這里包括附圖，以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且附圖包含在說明書中 并構(gòu)成說明書的一部分。附圖示出了本發(fā)明的實施方式并且與說明書一起用于 解釋本發(fā)明的原理。在附圖中.-圖1為示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的四T型CMOS圖像傳感器的平面視圖； 圖2為沿圖1中所示的A-A'線提取的CMOS圖像傳感器的橫截面圖； 圖3為示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的三T型CMOS圖像傳感器的平面視圖； 圖4為示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的CMOS圖像傳感器的平面視圖；圖5為沿圖4中所示的B-B'和C-C'線提取的CMOS圖像傳感器的橫截 面視圖；圖6a至圖6d為示出了制造圖4中所示的CMOS圖像傳感器的方法的示 意圖；圖7為示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的CMOS圖像傳感器的平面視圖；圖8為制造圖6中所示的CMOS圖像傳感器的方法的平面視圖。
具體實施方式
除上述目的以外的本發(fā)明的其它目的和特征將通過參照附圖對實施方式 的描述變得顯而易見。將參照圖4至圖8描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。圖4為示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的CMOS圖像傳感器的示意性 平面圖，而圖5為沿圖4中所示的B-B'和C-C'線提取的CMOS圖像傳感器 的橫截面圖。參照圖4和圖5，在根據(jù)本發(fā)明實施方式的四T型CMOS圖像傳感器中， 隧道孔116形成于浮置擴(kuò)散區(qū)域FD和器件隔離層106中，以連接浮置擴(kuò)散區(qū) 域(FD)與驅(qū)動晶體管(Dx)。隨后，當(dāng)各晶體管(Tx， Rx， Dx)的柵極形成后，將
多晶硅線118填充進(jìn)隧道孔116。本發(fā)明的四T型CMOS圖像傳感器包括光電二極管區(qū)域(PD)、轉(zhuǎn)移晶 體管(Tx)、驅(qū)動晶體管(Dx)、復(fù)位晶體管(Rx)、浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)、 P型外延 層104、器件隔離層106、隧道孔116、柵極110、多晶硅線118、柵氧化膜112 和柵間隔墊U4，以及n+擴(kuò)散區(qū)域(120)。光電二極管區(qū)域(PD)能夠感應(yīng)光，其形成于具有很大區(qū)域的部分有源 區(qū)域101中。形成轉(zhuǎn)移晶體管(Tx)以與有源區(qū)域101以及光電二極管區(qū)域相重疊，轉(zhuǎn)移 晶體管能將從光電二極管產(chǎn)生的電荷，轉(zhuǎn)移到浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)。驅(qū)動晶體管 (Dx)連接到浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)，并能將來自光電二極管區(qū)域(PD)的電荷轉(zhuǎn)換為 電壓信號。復(fù)位晶體管(Rx)釋放儲存在浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)中的電荷。浮置擴(kuò)散 區(qū)域(FD)位于轉(zhuǎn)移晶體管(Tx)與復(fù)位晶體管(Rx)之間，并能以預(yù)定的低電荷狀 態(tài)儲存來自光電二極管區(qū)域的電荷。P型外延層104形成于？++型半導(dǎo)體襯底102上。器件隔離層106在光電二極管區(qū)域(PD)、有源區(qū)域101以及器件隔離 區(qū)域都位于的半導(dǎo)體襯底102的器件隔離區(qū)域中形成。隧道孔116在浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)與驅(qū)動晶體管(Dx)之間的器件隔離層106 和外延層104上形成。驅(qū)動晶體管(Dx)的柵極110在外延層104上的柵絕緣層106上形成。多晶硅線118與柵極110同時在隧道孔116中形成，以電連接浮置擴(kuò)散區(qū) 域(FD)與驅(qū)動晶體管(Dx)。柵氧化膜112和柵間隔墊114在柵極110的各側(cè)壁 上形成。n+型擴(kuò)散區(qū)域120在各晶體管(Tx， Rx， Dx)之間的有源區(qū)域101中形成。現(xiàn)在將參照附圖6A至6D對上述制造CMOS圖像傳感器的方法進(jìn)行描述。 首先，如圖6A和6B所示，在高濃度？++型半導(dǎo)體襯底102上執(zhí)行外延工藝， 以形成低濃度P型外延層104。這里，外延層104在大且深的光電二極管區(qū)域 中形成耗盡區(qū)，以增強(qiáng)低壓光電二極管(PD)收集光電荷的能力，從而增強(qiáng)光敏 感性。隨后，將半導(dǎo)體襯底102分為有源區(qū)域101和器件隔離區(qū)域，并且應(yīng)用淺 槽隔離(STI)工藝或硅的局部氧化(LOCOS)工藝在器件隔離區(qū)域中形成器件隔離層106。其后，通過在光刻工藝中使用掩模，在其中在器件隔離層106形成的外延 層104上執(zhí)行構(gòu)圖工藝，以形成電連接浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)與驅(qū)動晶體管(Dx) 的隧道孔116。這里，隧道孔116還在浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)與驅(qū)動晶體管(Dx)之 間的區(qū)域中的器件隔離層106上形成。將隧道孔(116)形成為具有與如下所述 的柵極I10相同的厚度，即0.15至0.2)im深度。隨后，如圖6C所示，柵隔離層108和柵極IIO在外延層104上形成，并 多晶硅線118在隧道孔116中形成。更具體的，使用沉積方法，在外延層104 上相繼形成柵隔離層和柵金屬層。這里，柵金屬層也在隧道孔116中形成，以 形成多晶硅線118。同時，多晶硅線118由和柵極IIO相同的多晶硅形成，并 從柵極110延伸。因而，浮置擴(kuò)散區(qū)域中的硅與多晶硅線118的多晶硅經(jīng)由直 接電連接而連接。其后，在光刻工藝中，應(yīng)用掩膜，將柵隔離層和柵金屬層形成為預(yù)定圖案， 以形成柵隔離層108和柵極110。然后，如圖6D所示，在柵極110的兩個側(cè)壁上形成柵氧化膜112和柵間 隔墊114。更具體的，在將柵氧化膜沉積于外延層104和柵極IIO上方后，應(yīng) 用光刻工藝和干法蝕刻工藝，執(zhí)行構(gòu)圖，以形成柵氧化膜112。然后，在干法 蝕刻工藝中，去除形成于柵極110的上部部分上的柵氧化膜112，以暴露柵極 IIO的上部表面。隨后，在柵極110和柵氧化膜112上形成隔離層之后，執(zhí)行回蝕工藝以在 柵極110的兩個側(cè)壁上形成柵極間隔墊114。其后，將n+型雜質(zhì)離子注入柵間隔墊114的兩側(cè)的外延層104中，以形 成n+型擴(kuò)散區(qū)域120。如上所述，在本發(fā)明中，隧道孔116形成于器件隔離層106和外延層104 上，并形成多晶硅線118以從柵極110延伸。在與在隧道孔116中形成柵極 IIO的相同工藝期間，形成多晶硅線118。因為，應(yīng)用附加組的配線電連接浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)與驅(qū)動晶體管(Dx)不 是必須的，所以本發(fā)明具有比現(xiàn)有技術(shù)更簡單的配線構(gòu)圖，同時具有降低數(shù)目 的層。
相似的方法也可應(yīng)用到如圖7所示的一個三T型CMOS圖像傳感器中。 圖7示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的三T型CMOS圖像傳感器，其中在器 件隔離層134和光電二極管區(qū)域(PD)中，形成隧道孔130，以連接光電二極管 區(qū)域(PD)和驅(qū)動晶體管(Dx)。多晶硅線132在用于形成柵極工藝中形成，并填 充隧道孔130。在圖8中示出了，制造這種三T型CMOS圖像傳感器的方法。在這種方 法中，在其中形成了器件隔離層134的外延層(未示出)上形成隧道孔130。通 過利用掩膜使用光刻工藝執(zhí)行構(gòu)圖工藝，在浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)與驅(qū)動晶體管 (Dx)之間的區(qū)域中，形成該隧道孔130。這時，形成隧道孔130以部分與光電 二極管區(qū)域(PD)重疊。將隧道孔(130)形成為具有與各晶體管(Rx， Dx)的柵極 相同的厚度，即0.15至0.2)im之間的深度。其后，當(dāng)形成各晶體管(Rx， Dx)的柵極時，在隧道孔中形成多晶硅線130， 以從驅(qū)動晶體管(Dx)的柵極延伸。在這個例子中，多晶硅線由和柵極相同的 多晶硅形成，多晶硅直接接連光電二極管(PD)的硅。制造晶體管的隨后工藝與在第一實施方式中描述的過程相同，所以本說明 書省略。如上所述，在本發(fā)明中，隧道孔130形成于器件隔離層134和光電二極管 區(qū)域(PD)上，并且多晶硅線132連接到柵極。多晶硅線132以用于在隧道 孔130中形成柵極的相同工藝形成。因為，應(yīng)用附加配線電連接光電二極管區(qū)域(PD)與驅(qū)動晶體管(Dx) 不是必須的，所以本發(fā)明可在CMOS圖像處理器中簡化配線，并減少層數(shù)。應(yīng)當(dāng)注意，雖然本發(fā)明的技術(shù)觀點己按照優(yōu)選的實施方式進(jìn)行詳細(xì)描述， 還是包括了一些實施方式以描述本發(fā)明，而不是對本發(fā)明范圍的限制。另外， 本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在不違背本發(fā)明的范圍和宗旨的情況下，可 對本發(fā)明做出各種變形。如上所述，在CMOS圖像傳感器及其制造方法中，形成隧道孔，并以從 柵極延伸的多晶硅線填充，其中柵極可在與形成驅(qū)動晶體管的柵極相同的工藝 中形成。配線將浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)或光電二極管區(qū)域(PD)與驅(qū)動晶體管(Dx) 相連接。在本發(fā)明中，不必增加分離的配線以將浮置擴(kuò)散區(qū)域(FD)或光電二極管區(qū) 域(PD)與驅(qū)動晶體管(Dx)電連接，所以CMOS圖像傳感器的配線可以簡 化，并減少層數(shù)。另外，在本發(fā)明中，不需要用于分別連接各元件的固定設(shè)備或結(jié)構(gòu)，意味著可以簡化CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器，其特征在于，包括外延層，其形成于半導(dǎo)體層上；形成于所述外延層上的器件隔離層，其將所述外延層劃分為有源區(qū)域和器件隔離區(qū)域，所述有源區(qū)域包括光電二極管區(qū)域和晶體管區(qū)域；驅(qū)動晶體管，其包括形成于所述外延層上的具有側(cè)壁的柵極以及形成于所述柵極所述兩側(cè)壁上的柵間隔墊；浮置擴(kuò)散區(qū)域，其形成于所述外延層上；隧道孔，其形成于所述光電二極管區(qū)域和所述浮置擴(kuò)散區(qū)域之間的所述器件隔離層和所述外延層中；多晶硅線，其形成于從所述柵極延伸至所述驅(qū)動晶體管的所述隧道孔中；以及雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，其通過將摻雜劑離子注入所述柵極側(cè)部上的所述外延層中形成，其中所述柵間隔墊形成于所述柵極的側(cè)壁上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器，其特征在 于，將所述隧道孔形成在0.15至0.2 ,之間的深度處。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器，其特征在 于，形成所述隧道孔，以與所述光電二極管區(qū)域或所述浮置擴(kuò)散區(qū)域部分相重
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器，其特征在 于，用于形成所述雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的所述摻雜劑為n+型摻雜劑。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器，其特征在 于，進(jìn)一步包括柵氧化膜，其形成于所述柵極和所述柵間隔墊之間。
6. —種制造互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器的方法，其特征在于，包括 在半導(dǎo)體層上形成外延層；形成器件間隔層，用以將所述外延層劃分為有源區(qū)域和器件隔離區(qū)域，所 述有源區(qū)域包括光電二極管區(qū)域和晶體管區(qū)域；在所述光電二極管區(qū)域和所述浮置擴(kuò)散區(qū)域之間的所述器件隔離層及外 延層中形成隧道孔； 在所述外延層上的驅(qū)動晶體管區(qū)域中的柵隔離層上形成具有側(cè)壁的柵極； 在從所述柵極延伸至所述光電二極管區(qū)域或所述浮置擴(kuò)散區(qū)域的所述隧道孔中形成多晶硅線；在所述柵極的兩側(cè)壁上形成柵間隔墊；以及通過將離子注入到所述柵間隔墊側(cè)部上的所述外延層中，形成雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū) 域，其中所述柵間隔墊形成于所述柵極側(cè)壁上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器的方法， 其特征在于，所述多晶硅線與所述柵極同時形成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器的方法， 其特征在于，將所述隧道孔形成在0.15至0.2 ,之間的深度處。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器的方法， 其特征在于，形成所述隧道孔，以與所述光電二極管區(qū)域或所述浮置擴(kuò)散區(qū)域 部分相重疊。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器的方 法，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述柵極和所述柵間隔墊之間形成柵氧化膜。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器的方 法，其特征在于，所述雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域是通過將n+型摻雜劑離子注入到所述柵 間隔墊側(cè)部上的所述外延層中形成的。
12. —種互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器，其特征在于，包括 外延層，其形成于半導(dǎo)體層上；器件隔離層，其形成于所述外延層上，以將所述外延層劃分為有源區(qū)域和 器件隔離區(qū)域，所述有源區(qū)域包括光電二極管區(qū)域和晶體管區(qū)域；驅(qū)動晶體管，其包括形成于所述外延層上的具有側(cè)壁的柵極、形成于所述 柵極所述兩側(cè)壁上的柵氧化膜，以及形成于所述柵氧化膜上的柵間隔墊；浮置擴(kuò)散區(qū)域，其形成于所述外延層上；隧道孔，其形成于所述光電二極管區(qū)域和所述浮置擴(kuò)散區(qū)域之間的所述器 件隔離層和所述外延層中，所述隧道孔與所述光電二極管區(qū)域或所述浮置擴(kuò)散 區(qū)域部分相重疊；多晶硅線，其形成于從所述柵極延伸至所述驅(qū)動晶體管的所述隧道孔中；以及 雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，其由將摻雜劑離子注入所述柵間隔墊側(cè)部上的所述外延層中 形成，其中所述柵間隔墊形成于所述柵極的所述側(cè)壁上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器，其特征在于，用于形成所述雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的所述摻雜劑為n+型摻雜劑。。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的互補(bǔ)型金屬-氧化物-硅圖像傳感器，其特征在 于，將所述隧道孔形成在0.15至0.2 ,之間的深度處。
全文摘要
一種CMOS圖像傳感器，其包括形成于半導(dǎo)體層上的外延層；形成于外延層上的器件隔離層，以將隔離層劃分為有源區(qū)域和器件隔離區(qū)域；有源區(qū)域，其包括光電二極管區(qū)域和晶體管區(qū)域；驅(qū)動晶體管，其包括形成于外延層上的柵極以及形成于柵極兩側(cè)壁上的柵間隔墊；浮置擴(kuò)散區(qū)域，其形成于外延層上；隧道孔，其形成于光電二極管區(qū)域和浮置擴(kuò)散區(qū)域之間區(qū)域中的器件隔離層和外延層中；多晶硅線，其形成于從柵極延伸至驅(qū)動晶體管的隧道孔中；以及雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，其通過離子注入柵間隔墊各側(cè)上的外延層而形成。
文檔編號H01L27/146GK101211940SQ20071019488
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月29日
發(fā)明者任劤爀 申請人:東部高科股份有限公司