專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示(OELD)器件，更具體地說(shuō)，涉及一 種OELD器件及使用蔭罩(shadow mask)制造該OELD器件的方法。
背景技術(shù)：
io 近來(lái)，開(kāi)發(fā)并使用諸如等離子體顯示板(PDP)、液晶顯示(LCD)
器件和OELD器件的平板顯示裝置來(lái)代替陰極射線(xiàn)管(CRT)。在這些平 板顯示裝置當(dāng)中，由于OELD器件是自發(fā)光類(lèi)型的，其不需要背光單元 作為光源，所以它能夠很薄并且很輕。與LCD器件相比較，OELD器件 具有寬的視角、高對(duì)比度和低功耗。而且，OELD器件可以用低直流電
15壓驅(qū)動(dòng)并且具有快速的響應(yīng)時(shí)間。此外，OELD器件對(duì)于沖擊具有很強(qiáng) 的耐用性并且具有低的制造成本。
通常，在OELD器件中，在單個(gè)基板上形成包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管 (TFT)在內(nèi)的陣列元件和有機(jī)發(fā)光二極管。因此，OELD器件的產(chǎn)品合 格率取決于單個(gè)基板的產(chǎn)品合格率。即使陣列元件和有機(jī)發(fā)光二極管之
20 —具有缺陷，該OELD器件也被確定為次品。因此，OELD器件的產(chǎn)品 合格率降低。
對(duì)于該問(wèn)題，提出了雙面板型OELD器件。在雙面板型中，在彼此 不同的基板上形成陣列元件和有機(jī)發(fā)光二極管。因此，產(chǎn)品合格率提高。 在基板上制造有機(jī)發(fā)光二極管的工藝中，使用具有條紋圖案的蔭罩來(lái)形 25成有機(jī)發(fā)光層。
圖1是表示用于制造根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的雙面板型OELD器件的蔭罩的 示意性平面圖。如圖1所示，蔭罩SM包括多個(gè)阻擋部分10和該多個(gè)阻 擋部分10之間的多個(gè)開(kāi)口 20。通過(guò)該多個(gè)開(kāi)口 20在基板上淀積有機(jī)發(fā) 光材料，以形成有機(jī)發(fā)光層。 通過(guò)蝕刻工藝來(lái)制造上述蔭罩SM。不幸的是，由于蝕刻工藝中的誤 差，而使得在蔭罩SM的端部處阻擋部分10具有不希望的寬度。因此，
該多個(gè)阻擋部分10被分為正常圖案S1和虛擬(dummy)圖案S2。虛擬 圖案S2具有不希望的寬度，并被設(shè)置在蔭罩SM的兩端。正常圖案Sl 5具有所希望的寬度，并被設(shè)置在虛擬圖案S2之間。因此，正常圖案Sl 被設(shè)置為與像素區(qū)相對(duì)應(yīng)，虛擬圖案S2被設(shè)置為與像素區(qū)周邊的虛擬像 素區(qū)相對(duì)應(yīng)，由此在像素區(qū)中形成所希望的有機(jī)發(fā)光層。蔭罩SM具有 的虛擬圖案S2越多，正常圖案S1的寬度的均勻性越大。結(jié)果，蔭罩SM 具有的虛擬圖案S2越多，產(chǎn)品合格率越高。 io 在采用玻上芯片(COG)型的OELD器件中，對(duì)于虛擬圖案有所限
制。即，在COG型OELD器件中，陣列基板的電源端子與有機(jī)發(fā)光二極 管的電極接觸，以向有機(jī)發(fā)光二極管施加電力。由于該COG型使得具有 其中形成虛擬像素區(qū)的窄空間，所以蔭罩沒(méi)有足夠的虛擬圖案，從而正 常圖案的寬度的均勻性降低。顯示質(zhì)量劣化。
1
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明致力于一種蔭罩、使用該蔭罩制造的有機(jī)電致發(fā)光顯
示(OELD)器件及制造該OELD器件的方法，其基本上消除了由于現(xiàn)有 技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或更多個(gè)問(wèn)題。 20 本發(fā)明的目的是提供一種能夠顯示高質(zhì)量圖像的OELD器件。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中闡述，并且將通過(guò)該描 述而部分地明了，或可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐來(lái)學(xué)得。通過(guò)書(shū)面說(shuō)明書(shū)及 其權(quán)利要求書(shū)以及附圖中具體指出得結(jié)構(gòu)，將實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些 目的及其他優(yōu)點(diǎn)。
25 為了實(shí)現(xiàn)這些及其他優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，正如在此具體實(shí)
施和廣泛描述的， 一種有機(jī)電致發(fā)光顯示(OELD)器件包括第一基板 上的第一電極，該第一基板具有有源區(qū)和位于有源區(qū)周邊的非有源區(qū)， 該有源區(qū)包括多個(gè)像素區(qū)，而該非有源區(qū)包括電源區(qū)；該多個(gè)像素區(qū)中 的位于第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；該電源區(qū)中的位于第一電極上的第一
有機(jī)層；該電源區(qū)的外部區(qū)域中的位于第一基板上的第二有機(jī)層；該有 機(jī)發(fā)光層上的第二電極；連接到第二電極并形成在第二基板上的驅(qū)動(dòng)薄 膜晶體管；以及連接到第一有機(jī)層并形成在第二基板上的電源端子，其 中該第一有機(jī)層具有與該有機(jī)發(fā)光層基本相同的形狀，并且該第二有機(jī) 5層具有與該有機(jī)發(fā)光層基本不同的形狀。
在本發(fā)明的另一方面，--種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法包括 在第一基板上形成第一電極，該第一基板具有有源區(qū)和位于有源區(qū)周邊 的非有源區(qū)，該有源區(qū)包括多個(gè)像素區(qū)，而該非有源區(qū)包括電源區(qū)和密 封區(qū)，該密封區(qū)設(shè)置在第二基板的最外側(cè)部分；在該第一電極上方設(shè)置
10具有第一部分和第二部分的蔭罩，該第一部分與有源區(qū)和電源區(qū)相對(duì)應(yīng)， 并且具有多個(gè)第一開(kāi)口，該第二部分與電源區(qū)的外部區(qū)域相對(duì)應(yīng)，并且 具有多個(gè)第二開(kāi)口；使用該蔭罩在第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；在有機(jī) 發(fā)光層上形成第二電極，其中通過(guò)第二電極暴露出電源區(qū)中的有機(jī)發(fā)光 層；在第二基板上形成與該多個(gè)像素區(qū)相對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；在第
15 二基板上形成與該電源區(qū)相對(duì)應(yīng)的電源端子；以及接合第一和第二基板， 以使驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管面對(duì)第二電極。
應(yīng)當(dāng)理解，前面的概述及以下的詳細(xì)描述是示例性和說(shuō)明性的，旨 在提供對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。
20


包含附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并入附圖并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū) 的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例并與說(shuō)明書(shū)一起用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明 的原理。
圖1是表示用于制造根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的雙面板型OELD器件的蔭罩的
25示意性平面圖。
圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的用于制造OELD器件的蔭罩和該OELD器 件的基板的一部分的示意性平面圖。
圖3是表示使用根據(jù)本發(fā)明的蔭罩制造的雙面板型OELD器件的示 意性剖面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將參照附圖詳細(xì)描述優(yōu)選實(shí)施例，附圖中示出了其示例。
圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的用于制造OELD器件的蔭罩和該OELD器 5件的基板的一部分的示意性平面圖。如圖2所示，本發(fā)明中的蔭罩SM包 括多個(gè)阻擋部分110和多個(gè)開(kāi)口 120。該多個(gè)開(kāi)口 120中的每一個(gè)都設(shè)置 在兩個(gè)相鄰的阻擋部分110之間。通過(guò)該多個(gè)開(kāi)口 120將有機(jī)發(fā)光材料 淀積到第一基板260上，以形成有機(jī)發(fā)光層。盡管未示出，但是有機(jī)發(fā) 光二極管構(gòu)成具有第一和第二電極的有機(jī)發(fā)光二極管。
io 通過(guò)蝕刻工藝來(lái)制造上述蔭罩SM。不幸的是，由于蝕刻工藝的誤差，
而導(dǎo)致蔭罩sm的端部處的阻擋部分110具有不希望的寬度。因此，該 多個(gè)阻擋部分110被分為正常圖案Sl和虛擬圖案S2。第一基板260包括 有源區(qū)AR和非有源區(qū)NR。非有源區(qū)NR與基板的除了有源區(qū)AR之外 的部分相對(duì)應(yīng)。有源區(qū)AR包括像素區(qū)和位于該像素區(qū)周邊的虛擬像素
15區(qū)。像素區(qū)用作所希望的圖像顯示區(qū)，但是虛擬像素區(qū)不用作圖像顯示 區(qū)。
另一方面，非有源區(qū)NR包括電源區(qū)PR和密封區(qū)SR。電源區(qū)PR 中的電源端子(未示出)連接到第一電極，以向有機(jī)發(fā)光二極管的第一 電極供電。在面對(duì)第一基板的第二基板上的電源區(qū)PR中形成電源端子 20 (未示出)。盡管未示出，但是該電源端子通過(guò)電源圖案連接到第一電極。 因此，電源的電力通過(guò)電源端子和電源圖案施加到第一電極。例如，電 源和芯片直接連接到第二基板上的電源焊盤(pán)，在電源端子的一端具有電 源線(xiàn)的電源端子連接到該電源焊盤(pán)。該電源的電力被施加到第一電極。
在密封區(qū)SR中形成有密封圖案。該密封圖案接合第一基板與第二基
25 板。
蔭罩SM的虛擬圖案S2與電源區(qū)PR的周邊相對(duì)應(yīng)。最外側(cè)的虛擬 圖案S2可以與密封區(qū)SR相對(duì)應(yīng)。在這種情況下，蔭罩SM的正常圖案 Sl可以與電源區(qū)PR相對(duì)應(yīng)。由于虛擬圖案S2可以與非有源區(qū)NR中的 電源區(qū)PR相對(duì)應(yīng)，所以蔭罩SM可以具有足夠的虛擬圖案S2，從而提
高了正常圖案S1的寬度的均勻性。
蔭罩SM設(shè)置在第一基板260上方，并且通過(guò)該多個(gè)開(kāi)口 120在第 一基板260上淀積有機(jī)發(fā)光材料，以形成有機(jī)發(fā)光層。由于與像素區(qū)相 對(duì)應(yīng)的正常圖案Sl在阻擋圖案110和開(kāi)口 120的寬度方向上具有優(yōu)異的 5均勻性，所以形成在像素區(qū)中的有機(jī)發(fā)光層具有所希望的圖案。另一方 面，由于與電源區(qū)PR或密封區(qū)SR相對(duì)應(yīng)的虛擬圖案S2在阻擋圖案110 和開(kāi)口 120的寬度方向上具有差的均勻性，所以形成在電源區(qū)PR或密封 區(qū)SR中的有機(jī)發(fā)光層具有不希望的圖案。由于電源區(qū)PR和密封區(qū)SR 兩者都不用作圖像顯示區(qū)，所以該不希望的有機(jī)發(fā)光層不會(huì)導(dǎo)致顯示圖
io像的質(zhì)量劣化。結(jié)果，像素區(qū)中的有機(jī)發(fā)光層具有提高的均勻性，從而 該OELD器件能夠顯示高質(zhì)量圖像。
圖3是表示使用根據(jù)本發(fā)明的蔭罩制造的雙面板型OELD器件的示 意性剖面圖。如圖3所示，雙面板型OELD器件包括彼此面對(duì)的第一和 第二基板210和260。在第一和第二基板260和210上限定有包括虛擬像
15素區(qū)DP和像素區(qū)P的有源區(qū)AR以及包括電源區(qū)PR和密封區(qū)SR的非 有源區(qū)NR。在第一基板260上形成有機(jī)發(fā)光二極管E，并且在第二基板 210上形成有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT) Td。有機(jī)發(fā)光二極管E包括第一電 極244、有機(jī)發(fā)光層256和第二電極258。在像素區(qū)P中使用(圖2的) 蔭罩SM形成有機(jī)發(fā)光層256，該有機(jī)發(fā)光層256具有優(yōu)異的均勻性和所
20希望的圖案。(圖2的)正常圖案S1可以與虛擬像素區(qū)DP和電源區(qū)PR 相對(duì)應(yīng)。在這種情況下，當(dāng)在像素區(qū)P中形成有機(jī)發(fā)光層256時(shí)，在虛 擬像素區(qū)DP和電源區(qū)PR上分別形成有虛擬有機(jī)發(fā)光層257和第一有機(jī) 圖案254。由于虛擬有機(jī)發(fā)光層257和第一有機(jī)圖案254與(圖2的)正 常圖案S1相對(duì)應(yīng)，所以它們具有優(yōu)異的均勻性和所希望的圖案。即，有
25機(jī)發(fā)光層256、虛擬有機(jī)發(fā)光層257和第一有機(jī)圖案254具有相同的寬度。 另一方面，在電源區(qū)PR的外部區(qū)域中形成有第二有機(jī)圖案255。第 二有機(jī)圖案255可以形成在電源區(qū)PR和密封區(qū)SR之間的區(qū)域中。第二 有機(jī)圖案255是通過(guò)(圖2的)虛擬圖案S2形成的，從而具有差的均勻 性和不希望的圖案。
在第一基板260的內(nèi)側(cè)上形成有第一電極244。第一電極244與有 源區(qū)AR和電源區(qū)PR兩者相對(duì)應(yīng)。在第一電極244上形成有分隔區(qū)246。 該分隔區(qū)246形成在虛擬像素區(qū)DP和像素區(qū)P之間、兩個(gè)相鄰虛擬像素 區(qū)DP之間以及兩個(gè)相鄰像素區(qū)P之間，以隔開(kāi)它們。當(dāng)在第一電極244 5上淀積有機(jī)發(fā)光材料時(shí)，有機(jī)發(fā)光層256和虛擬有機(jī)發(fā)光層257由于分 隔區(qū)246而分離。在像素區(qū)P中的有機(jī)發(fā)光層256上形成有第二電極258， 并且在虛擬像素區(qū)DP中的虛擬有機(jī)發(fā)光層257上形成有虛擬電極259。 因?yàn)樘摂M像素區(qū)DP和像素區(qū)P由于分隔區(qū)246而被隔開(kāi)，所以第二電極 258和虛擬電極259也彼此隔開(kāi)。每個(gè)像素區(qū)P中的第二電極258都由于
io分隔區(qū)246而被隔開(kāi)。像素區(qū)P中的第一電極244、有機(jī)發(fā)光層256以及 第二電極258構(gòu)成了有機(jī)發(fā)光二極管E。
另一方面，在像素區(qū)P中在第二基板210上形成有包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶 體管(TFT) Td的陣列元件和連接電極220。盡管未示出，但是在第二 基板210上形成有選通線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)和開(kāi)關(guān)TFT。選通線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)彼此交
15叉，以限定像素區(qū)P。開(kāi)關(guān)TFT連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)和選通線(xiàn)。該驅(qū)動(dòng)TFTTd 和開(kāi)關(guān)TFT中的每一個(gè)都包括柵極、源極和漏極。開(kāi)關(guān)TFT的柵極連接 到選通線(xiàn)，而開(kāi)關(guān)TFT的源極被連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)。開(kāi)關(guān)TFT的漏極連接到 該驅(qū)動(dòng)TFT Td的柵極。連接線(xiàn)220連接到該驅(qū)動(dòng)TFT Td的漏極。
第二基板210中的虛擬像素區(qū)DP具有與第二基板210中的像素區(qū)P
20基本上相同的結(jié)構(gòu)。例如，在虛擬像素區(qū)DP中形成有虛擬TFTTD和虛 擬連接電極221。
像素區(qū)P中的連接圖案230設(shè)置在第一基板260和第二基板210之 間。第二電極258通過(guò)連接圖案230連接到連接電極220。由于連接電極 220連接到該驅(qū)動(dòng)TFT Td的漏極(未示出)，所以有機(jī)發(fā)光二極管E的 25第二電極258連接到該驅(qū)動(dòng)TFT Td。類(lèi)似地，在虛擬像素區(qū)DP中形成 有虛擬連接圖案231，并將虛擬電極259連接到虛擬連接電極221。
另一方面，在第二基板210上的電源區(qū)PR中形成有電源端子225。 電源端子225從電源(未示出)接收電力。電源端子225與第一基板210 上的電源區(qū)PR中的第一有機(jī)圖案225相對(duì)應(yīng)。電源圖案280與電源端子
225和第一有機(jī)圖案225兩者接觸，以電連接它們。結(jié)果，電源端子225 通過(guò)電源圖案280和第一有機(jī)圖案254電連接到第一基板260上的電源 區(qū)PR中的第一電極244。第一有機(jī)圖案254具有充分低的厚度，從而具 有相對(duì)低的電阻。例如，第一有機(jī)圖案254具有約200埃至約400埃的 5范圍的厚度。結(jié)果，電源的電力被施加到第一電極244。
在密封圖案SR中在第一基板260和第二基板210之間形成有密封圖 案270，以接合第一基板260和第二基板210。密封圖案270沿第一基板 260和第二基板210的邊緣部分設(shè)置。從密封區(qū)SR的外側(cè)在第二基板210 上設(shè)置芯片(未示出)。
io 通過(guò)圖3來(lái)說(shuō)明制造根據(jù)本發(fā)明的OELD器件的方法。在第一基板
260上的有源區(qū)AR和電源區(qū)PR中形成第一電極244。在第一電極244 上形成分隔區(qū)246。分隔區(qū)246使像素區(qū)P和虛擬像素區(qū)DP隔開(kāi)。在第 一基板260上方設(shè)置(圖2的)蔭罩SM。(圖2的)正常圖案S1與有源 區(qū)AR和電源區(qū)PR相對(duì)應(yīng)，(圖2的)虛擬圖案S2與電源區(qū)PR的外部
15空間相對(duì)應(yīng)。接下來(lái)，使用(圖2的)蔭罩SM在第一電極244上淀積 有機(jī)發(fā)光材料，以在像素區(qū)P中形成有機(jī)發(fā)光層256，在虛擬像素區(qū)DP 中形成虛擬有機(jī)發(fā)光層257，以及在電源區(qū)PR中形成第一有機(jī)圖案254。 由于有機(jī)發(fā)光層256、虛擬有機(jī)發(fā)光層257和第一有機(jī)圖案254是通過(guò)(圖 2的)蔭罩SM的正常圖案S1 (圖2)形成的，所以它們具有優(yōu)異的均勻
20性和所希望的圖案。有機(jī)發(fā)光層256、虛擬有機(jī)發(fā)光層257和第一有機(jī)圖 案254由于分隔區(qū)246而彼此隔開(kāi)。同時(shí)，在第一基板260上的電源區(qū) PR的外部區(qū)域中形成第二有機(jī)圖案255。由于第二有機(jī)圖案255是通過(guò) (圖2的)蔭罩SM的(圖2的)虛擬圖案S2形成的，所以第二有機(jī)圖 案255具有差的均勻性和不希望的圖案。
25 接下來(lái)，在有機(jī)發(fā)光層256和虛擬有機(jī)發(fā)光層257上分別形成第二
電極258和虛擬電極259。第二電極258和虛擬電極259由于分隔區(qū)246 而彼此隔開(kāi)。盡管在圖3中未示出，但是在形成第二電極258之前，可 以去除非有源區(qū)NR中的第一和第二有機(jī)圖案254和255。
另一方面，在第二基板210上形成包括驅(qū)動(dòng)TFTTd、虛擬TFTTD
的陣列元件和電源端子280。在第二基板210上形成連接圖案230、虛擬 連接圖案231和電源連接圖案280。在連接電極220上形成連接圖案230， 以將連接電極220與第二電極258連接。在虛擬連接電極220上形成虛 擬連接圖案231。在電源端子225上形成電源圖案280,以將電源端子225
5與第一有機(jī)圖案254連接。當(dāng)去除第一有機(jī)圖案254時(shí)，電源連接圖案 280直接將電源端子225連接到第一電極244。可以在第一基板260上形 成連接圖案230、虛擬連接圖案231和電源連接圖案280。
接下來(lái)，沿第一和第二基板260和210之一的邊緣部分形成密封圖 案270。然后，使用密封圖案270，將第一和第二基板260和210彼此接
io合。在接合第一和第二基板260和210之后，通過(guò)玻上芯片(COG)型 在第二基板210上設(shè)置芯片。
通過(guò)上述工藝，制造根據(jù)本發(fā)明的OELD器件。在本發(fā)明中，由于 蔭罩的虛擬圖案與電源區(qū)相對(duì)應(yīng)，所以蔭罩具有相對(duì)較寬的虛擬圖案， 從而蔭罩的正常圖案具有優(yōu)異的均勻性。由此，提高了通過(guò)蔭罩的正常
15圖案制造的有機(jī)發(fā)光層的均勻性，從而該OELD器件能夠顯示高質(zhì)量圖 像。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況 下，可以對(duì)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法進(jìn)行各種修改和變 化。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入附加權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的本 20發(fā)明的這些修改和變化。
本申請(qǐng)要求2006年6月26日在韓國(guó)提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No. 2006-0057344的優(yōu)先權(quán)，在此通過(guò)引用將其并入。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)電致發(fā)光顯示(OELD)器件，該器件包括第一基板上的第一電極，該第一基板具有有源區(qū)和位于該有源區(qū)周邊的非有源區(qū)，該有源區(qū)包括多個(gè)像素區(qū)，并且該非有源區(qū)包括電源區(qū)；所述多個(gè)像素區(qū)中的位于所述第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；所述電源區(qū)中的位于所述第一電極上的第一有機(jī)層；所述電源區(qū)的外部區(qū)域中的位于所述第一基板上的第二有機(jī)層；所述有機(jī)發(fā)光層上的第二電極；連接到所述第二電極并形成在第二基板上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；以及連接到所述第一有機(jī)層并形成在所述第二基板上的電源端子，其中所述第一有機(jī)層具有與所述有機(jī)發(fā)光層基本上相同的形狀，并且所述第二有機(jī)層具有與所述有機(jī)發(fā)光層基本不同的形狀。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中，所述有機(jī)發(fā)光層被所述分隔 區(qū)隔開(kāi)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，該器件還包括位于所述第一基板和 第二基板中的至少一個(gè)的邊緣部分處的密封圖案。
10、 一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，該方法包括在第一基板上形成第一電極，該第一基板具有有源區(qū)和在該有源區(qū) 周邊的非有源區(qū)，該有源區(qū)包括多個(gè)像素區(qū)，而該非有源區(qū)包括電源區(qū) 和密封區(qū)，該密封區(qū)設(shè)置在第二基板的最外側(cè)部分；在所述第一電極上方設(shè)置具有第一部分和第二部分的蔭罩，該第一 10部分與所述有源區(qū)和電源區(qū)相對(duì)應(yīng)，并且具有多個(gè)第一開(kāi)口，該第二部 分與所述電源區(qū)的外部區(qū)域相對(duì)應(yīng)，并且具有多個(gè)第二開(kāi)口；使用所述蔭罩在所述第一 電極上形成有機(jī)發(fā)光層； 在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極，其中通過(guò)所述第二電極暴露出所述電源區(qū)中的有機(jī)發(fā)光層； 15 在所述第二基板上形成與所述多個(gè)像素區(qū)相對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體 管；在所述第二基板上形成與所述電源區(qū)相對(duì)應(yīng)的電源端子；以及 接合所述第一和第二基板，以使所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管面對(duì)所述第二 電極。
11、根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述蔭罩的第二部分延伸到所述密封區(qū)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述蔭罩的第二部分在所 述密封區(qū)上延伸。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，該方法還包括形成將所述驅(qū)動(dòng)25薄膜晶體管連接到第二電極的連接圖案以及將所述電源端子連接到所暴露出的有機(jī)發(fā)光層的電源圖案。
14、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，該方法還包括在所述第一電極上方設(shè)置所述蔭罩之前，在所述第一電極上在相鄰兩個(gè)像素區(qū)之間形成 分隔區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法。該器件包括第一基板上的第一電極，該第一基板具有有源區(qū)和位于該有源區(qū)周邊的非有源區(qū)，該有源區(qū)包括多個(gè)像素區(qū)，并且該非有源區(qū)包括電源區(qū)；所述多個(gè)像素區(qū)中的位于所述第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；所述電源區(qū)中的位于所述第一電極上的第一有機(jī)層；所述電源區(qū)的外部區(qū)域中的位于所述第一基板上的第二有機(jī)層；所述有機(jī)發(fā)光層上的第二電極；連接到所述第二電極并形成在第二基板上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；以及連接到所述第一有機(jī)層并形成在所述第二基板上的電源端子，其中所述第一有機(jī)層具有與所述有機(jī)發(fā)光層基本上相同的形狀，并且所述第二有機(jī)層具有與所述有機(jī)發(fā)光層基本不同的形狀。
文檔編號(hào)H01L23/488GK101097910SQ200710112580
公開(kāi)日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2007年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月26日
發(fā)明者俞忠根, 李康柱 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社