專利名稱：晶圓柵極側(cè)墻的去除方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體的制造工藝，具體地說，涉及一種采用濕法蝕刻去除晶 圓柵極側(cè)墻的方法。
背景技術(shù)：
在晶圓的離子注入制程中，常常需要在柵極外側(cè)沉積幾層側(cè)墻(spacer)以 確定每次對半導(dǎo)體襯底離子注入的位置，所述側(cè)墻可以是氮化硅也可以是二氧 化硅。離子注入完成后，除靠近柵極的一層保留外，其他層的側(cè)墻都需要去除 掉?，F(xiàn)有側(cè)墻去除方法是將待處理晶圓浸入酸性蝕刻液中進(jìn)行濕法蝕刻，該 酸性蝕刻液是具緩沖效果的氧化物蝕刻液(Buffered Oxide Etch， BOE )，所以該 步驟稱為BOE蝕刻步驟；接著，將晶圓放入快排快沖槽(Quick Dump Rinser, QDR)中用去離子水進(jìn)行清洗，稱為QDR清洗步驟，將殘留二氧化硅或者氮化 珪、反應(yīng)物以及蝕刻液清洗掉。
但是實際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，采用現(xiàn)有的去除方法晶圓的中心部分經(jīng)常出現(xiàn)缺陷。 研究發(fā)現(xiàn)，在QDR清洗步驟中，高流量的去離子水產(chǎn)生較大沖擊力將反應(yīng)殘留 物沖刷到晶圓中心部分，且這些反應(yīng)殘留物在后續(xù)步驟中無法清除掉從而形成 上述缺陷，進(jìn)而影響了晶圓的成品率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于提供一種可減少污染缺陷的晶圓柵 極側(cè)墻的去除方法。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了 一種新的晶圓柵極側(cè)墻的去除方法。 該去除方法包括兩步子去除步驟，第一子去除步驟包括對晶圓進(jìn)行BOE蝕刻 步驟，去除部分厚度的側(cè)墻；QDR清洗步驟；烘干步驟；第二子去除步驟包括 繼續(xù)對晶圓進(jìn)行BOE蝕刻步驟，去除剩余的側(cè)墻；清洗步驟；烘干步驟。
3進(jìn)一步地，第一子去除步驟中去除側(cè)墻的厚度大于第二子去除步驟中去除 側(cè)墻的厚度。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的去除方法分兩步進(jìn)行，通過在第二步的蝕 刻步驟中第 一步?jīng)_刷到晶圓中心部分的反應(yīng)殘留物蝕刻掉，從而減少了污染晶 圓中心部分的反應(yīng)殘留物，起到提高晶圓成品率的有益效果。


圖1是^f寺處理晶圓的截面圖。
圖2是進(jìn)行第一去除步驟后晶圓的截面圖。 圖3是進(jìn)行第二去除步驟后晶圓的截面圖。 圖4是本發(fā)明晶圓柵極側(cè)墻的去除方法的流程圖。
具體實施例方式
以下結(jié)合附圖對本發(fā)明晶圓柵極側(cè)墻的去除方法作詳細(xì)描述，以期進(jìn)一步 理解本發(fā)明的特點、目的和功效。
請參閱圖4結(jié)合圖1,為了向半導(dǎo)體襯底1不同位置進(jìn)行離子注入，本實施 例中，晶圓柵極2的外側(cè)沉積、蝕刻形成兩層側(cè)墻，其中內(nèi)側(cè)側(cè)墻是氮化硅層3、 外側(cè)側(cè)墻是二氧化硅層4，其中二氧化硅層的厚度是280A(埃)。離子注入完成 后需要將二氧化硅層4去掉，本發(fā)明提供的去除方法分兩步進(jìn)行，描述如下
第一步去除步驟首先對晶圓BOE蝕刻步驟，即將晶圓浸入具有緩沖作用 的酸性蝕刻液內(nèi)，蝕刻液與二氧化硅反應(yīng)，根據(jù)蝕刻速率確定蝕刻時間，蝕刻 掉二氧化硅層總體厚度的50-80% ，本實施例中選擇蝕刻掉160A;然后進(jìn)行QDR 清洗步驟，即將晶圓放入快排快沖槽內(nèi)用去離手水清洗晶圓上的殘留反應(yīng)物， 在該步驟中由于去離子水的流量比較高，將部分殘留反應(yīng)物5沖刷到晶圓的中 心部分，如圖2所示；進(jìn)行烘干步驟。
第二步去除步驟，將晶圓放入上述酸性蝕刻液中繼續(xù)進(jìn)行BOE蝕刻步驟， 將剩余的120A的二氧化硅層去掉，在該步驟中，蝕刻液同時與在第一步去除步 驟中產(chǎn)生的殘留反應(yīng)物5反應(yīng)，如圖3所示；然后進(jìn)行清洗步驟，該步驟可以 釆用QDR清洗，也可以采用去離子水流量低的清洗方式；最后進(jìn)行烘千歩驟。本發(fā)明提供的去除方法分兩步進(jìn)行，第二步的蝕刻步驟將第一步?jīng)_刷到中 心部分的殘留反應(yīng)物蝕刻掉，相較現(xiàn)有技術(shù)，大大減少了對晶圓中心部分的污 染，提高了產(chǎn)品的成品率。
上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定， 本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán) 利要求書的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種晶圓柵極側(cè)墻的去除方法，其特征在于，該去除方法包括兩步子去除步驟，第一子去除步驟包括對晶圓進(jìn)行BOE蝕刻步驟，去除部分厚度的側(cè)墻；QDR清洗步驟；烘干步驟；第二子去除步驟包括繼續(xù)對晶圓進(jìn)行BOE蝕刻步驟，去除剩余的側(cè)墻；清洗步驟；烘干步驟。
2. 如權(quán)利要求1所述的去除方法，其特征在于第一子去除步驟中去除側(cè)墻的厚 度大于第二子去除步驟中去除側(cè)墻的厚度。
3. 如權(quán)利要求2所述的去除方法，其特征在于第一子步驟中去除側(cè)墻的厚度是 側(cè)墻總體厚度的50-80%。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種新的晶圓柵極側(cè)墻的去除方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的濕法蝕刻工藝。該去除方法包括兩步子去除步驟，第一子去除步驟包括對晶圓進(jìn)行BOE蝕刻步驟，去除部分厚度的側(cè)墻；QDR清洗步驟；烘干步驟；第二子去除步驟包括繼續(xù)對晶圓進(jìn)行BOE蝕刻步驟，去除剩余的側(cè)墻；清洗步驟；烘干步驟。進(jìn)一步地，第一子去除步驟中去除側(cè)墻的厚度大于第二子去除步驟中去除側(cè)墻的厚度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的去除方法分兩步進(jìn)行，通過在第二步的蝕刻步驟中第一步?jīng)_刷到晶圓中心部分的反應(yīng)殘留物蝕刻掉，從而減少了污染晶圓中心部分的反應(yīng)殘留物。
文檔編號H01L21/3105GK101431022SQ20071004799
公開日2009年5月13日 申請日期2007年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月8日
發(fā)明者常延武, 騫 陸, 龍宇翔 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司