專利名稱：有機(jī)發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種有機(jī)發(fā)光裝置，尤其是涉及一種在空穴傳輸層和電子傳輸層中包括具有特定光致發(fā)光(photoluminescence)光譜最大波長的化合物的有機(jī)發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
一般地，有機(jī)發(fā)光裝置包括一對電極，例如陽極電極和陰極電極，和插入在該對電極之間的至少一個(gè)有機(jī)層。當(dāng)在該電極之間施加電壓時(shí)，空穴和電子從該陽極和陰極電極注入該有機(jī)層。然后，在該有機(jī)層中產(chǎn)生具有激發(fā)能量狀態(tài)的激子并且發(fā)光，同時(shí)該激子返回到基態(tài)能量狀態(tài)。
該有機(jī)發(fā)光裝置的有機(jī)層可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。該單層結(jié)構(gòu)在兩個(gè)電極之間僅包括發(fā)光層。該多層結(jié)構(gòu)包括發(fā)光層，和空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子注入層、電子傳輸層等中的至少一種。這里，電子阻擋層是指調(diào)節(jié)電子遷移率以便與空穴遷移率平衡的層。
該多層結(jié)構(gòu)通過在其中包括上述層而提高了量子效率和降低了驅(qū)動(dòng)電壓，并且通過調(diào)節(jié)電子和空穴的重組而提高了發(fā)光效率。已經(jīng)針對材料開展了各種研究工作以增強(qiáng)有機(jī)發(fā)光裝置的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本公開的一個(gè)方面提供一種有機(jī)發(fā)光裝置，其能夠提高有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率特別是發(fā)藍(lán)光效率，并且不損害其他特性。
一個(gè)實(shí)施方案提供一種有機(jī)發(fā)光裝置，其包括第一電極；第二電極；插入在該第一和第二電極之間的發(fā)射層；插入在該第一電極和發(fā)射層之間的第一有機(jī)層，該第一有機(jī)層包括第一化合物，該第一化合物具有大約400nm到大約500nm的光致發(fā)光光譜最大波長；和插入在該第二電極和發(fā)射層之間的第二有機(jī)層，該第二有機(jī)層包括第二化合物，該第二化合物具有大約400nm到大約500nm的光致發(fā)光光譜最大波長。
該第一有機(jī)層可以是空穴傳輸層，而第二有機(jī)層可以是電子傳輸層。該第一化合物可以包括從由化學(xué)式1-6、10-22和25所表示的化合物組成的組中選擇的至少一個(gè)化學(xué)式1 化學(xué)式2
化學(xué)式3 化學(xué)式4
化學(xué)式5 化學(xué)式6
化學(xué)式10 化學(xué)式11 化學(xué)式12
化學(xué)式13 化學(xué)式14 化學(xué)式15
化學(xué)式16 化學(xué)式17 化學(xué)式18 化學(xué)式19
化學(xué)式20 化學(xué)式21 化合物A化學(xué)式22 化合物B
化學(xué)式25 該第一化合物的含量可以是相對于第一有機(jī)層總重量的大約50wt％到大約100wt％。該第二化合物可以包括從由化學(xué)式7-9和27所表示的化合物組成的組中選擇的至少一個(gè)。
化學(xué)式7 化學(xué)式8
化學(xué)式9 化學(xué)式27 該第二化合物的含量可以是相對于第二有機(jī)層總重量的大約50wt％到大約100wt％。第一有機(jī)層可以具有大約100到大約1500的厚度。第二有機(jī)層可以具有大約150到大約600的厚度。第一化合物可以包括從由N，N’-二(1-萘基)-N-N-二苯基聯(lián)苯胺(NPD)、雙(4-二甲氨基-2-甲基苯基-甲苯、1，1-雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷和1，1-雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷組成的組中選擇的一種或多種化合物。第二化合物可以包括從由低聚噻吩(oligothiophene)、全氟化低聚-對-亞苯基和2，5-二芳基噻咯(2，5-diarylsilole)組成的組中選擇的一種或多種化合物。
該裝置還可以包括插入在發(fā)射層和第二有機(jī)層之間的空穴阻擋層。該裝置還可以包括插入在發(fā)射層和第一有機(jī)層之間的電子阻擋層。發(fā)射層可以包括藍(lán)光發(fā)射有機(jī)化合物。第一化合物可以包括藍(lán)光發(fā)射有機(jī)化合物。第二化合物可以包括藍(lán)光發(fā)射有機(jī)化合物。
另一個(gè)實(shí)施方案提供了一種包括上述裝置的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。另一個(gè)實(shí)施方案提供于一種包括上述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的電子設(shè)備。
另一個(gè)實(shí)施方案提供了一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法。該方法包括提供第一電極；在第一電極上形成第一有機(jī)層，該第一有機(jī)層包括具有大約400nm到大約500nm的光致發(fā)光光譜最大波長的第一化合物；在該第一有機(jī)層上形成發(fā)射層；在發(fā)射層上形成第二有機(jī)層，該第二有機(jī)層包括具有大約400nm到大約500nm的光致發(fā)光光譜最大波長的第二化合物；和在該第二有機(jī)層上形成第二電極。
形成該第一有機(jī)層可以包括使用熱蒸發(fā)或旋涂。形成第二有機(jī)層可以包括使用真空沉積。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極；在第一電極上形成的第一有機(jī)層，包括具有在PL譜中顯示為大約400nm到大約500nm的最大波長的第一化合物；在第一有機(jī)層上提供的發(fā)射層；在該發(fā)射層上設(shè)立的第二有機(jī)層，包括具有在PL譜中顯示為大約400nm到大約500nm的最大波長的第二化合物；和布置在該第二有機(jī)層上的第二電極。
根據(jù)另一實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極；在第一電極上形成的具有第一化合物的第一有機(jī)層，該第一化合物具有在PL譜中顯示為大約400nm到大約500nm的最大波長；在第一有機(jī)層上提供的發(fā)射層；在該發(fā)射層上設(shè)立的具有第二化合物的第二有機(jī)層，該第二化合物具有在PL譜中顯示為大約400nm到大約500nm的最大波長；和布置在該第二有機(jī)層上的第二電極。
根據(jù)該實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光裝置通過在發(fā)射層的兩側(cè)形成包括特定化合物的有機(jī)層，而具有顯著提高藍(lán)光發(fā)射效率而不改變其他元件特性的有利效果。


圖1是示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖。
具體實(shí)施例方式下文中將參照附圖更充分地對本公開進(jìn)行說明。
在具有上述多層結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光裝置中，空穴傳輸層可以用于傳輸空穴，同時(shí)通過協(xié)助空穴在發(fā)射層中的重組而提高發(fā)光效率。該空穴傳輸層可以被配置成除了上述功能之外，還增加藍(lán)光發(fā)射效率。例如，韓國公開第10-2005-0077231和10-2003-0058458號(hào)公開了用于空穴傳輸層的材料。而且，該電子傳輸層可以用于傳輸電子，同時(shí)通過協(xié)助電子在發(fā)射層中的重組而提高發(fā)光效率。該電子傳輸層可以使用各種材料。
圖1是示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖。該有機(jī)發(fā)光裝置包括第一有機(jī)層40，發(fā)射層30，和位于第一電極10和第二電極20之間的第二有機(jī)層50。
在一個(gè)實(shí)施方案中，第一電極10可以用作陽極電極，而第二電極20可以用作陰極電極。該第一電極可以例如由ITO形成。第二電極可以例如由鋰、鎂、鋁、鋁-鋰、鈣、鎂-銦、鎂-銀等形成。
發(fā)射層30是來自第一電極10和第二電極20的空穴和電子在其中互相重組并且返回基態(tài)以發(fā)光的層。發(fā)射層30可以由任何適當(dāng)?shù)陌l(fā)光材料形成。這些發(fā)光材料的例子包括但不限于，ADN(化學(xué)式28)，MADN(化學(xué)式29)。
化學(xué)式29 第一有機(jī)層40可以包括具有大約400nm到大約500nm的光致發(fā)光(PL)光譜最大波長的第一化合物。術(shù)語“最大波長”還可以稱為“峰值波長”。該第一化合物用于增強(qiáng)發(fā)射層30的發(fā)光效率，但是第一化合物本身在該有機(jī)發(fā)光裝置中不發(fā)光。第二有機(jī)層50可以包括具有大約400nm到大約500nm的光致發(fā)光(PL)光譜最大波長的第二化合物。在某些實(shí)施方案中，該第一和第二化合物本身可以是發(fā)藍(lán)光材料。該第一和第二化合物可以互不相同。
在一個(gè)實(shí)施方案中，第一有機(jī)層40可以是空穴傳輸層。該空穴傳輸層用于將空穴從陽極電極有效傳輸?shù)桨l(fā)射層。除了上述的第一化合物，該空穴傳輸層還可以包括TPTE(化學(xué)式23)和MTBDAB(化學(xué)式24)中的至少一個(gè)。將會(huì)理解，對于第一有機(jī)層40可以使用其他任何適當(dāng)?shù)目昭▊鬏敳牧稀?br> 化學(xué)式23 化學(xué)式24 用于該空穴傳輸層的第一化合物的例子可以包括但不限于，N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’二苯基-[1，1-二苯基-4，4’二胺(TPD，化學(xué)式1)，N，N’-二(萘-1-基)-N，N’二苯基聯(lián)苯胺(α-NPD，化學(xué)式2)，螺-NPD(化學(xué)式3)，和螺-TAD(化學(xué)式4)。
化學(xué)式1 化學(xué)式2 化學(xué)式3
化學(xué)式4 第一化合物的其他例子包括具有空穴注入特性的材料，例如酞菁銅(CuPc)，星爆型胺TCTA(化學(xué)式5)，m-MTDATA(化學(xué)式6)，和HI406(可以從Idemitsu Kosan Co.，Ltd.，Tokyo，Japan獲得)。
化學(xué)式5
化學(xué)式6 第一化合物的其他例子可以包括Flrpic(化學(xué)式10)，CzTT(化學(xué)式11)，PPCP(化學(xué)式12)，DST(化學(xué)式13)，TPA(化學(xué)式14)，螺-DPVBi(化學(xué)式15)，AZM-Zn(化學(xué)式16)，蒽(化學(xué)式17)，TPB(化學(xué)式18)，OXD-4(化學(xué)式19)，BBOT(化學(xué)式20)，化合物A(化學(xué)式21)，化合物B(化學(xué)式22)，和由化學(xué)式25表示的化合物。
化學(xué)式10
化學(xué)式11 化學(xué)式12 化學(xué)式13
化學(xué)式14 化學(xué)式15 化學(xué)式16
化學(xué)式17 化學(xué)式18 化學(xué)式19 化學(xué)式20
化學(xué)式21 化合物A化學(xué)式22 化合物B化學(xué)式25
而且，可以單獨(dú)使用N，N’-二(1-萘基)-N-N-二苯基聯(lián)苯胺(NPD)、雙(4-二甲氨基)-2-甲基苯基-甲苯、1，1-雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷和1，1-雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷等，或者與上述第一化合物的一個(gè)或多個(gè)例子混合使用。
在另一實(shí)施方案中，可以通過用p型半導(dǎo)體材料摻雜金屬酞菁有機(jī)化合物而形成第一有機(jī)層40。而且，除了上述第一化合物的例子之外，也可以使用日本專利公開第2000-192028、2000-191560、2000-48955、2000-7604和1998-11063號(hào)以及美國專利第6591636號(hào)中公開的各種材料作為第一化合物。
在一個(gè)實(shí)施方案中，第一化合物的含量可以是相對于第一有機(jī)層40的總重量的大約30wt％～100wt％。任選地，第一化合物的含量可以是相對于第一有機(jī)層40的總重量的大約50wt％到大約100wt％。
空穴傳輸層的厚度可以在大約100到大約1500的范圍內(nèi)。該第一化合物可以通過熱蒸發(fā)或旋涂而包括在該空穴傳輸材料中。
在一個(gè)實(shí)施方案中，第二有機(jī)層50可以是電子傳輸層。該電子傳輸層用于將電子從陰極電極有效傳輸?shù)桨l(fā)射層。除了上述第二化合物，第二有機(jī)層50還可以包括任何適當(dāng)?shù)碾娮觽鬏敳牧稀Ｔ撾娮觽鬏敳牧系睦影ǖ幌抻?，鋁復(fù)合物(Alq3-(三(8-喹啉并根合)-鋁))，和由化學(xué)式26表示的化合物。
化學(xué)式26
該電子傳輸材料可以包括具有大約400nm到大約500nm的PL光譜最大波長的第二化合物。該第二化合物的例子包括但不限于，Bepp2(化學(xué)式7)，Bpy-OXD(化學(xué)式8)，Bpy-OXDpy(化學(xué)式9)，化學(xué)式27，由化學(xué)式27表示的化合物，低聚噻吩，全氟化低聚-對-亞苯基，2，5-二芳基噻咯等，及其衍生物。
化學(xué)式7 化學(xué)式8
化學(xué)式9 化學(xué)式27 在一個(gè)實(shí)施方案中，第二化合物的含量可以是相對于第二有機(jī)層50的總重量的大約30wt％到大約100wt％。任選地，第二化合物的含量可以是相對于第二有機(jī)層50的總重量的大約50wt％到大約100wt％。
該第二化合物可以被真空沉積到該電子傳輸材料上以形成電子傳輸層。這里，該電子傳輸層的厚度可以在大約150到大約600的范圍內(nèi)。
根據(jù)另一實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光裝置包括第一有機(jī)層40，發(fā)射層30，和位于第一電極10和第二電極20之間的第二有機(jī)層50。第一有機(jī)層40可以由具有大約400nm到大約500nm的PL光譜最大波長的第一化合物形成。第二有機(jī)層50可以由具有大約400nm到大約500nm的PL光譜最大波長的第二化合物形成。在這個(gè)實(shí)施方案中，上述波長中的第一和第二化合物可以是發(fā)藍(lán)光材料。該第一和第二化合物可以互不相同。
在這個(gè)實(shí)施方案中，該第一有機(jī)層可以由第一化合物單獨(dú)形成，第二有機(jī)層可以由第二化合物單獨(dú)形成。該第一和第二有機(jī)層可以分別用作空穴傳輸層和電子傳輸層。用于空穴傳輸層的第一化合物可以是上述第一化合物的例子中的一個(gè)或多個(gè)。上述第二化合物的例子中的一個(gè)或多個(gè)可以被用作第二化合物。
在所示實(shí)施方案中，該有機(jī)發(fā)光裝置還可以包括電子注入層60，空穴阻擋層70，電子阻擋層80，和空穴注入層90。將會(huì)理解，可以省略前述層60、70、80和90中的至少一個(gè)。還將認(rèn)識(shí)到，取決于其設(shè)計(jì)，該有機(jī)發(fā)光裝置還可以包括其他層。
在另一實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括上述有機(jī)發(fā)光裝置。在這種實(shí)施方案中，該顯示裝置可以包括像素陣列，每個(gè)像素包括至少一個(gè)上述有機(jī)發(fā)光裝置。
在另一實(shí)施方案中，電子設(shè)備可以包括上述的顯示裝置。該電子設(shè)備的例子包括但不限于，各種用戶電子產(chǎn)品。該用戶電子產(chǎn)品可以包括但不限于，移動(dòng)電話，電話，電視機(jī)，計(jì)算機(jī)監(jiān)視器，計(jì)算機(jī)，手持計(jì)算機(jī)，個(gè)人數(shù)字助理(PDA)，微波，電冰箱，立體聲系統(tǒng)，磁帶錄音機(jī)或播放機(jī)，DVD播放機(jī)，CD播放機(jī)，VCR，MP3播放器，收音機(jī)，攝像機(jī)，照相機(jī)，數(shù)字照相機(jī)，便攜式存儲(chǔ)芯片，洗衣機(jī)，干燥機(jī)，洗衣機(jī)/干燥機(jī)，復(fù)印機(jī)，傳真機(jī)，掃描儀，多功能外圍裝置，手表，鐘表等等。
實(shí)施例1 通過使用TPTE(化學(xué)式23)和由化學(xué)式25表示的化合物作為空穴傳輸材料來在襯底表面上形成具有15nm厚度的空穴傳輸層，在其上沉積ITO膜作為陽極電極。在形成該空穴傳輸層之后，通過在10-7托的氣壓下將IdemitsuKosan，Co.，Ltd.(Tokyo，Japan)的Blue dopant BD118沉積到ADN(化學(xué)式28)中達(dá)到1％的濃度而設(shè)立具有30nm厚度的發(fā)射層。在沉積發(fā)射層之后，形成具有25nm厚度的化合物27的電子傳輸層。
化學(xué)式28 實(shí)施例2 通過在10-7托的氣壓下使用化學(xué)式2的α-NPD來在襯底表面上形成具有15nm厚度的空穴傳輸層，在其上沉積ITO膜作為陽極電極。在形成該空穴傳輸層之后，通過在10-7托的氣壓下將Idemitsu Kosan，Co.，Ltd.的Blue dopantBD118沉積到ADN中達(dá)到1％的濃度而設(shè)立具有30nm厚度的發(fā)射層。在形成發(fā)射層之后，使用由化學(xué)式27表示的化合物來形成具有25nm厚度的電子傳輸層。
實(shí)施例3 通過在10-7托的氣壓下使用化學(xué)式2的α-NPD來在襯底表面上形成具有15nm厚度的空穴傳輸層，在其上沉積ITO膜作為陽極電極。在形成該空穴傳輸層之后，通過在10-7托的氣壓下將Idemitsu Kosan，Co.，Ltd.的Blue dopantBD118沉積到ADN中達(dá)到1％的濃度而設(shè)立具有30nm厚度的發(fā)射層。在形成發(fā)射層之后，使用由化學(xué)式8表示的化合物來形成具有25nm厚度的電子傳輸層。
比較例1 通過在10-7托的真空氣壓下使用由化學(xué)式2表示的化合物來在襯底表面上形成具有15nm厚度的空穴傳輸層，在其上沉積ITO膜作為陽極電極。在形成該空穴傳輸層之后，通過在10-7托的氣壓下將Idemitsu Kosan，Co.，Ltd.的Blue dopant BD118沉積到ADN中達(dá)到1％的濃度而設(shè)立具有30nm厚度的發(fā)射層。在形成發(fā)射層之后，通過使用Alq3來形成具有25nm厚度的電子傳輸層。
比較例2 通過在10-7托的氣壓下使用MTBDAB(化學(xué)式24)來在襯底表面上形成具有15nm厚度的空穴傳輸層，在其上沉積ITO膜作為陽極電極。在形成該空穴傳輸層之后，通過在10-7托的氣壓下將Idemitsu Kosan，Co.，Ltd.的Bluedopant BD118沉積到ADN中達(dá)到1％的濃度而設(shè)立具有30nm厚度的發(fā)射層。在形成發(fā)射層之后，使用由化學(xué)式27表示的化合物來形成具有25nm厚度的電子傳輸層。
實(shí)驗(yàn)例 在100mA/cm2下根據(jù)亮度、發(fā)光效率和色坐標(biāo)來對比上述實(shí)施例和比較例。
表1
如表1所示，當(dāng)比較該實(shí)施例和比較例時(shí)，雖然亮度和發(fā)光效率顯著提高，但是色坐標(biāo)屬性沒有變化。在發(fā)射層兩側(cè)形成的第一和第二有機(jī)層很好地保持了空穴和電子之間的電荷平衡。在前面的討論中，被稱為比較例的哪些不一定表示現(xiàn)有技術(shù)，并且術(shù)語“比較例”不構(gòu)成對現(xiàn)有技術(shù)的認(rèn)可。
在上述實(shí)施方案中，第一有機(jī)層用作空穴傳輸層，而第二有機(jī)層用作電子傳輸層。在其他實(shí)施方案中，其他有機(jī)層例如空穴注入層、空穴阻擋層、電子注入層、電子阻擋層等也可以包括在該有機(jī)發(fā)光裝置中。
雖然已經(jīng)顯示和說明了特定實(shí)施方案，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到，可以在那些實(shí)施方案中作出改變而不脫離本公開的原理和精神，其范圍在權(quán)利要求及其等效意義中限定。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括第一電極；第二電極；插入在該第一和第二電極之間的發(fā)射層；插入在該第一電極和發(fā)射層之間的第一有機(jī)層，該第一有機(jī)層包括第一化合物，該第一化合物具有大約400nm到大約500nm的光致發(fā)光光譜最大波長；和插入在該第二電極和發(fā)射層之間的第二有機(jī)層，該第二有機(jī)層包括第二化合物，該第二化合物具有大約400nm到大約500nm的光致發(fā)光光譜最大波長。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該第一有機(jī)層是空穴傳輸層，并且其中該第二有機(jī)層是電子傳輸層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中該第一化合物包括從由化學(xué)式1-6、10-22和25表示的化合物組成的組中選擇的至少一個(gè)化學(xué)式1 化學(xué)式2 化學(xué)式3 化學(xué)式4 化學(xué)式5 化學(xué)式6 化學(xué)式10 化學(xué)式11 化學(xué)式12 化學(xué)式13 化學(xué)式14 化學(xué)式15 化學(xué)式16 化學(xué)式17 化學(xué)式18 化學(xué)式19 化學(xué)式20 化學(xué)式21 化合物A化學(xué)式22 化合物B化學(xué)式25
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中該第一化合物的含量是相對于該第一有機(jī)層總重量的大約50wt％到大約100wt％。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中該第二化合物包括從由化學(xué)式7-9和27所表示的化合物組成的組中選擇的至少一個(gè)?；瘜W(xué)式7 化學(xué)式8 化學(xué)式9 化學(xué)式27
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中該第二化合物的含量是相對于該第二有機(jī)層總重量的大約50wt％到大約100wt％。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中該第一有機(jī)層具有大約100到大約1500的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中該第二有機(jī)層具有大約150到大約600的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中該第一化合物包括從由N，N’-二(1-萘基)-N-N-二苯基聯(lián)苯胺(NPD)、雙(4-二甲氨基-2-甲基苯基-甲苯、1，1-雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷和1，1-雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷組成的組中選擇的一種或多種化合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中該第二化合物包括從由低聚噻吩、全氟化低聚-對-亞苯基和2，5-二芳基噻咯組成的組中選擇的一種或多種化合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，還包括插入在該發(fā)射層和第二有機(jī)層之間的空穴阻擋層。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中還包括插入在該發(fā)射層和第一有機(jī)層之間的電子阻擋層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該發(fā)射層包括發(fā)藍(lán)光有機(jī)化合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中該第一化合物包括發(fā)藍(lán)光有機(jī)化合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中該第二化合物包括發(fā)藍(lán)光有機(jī)化合物。
16.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置。
17.一種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
18.一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法。該方法包括提供第一電極；在該第一電極上形成第一有機(jī)層，該第一有機(jī)層包括具有大約400nm到大約500nm的光致發(fā)光光譜最大波長的第一化合物；在該第一有機(jī)層上形成發(fā)射層；在該發(fā)射層上形成第二有機(jī)層，該第二有機(jī)層包括具有大約400nm到大約500nm的光致發(fā)光光譜最大波長的第二化合物；和在該第二有機(jī)層上形成第二電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中形成該第一有機(jī)層包括使用熱蒸發(fā)或旋涂。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中形成該第二有機(jī)層包括使用真空沉積。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有改進(jìn)的發(fā)藍(lán)光效率的有機(jī)發(fā)光裝置。該有機(jī)發(fā)光裝置的一個(gè)實(shí)施方案通過在發(fā)射層的兩側(cè)形成包括具有特定波長的化合物的有機(jī)層，或者通過利用該具有特定波長的化合物來制造該有機(jī)層，而具有顯著提高藍(lán)光發(fā)射效率而不改變其他元件特性的有利效果。
文檔編號(hào)H01L51/54GK1976089SQ200610172918
公開日2007年6月6日 申請日期2006年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月30日
發(fā)明者鄭惠仁, 宋沃根, 具永謨, 崔成真, 金怠植 申請人:三星Sdi株式會(huì)社