技術(shù)特征：

1.一種單端靈敏放大器電路，其特征在于，所述單端靈敏放大器電路包括帶預(yù)充電控制的鉗位電路和基準(zhǔn)電流比較電路；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單端靈敏放大器電路，其特征在于，所述降噪單元包括第一晶體管和第二晶體管；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單端靈敏放大器電路，其特征在于，所述帶預(yù)充電控制的鉗位電路還包括預(yù)充電開關(guān)，所述降噪單元還包括電容單元；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單端靈敏放大器電路，其特征在于，所述第一電流鏡包括第一pmos管和第二pmos管，所述第二電流鏡包括第一nmos管和第二nmos管；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單端靈敏放大器電路，其特征在于，所述降噪單元包括第一晶體管和第二晶體管；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單端靈敏放大器電路，其特征在于，所述帶預(yù)充電控制的鉗位電路還包括預(yù)充電開關(guān)，所述降噪單元還包括電容單元；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單端靈敏放大器電路，其特征在于，所述第一電流鏡包括第一pmos管和第二pmos管，所述第二電流鏡包括第一nmos管和第二nmos管；

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單端靈敏放大器電路，其特征在于，所述降噪單元包括第一晶體管、第二晶體管和降噪電容；

9.一種存儲(chǔ)器讀電路，其特征在于，所述存儲(chǔ)器讀電路包括如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的單端靈敏放大器電路。

10.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器包括如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器讀電路。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種單端靈敏放大器電路、存儲(chǔ)器讀電路和存儲(chǔ)器，所述單端靈敏放大器電路包括帶預(yù)充電控制的鉗位電路和基準(zhǔn)電流比較電路；所述帶預(yù)充電控制的鉗位電路包括降噪單元，所述降噪單元與所述基準(zhǔn)電流比較電路連接；所述帶預(yù)充電控制的鉗位電路與存儲(chǔ)單元連接，所述帶預(yù)充電控制的鉗位電路用于讀取操作信號(hào)；其中，所述降噪單元用于在所述單端靈敏放大器產(chǎn)生電源噪聲波動(dòng)時(shí)，減小所述操作信號(hào)的波動(dòng)量；所述基準(zhǔn)電流比較電路用于將經(jīng)過(guò)所述降噪單元處理后的所述操作信號(hào)與基準(zhǔn)信號(hào)進(jìn)行比較，輸出目標(biāo)數(shù)據(jù)。本公開在單端靈敏放大器電路中設(shè)置降噪單元，顯著減小了電源噪聲環(huán)境里操作信號(hào)的波動(dòng)量，使得靈敏放大器的抗噪聲能力提高。

技術(shù)研發(fā)人員：申遠(yuǎn),叢維
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京優(yōu)存科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6