本發(fā)明涉及芯片驗(yàn)證，具體涉及ram存儲器的測試方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、芯片中的ram存儲器包含sram和dram兩種類型。sram的存儲單元為鎖存器，只有兩種狀態(tài)，通常被用作高速緩沖存儲器。由于ram在復(fù)雜電磁或空間環(huán)境下容易產(chǎn)生數(shù)據(jù)錯誤，所以在芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，會在ram中預(yù)留部分存儲單元用來存儲校驗(yàn)值。錯誤數(shù)據(jù)檢查和糾正模塊在對ram進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作時，會計(jì)算并處理校驗(yàn)值，并將結(jié)果反饋到待測ram存儲器的特定部分。因此，在rtl級芯片驗(yàn)證過程中，對ram存儲器中的該模塊進(jìn)行充分驗(yàn)證是非常必要的。

2、不過，現(xiàn)有的驗(yàn)證技術(shù)存在顯著缺陷。由于ram存儲器的各個功能模塊具有不同特性，其反饋錯誤數(shù)據(jù)檢查和糾正模塊計(jì)算結(jié)果的方式也多種多樣。這使得在對不同的ram存儲器進(jìn)行驗(yàn)證時，芯片驗(yàn)證人員需要反復(fù)搭建驗(yàn)證環(huán)境、編寫測試指令，并且依據(jù)ram存儲器的特性構(gòu)建參考模型。這種工作模式需要耗費(fèi)大量精力，嚴(yán)重降低了芯片驗(yàn)證的效率，增加了人力成本，阻礙了芯片驗(yàn)證工作高效、快速地開展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了ram存儲器的測試方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲介質(zhì)，以解決芯片eda驗(yàn)證時，由于ram存儲器功能模塊特性不同，驗(yàn)證需要反復(fù)搭建環(huán)境、編寫測試指令而效率低的問題。

2、第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種ram存儲器的測試方法，所述方法包括：

3、利用待測ram存儲器相匹配的糾錯功能驗(yàn)證平臺生成測試指令集合；

4、基于所述測試指令集合控制所述待測ram存儲器執(zhí)行對應(yīng)的測試操作，并對執(zhí)行過程中產(chǎn)生的錯誤數(shù)據(jù)進(jìn)行糾正，得到第一糾錯結(jié)果；

5、獲取參考模型輸出的第二糾錯結(jié)果，其中，所述參考模型為與所述待測ram存儲器具有相同錯誤檢測功能以及錯誤糾正功能的基準(zhǔn)模型；

6、分析所述第一糾錯結(jié)果以及所述第二糾錯結(jié)果，生成所述待測ram存儲器的測試報告。

7、進(jìn)一步的，在利用待測ram存儲器相匹配的糾錯功能驗(yàn)證平臺生成測試指令集合之前，所述方法還包括：

8、獲取待測ram存儲器的功能描述文檔；

9、提取所述功能描述文檔中的配置信息，并將所述配置信息輸入對應(yīng)的預(yù)設(shè)模板文件中，生成多個功能模塊；

10、基于多個所述功能模塊構(gòu)建與所述待測ram存儲器相匹配的糾錯功能驗(yàn)證平臺。

11、進(jìn)一步的，所述提取所述功能描述文檔中的配置信息，并將所述配置信息輸入對應(yīng)的預(yù)設(shè)模板文件中，生成多個功能模塊，包括：

12、提取所述功能描述文檔中接口信號的實(shí)體數(shù)據(jù)；

13、將所述實(shí)體數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)存儲至對應(yīng)的第一配置類名；

14、將所述第一配置類名填充至第一模板文件的動態(tài)字段，生成接口模塊，其中，所述接口模塊用于連接所述待測ram存儲器與所述糾錯功能驗(yàn)證平臺。

15、進(jìn)一步的，所述提取所述功能描述文檔中的配置信息，并將所述配置信息輸入對應(yīng)的預(yù)設(shè)模板文件中，生成多個功能模塊，包括：

16、識別所述功能描述文檔中接口信號的協(xié)議類型；

17、若所述協(xié)議類型為標(biāo)準(zhǔn)總線協(xié)議類型，則提取所述功能描述文檔中的接口數(shù)量，利用所述接口數(shù)量以及第二模板文件生成對應(yīng)的接口驅(qū)動模塊，其中，所述接口驅(qū)動模塊用于驅(qū)動所述糾錯功能驗(yàn)證平臺的接口模塊與所述待測ram存儲器進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；

18、或，若所述協(xié)議類型為自定義協(xié)議類型，則提取所述功能描述文檔中接口信號的時序數(shù)據(jù)，并將所述時序數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)存儲至對應(yīng)的第二配置類名，將所述第二配置類名填充至第三模板文件的動態(tài)字段，生成對應(yīng)的接口驅(qū)動模塊。

19、進(jìn)一步的，所述提取所述功能描述文檔中的配置信息，并將所述配置信息輸入對應(yīng)的預(yù)設(shè)模板文件中，生成多個功能模塊，包括：

20、提取所述功能描述文檔中的硬件配置數(shù)據(jù)；

21、將所述硬件配置數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)存儲至對應(yīng)的第三配置類名；

22、將所述第三配置類名填充至第四模板文件的動態(tài)字段，生成指令生成模塊，其中，所述指令生成模塊用于生成針對所述ram存儲器的測試指令集合，所述測試指令集合包括正常數(shù)據(jù)的讀寫指令以及錯誤數(shù)據(jù)的輸入指令。

23、進(jìn)一步的，所述分析所述第一糾錯結(jié)果以及所述第二糾錯結(jié)果，生成所述待測ram存儲器的測試報告，包括：

24、對比所述第一糾錯結(jié)果中的錯誤數(shù)據(jù)與所述第二糾錯結(jié)果中的錯誤數(shù)據(jù)，得到差異集合；

25、若所述差異集合不為空集，則根據(jù)所述差異集合中的每個差異數(shù)據(jù)，對所述待測ram存儲器的錯誤檢測功能進(jìn)行分析，得到第一測試報告；

26、或，若所述差異集合為空集，則對比每個錯誤數(shù)據(jù)在不同糾錯結(jié)果中的糾正操作，得到對比結(jié)果，并基于所述對比結(jié)果對所述待測ram存儲器的錯誤糾正功能進(jìn)行分析，得到第二測試報告。

27、進(jìn)一步的，在生成所述待測ram存儲器的測試報告之后，所述方法還包括：

28、分析所述待測ram存儲器的測試報告，得到至少一個功能缺陷；

29、根據(jù)所述功能缺陷對所述待測ram存儲器中的錯誤處理策略中的處理參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，得到調(diào)整后的錯誤處理策略；

30、基于所述調(diào)整后的錯誤處理策略重新對所述待測ram存儲器進(jìn)行測試，直至所述待測ram存儲器的測試報告中不存在所述功能缺陷。

31、第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種ram存儲器的測試裝置，所述裝置包括：

32、生成模塊，用于利用待測ram存儲器相匹配的糾錯功能驗(yàn)證平臺生成測試指令集合；

33、控制模塊，用于基于所述測試指令集合控制所述待測ram存儲器執(zhí)行對應(yīng)的測試操作，并對執(zhí)行過程中產(chǎn)生的錯誤數(shù)據(jù)進(jìn)行糾正，得到第一糾錯結(jié)果；

34、獲取模塊，用于獲取參考模型輸出的第二糾錯結(jié)果，其中，所述參考模型為與所述待測ram存儲器具有相同錯誤檢測功能以及錯誤糾正功能的基準(zhǔn)模型；

35、分析模塊，用于分析所述第一糾錯結(jié)果以及所述第二糾錯結(jié)果，生成所述待測ram存儲器的測試報告。

36、第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種計(jì)算機(jī)設(shè)備，包括：存儲器和處理器，存儲器和處理器之間互相通信連接，存儲器中存儲有計(jì)算機(jī)指令，處理器通過執(zhí)行計(jì)算機(jī)指令，從而執(zhí)行上述第一方面或其對應(yīng)的任一實(shí)施方式的方法。

37、第四方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)上存儲有計(jì)算機(jī)指令，計(jì)算機(jī)指令用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行上述第一方面或其對應(yīng)的任一實(shí)施方式的方法。

38、本技術(shù)實(shí)施例提供的方法具有以下有益效果：

39、本技術(shù)實(shí)施例提供的方法通過獲取待測ram存儲器的功能描述文檔，根據(jù)文檔中的不同信息生成對應(yīng)的功能模塊來構(gòu)建糾錯功能驗(yàn)證平臺，實(shí)現(xiàn)了自動化搭建驗(yàn)證平臺，解決了因待測設(shè)計(jì)功能模塊特性不同，驗(yàn)證人員需反復(fù)搭建驗(yàn)證環(huán)境而投入大量精力的問題，從而提高芯片驗(yàn)證效率。通過在糾錯功能驗(yàn)證平臺生成測試指令集合，并基于該集合控制待測ram存儲器執(zhí)行測試操作并糾正錯誤數(shù)據(jù)，然后與參考模型的糾錯結(jié)果對比分析生成測試報告，實(shí)現(xiàn)了對ram存儲器錯誤檢測和糾正功能的有效驗(yàn)證，解決了在驗(yàn)證含有錯誤數(shù)據(jù)檢查和糾正模塊的待測設(shè)計(jì)時效率低下的問題。通過分析測試報告得到功能缺陷，進(jìn)而調(diào)整錯誤處理策略并重新測試，直至測試報告不存在功能缺陷，實(shí)現(xiàn)了對待測ram存儲器錯誤處理策略的優(yōu)化，解決了錯誤檢測和糾正功能不完善的問題，提高了ram存儲器的可靠性。