本公開涉及集成電路，特別是涉及一種單端靈敏放大器電路、存儲(chǔ)器讀電路和存儲(chǔ)器。

背景技術(shù)：

1、靈敏放大器是nor?flash（一種非易失性閃存）中讀操作的關(guān)鍵電路，它判斷norflash?cell（閃存單元）的電流，決定數(shù)據(jù)是0還是1。一般而言，靈敏放大器有差分和單端兩種結(jié)構(gòu)。

2、傳統(tǒng)的單端靈敏放大器具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，控制邏輯簡(jiǎn)單，低功耗，更小的面積等優(yōu)點(diǎn)，但是相較于差分靈敏放大器，其抗共模噪聲的能力較弱，因此在較大的電源噪聲（例如，power?noise>0.7v（電源噪聲>0.7伏））環(huán)境中，容易造成誤判，導(dǎo)致nor?flash?的讀操作錯(cuò)誤或是達(dá)不到高速（例如，quad?i/o?data?transfer?up?to?532mbits/s（四輸入輸出數(shù)據(jù)傳輸速率為532兆比特每秒））讀取的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中用于nor?flash的單端靈敏放大器在電源噪聲環(huán)境中容易造成誤判，無法準(zhǔn)確讀取nor?flash中數(shù)據(jù)的缺陷，提供一種單端靈敏放大器電路、存儲(chǔ)器讀電路和存儲(chǔ)器。

2、本公開是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題：

3、根據(jù)本公開的第一方面，提供了一種單端靈敏放大器電路，所述單端靈敏放大器電路包括帶預(yù)充電控制的鉗位電路和基準(zhǔn)電流比較電路；

4、所述帶預(yù)充電控制的鉗位電路包括降噪單元，所述降噪單元與所述基準(zhǔn)電流比較電路連接；

5、所述帶預(yù)充電控制的鉗位電路與存儲(chǔ)單元連接，所述帶預(yù)充電控制的鉗位電路用于讀取操作信號(hào)；

6、其中，所述降噪單元用于在所述單端靈敏放大器產(chǎn)生電源噪聲波動(dòng)時(shí)，減小所述操作信號(hào)的波動(dòng)量；

7、所述基準(zhǔn)電流比較電路用于將經(jīng)過所述降噪單元處理后的所述操作信號(hào)與基準(zhǔn)信號(hào)進(jìn)行比較，輸出目標(biāo)數(shù)據(jù)。

8、較佳地，所述降噪單元包括第一晶體管和第二晶體管；

9、所述第一晶體管與所述第二晶體管連接；

10、所述第一晶體管和所述第二晶體管均為雙阱（triple?well）nmos（n-metal-oxide-semiconductor,?n型金屬-氧化物-半導(dǎo)體）晶體管；

11、所述第二晶體管與所述基準(zhǔn)電流比較電路連接。

12、較佳地，所述帶預(yù)充電控制的鉗位電路還包括預(yù)充電開關(guān)和電容單元；

13、所述基準(zhǔn)電流比較電路包括第一電流鏡、第二電流鏡和緩沖器；

14、所述第一晶體管包括第一體極、第一襯底極、第一源極、第一柵極和第一漏極；

15、所述第二晶體管包括第二體極、第二襯底極、第二源極、第二柵極和第二漏極；

16、所述第一源極、所述第一襯底極、所述第二源極、所述第二襯底極與所述存儲(chǔ)單元連接，所述第一體極、所述第二體極接入電源端；

17、所述第一漏極經(jīng)所述預(yù)充電開關(guān)與所述電源端連接，所述第一柵極、所述第二柵極與所述電容單元連接；

18、所述第二源極、所述第二漏極分別與所述基準(zhǔn)電流比較電路連接；

19、所述第二源極用于讀取存儲(chǔ)單元電流，存儲(chǔ)單元電流和基準(zhǔn)電流形成流經(jīng)所述第二漏極的鉗位電流；

20、所述第一電流鏡用于以1:1電流比輸出所述鉗位電流；

21、所述第二電流鏡用于以1:2電流比輸出所述基準(zhǔn)電流；

22、所述緩沖器用于將比較電流轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)輸出，所述比較電流為經(jīng)由所述第一電流鏡輸出的所述鉗位電流與經(jīng)由所述第二電流鏡輸出的所述基準(zhǔn)電流的差值。

23、較佳地，所述第一電流鏡包括第一pmos（p-channel-oxide-semiconductor,?p溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體）管和第二pmos管，所述第二電流鏡包括第一nmos管和第二nmos管；

24、所述第一pmos管包括第四源極、第四柵極和第四漏極；

25、所述第二pmos管包括第五源極、第五柵極和第五漏極；

26、所述第一nmos管包括第六源極、第六柵極和第六漏極；

27、所述第二nmos管包括第七源極、第七柵極和第七漏極；

28、所述第四源極和所述第五源極與所述電源端連接，所述第四柵極、所述第四漏極、所述第五柵極與所述第二漏極連接；

29、所述第六漏極與所述第二源極連接，所述第六柵極、所述第七柵極接入基準(zhǔn)電壓，所述第六源極和所述第七源極接地；

30、所述第五漏極、所述第七漏極與所述緩沖器連接；

31、和/或，

32、所述電容單元包括第三柵極、第三源極和第三漏極，所述電容單元的電容值滿足預(yù)設(shè)條件，所述電容單元用于穩(wěn)壓和降噪；

33、所述第三柵極與所述第一柵極、所述第二柵極連接，所述第三漏極與第三源極連接后接入使能信號(hào)；

34、和/或，

35、所述電容單元的電容值小于所述第二晶體管的mos（金氧半場(chǎng)效晶體管）電容值。

36、較佳地，所述降噪單元包括第一晶體管和第二晶體管；

37、所述第一晶體管和所述第二晶體管連接；

38、所述第一晶體管和所述第二晶體管均為nmos晶體管，且所述第一晶體管和所述第二晶體管的寬長比小于預(yù)設(shè)閾值；

39、所述第二晶體管與所述基準(zhǔn)電流比較電路連接。

40、較佳地，所述帶預(yù)充電控制的鉗位電路還包括預(yù)充電開關(guān)和電容單元；

41、所述基準(zhǔn)電流比較電路包括第一電流鏡、第二電流鏡和緩沖器；

42、所述第一晶體管包括第八柵極、第八源極和第八漏極；

43、所述第二晶體管包括第九柵極、第九源極和第九漏極；

44、所述第八源極、所述第九源極與所述存儲(chǔ)單元連接；

45、所述第八漏極經(jīng)所述預(yù)充電開關(guān)與電源端連接，所述第八柵極、所述第九柵極與所述電容單元連接；

46、所述第九源極、所述第九漏極分別與所述基準(zhǔn)電流比較電路連接；

47、所述第九源極用于讀取存儲(chǔ)單元電流，所述存儲(chǔ)單元電流和基準(zhǔn)電流形成流經(jīng)所述第九漏極的鉗位電流；

48、所述第一電流鏡用于以1:1電流比輸出所述鉗位電流；

49、所述第二電流鏡用于以1:2電流比輸出所述基準(zhǔn)電流；

50、所述緩沖器用于將比較電流轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)輸出，所述比較電流為經(jīng)由所述第一電流鏡輸出的所述鉗位電流與經(jīng)由所述第二電流鏡輸出的所述基準(zhǔn)電流的差值。

51、較佳地，所述第一電流鏡包括第一pmos管和第二pmos管，所述第二電流鏡包括第一nmos管和第二nmos管；

52、所述第一pmos管包括第四源極、第四柵極和第四漏極；

53、所述第二pmos管包括第五源極、第五柵極和第五漏極；

54、所述第一nmos管包括第六源極、第六柵極和第六漏極；

55、所述第二nmos管包括第七源極、第七柵極和第七漏極；

56、所述第四源極和所述第五源極與所述電源端連接，所述第四柵極、所述第四漏極、所述第五柵極與所述第九漏極連接；

57、所述第六漏極與所述第九源極連接，所述第六柵極、所述第七柵極與基準(zhǔn)單元連接，所述第六源極和所述第七源極接地；

58、所述第五漏極、所述第七漏極與所述緩沖器連接；

59、和/或，

60、所述電容單元包括第三柵極、第三源極和第三漏極，所述電容單元的電容值滿足預(yù)設(shè)條件，所述電容單元用于穩(wěn)壓和降噪；

61、所述第三柵極與所述第八柵極、所述第九柵極連接，所述第三漏極與第三源極連接后接入使能信號(hào)；

62、和/或，

63、所述電容單元的電容值小于所述第二晶體管的mos電容值。

64、較佳地，所述降噪單元包括第一晶體管、第二晶體管和降噪電容；

65、所述降噪電容包括電容柵極、電容源極和電容漏極，所述降噪電容的電容量滿足預(yù)設(shè)條件，所述降噪電容用于穩(wěn)壓和降噪；

66、所述電容柵極與所述第一晶體管連接，所述電容漏極與所述電容源極連接后接入使能信號(hào)；

67、所述第一晶體管和所述第二晶體管連接；

68、所述第二晶體管與所述基準(zhǔn)電流比較電路連接。

69、根據(jù)本公開的第二方面，提供了一種存儲(chǔ)器讀電路，所述存儲(chǔ)器讀電路包括本公開第一方面所述的單端靈敏放大器電路。

70、根據(jù)本公開的第三方面，提供了一種存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器包括本公開第二方面所述的存儲(chǔ)器讀電路。

71、在符合本領(lǐng)域常識(shí)的基礎(chǔ)上，上述各優(yōu)選條件，可任意組合，即得本公開各較佳實(shí)例。

72、本公開的積極進(jìn)步效果在于：針對(duì)nor?flash中傳統(tǒng)單端靈敏放大器在電源噪聲環(huán)境下被干擾的根本原因，在單端靈敏放大器電路中設(shè)置降噪單元，通過控制其柵端的電容大小、消除襯底偏置效應(yīng)以及減小正向電流和反向恢復(fù)時(shí)間，顯著減小了電源噪聲環(huán)境里操作信號(hào)的波動(dòng)量，使得靈敏放大器的抗噪聲能力提高，確保了nor?flash讀出數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，滿足nor?flash高速讀操作的需求。