專利名稱：：用于存儲(chǔ)器的組合讀/寫(xiě)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明一般涉及存儲(chǔ)器裝置，更具體地涉及存儲(chǔ)器裝置中與讀和寫(xiě)電路結(jié)合的電路,以及與其相關(guān)的方法。
背景技術(shù)：
：在傳統(tǒng)存儲(chǔ)器裝置中，特別在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置中，通常區(qū)分為功能性存儲(chǔ)裝置(例如，PLA,PAL等)和嵌入式存儲(chǔ)裝置(tablememorydevice)。例如，一些嵌入式存儲(chǔ)裝置包4舌i者如PROM、EPROM、EEPROM、閃存等的ROM(只讀存儲(chǔ)器)裝置和諸如DRAM和SRAM的RAM(隨4幾存々者裝置或讀寫(xiě)存々者器)裝置。在SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的情況下，單個(gè)的存儲(chǔ)單元包括例如配置為交叉連4妻鎖存器的六個(gè)晶體管。在DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的情況下，通常僅采用一個(gè)單一的對(duì)應(yīng)受控電容元件(例如，MOSFET的柵-源電容)，其中電荷可以存儲(chǔ)在電容中。然而，DRAM中的電荷只能保持很短的時(shí)間，必須執(zhí)行周期刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)狀態(tài)。與DRAM相反，SRAM不需要刷新，并且存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)在SRAM被提供適當(dāng)?shù)墓╇婋妷旱那闆r下就能存儲(chǔ)。SRAM和DRAM都被稱作易失性存儲(chǔ)器，其中數(shù)據(jù)狀態(tài)僅在向其供電時(shí)保持。'與易失性存儲(chǔ)器相比，非易失性存儲(chǔ)器(NVM)，例如EPROM、EEPROM和閃存，表現(xiàn)出不同的特性，即使在與其相關(guān)的供電電壓被切斷的情況下，其所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)也能保持。這種類型的存儲(chǔ)器對(duì)于各種移動(dòng)通信裝置來(lái)說(shuō)具有很多優(yōu)點(diǎn)，例如，在移動(dòng)電話上的電子羅拉代克斯(rolodex)中，存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)即使在移動(dòng)電話關(guān)機(jī)時(shí)也能保持。近來(lái)開(kāi)發(fā)的一種非易失性存儲(chǔ)器被稱作阻抗或阻性切換存儲(chǔ)裝置。在這種阻抗存儲(chǔ)器中，通過(guò)適當(dāng)?shù)那袚Q處理來(lái)將位于兩個(gè)適當(dāng)電極(即，陽(yáng)極和陰極)之間的存儲(chǔ)材料布置在或多或少的導(dǎo)電狀態(tài)上，其中，4交多的導(dǎo)電狀態(tài)對(duì)應(yīng)于邏輯"1",以及4交少的導(dǎo)電狀態(tài)對(duì)應(yīng)于邏輯"0"(反之亦然)。合適的阻抗存儲(chǔ)器可以是例如4丐鈥礦存儲(chǔ)器(如W.W.Zhuamg等人的"NovellColossalMagnetoresistiveThinFilmNonvolatileResistanceRandomAccessMemory(RRAM)"IEMD2002中所描述的)、二元氧化物阻抗開(kāi)關(guān)(OxRAM)(侈寸:i口，I.G.Baek等人的"Multi-layercrosspointbinaryoxideresistive(OxRAM)forpost-NANDstorageapplication",IEDM2005中所描述的)，相變存卡者器(PCRAM)和導(dǎo)電橋4妄RAM(CBRAM)。在相變存4諸器的情況下，適當(dāng)?shù)氖倩衔?例如，GeSbTe或AglnSbTe化合物)可以作為放置在兩個(gè)相應(yīng)電極之間的活性材料。石危屬化合物材并+可以通過(guò)適當(dāng)?shù)那袚Q處理成非晶布置，即，相對(duì)較弱導(dǎo)電，或結(jié)晶布置，即，相對(duì)較強(qiáng)導(dǎo)電狀態(tài)，并因此作為不同的阻抗元件，如上所述可以作為不同數(shù)據(jù)狀態(tài)。為了實(shí)現(xiàn)從非晶狀態(tài)到結(jié)晶狀態(tài)的相變材料的變化，適當(dāng)?shù)募訜犭娏魈峁┙o電極，其中電流加熱相變材料使其溫度超過(guò)結(jié)晶溫度。該操作有時(shí)被稱作SET(置位)操作。類似地，從結(jié)晶狀態(tài)到非晶狀態(tài)的相變是通過(guò)應(yīng)用適當(dāng)?shù)募訜犭娏髅}沖來(lái)實(shí)現(xiàn)的，其中，相變材料4皮加熱以^f吏其溫度超過(guò)其融合溫度，并且在其快速冷卻過(guò)程中獲得非晶狀態(tài)。該操作有時(shí)被稱作RESET(復(fù)位)操作。SET操作和RESET操作的結(jié)合是數(shù)據(jù)被寫(xiě)入相變存儲(chǔ)單元的一種方法。
發(fā)明內(nèi)容下面筒單的概述是為了提供對(duì)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面的基本理解。此概述不是本發(fā)明的擴(kuò)展概述，也不意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵和重要的部分，更不用于描述本發(fā)明的范圍。相反，概述的主要目的是以簡(jiǎn)潔的形式呈現(xiàn)本發(fā)明的一些概念，并作為以下具體實(shí)施方式的前續(xù)部分。本發(fā)明旨在提供一種存儲(chǔ)裝置，其包括存儲(chǔ)單元的成行列布置的陣列部。^是供了一種組合讀/寫(xiě)電路，其與陣列部中的每條相應(yīng)位線相關(guān)聯(lián)，被配置為從與每條相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)單元讀取或向與每條相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入。還提供了一種尋址存儲(chǔ)器的方法，該方法包括使用單獨(dú)與每個(gè)位線相相關(guān)的組合讀/寫(xiě)電路尋址與位線相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)單元。下面的說(shuō)明和附圖具體描述了本發(fā)明的示例性方面和實(shí)施例。僅用幾種方式表示了本發(fā)明的原理。圖l是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的框圖；以及圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖描述本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，其中相同的參考標(biāo)號(hào)用于表示相同的元件。本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器電路結(jié)構(gòu)以及尋址這樣結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器的方法。參考圖1,圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)100的框圖。在一個(gè)實(shí)施例中，該結(jié)構(gòu)包括存儲(chǔ)陣列的一部分，該存儲(chǔ)陣列包括以列布置的多條位線102a-102n,以及成行布置的多條字線104a-104m。與每條位線相關(guān)聯(lián)的是電流源電路106、位線選擇電路108、以及位線預(yù)充電電路110。類似地，在一個(gè)實(shí)施例中與每條位線相關(guān)聯(lián)的是位線逸擇電路112和存儲(chǔ)元件114(例如相變存儲(chǔ)元件)。在一個(gè)實(shí)施例中，相變存儲(chǔ)元件包括包含過(guò)渡金屬氧化物的部件。盡管在此結(jié)合相變存儲(chǔ)器描述各種實(shí)施例，但是應(yīng)該理解本發(fā)明可以應(yīng)用于各種類型的存儲(chǔ)技術(shù)，以及所有這樣的存儲(chǔ)器都將落入本發(fā)明的范圍。參考圖1,讀電路120與存儲(chǔ)陣列部相關(guān)聯(lián)，并操作以從與其相關(guān)聯(lián)的各存儲(chǔ)元件114中讀取數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)施例中，讀電路120可才喿作地一次讀取一列U立線)，并且在各個(gè)實(shí)施例中，與讀電路相關(guān)聯(lián)的列凄t可以改變，例如4、8、16或32列。也可以采用其它可替換的配置，并且可以預(yù)見(jiàn)其它可替換的配置都落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，讀電路120包4舌電流4竟電路122、電流_電壓(I/V)轉(zhuǎn)換器124、以及讀出力欠大器電路126。在一個(gè)實(shí)施例中，讀出放大器配置為產(chǎn)生輸出128，輸出128是I/V轉(zhuǎn)換器124和參考電壓130的比較結(jié)果的函數(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，電流鏡電路122的輸出電流直接與參考電流進(jìn)行比較以從存儲(chǔ)單元讀取數(shù)據(jù)。才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，上述結(jié)構(gòu)IOO提供了一種讀寫(xiě)電路的緊湊結(jié)構(gòu)，其有利地減少了在傳統(tǒng)陣列結(jié)構(gòu)中所采用的讀和寫(xiě)電路的面積和復(fù)雜程度。在讀操作時(shí)，位線選擇電路108配置為選擇性將位線102a-102n中的一條連接到讀電路120。在一個(gè)實(shí)施例中，位線選擇電路108作為切換矩陣，其中一條位線可操作地連接到讀電路120，而剩下的位線與其電絕緣。在一個(gè)實(shí)施例中，位線選擇電路被電流源106和位線的直接電連接所代替，包括后面將提到的鉗位裝置。如以下將描述的，位線選擇電路108還配置為鉗住激活位線的位線電壓，從而保護(hù)與其相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)元件，并且減少與讀條件相關(guān)的變化性。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，位線選擇電路配置為將激活位線的位線電壓4計(jì)住為與偏壓(VBIAS)有關(guān)的電壓，該偏壓可以隨著存儲(chǔ)裝置的電源電壓(VDD)而改變。仍然參考圖1中的讀操作，電流源電路106可操作地為激活位線提供所需的電流，其中從其拉出的電流的幅值是所讀取的存儲(chǔ)元件(ME)114的數(shù)據(jù)狀態(tài)的函數(shù)。電流源電路106處的電流在讀電路120的電流鏡電路122處被4竟像以讀取數(shù)據(jù)。另外，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，位線預(yù)充電電路110配置為將每個(gè)未選擇(或未激活)位線的拉到預(yù)定電位(例如，電路的地)，從而使這些位線放電以使未選擇位線不浮動(dòng)(float)。與激活位線相關(guān)聯(lián)的位線預(yù)充電電路110配置為將位線從預(yù)定電位釋放,以使其能夠上升到與位線選擇電路108的偏壓相關(guān)聯(lián)的位線電位。另外，電流源電路106配置為將相應(yīng)的非選擇位線與讀電路120隔離分開(kāi)以有利于正確讀取-在一個(gè)實(shí)施例中，在讀取過(guò)程中，基于相應(yīng)的字線104a-104m的控制，一次^f又有一個(gè)與位線相關(guān)聯(lián)的存々者元件114纟皮讀取(或讀出)。在一個(gè)實(shí)施例中，與將被讀取的存儲(chǔ)元件相關(guān)聯(lián)的字線被激活(即，拉高)而其它字線為非激活(即，拉低)。在該實(shí)施例中，相關(guān)聯(lián)的字線選擇電路104將相應(yīng)的存儲(chǔ)元件114電連接到相應(yīng)的位線?；诖鎯?chǔ)元件114的數(shù)據(jù)狀態(tài)，與其相關(guān)聯(lián)的唯一電流從電流源電路1064i到^f立線，并且該電流通過(guò)讀電路120被^竟1象用于讀取。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)陣列配置為交叉點(diǎn)陣列，其中位線和字線上的偏壓用于選擇陣列中的單元。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，基于相應(yīng)的字線104a-104m的選擇性增加的激活和去激活，與激活位線相關(guān)聯(lián)的每個(gè)存儲(chǔ)元件114依次被讀取。為了讀取與其它位線相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)，相應(yīng)的位線選擇電路108可操作地激活相應(yīng)的位線并將其鉗位在期望的位線讀取電位，而其它位線選擇電路是相應(yīng)的位線去激活，并且位線預(yù)充電電路110將這些未選項(xiàng)的位線拉到預(yù)定電壓。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在對(duì)與給定位線相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)單元執(zhí);f亍寫(xiě)纟喿作時(shí)，電流源電路106配置為將相應(yīng)的位線與讀電路120絕桑彖隔離。另外，電流源電路可以作為用于為所選項(xiàng)的存々者元件114編程的電流源工作。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)元件(ME)包括相變存儲(chǔ)元件(PCE),根據(jù)期望的數(shù)據(jù)狀態(tài)提供兩個(gè)不同的編程電流，并且在該實(shí)施例中，電流源電路106配置為提供SET電流脈沖，而其它電路(以下將描述)操作以提供RESET電流脈沖。對(duì)于SET操作(有限功率)，電流源106提供SET電流。為了更有效地?fù)舸?break-down)單元，在一個(gè)實(shí)施例中，在通過(guò)裝置207限制功率之前，RESET裝置215用于提供較高電壓的短擊穿脈沖。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在SET寫(xiě)操作中，位線選擇電路108和電流源106操作以將位線4計(jì)位在與偏壓相關(guān)的電壓，而位線預(yù)充電電^各110不才喿作。在上述方式中，因?yàn)?甘位電壓影響SET電流的幅值，所以位線選擇電路108作為寫(xiě)SET電路操作。對(duì)于該位線上需要被SET的每個(gè)存儲(chǔ)元件，相應(yīng)的字線被激活以將相應(yīng)的相變存儲(chǔ)元件114連接到該位線，從而使由電流源電路106提供的SET電流通過(guò)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，SET電流脈沖的持續(xù)時(shí)間由相應(yīng)的字線4皮激活的時(shí)間周期來(lái)決定。在替換實(shí)施例中，與相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)的位線預(yù)充電電路110可選擇地被激活以在適當(dāng)時(shí)刻使SET電流分流，盡管這種選項(xiàng)消耗更多功率。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)需要SET脈沖的相變存儲(chǔ)元件114以增量的方式被激活，使得每個(gè)單元被依次編程直到每個(gè)期望單元都被SET。在本發(fā)明的替換實(shí)施例中，所有需要SET脈沖的單元都并聯(lián)到位線，使得每個(gè)單元均同時(shí)被SET。此外，因?yàn)槊織l位線都具有自身的寫(xiě)電路，所以每條位線可以同時(shí)^皮尋址。在一個(gè)實(shí)施例中，在RESET寫(xiě)才喿作中，沒(méi)有采用電流源電路106來(lái)提供RESET電流，因此相應(yīng)的位線選擇電路108操作以使位線與電流源電路絕緣隔離。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，位線預(yù)充電電路110配置為將相應(yīng)的位線連4妄到RESET電位，該電位具有大于電源電壓的電位VoD的電位。在一個(gè)實(shí)施例中，RESET電位等于電源電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，RESET電位小于電源電壓。在另一實(shí)施例中，電荷泵被使用且RESET電流脈沖高于芯片電源電壓。得到的RESET電流月永沖幅^直是所^是高的RESET電^f立的函凄t。因此，因?yàn)镽ESET電壓影響RESET電流樂(lè)P中幅^直，所以位線預(yù)充電電路110作為寫(xiě)RESET電路工作。在一個(gè)實(shí)施例中，RESET電流樂(lè)jo中持續(xù)時(shí)間是由相應(yīng)的字線被激活的時(shí)刻決定的。在替換實(shí)施例中，RESET脈沖持續(xù)時(shí)間可以由位線預(yù)充電電路110將其與RESET電4立斷開(kāi)或4夸RESET電流經(jīng)由另一電流贈(zèng)4圣分力乾至地來(lái)決定的。參考圖2，圖2示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的讀/寫(xiě)電路結(jié)構(gòu)200。該電路結(jié)構(gòu)包括讀電路220,其包括具有柵極控制端223的晶體管221,柵4及控制端通過(guò)切換元件209選擇性地連接到另一晶體管207。閉合時(shí)，作為用于相應(yīng)的位線202a的電流源電路206的晶體管207連接到晶體管221以形成電流鏡電路222。以上述方式，在讀取過(guò)程中流過(guò)位線的電流^皮帶有增益系教:地鏡-像到讀取電路220，該增益系數(shù)是晶體管207、222的相對(duì)尺寸的函數(shù)。電流鏡電路222中的鏡像電流由轉(zhuǎn)換電路224(例如，在示例性實(shí)施例中的電阻)轉(zhuǎn)換為電壓。然后讀取放電電路226將該讀取電壓與參考電壓230進(jìn)行比較，因此其輸出狀態(tài)表示所讀取的存儲(chǔ)單元214的4犬態(tài)。由以上描述可知，與每個(gè)電流源電路206相關(guān)聯(lián)的開(kāi)關(guān)209可操作地將相應(yīng)的位線202與讀電路220相連或絕緣隔離。在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)200配置為多條位線202a-202n,多條位線可操作地與給定讀電路220連接，僅一個(gè)開(kāi)關(guān)209閉合。因此，僅那條位線可操作地連接到讀電路，而其它位線開(kāi)關(guān)209都斷開(kāi)，從而將這些4立線與讀電路220電絕^彖隔離。在讀取與給定位線(即，位線202a)相關(guān)聯(lián)的存^f諸單元214的過(guò)程中，當(dāng)開(kāi)關(guān)213將晶體管211的控制端連接到偏電位VBIAS時(shí)，晶體管211通過(guò)開(kāi)關(guān)213被激活。在上述實(shí)施例中，晶體管211操作為將位線202a連接到電流源電路206的位線選擇電路208。仍然參考圖2的結(jié)構(gòu)200的讀操作，位線預(yù)充電電路210操作以保證激活的位線202a不祐j立到預(yù)定電位，例如一個(gè)實(shí)施例中的電路地。在這種情況下，包括晶體管215和217的電路210分別被在其控制輸入端225和227的適當(dāng)控制信號(hào)關(guān)閉。然而，在讀取之前，晶體管217可以被激活以將單獨(dú)位線202a預(yù)充電到預(yù)定電位。此外，對(duì)于圖2中諸如位線220b在讀取過(guò)程中的未選擇位線，晶體管2174皮激活以經(jīng)未選4奪位線4立到諸如電路地的預(yù)定電位。隨著激活位線的位線預(yù)充電電路210的去激活，與將^皮讀取的期望存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的字線選擇電路212被激活，從而將存儲(chǔ)元件214連接到位線202a。在一個(gè)實(shí)施例中，字線選擇電路212包括被:粒高的字線204a導(dǎo)通的字線選擇晶體管229。在上述方式中，在位線202a中將有電流流動(dòng)，電流值是將^皮讀取的存儲(chǔ)元件214的狀態(tài)的函凄史。額外注意的是，在讀取過(guò)程中，位線選擇電路208作為位線電壓鉗工作。當(dāng)晶體管211被連接到VwAs的開(kāi)關(guān)213激活時(shí)，位線202a被鉗位在與VwAs成比例的電壓，從而使得位線電壓基本上與電源電壓VoD的波動(dòng)無(wú)關(guān)。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，Vbias的值可以被優(yōu)選，而與VoD無(wú)關(guān)。在一個(gè)實(shí)施例中，放大器反饋回路與鉗位裝置一起用于改進(jìn)4餘位電路的速度和準(zhǔn)確性。位線202a上的電流源自電流源電路206的晶體管207,并由于開(kāi)關(guān)209閉合而鏡像到讀電路220。讀電路220然后輸出所讀取的存々者單元214的值或狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)一次選擇性地激活不同字線204a-204m(未示出)中的一條，可以以交替的方式繼續(xù)讀取;敫活4立線202a的其它單元。下面結(jié)合圖2中結(jié)構(gòu)200描述編程或?qū)懖僮?，下面的描述將結(jié)合諸如相變存儲(chǔ)器的阻抗切換存儲(chǔ)裝置。然而，應(yīng)該理解在此強(qiáng)調(diào)的結(jié)構(gòu)不是局限于此，也可以釆用和預(yù)見(jiàn)到其它的存儲(chǔ)元件也適于本發(fā)明。在相變存儲(chǔ)器中，相變?cè)梢?陂編程為SET(置位)狀態(tài)或RESET(重置)狀態(tài)。典型地，用與用于RESET脈沖的電流脈沖相比具有4交長(zhǎng)持續(xù)時(shí)間的輕欣幅值的電流脈沖建立SET狀態(tài)。SET脈沖^^慢地加熱相變材料以實(shí)現(xiàn)相對(duì)的結(jié)晶狀態(tài)，而RESET脈沖快速加熱/融化該材料，然后快速冷卻該材料以形成非晶狀態(tài)。在SET操作中，與將被編程的存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的位線通過(guò)斷開(kāi)離。此夕卜，與相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)的4立線選擇電路208通過(guò)由相應(yīng)的開(kāi)關(guān)213將晶體管211的控制端連接到偏電位Vwas而被激活。在一個(gè)實(shí)施例中，相應(yīng)的4立線的4立線預(yù)充電電路210是未;敫活的，其中晶體管215和217截止。一旦與纟奪凈皮SET的存々者單元214相關(guān)聯(lián)的相應(yīng)字線激活，存儲(chǔ)元件被連接到激活的位線，從而使SET電流流過(guò)存儲(chǔ)元件214。位線上的電壓幅值(從而SET脈沖的電流幅值)相對(duì)于VB!As被作為嵌位的電阻211限制。在一個(gè)實(shí)施例中，SET電流脈沖的出現(xiàn)持續(xù)時(shí)間由相應(yīng)的字線被激活的時(shí)刻所決定，其中，當(dāng)字線再次被拉低時(shí)，SET脈沖結(jié)束。在替換實(shí)施例中，位線預(yù)充電電路210中的晶體管217可以#皮激活以<吏SET電流分流至地，盡管這樣的解決方案提取較大量的功率。在RESET操作中，通過(guò)斷開(kāi)相應(yīng)的開(kāi)關(guān)209使相應(yīng)位線再次與所述讀電路220電絕緣隔離。另外，通過(guò)將晶體管211的控制端連接到諸如電路地的低電位，相應(yīng)的開(kāi)關(guān)213使得位線選擇電路208去激活。在RESET操作中，位線預(yù)充電電路210被激活，其中晶體管215導(dǎo)通，而晶體管217截止(在很多情況下，晶體管217可以先前為導(dǎo)通以在未^皮激活時(shí)將位線接j也)。通過(guò)激活晶體管215,相應(yīng)的位線被拉升到RESET電壓值Vreset。在一個(gè)實(shí)施例中，Vreset是大于電源電壓Vdd的但。在一個(gè)實(shí)施例中，RESET電壓等于或小于電源電壓。與將被編程的存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的相應(yīng)的字線被激活。在一個(gè)實(shí)施例中，這樣的激活包括將字線提升為"高"，從而激活晶體管229并將存儲(chǔ)元件214連接到位線。然后，具有由大約為Vreset的提升的位線電壓決定的電流值的RESET電流流過(guò)存儲(chǔ)元件214。在一個(gè)實(shí)施例中，RESET脈沖持續(xù)時(shí)間是由對(duì)應(yīng)于提升的字線的晶體管229導(dǎo)通的持續(xù)時(shí)間決定的。在另一實(shí)施例中，RESET脈沖持續(xù)時(shí)間是由位線預(yù)充電電路210中的晶體管225的導(dǎo)通時(shí)刻決定。在又一實(shí)施例中，RESET脈沖持續(xù)時(shí)間是由晶體管227被再激活從而將RESET電;危分流至;也的時(shí)刻決定的。在圖2的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例200中，對(duì)于沿給定位線的單元的編程，每次執(zhí)行一個(gè)存儲(chǔ)單元。此外，由于每個(gè)位線具有其自身的編程電路，所以可以同時(shí)執(zhí)行沿多條位線的編程。在替換實(shí)施例中，沿^會(huì)定^f立線的多個(gè)單元可以以同時(shí)的方式^皮SET。然后，在SET操作后，沿給定位線的多個(gè)單元可以以同時(shí)的方式被RESET(SET/RESET的順序可以交換)。盡管根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例描述和示出了本發(fā)明，但是可以在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，可以對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行替換或i多改。特別對(duì)于上述部件或結(jié)構(gòu)(組件、裝置、電路、系統(tǒng)等)所執(zhí)行的各種功能、用于描述這些功能的術(shù)語(yǔ)(包括涉及的"裝置(means)，，)，除了特別指出的，旨在對(duì)應(yīng)于執(zhí)行所述部件的特定功能的任何部件或結(jié)構(gòu)(即，功能上等同)，盡管結(jié)構(gòu)上不等同于所披露的執(zhí)行在此示出的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例中的功能的結(jié)構(gòu)。此外，盡管本發(fā)明的特定特征可能僅被多個(gè)實(shí)施例中的一個(gè)實(shí)施例所披露，但是這樣的特征可以根據(jù)需要與其它實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)其它特征和給定特別應(yīng)用中的有利部分相結(jié)合。此外，對(duì)于在具體實(shí)施方式和權(quán)利要求中所使用的術(shù)語(yǔ)"包括"、"具有"或其它變體的范圍應(yīng)理解為"包括"，與術(shù)語(yǔ)"包括(comprising)，，類似。權(quán)利要求1.一種存儲(chǔ)器裝置，包括存儲(chǔ)單元的陣列部，成行和列布置，其中，所述行與字線對(duì)應(yīng)以及所述列與位線對(duì)應(yīng)；以及組合讀/寫(xiě)電路，與所述陣列部中的每條相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)，所述組合讀/寫(xiě)電路被配置為從與所述相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)單元讀取或者向與所述相應(yīng)的位線相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述組合讀/寫(xiě)電路包括位線選擇電路，被配置為選擇性地將所述相應(yīng)的位線連接到與所述陣列部中每條所述位線相關(guān)聯(lián)的讀出線。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述存儲(chǔ)器包括相變存儲(chǔ)器，以及其中，所述組合讀/寫(xiě)電路包括寫(xiě)置位電路部，被配置為在置位操作中，影響提供給與所述相應(yīng)的位線的所選擇的字線相關(guān)聯(lián)的相變?cè)碾娏髦梦幻}沖幅值。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述存儲(chǔ)器包括相變存儲(chǔ)器，以及其中所述組合讀/寫(xiě)電路包括寫(xiě)復(fù)位電路部，被配置為在復(fù)位操作中，提供給與所述相應(yīng)的位線的所選擇的字線相關(guān)聯(lián)的相變?cè)碾娏鲝?fù)4立樂(lè)P中幅值。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述組合讀/寫(xiě)電路包括位線預(yù)充電電路部，被配置為將非選擇的位線拉到預(yù)定的電4立。6.—種阻抗存々者器，包4舌阻抗存儲(chǔ)單元的陣列部，包括多條位線；以及組合讀/寫(xiě)電路，可操作地與位線相關(guān)聯(lián)，其中，所述組合讀/寫(xiě)電路包括位線選擇電路，被配置為在第一狀態(tài)中將所述位線與讀出電路隔離，以及在第二狀態(tài)中將所述位線連接到讀偏壓電位。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻抗存儲(chǔ)器，其中，所述組合讀/寫(xiě)電路還包括位線預(yù)充電電路，被配置為在所述位線沒(méi)有被選作對(duì)其進(jìn)行尋址時(shí)，將所述位線拉到第一預(yù)定電位。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的阻抗存儲(chǔ)器，其中，所述位線預(yù)充電電3各還#:配置為當(dāng)與所述位線相關(guān)聯(lián)的阻抗元件^皮選作編程為復(fù)位狀態(tài)時(shí)，將所述位線拉到第二預(yù)定電位，其中，所述第二預(yù)定電位等于、小于、或大于所述阻抗存儲(chǔ)器的電源電壓電位。9.才艮據(jù)權(quán)利要求7所述的阻抗存儲(chǔ)器，其中，所述位線預(yù)充電電路還^皮配置為當(dāng)與所述位線相關(guān)聯(lián)的阻抗存儲(chǔ)元件;汰選作編程為置位狀態(tài)時(shí)，使得所述位線浮動(dòng)。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻抗存儲(chǔ)器，其中，所述組合讀/寫(xiě)電路還包括選擇地可激活的電流鏡電路，被配置為在所述第二狀態(tài)中將所述位線中的電流鏡到讀出電路，以及在所述第一狀態(tài)中將所述位線與所述讀出電路隔離。11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻抗存儲(chǔ)器，其中，所述組合讀/寫(xiě)電路還包括字線選擇電路，被配置為選擇性地將阻抗元件連接到所述^f立線。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的阻抗存儲(chǔ)器，其中，所述字線選擇電路還^皮配置為指示所述阻抗元件岸義受編程電流的時(shí)間周期。13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻抗存儲(chǔ)器，其中，所述位線選擇電路被配置為指示所述阻抗存儲(chǔ)器承受置位狀態(tài)編程電流的時(shí)間周期。14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻抗存儲(chǔ)器，其中，所述阻抗存儲(chǔ)單元包括相變存々者單元。15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻抗存儲(chǔ)器，其中，所述阻抗存儲(chǔ)器單元包括包含過(guò)渡金屬氧化物的部件。16.—種存儲(chǔ)器裝置，包括阻抗存儲(chǔ)單元的陣列部，以4亍和列布置，其中，所述4亍與字線對(duì)應(yīng)以及所述列與4立線對(duì)應(yīng)；以及尋址裝置，用于為讀操作和寫(xiě)操作沿位線尋址一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元，其中，所述尋址裝置唯一地與所述位線相關(guān)聯(lián)。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)器裝置，還包括讀出裝置，可操作地與多條位線相關(guān)聯(lián)，用于輸出與所述多條位線的一條相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的值。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述尋址裝置包括位線選擇裝置，用于選擇地將所述相應(yīng)的位線連接到與所述陣列部中每條所述位線相關(guān)聯(lián)的讀出線。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述存儲(chǔ)器包括阻抗存儲(chǔ)器，以及其中，所述尋址裝置包括寫(xiě)置位電路裝置，用于在置位操作中影響提供給與所述相應(yīng)的位線的所選擇的字線相關(guān)聯(lián)的阻抗元件的電流置位力永沖幅值。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述存儲(chǔ)器包括阻抗存儲(chǔ)器，以及其中所述尋址裝置包括寫(xiě)復(fù)位電路裝置，用于在復(fù)位操作中，將電流復(fù)位脈沖幅值提供給與所述相應(yīng)的位線的所選擇的字線相關(guān)聯(lián)的阻抗元件。21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述阻抗存儲(chǔ)單元包括相變存々者單元。22.—種尋址存儲(chǔ)器的方法，包括使用與位線唯一相關(guān)聯(lián)的組合讀/寫(xiě)電路尋址與所述位線相關(guān)聯(lián)的存書(shū)者單元。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，使用所述組合讀/寫(xiě)電路包括選擇性地將位線連接到與所述存儲(chǔ)器的多條位線相關(guān)聯(lián)的讀出線。24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述存儲(chǔ)器包括相變存儲(chǔ)器，以及其中使用所述組合讀/寫(xiě)電路包括在置位寫(xiě)操作期間，將所述位線連接到第一預(yù)定電位以影響編禾呈電《u幅值；以及在復(fù)位寫(xiě)#:作期間，將所述位線連接到比所述第一預(yù)定電位高的第二預(yù)定電位以影響編程電流幅值。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，還包括通過(guò)選擇地將相變?cè)B接到所述位線和將所述相變?cè)c所述位線分離來(lái)控制所述編禾呈電;充的持續(xù)時(shí)間。全文摘要一種存儲(chǔ)器裝置，包括成行列布置的阻抗存儲(chǔ)單元的陣列部，其中行對(duì)應(yīng)于字線以及列對(duì)應(yīng)于位線。該裝置還包括與陣列部中每個(gè)位線相關(guān)聯(lián)的組合讀/寫(xiě)電路，該電路用于從與相應(yīng)的位線連接的阻抗存儲(chǔ)單元讀取或向與相應(yīng)的位線連接的阻抗存儲(chǔ)單元寫(xiě)入。文檔編號(hào)G11C7/22GK101169965SQ20071016542公開(kāi)日2008年4月30日申請(qǐng)日期2007年10月25日優(yōu)先權(quán)日2006年10月25日發(fā)明者托馬斯·哈普,托馬斯·尼爾希申請(qǐng)人:奇夢(mèng)達(dá)北美公司