本實用新型涉及一種車載設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于RockChip PX2平臺的控制電路。
背景技術(shù):
目前,大部分的安卓設(shè)備按存儲器類型可以分為MASKROM(掩模型只讀存儲器),OTPROM(One Time Programmable Read-Only Memory一次編程只讀存儲器),F(xiàn)LASHROM(快速擦寫只讀編程器)等類型。而RockChip PX2平臺是使用MASKROM類型的FLASH。
一般來說,MASKROM設(shè)備FLASH模塊的供電VCC_NAND時序要求在系統(tǒng)電壓之后,為了保持供電的穩(wěn)定性和系統(tǒng)時序的要求,MASKROM設(shè)備的FLASH要求系統(tǒng)電壓經(jīng)LDO(low dropout regulator,低壓差線性穩(wěn)壓器)轉(zhuǎn)換后進(jìn)行供電,并在LDO的PWR_EN加上相應(yīng)的延時來滿足時序要求。
如圖1所示,RT9167-30為LDO,SHDN為LDO的PWR_EN,VSYS為系統(tǒng)電源,VCC_NAND給FLASH進(jìn)行供電,R2串聯(lián)在LDO的PWR_EN上作延時作用,使得VCC_NAND滿足系統(tǒng)的時序要求。
如圖2所示,正常上電時,由于R2的延時作用,PWR_EN上升比較慢,LDO開啟閾值延后VSYS起來,VCC_NAND延后VSYS起來,滿足系統(tǒng)時序要求。
如圖3所示,正常下電時,由于R2的延時作用,PWR_EN的下電時序比VSYS和VCC_NAND要慢。
由上可知,由于LDO的PWR_EN上的串聯(lián)電阻在上電的時候起到延時的作用,使得VCC_NAND時序滿足系統(tǒng)要求,但是在系統(tǒng)快速上下電的時候,可能會出現(xiàn)時序異常。
具體地,當(dāng)下電后馬上快速上電時,由于串聯(lián)R2的延時作用,PWR_EN下降得比VSYS和VCC_NAND要慢很多;在再次上電前,PWR_EN電壓還在LDO開啟的閾值之上;上電后,VCC_NAND就隨著VSYS馬上起來了,導(dǎo)致VCC_NAND的時序并沒有在VSYS之后。
如圖4所示,實際測試中,當(dāng)下電后快速上電,由于時序不能達(dá)到要求,系統(tǒng)可能會不正常進(jìn)入MASKROM模式。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于,提供一種結(jié)構(gòu)簡單、穩(wěn)定性強的基于RockChip PX2平臺的控制電路,可保證FLASH的上下電時序都滿足系統(tǒng)時序的要求,杜絕了系統(tǒng)不正常進(jìn)入MASKROM的情況。
為了解決上述技術(shù)問題,本實用新型提供了一種基于RockChip PX2平臺的控制電路,包括相互電連接的LOD轉(zhuǎn)換電路及延時電路,所述延時電路包括第一電阻、第二電阻及第六電容,所述第一電阻的一端接地且另一端與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接,所述第二電阻的一端與IO電源電連接且另一端與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接,所述第六電容的一端接地且另一端與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接,其特征在于,所述基于RockChip PX2平臺的控制電路還包括鉗位電路;所述鉗位電路包括第一二極管及第二二極管,所述第二電阻的另一端通過第一二極管與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接,所述第六電容的另一端通過第一二極管與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接,所述第二二極管的負(fù)極與IO電源電連接且正極通過第一二極管與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接。
作為上述方案的改進(jìn),所述第一二極管的正極分別與第二電阻、第六電容及第二二極管電連接,所述第一二極管的負(fù)極與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接。
作為上述方案的改進(jìn),所述LOD轉(zhuǎn)換電路上設(shè)置有控制芯片,所述控制芯片上設(shè)置有SHDN引腳,所述第一二極管的負(fù)極與LOD轉(zhuǎn)換電路中的SHDN引腳電連接。
實施本實用新型的有益效果在于:
本實用新型基于RockChip PX2平臺的控制電路中增設(shè)有鉗位電路,通過將鉗位電路與現(xiàn)有的LOD轉(zhuǎn)換電路及延時電路相結(jié)合,構(gòu)成具有鉗位及延時功能的控制電路。
在鉗位電路的作用下,本實用新型給控制芯片的SHDN引腳上下電提供了不同的通路,保證了系統(tǒng)無論在何種使用情況下,F(xiàn)LASH的上下電時序都滿足系統(tǒng)時序的要求,杜絕了系統(tǒng)不正常進(jìn)入MASKROM的情況,提供系統(tǒng)使用的魯棒性。具體地,鉗位電路在下電時給控制芯片中的SHDN引腳提供下電通路,而上電時還是通過原有的延時電路對SHDN引腳進(jìn)行延時處理,保證系統(tǒng)的上下電時序正常。
附圖說明
圖1是現(xiàn)有的控制電路的電路圖;
圖2是采用圖1電路時,正常上電時序圖;
圖3是采用圖1電路時,正常下電時序圖;
圖4是采用圖1電路時,快速上電、下電時序圖;
圖5是本實用新型基于RockChip PX2平臺的控制電路的電路圖;
圖6是采用圖5電路時,快速上電、下電時序圖。
具體實施方式
為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。僅此聲明,本發(fā)明在文中出現(xiàn)或即將出現(xiàn)的上、下、左、右、前、后、內(nèi)、外等方位用詞,僅以本發(fā)明的附圖為基準(zhǔn),其并不是對本發(fā)明的具體限定。
參見圖5,圖5顯示了本實用新型基于RockChip PX2平臺的控制電路的電路圖,其包括相互電連接的LOD轉(zhuǎn)換電路、延時電路及鉗位電路,具體地:
所述LOD轉(zhuǎn)換電路包括控制芯片U1(控制芯片U1相當(dāng)于LDO)、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5及第七電容C7,所述控制芯片U1上設(shè)置有IN引腳、GND引腳、SHDN引腳(SHDN引腳相當(dāng)于LDO的PWR_EN)、FB/OUT引腳及BP引腳;所述IN引腳分別與系統(tǒng)電源VSYS及第四電容C4連接;所述GND引腳接地;所述SHDN引腳分別與延時電路及鉗位電路連接;所述FB/OUT引腳分別與第一電容C1的一端、第二電容C2的一端、第三電容C3的一端、第七電容C7的一端及供電電源VCC_NAND連接,所述第一電容C1的另一端、第二電容C2的另一端、第三電容C3的另一端及第七電容C7的另一端接地;所述BP引腳與第五電容C5的一端連接,所述第五電容C5的另一端接地。
所述延時電路包括第一電阻R1、第二電阻R2及第六電容C6,所述第一電阻R1的一端接地且另一端與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接,所述第二電阻R2的一端與IO電源VCC_IO電連接且另一端與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接,所述第六電容C6的一端接地且另一端與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接。
所述鉗位電路包括第一二極管D1及第二二極管D2,所述第二電阻R2的另一端通過第一二極管D1與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接,所述第六電容C6的另一端通過第一二極管D1與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接,所述第二二極管D2的負(fù)極與IO電源VCC_IO電連接且正極通過第一二極管D1與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接。進(jìn)一步,所述第一二極管D1的正極分別與第二電阻R2、第六電容C6及第二二極管D2電連接,所述第一二極管D1的負(fù)極與LOD轉(zhuǎn)換電路電連接。所述第一二極管D1的負(fù)極與LOD轉(zhuǎn)換電路中的SHDN引腳電連接。
與現(xiàn)有技術(shù)不同的是,本實用新型中增設(shè)有鉗位電路,鉗位電路在下電時給控制芯片U1中的SHDN引腳提供下電通路,而上電時還是通過原有的延時電路對SHDN引腳進(jìn)行延時處理,保證系統(tǒng)的上下電時序正常。
下面結(jié)合具體的電路對本實用新型做進(jìn)一步描述:
上電時,IO電源VCC_IO通過第二電阻R2和第一二極管D1對SHDN引腳進(jìn)行上電,供電電源VCC_NAND后于系統(tǒng)電源VSYS上電,系統(tǒng)時序滿足要求。
下電時,系統(tǒng)電源VSYS和IO電源VCC_IO迅速下電為0,A點的電壓通過第二二極管D2迅速下電,由于第二二極管D2和第一二極管D1的鉗位作用,A點電壓為0.7V,B點由于通過第一電阻R1進(jìn)行接地下拉,B點電壓迅速下電為0。由于第一二極管D1響應(yīng)時間非常短,為ns級別,所以B點下電速度跟系統(tǒng)電源VSYS基本一致。即SHDN引腳下電速度可以迅速響應(yīng)系統(tǒng)電源VSYS和供電電源VCC_NAND的下電速度。
如圖6所示,采用本實用新型后,即使出現(xiàn)“下電后快速上電”的情況下,由于第二二極管D2和第一二極管D1的鉗位作用,SHDN引腳也可以迅速響應(yīng)系統(tǒng)電源VSYS的下電速度。在再次上電時,由于第二電阻R2的延時作用,SHDN引腳上升沿緩慢,供電電源VCC_NAND后于系統(tǒng)電源VSYS上電,滿足系統(tǒng)時序要求。
由上可知,本實用新型給控制芯片U1的SHDN引腳上下電提供了不同的通路,保證了系統(tǒng)無論在何種使用情況下,F(xiàn)LASH的上下電時序都滿足系統(tǒng)時序的要求,杜絕了系統(tǒng)不正常進(jìn)入MASKROM的情況,提供系統(tǒng)使用的魯棒性。
以上所述是本實用新型的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也視為本實用新型的保護范圍。