本發(fā)明涉及防偽技術領域，具體涉及一種防偽標簽識別裝置、防偽標簽識別方法和防偽標簽。

背景技術：

現(xiàn)有的防偽技術通常通過在產(chǎn)品上設置偽造者難以獲得的具有特殊表現(xiàn)方式的防偽標簽或標識來使得購買者或授權制造者能夠辨別產(chǎn)品是否被偽造。

但是，隨著信息傳播難度的降低，防偽技術信息和工藝越來越容易被偽造者獲取。只要能為偽造者所見的防偽措施實際上都存在較大風險被偽造。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種防偽標簽識別裝置、防偽標簽識別方法和防偽標簽，以提供一種安全性更好的，偽造難度更大的防偽技術和對應的識別技術。

第一方面，一種防偽標簽識別裝置，包括：

成像裝置，適于在第一頻段成像以獲取圖像；

提示裝置，用于進行提示；以及

控制裝置，與所述成像裝置和所述提示裝置連接，用于控制所述成像裝置在第一頻段成像獲取第一圖像，并根據(jù)所述第一圖像控制所述提示裝置進行提示。

優(yōu)選地，所述第一頻段至少包括不可見光頻段的一部分。

優(yōu)選地，所述防偽標簽識別裝置還包括：

第一光源，用于發(fā)射位于第二頻段的光；

其中，所述控制裝置用于控制所述成像裝置進行成像獲取第一圖像并控制所述第一光源至少在成像期間發(fā)射所述位于第二頻段的光，在所 述第一圖像滿足預定條件時控制所述提示裝置提示防偽標簽為真；

所述第二頻段包括可見光頻段的一部分和/或不可見光頻段的一部分。

優(yōu)選地，所述第一頻段和所述第二頻段相互不重疊。

優(yōu)選地，所述防偽標簽識別裝置還包括：

第一光源，用于發(fā)射位于第二頻段的光；

其中，所述成像裝置還適于在第三頻段進行成像獲取圖像；所述控制裝置用于控制所述成像裝置在可見光頻段進行第一次成像獲取第二圖像，再控制所述成像裝置在所述第二頻段進行第二次成像獲取第一圖像，在所述第二次成像期間控制所述第一光源發(fā)送所述不可見光，在所述第二圖像和所述第一圖像滿足預定條件或所述第一圖像滿足預定條件時控制提示裝置提示防偽標簽為真；

所述第二頻段包括可見光頻段的一部分和/或與不可見光頻段的一部分，所述第三頻段包括可見光頻段的一部分和/或與不可見光頻段的一部分。

優(yōu)選地，所述防偽標簽識別裝置還包括：

第一光源，用于在不同識別模式下發(fā)射位于不同頻段的光；

所述成像裝置適于在不同的識別模式下在多個不同的頻段進行成像獲取圖像；所述控制裝置用于控制所述成像裝置在第三頻段進行第一次成像獲取第二圖像，根據(jù)所述第二圖像選擇識別模式并控制第一光源發(fā)射所選擇的識別模式對應頻段的光，同時控制所述成像裝置在所選擇的識別模式對應的頻段進行成像獲取第一圖像，在所述第二圖像和所述第一圖像滿足預定條件或所述第一圖像滿足預定條件時控制提示裝置提示防偽標簽為真；

所述第三頻段包括可見光頻段的一部分和/或與不可見光頻段的一部分。

優(yōu)選地，所述防偽標簽識別裝置還包括：

第一光源，用于發(fā)射位于第二頻段的光；

其中，所述成像裝置還適于在可見光頻段進行成像獲取圖像；所述控制裝置用于控制所述成像裝置在可見光頻段進行第一次成像獲取第二 圖像，在所述第二圖像滿足第一預定條件時控制所述成像裝置在所述第二頻段進行第二次成像獲取第一圖像，并在所述第二次成像期間控制所述第一光源發(fā)送所述不可見光，在所述第一圖像滿足第二預定條件時控制提示裝置提示防偽標簽為真；

所述第二頻段包括可見光頻段的一部分和/或與不可見光頻段的一部分。

優(yōu)選地，所述防偽標簽識別裝置還包括：

第二光源，用于發(fā)射第三頻段的不可見光；

其中，所述控制裝置用于控制所述第二光源至少在第一次成像期間發(fā)射可見光和/或位于第三頻段的不可見光。

第二方面，提供一種防偽標簽，包括：

基底，具有相對的第一面和第二面；

第一圖案，形成于所述基底的第一面；

第二圖案，形成在所述基底的第一面或第二面上或設置于所述基底中，所述第二圖案在被位于第二頻段的光照射時發(fā)射位于第一頻段的光。

優(yōu)選地，形成在所述基底的第一面上的所述第二圖案在被設置為透明或在可見光照射下不可見。11、根據(jù)權利要求9所述的防偽標簽，其特征在于，所述第一頻段至少包括不可見光頻段的一部分。

優(yōu)選地，所述第一頻段和所述第二頻段相互不重疊。

優(yōu)選地，所述第二圖案通過在制備基底的原料中加入光致變色物質(zhì)形成。

優(yōu)選地，所述基底包括至少兩層，相鄰層之間包括相互接觸的面，所述第二圖案形成在所述相互接觸的面上。

優(yōu)選地，所述基底中設置有芯片或?qū)щ妶D案，所述第二圖案形成在所述芯片或?qū)щ妶D案的表面。

優(yōu)選地，所述第一圖案攜帶有所述第一頻段和所述第二頻段的相關信息。

第三方面，提供一種防偽標簽識別方法，包括：

在位于第二頻段的光的照射下對防偽標簽在第一頻段內(nèi)進行成像獲取圖像；

根據(jù)所述圖像確定是否檢測到預定圖案。

優(yōu)選地，所述第一頻段至少包括不可見光頻段的一部分。

優(yōu)選地，所述第一頻段和所述第二頻段相互不重疊。

優(yōu)選地，根據(jù)在第三頻段照射下對防偽標簽成像獲得的圖像獲取所述第一頻段和所述第二頻段的信息。

本發(fā)明實施例通過在防偽標簽上設置第一圖案和第二圖案，其中第一圖案可見或采用常用的防偽技術，而第二圖案在可見光照射下不可見，并在被位于第二頻段內(nèi)的光照射時反射位于第一頻段內(nèi)的光。由此，偽造者無法獲知第二圖案的存在，即使知道也無法獲取圖案形狀。在此基礎上，通過發(fā)射第一頻段內(nèi)不可見光的光源照射防偽標簽并在第二頻段內(nèi)進行成像，由此可以識別到不可見的第二圖案，進而識別防偽標簽，提示是否為偽造。本發(fā)明的防偽技術具有較好的隱蔽性，偽造難度大，提高了安全度。

附圖說明

通過以下參照附圖對本發(fā)明實施例的描述，本發(fā)明的上述以及其它目的、特征和優(yōu)點將更為清楚，在附圖中：

圖1a是本發(fā)明實施例的防偽標簽和防偽標簽識別裝置的示意圖；

圖1b是本發(fā)明實施例的一個優(yōu)選的防偽標簽的截面圖；

圖1c是本發(fā)明實施例的一個優(yōu)選的防偽標簽的截面圖；

圖2是本發(fā)明實施例的防偽標簽識別裝置的控制流程圖；

圖3是本發(fā)明實施例的防偽標簽識別裝置的控制流程圖；

圖4是本發(fā)明實施例的防偽標簽識別裝置的控制流程圖；

圖5是本發(fā)明實施例的防偽標簽識別裝置的控制流程圖；

圖6是本發(fā)明實施例的防偽標簽識別方法流程圖。

具體實施方式

以下基于實施例對本發(fā)明進行描述，但是本發(fā)明并不僅僅限于這些實施例。在下文對本發(fā)明的細節(jié)描述中，詳盡描述了一些特定的細節(jié)部分。對本領域技術人員來說沒有這些細節(jié)部分的描述也可以完全理解本發(fā)明。為了避免混淆本發(fā)明的實質(zhì)，公知的方法、過程、流程、元件和電路并沒有詳細敘述。

此外，本領域普通技術人員應當理解，在此提供的附圖都是為了說明的目的，并且附圖不一定是按比例繪制的。

除非上下文明確要求，否則整個說明書和權利要求書中的“包括”、“包含”等類似詞語應當解釋為包含的含義而不是排他或窮舉的含義；也就是說，是“包括但不限于”的含義。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術語“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。

在下文的描述中，“不可見”是指光的頻率位于人眼可以感受的頻率之外，不能為人眼在自然光下識別。通常來說，一般人的眼睛可以感知的電磁波的波長在400～760nm之間，但還有一些人能夠感知到波長大約在380～780nm之間的電磁波，因此“不可見”是指頻率至少在上述波長范圍以外的電磁波(下文也稱為光)。

圖1a是本發(fā)明實施例的防偽標簽和防偽標簽識別裝置的示意圖。

如圖1a所示，所述防偽標簽1包括基底11、第一圖案12和第二圖案13。在材料上，所述基底可以為任何能承載圖案的材料，例如，塑料薄膜、金屬、紡織品等等。在形狀上，所述基底可以形成為剛性或柔性的片狀，從而具有相對的第一面和第二面。所述基底可以為需要進行防偽的產(chǎn)品的外殼、保護層或產(chǎn)品的一部分(例如，瓶蓋)。第一圖案12和第二圖案13可以以例如印刷、噴涂或沉積等各種現(xiàn)有的工藝形成在基底11上或基底1中，具有預定的或隨機的形狀。為了方便區(qū)分，在圖1中，第一圖案12和第二圖案13以并列的方式設置在基底11上。但是，兩者實際上可以以任何的相互位置關系進行設置，包括但不限于相互重疊，部分重疊或相互交錯。另外，應理解，在如下的描述中，圖案包括由點、直線、曲線、形狀以一定規(guī)律形成的組合，也包括以隨機方式形成在基底上的點、線、形狀中的任意一種或其組合。在一部分實施例中，第一圖案12為可見圖案，其作用在于方便識別者定位第二圖案的大概位置，其可以為具有一定防偽功能圖案也可以為其它用于標識的圖案(例如商標、機器可讀識別碼或文字、數(shù)字等)。在另一部分實施例中，第一圖案12也可以為采用現(xiàn)有的防偽技術的不可見圖案，例如在紫外光 照射下可見的圖案。

所述第二圖案13設置于所述基底11上或基底中，通過光致變色材料形成，在被位于第一頻段內(nèi)的不可見光照射時會反射出位于第二頻段內(nèi)的不可見光。

光致變色(photochromic)指在不同的光波誘導下，物質(zhì)a向其異構體b轉化而出現(xiàn)的變色的過程。物質(zhì)a和b具有不同的吸收光譜和能級結構。撤去光源或者改換另一種光源，物質(zhì)b再轉化成物質(zhì)a，顏色又回到初始色澤。這是因為，化合物a在外部光源的刺激下，分子結構或電子能級發(fā)生變化，形成了吸收光譜不同于a的化合物b，發(fā)生顏色的改變；而b在另一種光源或熱作用下，又返回化合物a，顏色又回到初始色澤。由于兩種物質(zhì)間的吸收光譜發(fā)生了變化，就會產(chǎn)生發(fā)色與消色或一種顏色轉變成另一種顏色的可逆變化(無論該顏色是否位于可見光頻段)，即光致變色現(xiàn)象。有機光致變色材料種類繁多，反應機理也不盡相同，主要包括：①鍵的斷裂，如螺吡喃、螺噁嗪等；②鍵的均裂，如六苯基雙咪唑等；③電子轉移互變異構，如水楊醛縮苯胺類化合物等；④順反異構，如偶氮化合物等；⑤氧化還原反應，如稠環(huán)芳香化合物、噻嗪類等；⑥稠環(huán)化反應，如俘精酸酐類、芳基乙烯類等。

采用現(xiàn)有的光致變色材料可以實現(xiàn)：

1、在可見光的照射下向外發(fā)射不可見光。

2、在不可見光的照射下向外發(fā)射可見光。

3、在第二頻段的不可見光的照射下向外反射第一頻段內(nèi)的不可見光。

如上所述，這是通過光照改變物質(zhì)的吸收光譜來實現(xiàn)。

由此，第二圖案13在不同的情況下表現(xiàn)出不同的特性。

優(yōu)選地，可以將第二圖案設置為透明或不可見，也即，無法識別其具體的圖案，由此，可以使得偽造者和購買者不知道第二圖案的存在。

由于部分不可見頻段的光具有較好的穿透性，可以穿透紙、織物、塑料等材料，因此，可以以各種不同的形式將第二圖案設置于基底中，從而使得第二圖案對于偽造者不可見。

在一個優(yōu)選實施方式中，如圖1b所示，基底11包括至少兩層11a 和11b，相鄰層之間包括相互接觸的面，所述第二圖案13形成在所述相互接觸的面上。這在基底為紙或塑料等材料形成時是較好的選擇。

在另一個優(yōu)選實施方式中，如圖1c所示，基底11內(nèi)設置有芯片或?qū)щ妶D案14(例如天線圖案)，第二圖案13形成在芯片或?qū)щ妶D案的表面，從而被封裝在基底11中。這在基底為帶有電路或芯片的ic卡時是較好的選擇。

在又一個優(yōu)選實施例中，在基底11為塑料或紙等材料形成時，可以將光致變色材料加入到塑料原料或紙漿中，通過添加有光致變色材料的原料制備基底，由此獲得的基底中整個材料都具有均勻或隨機分布的可光致變色材料，從而可以形成均勻分布或隨機分布的光致變色圖案，也即，第二圖案。

當然，也可以將第二圖案形成在基底的第二面上，在基底的第二面與其它部件貼合時，也可以使得第二圖案不可見。例如，將第二圖案形成在標簽的背面，在標簽被粘貼到產(chǎn)品上時，第二圖案對于外部是不可見的，但是可以被防偽識別裝置識別。

第一圖案和第二圖案可以以不同的工藝步驟形成在基底上，也可以以通過例如使用混合有兩種材料的涂料以一道工藝步驟形成在基底上。

同時，在第二圖案采用上述第3種屬性的材料時，可以將第二圖案設置在基底中(這可以通過將基底形成為多層結構來實現(xiàn))。由于例如紅外線這樣的射線可以穿透紙質(zhì)基底，因此，可以將第二圖案設置在多層結構的紙質(zhì)基底中，從而使得從表面完全無法發(fā)現(xiàn)第二圖案。

如圖1所示，所述防偽標簽識別裝置2包括第一光源21、成像裝置22、提示裝置23和控制裝置24。其中，控制裝置24與第一光源21、成像裝置22以及提示裝置23連接，控制三者配合進行防偽標簽的識別。其中，第一光源21并非必須。在防偽標簽的第二圖案采用響應于可見光激發(fā)變色的材料時，可以不需要第一光源。

第一光源21用于發(fā)射位于第二頻段的光。所述第二頻段的光用于激發(fā)第二圖案反射或發(fā)射第一頻段的光。所述第二頻段的光可以是不可見光(例如紫外線或紅外線)或可見光。

成像裝置22適于在第一頻段成像以獲取圖像，也即，成像裝置22 至少具備在第一頻段進行光學成像的功能。優(yōu)選地，可以將成像裝置22在不可見光的成像頻段設置得較窄，由此，其對于第一頻段以外的其它不可見光不能有效成像。在另一個優(yōu)選實施例中，也可以將成像裝置22設置為具有較寬的成像頻段，也即，第一頻段除了包括一部分的不可見光頻段外還包括可見光頻段，由此，在第二圖案被激發(fā)變色時，成像裝置22獲得的圖像同時包括第一圖案和第二圖案。在又一個優(yōu)選實施例中，成像裝置22可以被設置為根據(jù)控制分別在不同的頻段進行成像。

提示裝置23用于進行提示。提示裝置23可以為指示燈、蜂鳴器、揚聲器及顯示器中的任意一項或其組合。

控制裝置24被配置為根據(jù)成像裝置22獲得的圖像辨別是否檢測到預定圖案，從而控制所述提示裝置進行提示，使得防偽標簽識別裝置2的用戶可以獲知檢測結果。

具體地，控制裝置24通過控制成像裝置22進行至少一次成像。對于設置有第一光源21的識別裝置，控制裝置24在所述至少一次成像的期間控制第一光源21照射要檢測的標簽。由于第一光源21照射設置有第二圖案的防偽標簽時，第二圖案會反射出第一頻段的不可見光或可見光。在反射不可見光時，該不可見光不能為人眼所發(fā)現(xiàn)，但是可以被成像裝置22檢測到并形成為圖像?？刂蒲b置24根據(jù)成像獲取的圖像至少檢測第二圖案是否存在。在某些優(yōu)選方式下，還可以進一步檢測成像圖像是否滿足其它預定條件。如果成像的圖像滿足預定的條件，則認定檢測到預定圖案，控制提示裝置提示檢測成功，否則提示檢測不成功。

在一個優(yōu)選實施方式中，通過一次成像單獨獲取包括第二圖案的圖像或同時包括第一圖案和第二圖案的圖像來進行檢測。具體地，控制裝置24用于控制成像裝置22進行成像獲取第一圖像并控制第一光源21至少在成像期間發(fā)射所述位于第二頻段的不可見光。其中，所述第一圖像僅包括第二圖案或同時包括第一圖案和第二圖案?？刂蒲b置24在所述第一圖像滿足預定條件時控制提示裝置23提示防偽標簽為真。

控制裝置24可以單獨檢測第二圖案是否存在，也可以檢測第二圖案和第一圖案的合并圖案是否滿足預定要求。例如，在第一圖案和第二圖案交錯時，成像裝置22可以同時在可見光頻段和所述的第二頻段進行 成像，由此獲得兩者交錯的圖案，控制裝置24通過檢測交錯方式或交錯點是否符合預定條件來檢測防偽標簽是否為偽造的。又例如，在第二圖案和第一圖案部分重疊時，控制裝置24可以通過檢測重疊部分的圖案來檢測防偽標簽是否為偽造。如上所述，第二圖案可以為復雜的圖案例如二維碼，也可以是簡單的一個原點或一條線段。

優(yōu)選地，第一頻段至少包括不可見光頻段的一部分，由此，第二圖案被照射時反射或發(fā)射的射線不可見，從而更好地保護第二圖案。

優(yōu)選地，第一頻段和第二頻段被設置為相互不重疊，由此，可以更好地保護第二圖案不被偽造者非法地獲得。

圖2是本優(yōu)選實施方式中防偽標簽識別裝置的控制流程圖。在步驟210、控制裝置24控制第一光源21點亮。

在步驟220、控制裝置24控制成像裝置22進行成像獲取第一圖像。

在步驟230、控制裝置24判斷第一圖像是否符合預定條件。

在步驟240、控制裝置24根據(jù)檢測結果控制提示裝置23進行提示。例如，在提示裝置23為指示燈時，在檢測結果為符合預定條件時控制指示燈為綠色，在不符合預定條件時控制指示燈為紅色。

由此，可以通過對透明或不可見的第二圖案進行成像，并且成像圖像并不能為防偽標簽檢測者肉眼識別或通過防偽標簽識別裝置獲取到，使得偽造者無法對第二圖案進行偽造，極大增強了商品的防偽性能。

在一個優(yōu)選實施方式中，通過至少兩次成像獲取僅包括第一圖案的圖像和同時包括第一圖案和第二圖案的圖像或僅包括第二圖案的圖像來進行檢測。具體地，控制裝置24控制成像裝置22進行第一次成像獲取第二圖像，此時，第一光源不點亮，因此，第二圖像僅包括第一圖案。然后，控制裝置24再控制所述成像裝置進行第二次成像獲取第一圖像，并在所述第二次成像期間控制所述第一光源發(fā)送第二頻段的不可見光或可見光。由于第二次成像時，第一光源點亮，由此，第一圖像中應至少包括第二圖案。進而，控制裝置24在所述第二圖像和所述第一圖像滿足預定條件時控制提示裝置23提示檢測到預定圖案。

由于獲取到兩個圖像，且第二圖像中僅包括第一圖案，而第三圖像中至少包括第二圖案。由此，控制裝置24可以將第二圖像和第三圖像進 行處理，例如，通過將兩個圖像進行對比分離出第二圖案。由此，可以基于第二圖案顯現(xiàn)和不顯現(xiàn)兩個狀態(tài)的圖像來檢測防偽標簽是否為偽造。進一步增強了防偽性能。

優(yōu)選地，防偽標簽識別裝置2還可以包括第二光源25，其用于發(fā)射可見光和/或位于第三頻段的不可見光。在進行第一次成像時，控制裝置24可以控制第二光源25點亮。在防偽標簽的第一圖案為可見圖案時，第二光源25的引入可以提高第一次成像的亮度，提高第二圖像的成像質(zhì)量。在防偽標簽的第一圖案也為光致變色圖案時(例如為在紫外線照射下才可見的圖案時)，第二光源25的引入可以使得防偽標簽識別裝置在第一次成像時獲得的第二圖像僅包括第一圖案，而在第二次成像時獲得的第三圖像僅包括第二圖案。這在第一圖案和第二圖案相互重疊時可以使得防偽標簽識別裝置2有效區(qū)分兩個圖案。

圖3是本優(yōu)選實施方式中防偽標簽識別裝置的控制流程圖。在步驟310、控制裝置24控制第二光源25點亮。

在步驟320、控制裝置24控制成像裝置22進行第一次成像獲取第二圖像。

在步驟330、控制裝置24控制第一光源21點亮，于此同時，可以控制第二光源25熄滅，也可以控制第二光源25保持點亮。

在第二光源25僅發(fā)射可見光時，保持第二光源25點亮可以起到補光的作用。在第二光源25還發(fā)射不可見光時，可以使得防偽標簽的第一圖案和第二圖案同時顯現(xiàn)。

在步驟340、控制裝置24控制成像裝置22進行第二次成像獲取第三圖像。

在步驟350、控制裝置24根據(jù)第二圖像和第三圖像判斷是否檢測到預定圖案。

在步驟360、控制裝置24控制提示裝置23根據(jù)檢測結果進行提示。

應理解，第一次成像和第二次成像的順序并不限于圖3所示，也可以顛倒過來進行，相應地，第二光源25和第一光源21的點亮順序也需要對應改變。

在一個優(yōu)選實施方式中，通過至少兩次成像獲取僅包括第一圖案的 圖像和同時包括第一圖案和第二圖案的圖像或僅包括第二圖案的圖像來進行檢測。具體地，控制裝置24控制成像裝置22進行第一次成像獲取第二圖像，此時，第一光源不點亮，因此，第二圖像僅包括第一圖案?？刂蒲b置24根據(jù)第一圖像判斷是否需要啟動第二次成像，在第一圖案滿足第一預定要求時，啟動第二次成像，在不滿足第一預定條件時，不啟動二次成像，而是直接提示未檢測到防偽標簽或防偽標簽為假?？刂蒲b置24在所述第二次成像期間控制所述第一光源21發(fā)送第二頻段的不可見光或可見光。由于第二次成像時，第一光源點亮，由此，第一圖像中應至少包括第二圖案?？刂蒲b置24判斷至少包括第二圖案的第一圖像是否符合第二預定條件，在滿足時，控制提示裝置23提示防偽標簽為真。

圖4是本優(yōu)選實施方式中防偽標簽識別裝置的控制流程圖。在步驟410、控制裝置24控制成像裝置22進行第一次成像獲取第二圖像。

在步驟420，控制裝置24判斷第二圖像是否滿足第一預定條件，在滿足時，執(zhí)行步驟430，否則執(zhí)行步驟470。

具體地，控制裝置24可以檢測第二圖像中的第一圖案上的防偽設置以判斷是否滿足第一條件，可以讀取第二圖像中的第一圖案上攜帶的信息(例如條形碼、二維碼或字符)是否滿足預定的條件。

在步驟430、控制裝置24控制第一光源21點亮。

在步驟440、控制裝置24控制成像裝置22進行第二次成像獲取第一圖像。

在步驟450、控制裝置24根據(jù)第一圖像判斷是否檢測到預定圖案(也即，是否滿足第二預定條件)，在滿足時執(zhí)行步驟460，否則執(zhí)行步驟470。

在步驟460、控制裝置24控制提示裝置23提示防偽標簽為真。

在步驟470、控制裝置24控制提示裝置23提示未檢測到防偽標簽或防偽標簽為假。

由此，將第一圖案作為觸發(fā)檢測第二圖案的鑰匙，通過對第一圖案進行加密或增加防偽措施對于第二圖案進行保護，可以更好地保護第二圖案防止被偽造者非法地獲知，增加防偽的力度。

在一個優(yōu)選實施方式中，防偽標簽識別裝置可以在多個不同的識別模式識別基于不同光致變色材料的防偽標簽。如上所述，光致變色材料 可以在第二頻段光的照射下發(fā)射第一頻段的光。不同的變色材料的激發(fā)頻段和發(fā)射頻段是不同的，因此，可以通過第一圖案提供關于識別模式的信息，從而使得防偽標簽識別裝置基于第一圖案提供的信息在適當?shù)淖R別模式下進行防偽識別。

具體地，防偽標簽識別裝置的第一光源21適于在不同識別模式下發(fā)射位于不同頻段的光。所述成像裝置22適于在不同的識別模式下在多個不同的頻段進行成像獲取圖像。其中，在不同的識別模式下，第一光源21發(fā)射的光的頻段相互直接可以不重疊，同時，在不同的識別模式下，成像裝置22的成像頻段也可以相互不重疊，由此可以最下限度地避免不同的識別模式相互之間影響?？刂蒲b置24用于控制成像裝置22在第三頻段進行第一次成像獲取第二圖像，根據(jù)所述第二圖像選擇識別模式并控制第一光源21發(fā)射所選擇的識別模式對應頻段的光，同時控制所述成像裝置22在所選擇的識別模式對應的頻段進行第二次成像獲取第一圖像，在所述第二圖像和所述第一圖像滿足預定條件或所述第二圖像滿足預定條件時控制提示裝置提示防偽標簽為真。

圖5是本發(fā)明實施例的防偽標簽識別裝置的控制流程圖。在步驟510、控制裝置24控制成像裝置22進行第一次成像獲取第二圖像。

在步驟520，控制裝置24根據(jù)第二圖像獲得對應的第二圖案的識別信息，并根據(jù)識別信息確定對應的識別模式。

具體地，控制裝置24可以檢測第二圖像中讀取第二圖像中的第一圖案上攜帶的信息(例如條形碼、二維碼或字符)以確定識別模式。

容易理解，在根據(jù)第二圖像無法確定識別模式時，控制裝置24可以直接控制提示裝置提示報錯或者提示標簽為假。

在步驟530、控制裝置24控制第一光源21點亮發(fā)射所選擇的識別模式對應頻段的光。

由此，第二圖案可被激發(fā)發(fā)射出其自身對應的發(fā)射頻段的光。

在步驟540、控制裝置24控制成像裝置22在所選擇的識別模式對應的頻段進行第二次成像獲取第一圖像。

在步驟550、控制裝置24根據(jù)第一圖像判斷是否檢測到預定圖案(也即，是否滿足預定條件)，在滿足時提示防偽標簽為真。

由此，可以使得防偽標簽識別裝置能夠自動識別多種不同的防偽標簽，而且，由于不同的識別模式對應不同的激發(fā)頻段和發(fā)射頻段，偽造者通過防偽標簽識別裝置破解防偽標簽的難度進一步加大。

圖6是本發(fā)明實施例的防偽標簽識別方法流程圖。

如圖6所示，所述方法適用于對如上所述的防偽標簽的檢測，所述方法包括：

步驟610、在第二頻段內(nèi)的光照射下對防偽標簽至少在第二頻段內(nèi)進行成像獲取圖像。其中，位于所述第二頻段的光為不可見光。

步驟620、根據(jù)所述圖像確定是否檢測到預定圖案。

其中，所述第一頻段至少包括不可見光頻段的一部分。

其中，所述第一頻段和所述第二頻段相互不重疊。

其中，所述方法還可以包括步驟610a，根據(jù)在第三頻段照射下對防偽標簽成像獲得的圖像獲取所述第一頻段和所述第二頻段的信息。

由此，通過在防偽標簽上設置第一圖案和第二圖案，其中第一圖案可見或采用常用的防偽技術，而第二圖案不可見，并在被位于第二頻段內(nèi)的光照射時反射位于第一頻段內(nèi)的光。由此，偽造者無法獲知第二圖案的存在，即使知道也無法獲取圖案形狀。在此基礎上，通過發(fā)射第二頻段的光的光源照射防偽標簽并在第二頻段內(nèi)進行成像，由此可以識別到不可見的第二圖案，進而識別防偽標簽，提示是否為偽造。本發(fā)明的防偽技術具有較好的隱蔽性，偽造難度大，提高了安全度。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域技術人員而言，本發(fā)明可以有各種改動和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。