一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，包括用于提供低溫環(huán)境的低溫杜瓦和穿過低溫杜瓦的測量桿，所述測量桿上位于低溫杜瓦內(nèi)部位置處設(shè)置有高斯計安裝架，高斯計安裝架上設(shè)置有用于測量超導(dǎo)磁體磁場的高斯計，超導(dǎo)磁體設(shè)置在低溫杜瓦內(nèi)，所述低溫杜瓦上開設(shè)有供測量桿通過的通孔，所述低溫杜瓦上位于所述通孔位置處設(shè)置有密封件。本實用新型可以實現(xiàn)低溫下超導(dǎo)磁體的中心孔磁場測量，且可實現(xiàn)軸向中心磁場的測量，測量精度高，使用操作方便，實用性強(qiáng)，便于推廣使用。
【專利說明】
一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型屬于超導(dǎo)磁體設(shè)備設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]由于超導(dǎo)線圈工作時需要處于極低的溫度下，低溫超導(dǎo)磁體系統(tǒng)一般都將超導(dǎo)線圈浸泡在液氦內(nèi)，使得超導(dǎo)線圈維持在4.2K溫度，保證超導(dǎo)線圈處于超導(dǎo)狀態(tài)。低溫超導(dǎo)磁體系統(tǒng)可提供尚穩(wěn)定度、尚均勾度、尚場強(qiáng)的磁場，是尚性能MRI (尚性能醫(yī)療用核磁共振成像儀)等相關(guān)裝置的首選磁體系統(tǒng)。對于超導(dǎo)磁體磁場的測量，是每一臺超導(dǎo)磁體制造完成后必不可少的一個環(huán)節(jié)，也是驗證超導(dǎo)磁體設(shè)計和制造是否滿足使用要求的重要步驟。
[0003]傳統(tǒng)的超導(dǎo)磁體，一般都具有室溫孔，室溫孔溫度與大氣溫度一致，這樣非常容易實現(xiàn)測量，但是低溫超導(dǎo)磁體系統(tǒng)一般需要單獨的低溫杜瓦，這樣的超導(dǎo)磁體磁場測量需要特殊工裝才可進(jìn)行。因此需要一種結(jié)構(gòu)簡單、制造方便且易于安裝的低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，可以實現(xiàn)低溫下超導(dǎo)磁體的中心孔磁場測量，且可實現(xiàn)軸向中心磁場的測量，測量精度高。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其結(jié)構(gòu)簡單、制造方便且易于安裝，可以實現(xiàn)低溫下超導(dǎo)磁體的中心孔磁場測量，且可實現(xiàn)軸向中心磁場的測量，測量精度高，使用操作方便，實用性強(qiáng)，便于推廣使用。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案是:一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其特征在于:包括用于提供低溫環(huán)境的低溫杜瓦和穿過低溫杜瓦的測量桿，所述測量桿上位于低溫杜瓦內(nèi)部位置處設(shè)置有高斯計安裝架，高斯計安裝架上設(shè)置有用于測量超導(dǎo)磁體磁場的高斯計，超導(dǎo)磁體設(shè)置在低溫杜瓦內(nèi)，所述低溫杜瓦上開設(shè)有供測量桿通過的通孔，所述低溫杜瓦上位于所述通孔位置處設(shè)置有密封件。
[0006]上述的一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其特征在于:所述密封件包括法蘭和設(shè)置在法蘭凹槽內(nèi)的密封圈。
[0007]上述的一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其特征在于:所述通孔包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔與第二通孔位置相對應(yīng)。
[0008]上述的一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其特征在于:所述測量桿為中空桿。
[0009]上述的一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其特征在于:所述高斯計為霍爾效應(yīng)高斯計。
[0010]上述的一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其特征在于:所述密封圈為橡膠圈。[0011 ]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點:
[0012]1、本實用新型的結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計合理，實現(xiàn)及使用操作方便。
[0013]2、本實用新型可以實現(xiàn)低溫下的超導(dǎo)磁體中心孔的磁場測量，而且可以實現(xiàn)超導(dǎo)磁體軸向中心磁場和超導(dǎo)磁體徑向方向距中心任意距離處磁場測量。
[0014]3、本實用新型通過伸縮拉桿可調(diào)節(jié)超導(dǎo)磁體在低溫杜瓦內(nèi)的中心位置，誤差小，
測量精度高。
[0015]綜上所述，本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、制造方便且易于安裝，可以實現(xiàn)低溫下超導(dǎo)磁體的中心孔磁場測量，且可實現(xiàn)軸向中心磁場的測量，測量精度高，使用操作方便，實用性強(qiáng)，實用性強(qiáng)，便于推廣使用。
[0016]下面通過附圖和實施例，對本實用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
【附圖說明】
[0017]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0018]附圖標(biāo)記說明:
[0019]I—測量桿；2—法蘭；3—低溫杜瓦；
[0020]3-丨一第一通孔；3_2 一第二通孔；4_丨一高斯計安裝架；
[0021]4-2 一尚斯計；5—超導(dǎo)磁體；6—拉桿。
【具體實施方式】
[0022]如圖1所示，本實用新型包括用于提供低溫環(huán)境的低溫杜瓦3和穿過低溫杜瓦3的測量桿I，所述測量桿I上位于低溫杜瓦3內(nèi)部位置處設(shè)置有高斯計安裝架4-1，高斯計安裝架4-1上設(shè)置有用于測量超導(dǎo)磁體5磁場的高斯計4-2，超導(dǎo)磁體5設(shè)置在低溫杜瓦3內(nèi)，所述低溫杜瓦3上開設(shè)有供測量桿I通過的通孔，所述低溫杜瓦3上位于所述通孔位置處設(shè)置有密封件。
[0023]如圖1所示，本實施例中，所述密封件包括法蘭2和設(shè)置在法蘭2凹槽內(nèi)的密封圈。
[0024]如圖1所示，本實施例中，所述通孔包括第一通孔3-1和第二通孔3-2，所述第一通孔3-1與第二通孔3-2位置相對應(yīng)。
[0025]本實施例中，所述測量桿I為中空桿。
[0026]本實施例中，所述高斯計4-2為霍爾效應(yīng)高斯計。
[0027]本實施例中，所述密封圈為橡膠圈。
[0028]具體實施時，超導(dǎo)磁體5通過拉桿6吊裝在低溫杜瓦3的內(nèi)部，通過外部電源對超導(dǎo)磁體5放電，會在超導(dǎo)磁體5的磁體中心產(chǎn)生磁場，通過測量桿I上的高斯計4-2可對超導(dǎo)磁體5的中心孔磁場進(jìn)行測量。對于軸向中心磁場的測量，將測量桿I沿軸向移動，由于密封圈套裝在測量桿I上，減少磁場泄漏，移動測量桿I到待測量位置時，利用安裝測量桿I上的高斯計4-2測量磁場值，當(dāng)測量桿I的位置發(fā)生變化，高斯計4-2的位置也發(fā)生變化，根據(jù)測量桿I位置的不同讀取高斯計4-2測量的不同數(shù)值，依次測完所有數(shù)據(jù)即可。
[0029]以上所述，僅是本實用新型的實施例，并非對本實用新型作任何限制，凡是根據(jù)本實用新型技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、變更以及等效結(jié)構(gòu)變化，均仍屬于本實用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其特征在于:包括用于提供低溫環(huán)境的低溫杜瓦(3)和穿過低溫杜瓦(3)的測量桿(I)，所述測量桿(I)上位于低溫杜瓦(3)內(nèi)部位置處設(shè)置有高斯計安裝架(4-1)，高斯計安裝架(4-1)上設(shè)置有用于測量超導(dǎo)磁體(5)磁場的高斯計(4-2)，超導(dǎo)磁體(5)設(shè)置在低溫杜瓦(3)內(nèi)，所述低溫杜瓦(3)上開設(shè)有供測量桿(I)通過的通孔，所述低溫杜瓦(3)上位于所述通孔位置處設(shè)置有密封件。2.按照權(quán)利要求1所述的一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其特征在于:所述密封件包括法蘭(2)和設(shè)置在法蘭(2)凹槽內(nèi)的密封圈。3.按照權(quán)利要求1所述的一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其特征在于:所述通孔包括第一通孔(3-1)和第二通孔(3-2)，所述第一通孔(3-1)與第二通孔(3-2)位置相對應(yīng)。4.按照權(quán)利要求1或2所述的一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其特征在于:所述測量桿(I)為中空桿。5.按照權(quán)利要求1或2所述的一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其特征在于:所述高斯計(4-2)為霍爾效應(yīng)高斯計。6.按照權(quán)利要求2所述的一種低溫下超導(dǎo)磁體磁場測量裝置，其特征在于:所述密封圈為橡膠圈。
【文檔編號】G01R33/07GK205608164SQ201620321552
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年4月16日
【發(fā)明人】李超, 馬鵬, 石力卓, 葛正福, 孫星瑞, 楊世杰, 杜社軍
【申請人】西安聚能超導(dǎo)磁體科技有限公司