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微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法與流程

文檔序號:11814332閱讀:293來源:國知局
微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法與流程

本發(fā)明涉及一種微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法。



背景技術(shù):

盡管可以使用任意的微機(jī)械結(jié)構(gòu)元件,但是本發(fā)明以及本發(fā)明要解決的問題僅僅借助硅基底上的結(jié)構(gòu)元件來闡述。

用于測量例如加速度、轉(zhuǎn)速、磁場和壓力的微機(jī)械傳感器裝置是普遍公知的并且被大規(guī)模制造用于汽車領(lǐng)域和消費(fèi)領(lǐng)域中的不同應(yīng)用。在消費(fèi)電子裝置的趨勢尤其是結(jié)構(gòu)元件的小型化、功能集成以及有效的成本降低。

目前,加速度傳感器和轉(zhuǎn)速傳感器以及加速度傳感器和磁場傳感器已經(jīng)被制造為組合式傳感器(6d),此外,存在第一9d模塊,其中,分別將3軸的加速度傳感器、轉(zhuǎn)速傳感器和磁場傳感器組合在一個(gè)唯一的傳感器裝置中。

反之,壓力傳感器目前與上述6d模塊和9d模塊分開開發(fā)和制造。對此的主要原因是必需的介質(zhì)通道,與慣性傳感器和磁場傳感器相反,壓力傳感器需要介質(zhì)通道,所述介質(zhì)通道使得用于封裝壓力傳感器的耗費(fèi)和成本明顯升高。將壓力傳感器分開的其他原因是不同的MEMS制造工藝以及不同的分析處理方法。例如,壓力傳感器經(jīng)常使用壓阻式電阻來分析處理,而慣性傳感器優(yōu)選被電容式地分析處理。

但是可預(yù)見的是:除了慣性量以外也能夠測量壓力的傳感器裝置尤其在消費(fèi)電子領(lǐng)域是令人感興趣的功能集成可能性擴(kuò)展。這類集成的7d模塊或在集成3軸磁體傳感器時(shí)的10d模塊可例如用于導(dǎo)航應(yīng)用(室內(nèi)導(dǎo)航,In-door-Navigation)。所述功能集成既預(yù)示成本降低也預(yù)示在應(yīng)用電路板上更低的空間需求。

所謂的垂直集成或混合集成或3D集成的方法是已知的,其中,至少一個(gè)MEMS晶片和一個(gè)分析處理ASIC晶片通過晶片鍵合方法互相機(jī)械地且電地連接,例如由US 7 250 353 B2或US 7 442 570 B2已知。特別有吸引力的是這種垂直集成方法與硅敷鍍通孔(Silizium-Durchkontaktierungen)和倒裝芯片技術(shù)的組合,由此,外部連接可以作為“裸露晶粒模塊(bare die-Modul)”或“芯片級封裝”、即沒有塑料外封裝(Plastikumverpackung)地實(shí)現(xiàn),例如由US 2012/0049299A1或US 2012/0235251A1已知。

US 2013/0001710 A1公開用于形成MEMS傳感器裝置的方法和系統(tǒng),其中,處理晶片(Handlingwafer)通過介電層鍵合到MEMS晶片上。在將MEMS晶片結(jié)構(gòu)化以形成微機(jī)械傳感器裝置之后,將CMOS晶片鍵合到具有所述傳感器裝置的所述MEMS晶片上。在工藝結(jié)束時(shí),如果必要,可以通過蝕刻或背面磨削進(jìn)一步加工所述處理晶片。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明提出一種根據(jù)權(quán)利要求1的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及根據(jù)權(quán)利要求8的相應(yīng)的制造方法。

優(yōu)選的擴(kuò)展方案是各個(gè)從屬權(quán)利要求的主題。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)

本發(fā)明的構(gòu)思在于:將構(gòu)成用于微機(jī)械功能層的初始點(diǎn)的晶片通過絕緣層與ASIC晶片、優(yōu)選與CMOS晶片電絕緣地連接,其中,以后通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電的接觸插塞實(shí)現(xiàn)到所述ASIC晶片的最上面的印制導(dǎo)線層的電連接。在為形成微機(jī)械功能層而將晶片薄化(Abdünnen)之后,在功能層中形成膜片區(qū)域作為第一壓力探測電極,其中,在所述膜片區(qū)域下方在所述最上面的印制導(dǎo)線層中形成第二壓力探測電極。這樣形成的微機(jī)械壓力傳感器裝置可以加罩地或不加罩地使用。

有利地可能的是:除了所述微機(jī)械壓力傳感器裝置以外在所述微機(jī)械功能層中還集成有一個(gè)或多個(gè)另外的微機(jī)械傳感器裝置。例如可能的是:在所述微機(jī)械功能層中附加于所述微機(jī)械壓力傳感器裝置還設(shè)置有微機(jī)械慣性傳感器裝置。在此,僅僅需要在所述罩中設(shè)置有用于微機(jī)械壓力傳感器裝置的壓力通道。

根據(jù)一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案,設(shè)置有第一接觸插塞,該第一接觸插塞形成環(huán)繞的環(huán)。這有利于改善所述膜片區(qū)域的氣密性。

根據(jù)另一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案,將罩晶片(Kappenwafer)鍵合到所述微機(jī)械功能層上,該罩晶片具有通向所述膜片區(qū)域的壓力通道。這樣能夠在不影響功能性的情況下實(shí)現(xiàn)保護(hù)。

根據(jù)另一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案,將罩晶片鍵合到所述最上面的印制導(dǎo)線層上,該罩晶片具有通向所述膜片區(qū)域的壓力通道。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)保護(hù),其中,鍵合工藝是簡化的。

根據(jù)另一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案,所述膜片區(qū)域具有所述微機(jī)械功能層的薄化區(qū)域。這樣能夠在更厚的功能層的情況下提高敏感度。

根據(jù)另一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案,在所述微機(jī)械功能層上方,在所述膜片區(qū)域之外形成鍵合球(Bondkugeln),這些鍵合球通過一個(gè)或多個(gè)第二接觸插塞與所述最上面的印制導(dǎo)線層電連接,這些第二接觸插塞被引導(dǎo)穿過所述微機(jī)械功能層和穿過所述絕緣層。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)簡單的正面組裝可能性。

根據(jù)另一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案,在去除了所述微機(jī)械功能層的區(qū)域中,在所述絕緣層上方形成鍵合球,這些鍵合球通過過孔(Via)與所述最上面的印制導(dǎo)線層電連接。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)具有更小的組裝高度的簡單的正面組裝可能性。

附圖說明

以下借助實(shí)施方式參照附圖闡述本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)。

附圖示出:

圖1a)-h)示出用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖;

圖2a)、b)示出用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖;

圖3a)、b)示出用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖;

圖4示出用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖;

圖5示出用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖;

圖6示出用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖;

圖7示出用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖;

圖8示出用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖。

具體實(shí)施方式

在附圖中,相同的附圖標(biāo)記表示相同的或功能相同的元件。

圖1a)-h)示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖。

在圖1a)中,附圖標(biāo)記1表示具有多個(gè)CMOS電路100的CMOS晶片,這些CMOS電路例如包括用于要形成的微機(jī)械壓力傳感器裝置的分析處理電路。

所述CMOS晶片具有正面VS和背面RS。在CMOS晶片1的正面VS上形成再布線裝置1a,該再布線裝置1a具有多個(gè)印制導(dǎo)線層LB0、LB1、LB2以及處在這些印制導(dǎo)線層LB0、LB1、LB2之間的絕緣層I。為了簡化示圖,未單獨(dú)示出嵌入有印制導(dǎo)線層LB0、LB1、LB2的絕緣層I。印制導(dǎo)線層LB0、LB1、LB2的印制導(dǎo)線區(qū)段通過可導(dǎo)電的過孔(Vias)K互相電連接。

在最上面的印制導(dǎo)線層LB0上方設(shè)置有結(jié)構(gòu)化的絕緣層6,優(yōu)選氧化層或者由氧化層和/或氮化層組成的堆疊。

根據(jù)圖1a),在絕緣層6中形成槽口A1和A2,最上面的印制導(dǎo)線層LB0在所述槽口A1和A2中露出。也設(shè)置有接觸孔L1、L2、L3,在這些接觸孔L1、L2、L3中以后能夠形成接觸插塞。當(dāng)然也能夠在更靠后的工藝階段才形成最后提到的接觸孔L1、L2、L3。

與最下面的印制導(dǎo)線層LB2電連接的敷鍍通孔15從正面VS出發(fā)延伸到CMOS晶片1的內(nèi)部中,以后通過背面磨削使該敷鍍通孔能夠從背面RS露出。

露出區(qū)域A1和A2相應(yīng)于要形成的微機(jī)械傳感器裝置,具體來說,區(qū)域A1相應(yīng)于微機(jī)械壓力傳感器裝置,區(qū)域A2相應(yīng)于可運(yùn)動(dòng)的微機(jī)械慣性傳感器裝置。最上面的印制導(dǎo)線層LB0的在截面A1中借助附圖標(biāo)記7表示的區(qū)段相應(yīng)于所述微機(jī)械壓力傳感器裝置的要形成在所述區(qū)段A1上的第二壓力探測電極。應(yīng)注意的是:通過絕緣層6的結(jié)構(gòu)化,在已去除絕緣層6的區(qū)域中能夠省去犧牲層蝕刻。

進(jìn)一步參照圖1b),在圖1a)的結(jié)構(gòu)上將硅晶片2a鍵合到絕緣層6上,該硅晶片2a作為要從該硅晶片2a中形成的微機(jī)械功能層2(參照圖1c))的起始點(diǎn),具體來說,優(yōu)選借助等離子活化直接鍵合方法(plasmaaktiviertesDirektbondverfahren),因?yàn)檫@在400℃以下的相對低的溫度下進(jìn)行,這具有以下優(yōu)點(diǎn):通過所述鍵合不損害在CMOS晶片1中形成的所述CMOS電路。

隨后,MEMS晶片2a被背面薄化(zurückdünnen)到例如由硅制成的微機(jī)械功能層2的期望厚度,并且被例如由鋁制成的第一鍵合層18覆蓋,隨后相應(yīng)于要形成的鍵合區(qū)域地將該第一鍵合層18結(jié)構(gòu)化,如在圖1c)中示出的那樣。

在圖1d)中圖示的下一個(gè)工藝步驟中,進(jìn)行溝槽蝕刻使其穿過微機(jī)械功能層2,并且(必要時(shí)在先前已沉積且結(jié)構(gòu)化的薄的鈦/氮化鈦附著層上)隨后進(jìn)行鎢層的沉積和結(jié)構(gòu)化。這樣能夠形成接觸插塞P1、P2、P3,所述接觸插塞P1、P2、P3被引導(dǎo)穿過絕緣層6直至第一印制導(dǎo)線層LB0,并且將后者與微機(jī)械功能層2電連接。接觸插塞P1、P2、P3或者完全或者僅僅部分地被填充。

進(jìn)一步參照圖1e),重新進(jìn)行溝槽蝕刻步驟,在該溝槽蝕刻步驟中在所述微機(jī)械功能層中形成溝道,所述溝道一方面用作電絕緣溝道,另一方面用于所述微機(jī)械傳感器裝置的結(jié)構(gòu)化。尤其在槽口A1上方形成可被加載壓力的膜片區(qū)域M,該膜片區(qū)域M通過接觸插塞P1、P2與最上面的印制導(dǎo)線層LB0連接并且通過相應(yīng)的溝道與微機(jī)械功能層2的剩余部分分隔開。

通過溝槽蝕刻步驟在區(qū)域A2上方實(shí)施用于制造可運(yùn)動(dòng)的MEMS元件的結(jié)構(gòu)化,在這種情況下所述可運(yùn)動(dòng)的MEMS元件是微機(jī)械慣性傳感器裝置IE。慣性傳感器裝置IE通過接觸插塞P3與最上面的印制導(dǎo)線層LB0電連接。

如上面已提到的那樣,通過所述溝槽蝕刻步驟也同時(shí)使慣性傳感器裝置IE的可運(yùn)動(dòng)結(jié)構(gòu)現(xiàn)出(freigestellt),因?yàn)樵谠搼T性傳感器裝置IE的可運(yùn)動(dòng)結(jié)構(gòu)下面不再存在絕緣層6,而僅僅存在使最上面的印制導(dǎo)線層LB0露出的槽A2。

這樣形成的膜片區(qū)域M構(gòu)成所述微機(jī)械壓力傳感器裝置的第一壓力探測電極,其中,如上面提到的那樣,通過最上面的印制導(dǎo)線層LB0的印制導(dǎo)線區(qū)段7形成所述第二壓力探測電極。

可選地,可以將用于電接觸的接觸插塞P1、P2也實(shí)施為環(huán)繞的環(huán),因?yàn)橛纱四軌蚋纳颇て瑓^(qū)域M的氣密性。

如在圖1f)中示出的,隨后進(jìn)行罩晶片3的提供,該罩晶片3在第一實(shí)施方式中已具有作為用于所述微機(jī)械壓力傳感器裝置的介質(zhì)進(jìn)入通道的貫通的壓力進(jìn)入通道3a。

罩晶片3還在慣性傳感器裝置IE上方具有淺的空腔3b。在罩晶片3上,在所設(shè)置的鍵合區(qū)域上存在第二鍵合層18a,例如鍺層。

在圖1g)中示出的另一個(gè)工藝步驟中,罩晶片3通過在所設(shè)置的鍵合區(qū)域上的第一鍵合層18和第二鍵合層18a在本例中通過共晶的鋁鍺鍵合被鍵合到微機(jī)械功能層2上,其中,在罩晶片3與微機(jī)械功能層2之間產(chǎn)生共晶鍵合連接18′。

通過所述鍵合將慣性傳感器裝置IE氣密地加罩,其中,由此產(chǎn)生的空腔以附圖標(biāo)記K表示。

與此相反,通過穿過罩晶片3的壓力進(jìn)入通道3a保留了通向所述壓力傳感器裝置的介質(zhì)進(jìn)入通道。

在圖1h中示出的隨后的工藝步驟中,從背面RS進(jìn)行CMOS晶片1的背面磨削,以便使敷鍍通孔15在背面RS上露出。

當(dāng)在背面RS上沉積另一個(gè)絕緣層I′之后,在所述絕緣層上或在所述絕緣層中形成印制導(dǎo)線區(qū)段L1、L2,在所述印制導(dǎo)線區(qū)段L1、L2上形成鍵合球K1、K2,例如小焊球,用于將整個(gè)組合式傳感器裝置焊接到相應(yīng)的襯底上。

應(yīng)注意的是:替代在罩晶片3中的壓力進(jìn)入通道3a的預(yù)先設(shè)定的開口,在罩晶片3中事后磨削另一個(gè)預(yù)先形成的空腔或者用于制造所述壓力進(jìn)入通道的蝕刻步驟或激光穿孔方法也是可行的,尤其如以后還要結(jié)合其他實(shí)施方式闡述的那樣。

圖2a)、b)是用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖。

在第二實(shí)施方式中,所述罩晶片借助附圖標(biāo)記3′表示,在所述罩晶片中形成的貫通的壓力進(jìn)入通道借助附圖標(biāo)記3a′表示,預(yù)先形成在所述罩晶片中的空腔借助附圖標(biāo)記3b′表示。

根據(jù)圖2a)的工藝狀態(tài)基本上相應(yīng)于根據(jù)圖1f)的工藝狀態(tài)。然而在本實(shí)施方式中,在鍵合區(qū)域中去除了微機(jī)械功能層2和處在該微機(jī)械功能層2下的絕緣層6。因此,為了在所述鍵合區(qū)域中的鍵合,露出最上面的印制導(dǎo)線層LB0,該最上面的印制導(dǎo)線層LB0在那里露出作為鍵合面的鋁金屬層。

在罩晶片3′的所述鍵合區(qū)域中設(shè)置有已結(jié)合第一實(shí)施方式提到的由鍺制成的第一鍵合層18a。在本實(shí)施方式中稍微費(fèi)事的預(yù)先結(jié)構(gòu)化的罩晶片3′因此簡單地被鍵合到最上面的印制導(dǎo)線層LB0上,這導(dǎo)致根據(jù)圖2b)的工藝狀態(tài)。

與第一實(shí)施方式相反,罩晶片3′在所述慣性傳感器裝置的區(qū)域中需要更大的空腔3b′并且在所述壓力傳感器裝置的區(qū)域中需要另一個(gè)空腔3b″,以便避免罩晶片3′尤其在膜片區(qū)域M中貼在所述壓力傳感器裝置上以及壓在所述慣性傳感器裝置IE上。

在根據(jù)圖2b)的工藝狀態(tài)之后的另外的工藝化與圖1h)類似地進(jìn)行。

圖3a)、b)是用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖。

在所述第三實(shí)施方式中,與所述第二實(shí)施方式相反,所述罩晶片以附圖標(biāo)記3″表示并且具有用于所述慣性傳感器裝置的槽口3b″′、用于所述壓力傳感器裝置的槽口3b″″以及作為用于所述壓力進(jìn)入通道的預(yù)備階段的預(yù)制造的空腔3a″。

參照圖3b),借助鍺鍵合層18a進(jìn)行罩晶片3″到事先露出的最上面的印制導(dǎo)線層LB0上的鍵合,此后形成共晶鍵合連接18′。在所述鍵合過程之后,磨削(anschleifen)罩晶片3″,以便使壓力進(jìn)入通道3a″露出。

圖4是用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖。

在根據(jù)圖4的第四實(shí)施方式中,與所述第三種實(shí)施方式相反,不進(jìn)行罩晶片3的磨削(aufschleifen),而是通過蝕刻方法或者垂直的或斜的激光鉆孔使壓力進(jìn)入通道3a″露出,其中,形成貫穿通道3c,其使壓力進(jìn)入通道3a″向外露出。

圖5是用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖。

在所述第五實(shí)施方式中,以附圖標(biāo)記M′表示的膜片區(qū)域具有微機(jī)械功能層2的薄化區(qū)域D,例如能夠通過相應(yīng)的光刻蝕刻工藝制造該薄化區(qū)域D。

這具有以下背景:由晶片2a背面磨削得到的微機(jī)械功能層2的厚度典型地是30μm并且通過薄化區(qū)域D能夠提高膜片區(qū)域M′的敏感度。

在其他方面,根據(jù)圖5的工藝狀態(tài)相應(yīng)于根據(jù)圖3b的工藝狀態(tài)。

圖6是用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖。

在所述第六實(shí)施方式中,與第一實(shí)施方式相比,省去了慣性傳感器裝置IE并且膜片區(qū)域M″與處在膜片區(qū)域M″下面的槽口A1″一起相應(yīng)地在微機(jī)械功能層2″中相應(yīng)更大地構(gòu)型。所述接觸插塞這里以附圖標(biāo)記P1″和P2″表示并且所述第二壓力探測電極以7″表示。

在其他方面,根據(jù)圖6的工藝狀態(tài)相應(yīng)于根據(jù)圖1h)的工藝狀態(tài)。

在該實(shí)施方式中,膜片區(qū)域M″相對于處理影響自然較差地受到保護(hù),使得在處理和運(yùn)輸所述結(jié)構(gòu)元件時(shí)必須采取特別的預(yù)防措施。

圖7是用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖。

在所述第七實(shí)施方式中,與第六實(shí)施方式相比,省去敷鍍通孔15,并且通過正面VS進(jìn)行接觸或組裝,其方式是:在微機(jī)械功能層2″上方施加并結(jié)構(gòu)化絕緣層IV,在該絕緣層IV上又設(shè)置有印制導(dǎo)線L1″和L2″,在所述印制導(dǎo)線L1″和L2″上施加有鍵合球K1″或K2″,用于將所述結(jié)構(gòu)元件焊接到合適的襯底上。

鍵合球K1″和K2″通過印制導(dǎo)線L1″或L2″并且通過接觸插塞P3″或P4″與最上面的印制導(dǎo)線層LB0連接,具體來說類似于接觸插塞P1″和P2″。

圖8是用于闡述根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施方式的微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法的示意性橫截面圖。

在所述第八實(shí)施方式中,與所述第七實(shí)施方式相比,在印制導(dǎo)線區(qū)段LDV1或LDV2上設(shè)置有鍵合球K1″或K2″,所述鍵合球K1″或K2″直接施加在絕緣層6上并且所述鍵合球K1″或K2″通過過孔K′與最上面的印制導(dǎo)線層LB0連接。

盡管借助優(yōu)選的實(shí)施例描述了本發(fā)明,但本發(fā)明不局限于此。提到的材料和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)尤其僅僅是示例性的并且不局限于闡述的示例。

盡管在上面的第一至第五實(shí)施方式中描述了微機(jī)械壓力傳感器裝置與微機(jī)械慣性傳感器裝置在微機(jī)械功能層中的組合,但本發(fā)明不局限于此。

相反,在所述微機(jī)械功能層中能夠?qū)⑵渌膫鞲衅骰騻鞲衅餮b置或MEMS結(jié)構(gòu)元件、例如磁場傳感器裝置(例如基于洛倫茲力的磁場傳感器)、旋轉(zhuǎn)加速度傳感器、振蕩器、射頻MEMS等等與所述微機(jī)械壓力傳感器裝置組合。

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