用于測(cè)量結(jié)晶硅鑄造的單晶晶片的晶體分?jǐn)?shù)的工藝和裝置制造方法
【專利摘要】提供了用于確定鑄造單晶硅晶片的晶體分?jǐn)?shù)的方法和裝置。光源被導(dǎo)向晶片且通過檢測(cè)器測(cè)量透射或反射。通過處理器產(chǎn)生晶片圖像且根據(jù)所產(chǎn)生的圖像計(jì)算晶體分?jǐn)?shù)。晶體分?jǐn)?shù)與所生產(chǎn)的太陽能電池的效率有關(guān)，晶體分?jǐn)?shù)的確定允許在處理之前拒絕次級(jí)晶片。
【專利說明】用于測(cè)量結(jié)晶硅鑄造的單晶晶片的晶體分?jǐn)?shù)的工藝和裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例大體涉及用于測(cè)量結(jié)晶硅鑄造的單晶晶片的晶體分?jǐn)?shù)的方法和裝置。更特定而言，本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)用于通過以下一或多個(gè)步驟測(cè)量晶片的晶體分?jǐn)?shù)的方法和裝置:傳輸近紅外光穿過晶片和從晶片表面反射光以及評(píng)算且確定單晶表面區(qū)域的百分比。

【背景技術(shù)】
[0002]在太陽能電池技術(shù)中使用的兩種主要類型的塊體材料是單晶硅和多晶硅。單晶晶片相對(duì)昂貴，但是產(chǎn)生更有效率的太陽能電池。在另一方面，多晶晶片的生產(chǎn)更便宜，但是產(chǎn)生較低效率的電池。近來，引入了名為“鑄造單晶(Casted-Mono)(又稱為準(zhǔn)單晶(Quas1-Mono)) ”的新技術(shù)且此技術(shù)快速受到歡迎。鑄造單晶生產(chǎn)既高效又低制造成本的太陽能晶片。
[0003]用于鑄造單晶的新工藝經(jīng)受高的質(zhì)量變化，或更具體地說一經(jīng)受在晶片的單晶區(qū)域中的變化。晶體分?jǐn)?shù)(crystal fract1n ；CF)的質(zhì)量分布與將由這些晶片制造出的太陽能電池的預(yù)期效率分布聯(lián)系很大。
[0004]因此，開發(fā)檢查所切割的晶片的方法和確定晶體分?jǐn)?shù)是重要的。此信息能夠用于將制造的晶片分類和分等級(jí)，且此信息也能夠?qū)χ圃旃に囂峁?shí)時(shí)反饋。當(dāng)前，沒有測(cè)量CF的市售檢查系統(tǒng)，且僅在電池完全制造之后才能獲得對(duì)晶片質(zhì)量的反饋。因此，在本領(lǐng)域中需要準(zhǔn)確地和重復(fù)地測(cè)量晶體分?jǐn)?shù)的方法和系統(tǒng)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的一或更多個(gè)實(shí)施例針對(duì)確定鑄造單晶晶片的晶體分?jǐn)?shù)的方法。光穿過鑄造單晶硅晶片。已穿過晶片的光被檢測(cè)，且從被檢測(cè)的光產(chǎn)生鑄造單晶硅晶片的圖像。確定鑄造單晶晶片的晶體分?jǐn)?shù)。
[0006]在一些實(shí)施例中，光包含近紅外光。在一或多個(gè)實(shí)施例中，近紅外光具有約870nm的波長(zhǎng)。在一些實(shí)施例中，光通過發(fā)光二極管(light emitting d1de ；LED)發(fā)射。
[0007]在一些實(shí)施例中，確定鑄造單晶片的晶體分?jǐn)?shù)包含確定晶片的單晶最大區(qū)域。一或更多個(gè)實(shí)施例進(jìn)一步包含確定單晶晶片區(qū)域的百分比。一些實(shí)施例進(jìn)一步包含基于單晶晶片區(qū)域的百分比評(píng)算鑄造單晶晶片的質(zhì)量。在一或多個(gè)實(shí)施例中，單晶晶片大于90%指示良好的晶片，在約60%至約90%的范圍內(nèi)的百分比指示二級(jí)晶片，且小于約60%的百分比指不不良的晶片。
[0008]本發(fā)明的額外實(shí)施例針對(duì)確定鑄造單晶硅晶片的晶體分?jǐn)?shù)的方法。鑄造單晶硅晶片與光接觸。穿過晶片的光和從晶片反射的光中的一或多種光被檢測(cè)。從被檢測(cè)的光產(chǎn)生鑄造單晶娃晶片的圖像，且確定鑄造單晶娃晶片的晶體分?jǐn)?shù)。
[0009]在一些實(shí)施例中，光是具有約870nm的波長(zhǎng)的近紅外光，且光穿過鑄造單晶硅晶片。在一些實(shí)施例中，光是紫外光、可見光和紅外光中的一或多種，且光從鑄造單晶娃晶片的表面反射。
[0010]在一些實(shí)施例中，確定鑄造單晶娃晶片的晶體分?jǐn)?shù)包含:確定晶片的單晶最大區(qū)域和計(jì)算單晶晶片區(qū)域的百分比。
[0011]本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例針對(duì)用于測(cè)量鑄造單晶晶片中的晶體分?jǐn)?shù)的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包含支撐件、光源、檢測(cè)器和處理器。支撐件固持鑄造單晶晶片。光源發(fā)射指向鑄造單晶晶片的光。檢測(cè)器在暴露至鑄造單晶晶片之后測(cè)量光。處理器與檢測(cè)器通信且評(píng)算晶片的晶體分?jǐn)?shù)。
[0012]在一些實(shí)施例中，光是近紅外光。在一些實(shí)施例中，近紅外光被導(dǎo)向至鑄造單晶晶片的背側(cè)，且檢測(cè)器測(cè)量來自光源的傳輸穿過鑄造單晶晶片的近紅外光。在一些實(shí)施例中，近紅外光具有約870nm的波長(zhǎng)。在一或多個(gè)實(shí)施例中,光源是發(fā)光二極管(light emittingd1de ;LED)。在一些實(shí)施例中,光是紫外光、可見光和紅外光中的一或多種。
[0013]在一些實(shí)施例中，光被導(dǎo)向至鑄造單晶晶片的前側(cè)，且檢測(cè)器測(cè)量來自光源的從鑄造單晶晶片的前側(cè)反射的光。
[0014]在一些實(shí)施例中，處理器通過比較具有相對(duì)均勻透射的晶片區(qū)域與具有相對(duì)不均勻透射的晶片區(qū)域且確定均勻區(qū)域的百分比來評(píng)算晶片的晶體分?jǐn)?shù)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]為了獲得且能夠詳細(xì)地理解本發(fā)明的上述特征，可通過參考本發(fā)明的實(shí)施例來獲得上文簡(jiǎn)要概述的本發(fā)明的更特定描述，所述實(shí)施例圖示在附圖中。然而，應(yīng)注意的是，附圖僅圖示本發(fā)明的典型實(shí)施例且因此不應(yīng)將附圖視為對(duì)本發(fā)明的范圍的限制，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其他同等有效的實(shí)施例。
[0016]圖1圖示硅晶片的透射率和硅CXD檢測(cè)器靈敏度的圖形；
[0017]圖2圖示根據(jù)本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)的示意圖；
[0018]圖3圖示根據(jù)本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)的示意圖；
[0019]圖4圖示包括單晶晶片、多晶晶片和鑄造單晶晶片的結(jié)晶硅太陽能晶片的近紅外圖像；
[0020]圖5圖示通過根據(jù)本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例的晶體分?jǐn)?shù)系統(tǒng)檢查的典型鑄造單曰曰 1-L曰曰曰曰片；
[0021]圖6圖示樣品晶片的重復(fù)測(cè)量的晶體分?jǐn)?shù)的圖形；和
[0022]圖7圖示一百個(gè)硅晶片在多個(gè)定向的晶體分?jǐn)?shù)的圖形。

【具體實(shí)施方式】
[0023]本發(fā)明的實(shí)施例作為快速且可靠的方式涉及結(jié)晶硅太陽能電池和晶片制造以在鑄造單晶晶片進(jìn)入電池生產(chǎn)線或離開切片(wafering)工藝(作為裸晶片)的階段時(shí)測(cè)量鑄造單晶晶片的晶體分?jǐn)?shù)。晶體分?jǐn)?shù)與最終電池效率相互關(guān)聯(lián)。因此，晶體分?jǐn)?shù)是在處理原材料之前幫助預(yù)測(cè)和估計(jì)原材料質(zhì)量的非常重要的參數(shù)。人工篩選被用于檢驗(yàn)原材料的質(zhì)量，但人工篩選并不是非常準(zhǔn)確或可重復(fù)的工藝。另外，人工篩選不滿足制造的產(chǎn)量需求。
[0024]所述方法的實(shí)施例提供晶體分?jǐn)?shù)的極其準(zhǔn)確和可重復(fù)的測(cè)量，所述測(cè)量實(shí)時(shí)提供有用的數(shù)據(jù)。所述方法和系統(tǒng)有可能被廣泛地采用作為CF檢查和產(chǎn)量提高的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
[0025]在一些實(shí)施例中，在傳輸模式中使用成像近紅外(Near Infra Red ；NIR)視覺系統(tǒng)掃描晶片，所述視覺系統(tǒng)產(chǎn)生顯示晶片形態(tài)的清晰和對(duì)比圖像。所有顆粒邊界通過此技術(shù)(所述技術(shù)使用線掃描成像)清楚可見，以獲得快速的實(shí)時(shí)圖像。用于處理圖像的軟件找到晶片上的光滑的最大區(qū)域，將所述區(qū)域看作所述晶片的單晶區(qū)域。此單晶區(qū)域出自整個(gè)晶片區(qū)域的分?jǐn)?shù)被認(rèn)為是晶體分?jǐn)?shù)，并且此分?jǐn)?shù)給予電池制造商或晶片制造商關(guān)于材料質(zhì)量的重要數(shù)據(jù)。
[0026]檢查系統(tǒng)的一或更多個(gè)實(shí)施例基于近紅外波長(zhǎng)中的明場(chǎng)傳輸光學(xué)系統(tǒng)(brightfield transmiss1n optics)。光穿透晶片且在CO)攝像機(jī)上產(chǎn)生圖像。根據(jù)娃材料在近紅外光中是半透明的事實(shí)，已選擇線性ID LED光源且將所述光源放置在運(yùn)載晶片的輸送裝置之下。已通過考慮娃晶片的透射光譜和娃(XD傳感器的響應(yīng)光譜(responsivityspectrum)來確定光源的精確波長(zhǎng)，如圖1中所示。雖然以下描述參照硅晶片，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，能測(cè)試其他晶片材料且本發(fā)明的范圍不應(yīng)僅限于硅晶片。
[0027]圖2圖示根據(jù)本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)100的示意圖。系統(tǒng)100包括支撐件110，支撐件110固持鑄造單晶硅太陽能晶片120。支撐件110可以例如是輸送裝置、升降銷或空氣軸承系統(tǒng)。支撐件110不應(yīng)干擾系統(tǒng)所使用的光的傳輸或檢測(cè)。圖2中所示的實(shí)施例圖示輸送裝置作為支撐件110且被圖示為一系列圓。晶片120沿著輸送裝置移動(dòng)通過視覺系統(tǒng)130。
[0028]在圖2中所不的實(shí)施例中，晶片120被移動(dòng)冋時(shí)視覺系統(tǒng)130保持固定。此情況僅是一種可能的系統(tǒng)的說明，且不應(yīng)被視為本發(fā)明范圍的限制。在一些實(shí)施例中，晶片120保持固定且視覺系統(tǒng)130或視覺系統(tǒng)的一部分橫跨晶片120移動(dòng)。
[0029]視覺系統(tǒng)120包括光源140，光源140發(fā)射指向鑄造單晶硅太陽能晶片120的光
145。圖2中的光源140被圖示為在晶片120之下，其中光145穿過晶片120。此實(shí)施例中的光源140將光145指向晶片120的背表面122。光145穿過晶片145且被檢測(cè)器150檢測(cè)，檢測(cè)器150朝向晶片120的前側(cè)121。此情況是使用光透射穿過晶片120的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，此情況僅是一個(gè)可能的布置且此情況不應(yīng)被視為本發(fā)明范圍的限制。
[0030]根據(jù)測(cè)量模式(即透射或反射)，光源140能夠是任何適合的光源。適合的光源在可見波長(zhǎng)區(qū)域、紫外波長(zhǎng)區(qū)域、紅外波長(zhǎng)區(qū)域和近紅外波長(zhǎng)區(qū)域的一或多個(gè)波長(zhǎng)區(qū)域中發(fā)射輻射。在一些實(shí)施例中，如可能用于透射測(cè)量，光源140發(fā)射近紅外光145。近紅外光145被指向晶片120的背側(cè)，且檢測(cè)器150測(cè)量透射穿過晶片120的近紅外光。在圖2的透射模式中，光源140可以能夠穿過晶片120的任何適合的波長(zhǎng)發(fā)射光。在一或多個(gè)實(shí)施例中，波長(zhǎng)是870nm或950nm的一或多個(gè)。在一些實(shí)施例中，波長(zhǎng)在約870nm至約950nm的范圍內(nèi)。在一或多個(gè)實(shí)施例中，波長(zhǎng)在約800nm至約100nm的范圍內(nèi)。光源140能夠是任何類型的光源，所述光源包括但不限于激光器、發(fā)光二極管(LED)、有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight emitting d1de ;0LED)、原子線源、氖燈、萊汽燈、氣體放電燈和鈉燈。
[0031]在圖3中所示的實(shí)施例中，視覺系統(tǒng)被布置以進(jìn)行晶片120的前表面121的反射測(cè)量。在此處，光源140將光145導(dǎo)向晶片120的前表面121，光在所述前表面處被反射
146。又稱為入射光的光145接觸晶片120且至少一部分所述光被反射。反射光146被檢測(cè)器150檢測(cè)。反射光146可以是鏡面反射或漫反射的結(jié)果。
[0032]在圖3的實(shí)施例中，光145被導(dǎo)向鑄造單晶硅太陽能晶片120的前側(cè)121。檢測(cè)器150測(cè)量來自前側(cè)121的反射光146。一些實(shí)施例的光源是可見光和紫外光的一或多種。根據(jù)晶片120的具體組成，可見光和紫外光將不會(huì)透射穿過晶片120，而將被至少部分地朝向檢測(cè)器反射。
[0033]檢測(cè)器150能夠是用于測(cè)量光的任何適合的檢測(cè)器。適合的檢測(cè)器包括但不限于線掃描攝像機(jī)和電荷耦合裝置(CCD)。在一些實(shí)施例中，檢測(cè)器是線掃描攝像機(jī)，所述攝像機(jī)能檢測(cè)由光源140發(fā)射的波長(zhǎng)的光。
[0034]處理器160與檢測(cè)器150通信，且處理器160能評(píng)算由檢測(cè)器提供的數(shù)據(jù)。在一些實(shí)施例中，處理器與檢測(cè)器150和光源140兩者通信且處理器可控制這兩個(gè)部件。在一些實(shí)施例中，處理器160執(zhí)行以下步驟的一或多個(gè)步驟:從檢測(cè)的光產(chǎn)生鑄造單晶硅晶片的圖像和評(píng)算晶片120的晶體分?jǐn)?shù)。
[0035]能通過比較具有相對(duì)均勻透射的晶片區(qū)域與具有相對(duì)不均勻透射的晶片區(qū)域來確定晶片的晶體分?jǐn)?shù)。此情況的實(shí)例可見于圖4和圖5中。如在本說明書和所附權(quán)利要求書中所使用的，術(shù)語“均勻透射”意指被分析的像素的顏色或強(qiáng)度在預(yù)定閾值之內(nèi)類似于周圍像素。在一些實(shí)施例中，圖像處理發(fā)現(xiàn)最大顆粒的顆粒邊界(輪廓)且隨后計(jì)算這個(gè)區(qū)域(基于圖像中的像素?cái)?shù)目)。在一些實(shí)施例中，確定鑄造單晶硅晶片的晶體分?jǐn)?shù)包含確定晶片的單晶最大區(qū)域。單晶晶片區(qū)域的百分比能通過將單晶區(qū)域除以整個(gè)晶片的區(qū)域來確定。整個(gè)晶片區(qū)域能通過人工輸入直接地輸入到處理器中，或能由視覺系統(tǒng)確定。
[0036]在一些實(shí)施例中，能基于單晶晶片區(qū)域的百分比評(píng)算晶片質(zhì)量。具有大于約90%的單晶區(qū)域的晶片能被指示為良好的晶片。具有在約60%至約90%的范圍內(nèi)的單晶區(qū)域的晶片能被指示為第二或B級(jí)晶片。具有小于約60 %的單晶的晶片能被指示為能被回收的不良晶片。
[0037]參看圖4，具有波長(zhǎng)為870nm的發(fā)光二極管被引導(dǎo)穿過晶片，且具有象素大小為40微米的線掃描攝像機(jī)被放置以監(jiān)測(cè)透射穿過晶片的光。由攝像機(jī)產(chǎn)生的圖像清楚地顯示顆粒邊界和單晶與多晶區(qū)域。處理器160能確定多晶區(qū)域邊界和單晶區(qū)域，以提供精確和準(zhǔn)確的CF測(cè)量。因?yàn)閿z像機(jī)的曝光時(shí)間由于高的生產(chǎn)線產(chǎn)量(在大量生產(chǎn)中通常是每小時(shí)3600個(gè)晶片)而必須很短，所以已經(jīng)仔細(xì)計(jì)算了系統(tǒng)的光預(yù)算。由于高的產(chǎn)量，用于檢查晶片的周期時(shí)間可能非常短(例如最多達(dá)I秒)。在一些實(shí)施例中，用于檢查晶片的周期時(shí)間最多達(dá)約2秒或最多達(dá)約1.5秒或最多達(dá)約I秒或最多達(dá)約900毫秒或最多達(dá)約800毫秒或最多達(dá)約700毫秒或最多達(dá)約600毫秒或最多達(dá)約500毫秒。為了不得到模糊圖象，攝像機(jī)的曝光時(shí)間必須很短。在一些實(shí)施例中，曝光時(shí)間乘以取樣速度不應(yīng)超過系統(tǒng)分辨率的約20%或約15%或約10%或約5%。一些實(shí)施例的系統(tǒng)分辨率是約60 μ m或約50 μ m或約40 μ m或約30 μ m或約20 μ m,或在約20 μ m至約60 μ m的范圍內(nèi)。
[0038]已對(duì)各種晶片建立和測(cè)試檢查系統(tǒng)。在圖5中圖不典型的晶片圖像和測(cè)量的CF。在線速度(I個(gè)晶片每秒)處獲得的對(duì)比是優(yōu)異的，給出了顆粒和所述顆粒的邊界的清晰且明快的圖像。在獲得高質(zhì)量圖像的情況下，處理器計(jì)算單晶區(qū)域。圖5中所示的晶片的晶體分?jǐn)?shù)是55.3%。此晶片通常會(huì)是不合格的且此晶片通常會(huì)是被回收以供將來使用的硅。
[0039]為了證明系統(tǒng)的可重復(fù)性(準(zhǔn)確度和精確度)，單個(gè)晶片被檢查數(shù)百次。結(jié)果圖示于圖6中。可見所述系統(tǒng)證明了優(yōu)良的可重復(fù)性(標(biāo)準(zhǔn)偏差小于0.2%)。
[0040]因?yàn)榫笾率钦叫危詼y(cè)試了對(duì)晶片定向的不變性。在總共四個(gè)定向中測(cè)試了一百個(gè)典型晶片。測(cè)試結(jié)果圖示于圖7中且指示測(cè)量對(duì)晶片定向高度不變(highlyinvariant)。測(cè)量誤差小于峰-峰值(peak-to-peak)的0.8%。CF的變化與所生產(chǎn)的電池的效率的最多達(dá)0.7%的變化相關(guān)聯(lián)(取決于工藝)。
[0041]所描述的方法和系統(tǒng)提供了關(guān)于晶片質(zhì)量的重要信息，所述信息與電池效率直接相關(guān)。晶片制造商將能夠使所述制造商的生產(chǎn)工藝閉環(huán)且提供更高質(zhì)量的產(chǎn)品，以及將所述制造商的晶片入庫(kù)且根據(jù)晶片的質(zhì)量銷售晶片。電池制造商將能夠預(yù)測(cè)預(yù)期的電池效率，拒絕低質(zhì)量晶片，且更好地計(jì)劃制造商的生產(chǎn)。
[0042]盡管本文已參考特定實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅是本發(fā)明的原理和應(yīng)用的說明。將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，能對(duì)本發(fā)明的方法和裝置進(jìn)行各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在包括在附加權(quán)利要求書和所述權(quán)利要求書的等同物范圍之內(nèi)的修改和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種用于測(cè)量鑄造單晶晶片中的晶體分?jǐn)?shù)的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包含: 支撐件，所述支撐件固持鑄造單晶晶片； 光源，所述光源發(fā)射指向所述鑄造單晶晶片的光； 檢測(cè)器，所述檢測(cè)器在暴露于所述鑄造單晶晶片之后測(cè)量所述光；和 處理器，所述處理器與所述檢測(cè)器通信，所述處理器評(píng)算所述晶片的所述晶體分?jǐn)?shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述光是近紅外光。
3.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述近紅外光被導(dǎo)向至所述鑄造單晶晶片的背側(cè)，且所述檢測(cè)器測(cè)量來自所述光源的透射穿過所述鑄造單晶晶片的近紅外光。
4.如權(quán)利要求2至3中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中所述近紅外光具有約870nm的波長(zhǎng)。
5.如權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中所述光源是發(fā)光二極管(LED)。
6.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述光是紫外光、可見光和紅外光的一或多種光。
7.如權(quán)利要求1或6中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中所述光被導(dǎo)向至所述鑄造單晶晶片的前側(cè)，且所述檢測(cè)器測(cè)量來自所述光源的從所述鑄造單晶晶片的所述前側(cè)反射的光。
8.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中所述處理器通過比較所述晶片的具有相對(duì)均勻透射的區(qū)域與具有相對(duì)不均勻透射的區(qū)域且確定均勻區(qū)域的百分比來評(píng)算所述晶片的所述晶體分?jǐn)?shù)。
9.一種確定鑄造單晶晶片的晶體分?jǐn)?shù)的方法，所述方法包含: 使光穿過所述鑄造單晶硅晶片； 檢測(cè)已穿過所述晶片的所述光； 從所檢測(cè)的光產(chǎn)生所述鑄造單晶硅晶片的圖像；和 根據(jù)所述圖像確定所述鑄造單晶晶片的所述晶體分?jǐn)?shù)。
10.一種確定鑄造單晶硅晶片的晶體分?jǐn)?shù)的方法，所述方法包含: 使所述鑄造單晶硅晶片與光接觸； 檢測(cè)穿過所述晶片的光和從所述晶片反射的光的一或多種光； 從所檢測(cè)的光產(chǎn)生所述鑄造單晶硅晶片的圖像；和 根據(jù)所述圖像確定所述鑄造單晶硅晶片的所述晶體分?jǐn)?shù)。
11.如權(quán)利要求9至10中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中所述光是近紅外光且穿過所述鑄造單晶硅晶片，所述近紅外光具有約870nm的波長(zhǎng)。
12.如權(quán)利要求10所述的方法,其中所述光是紫外光、可見光和紅外光中的一或多種光，且所述光從所述鑄造單晶硅晶片的表面反射。
13.如權(quán)利要求9至12中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中確定所述鑄造單晶硅晶片的所述晶體分?jǐn)?shù)包含:確定所述晶片的單晶最大區(qū)域且計(jì)算單晶晶片區(qū)域的百分比。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包含:確定單晶晶片區(qū)域的所述百分比。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包含:基于單晶晶片區(qū)域的所述百分比評(píng)算所述鑄造單晶晶片的質(zhì)量。
【文檔編號(hào)】G01N21/59GK104204777SQ201380018904
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2013年3月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月15日
【發(fā)明者】阿薩夫·施勒岑杰, 阿米爾·阿拉-巴提亞 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司