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T型接頭焊縫中未焊透寬度的檢測(cè)用雙晶片直探頭的制作方法

文檔序號(hào):5972355閱讀:592來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:T型接頭焊縫中未焊透寬度的檢測(cè)用雙晶片直探頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種檢測(cè)裝置,具體地說(shuō)涉及一種檢測(cè)未焊透寬度的檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)
目前市場(chǎng)銷(xiāo)售的雙晶片直探頭晶片尺寸較大,聚焦區(qū)范圍大,對(duì)小尺寸缺陷檢測(cè)時(shí)定量誤差較大。長(zhǎng)期以來(lái)因?yàn)門(mén)形接頭焊縫未焊透檢測(cè)困難,設(shè)計(jì)單位提高設(shè)計(jì)要求,把本可以不焊透的接頭按照焊透來(lái)要求,從而增加施工難度,加大設(shè)備制造成本。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種在晶片寬度在6_以下時(shí)仍可以檢測(cè)T型接頭焊縫寬度的探頭。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案本實(shí)用新型包括探頭殼及位于探頭殼內(nèi)的兩個(gè)延遲塊,每個(gè)延遲塊的頂部固定探頭芯,探頭芯與探頭引線接頭相連接,且在探頭芯和探頭引線接頭之間設(shè)置吸收材料。所述的探頭芯由附在延遲塊上的晶片和電極引線構(gòu)成,電極引線連接探頭引線接頭。所述晶片的上表面為斜面。在兩個(gè)探頭芯、晶片和延遲塊之間設(shè)置隔聲層。采用上述技術(shù)方案的本實(shí)用新型,除了具有沒(méi)有盲區(qū)的優(yōu)點(diǎn)外,還具有平行于分隔層方向的聚焦區(qū)較小、垂直于分隔層方向的聚焦區(qū)較大的優(yōu)點(diǎn),從而使得檢測(cè)時(shí)有效掃查范圍大、探傷效率高,對(duì)未焊透寬度測(cè)量時(shí)定量精度高。本實(shí)用新型可以作為T(mén)型接頭焊縫未焊透超聲波檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定用探頭,解決了 T型接頭焊縫中未焊透寬度檢測(cè)的難題,為產(chǎn)品設(shè)計(jì)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持,降低施工難度,節(jié)約設(shè)備制造成本。

圖I為本實(shí)用新型的主視圖。圖2為本實(shí)用新型的側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
如圖I、圖2所示,本實(shí)用新型包括探頭殼I及位于探頭殼I內(nèi)的兩個(gè)延遲塊5,每個(gè)延遲塊5的頂部固定探頭芯3,探頭芯3由附在延遲塊5上的晶片8和電極引線9構(gòu)成,電極引線9連接探頭引線接頭7。且在探頭芯3和探頭引線接頭7之間設(shè)置吸收材料2。更好地,晶片8對(duì)稱粘貼在兩塊延遲塊的斜面上,在在兩個(gè)探頭芯3、晶片8和延遲塊5之間設(shè)有隔聲層4,連接電極引線9后澆注吸收材料2,然后固定在探頭殼內(nèi)澆注封閉膠。晶片8的上表面為斜面,它根據(jù)聚焦深度不同傾斜安裝,同時(shí)根據(jù)檢測(cè)工件厚度確定晶片的傾斜角度。[0014]本實(shí)用新型的檢測(cè)原理是本實(shí)用新型對(duì)探傷區(qū)6進(jìn)行檢測(cè)時(shí),雙晶片直探頭的兩塊壓電晶片,一塊用于發(fā)射超聲波,另一塊用于接收超聲波,中間夾有隔聲層4。發(fā)射晶片用于發(fā)射靈敏度高的壓電材料制成,接收晶片由接收靈敏度高的壓電材料制成。壓電晶片制作成矩形晶片,使用矩形晶片的寬度小于6mm,且矩形的長(zhǎng)度大于寬度2倍以上。超聲波束聚焦范圍具有在平行于分隔層方向的聚焦區(qū)較小、垂直于分隔層方向的聚焦區(qū)較大的特點(diǎn)。具有雜波少盲區(qū)小、工件中近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度小、檢測(cè)范圍可調(diào)的特點(diǎn),從而使得檢測(cè)時(shí)有效掃查范圍大、探傷效率高,對(duì)T型接頭焊縫中未焊透寬度測(cè)量時(shí)定量精度高。
權(quán)利要求1.一種T型接頭焊縫中未焊透寬度的檢測(cè)用雙晶片直探頭,其特征在于它包括探頭殼(I)及位于探頭殼(I)內(nèi)的兩個(gè)延遲塊(5),每個(gè)延遲塊(5)的頂部固定探頭芯(3),探頭芯(3)與探頭引線接頭(7)相連接,且在探頭芯(3)和探頭引線接頭(7)之間設(shè)置吸收材料(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的T型接頭焊縫中未焊透寬度的檢測(cè)用雙晶片直探頭,其特征在于所述的探頭芯(3)由附在延遲塊(5)上的晶片(8)和電極引線(9)構(gòu)成,電極引線(9)連接探頭引線接頭(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的T型接頭焊縫中未焊透寬度的檢測(cè)用雙晶片直探頭,其特征在于所述晶片(8)的上表面為斜面。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的T型接頭焊縫中未焊透寬度的檢測(cè)用雙晶片直探頭,其特征在于在兩個(gè)探頭芯(3)、晶片(8)和延遲塊(5)之間設(shè)置隔聲層(4)。
專利摘要一種T型接頭焊縫中未焊透寬度的檢測(cè)用雙晶片直探頭,它包括探頭殼及位于探頭殼內(nèi)的兩個(gè)延遲塊,每個(gè)延遲塊的頂部固定探頭芯,探頭芯與探頭引線接頭相連接,且在探頭芯和探頭引線接頭之間設(shè)置吸收材料。本實(shí)用新型除了具有沒(méi)有盲區(qū)的優(yōu)點(diǎn)外,還具有平行于分隔層方向的聚焦區(qū)較小、垂直于分隔層方向的聚焦區(qū)較大的優(yōu)點(diǎn),從而使得檢測(cè)時(shí)有效掃查范圍大、探傷效率高,對(duì)未焊透寬度測(cè)量時(shí)定量精度高。本實(shí)用新型可以作為T(mén)型接頭焊縫未焊透超聲波檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定用探頭,解決了T型接頭焊縫中未焊透寬度檢測(cè)的難題,為產(chǎn)品設(shè)計(jì)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持,降低施工難度,節(jié)約設(shè)備制造成本。
文檔編號(hào)G01N29/24GK202533413SQ201220080389
公開(kāi)日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2012年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月6日
發(fā)明者劉雪芳, 曹麥對(duì), 楊興斌, 陳劉輝, 高景榮, 黃志強(qiáng) 申請(qǐng)人:華電鄭州機(jī)械設(shè)計(jì)研究院有限公司
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