專(zhuān)利名稱(chēng)：具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法，尤指一種適用于IC封
裝測(cè)試制程的測(cè)試載板。
背景技術(shù)：
在IC測(cè)試產(chǎn)業(yè)中，所有設(shè)備成本支出中探針與測(cè)試載板(Load Board)的成本占有相當(dāng)大的比重，又主要因其壽命的長(zhǎng)短有顯著且非常大的影響關(guān)系。以產(chǎn)業(yè)實(shí)際狀況而言，探針與測(cè)試載板常因運(yùn)轉(zhuǎn)的方式錯(cuò)誤、機(jī)臺(tái)參數(shù)設(shè)定不當(dāng)產(chǎn)生的下壓沖擊力、配件設(shè)計(jì)不良、人為管理疏忽、材料本身的壽命等等因素而造成探針與測(cè)試載板的損壞或過(guò)度磨耗，從而造成停機(jī)的比例太高，進(jìn)而大幅影響測(cè)試的良率、及營(yíng)運(yùn)的獲利。 然而，以現(xiàn)有實(shí)際狀況而言，探針與測(cè)試載板被視為一般的消耗品。尤其是測(cè)試載板，其單一成本往往高達(dá)數(shù)十萬(wàn)甚至數(shù)百萬(wàn)元，一但損壞隨即對(duì)公司獲利產(chǎn)生直接影B向。其
中，測(cè)試載板發(fā)生損壞除直接換上新品之外，雖然亦能進(jìn)行修補(bǔ)工作，但修補(bǔ)技術(shù)是相當(dāng)困難且同樣亦需耗費(fèi)相當(dāng)?shù)某杀?。尤其，?dāng)測(cè)試載板上的金屬墊被探針長(zhǎng)時(shí)間沖擊后，不但外型變的很難修補(bǔ)，嚴(yán)重者亦會(huì)損傷電路板(PCB)底下的線(xiàn)路，而最后終至無(wú)法修補(bǔ)而必須報(bào)廢換上新品。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法。 為達(dá)成所述目的，本發(fā)明一種具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法，包括以下步驟首先(A)提供一測(cè)試載板，而測(cè)試載板預(yù)先布設(shè)有一電路布局。電路布局包括有多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)其顯露于測(cè)試載板的上表面上。(B)形成一種晶層于測(cè)試載板的上表面并覆蓋住電路布局的多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)。接著，(C)形成一光阻層于種晶層上。又，(D)移除光阻層一部分以形成多個(gè)開(kāi)口，其中，多個(gè)開(kāi)口分別對(duì)應(yīng)于測(cè)試載板的多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)以顯露出多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)。 然后，(E)電鍍一電鍍層于多個(gè)開(kāi)口內(nèi)，電鍍層至少包括一修補(bǔ)層，修補(bǔ)層摻雜有
多個(gè)納米貯囊，且每一納米貯囊于其內(nèi)部容設(shè)有一充填劑，而充填劑可以是下列至少其一:
抑制劑、抗化劑、及抗腐蝕劑。最后，(F)移除光阻層、及(G)移除種晶層。
其中，本發(fā)明的多個(gè)納米貯囊的囊體可以是下列至少其一 混氧化物、P-環(huán)糊精
抗化劑復(fù)合物、空纖聚丙烯、導(dǎo)電聚苯胺、親疏水雙性嵌段共聚合物、聚環(huán)氧乙烷、聚異丙基
丙烯酰胺、及聚己內(nèi)酯多元醇。納米貯囊的材質(zhì)特性主要可經(jīng)外力擠壓破裂、或其它方式可
使之破裂而可致容置于其內(nèi)的充填劑釋出，進(jìn)而產(chǎn)生修補(bǔ)功效。 再且，本發(fā)明步驟(E)可包括以下步驟(E1)電鍍一第一金屬層于多個(gè)開(kāi)口內(nèi)。再(E2)電鍍一修補(bǔ)層于多個(gè)開(kāi)口內(nèi)并覆蓋于第一金屬層上，修補(bǔ)層摻雜有多個(gè)納米貯囊。然后，(E3)電鍍一第二金屬層于多個(gè)開(kāi)口內(nèi)并覆蓋于該修補(bǔ)層上。據(jù)此，形成有具備一層修補(bǔ)層的金屬墊。當(dāng)然，亦可依照此步驟重復(fù)實(shí)施而形成具多層修補(bǔ)層的金屬墊。 再者，本發(fā)明步驟(El)的第一金屬層可為鎳、銅、鉻、鈦、或其它等效的金屬材質(zhì)。
然而，本發(fā)明步驟(E2)的修補(bǔ)層可為鎳、銅、鉻、鈦、或其它等效的金屬材質(zhì)，并摻雜有多個(gè)
納米貯囊。另外，本發(fā)明步驟(E3)的第二金屬層同樣可為鎳、銅、鉻、鈦、或其它等效的金屬材質(zhì)。 此外，本發(fā)明步驟(B)中種晶層的形成方法可以是下列至少其一 濺鍍、蒸鍍、電 鍍、無(wú)電電鍍(Electroless Plating)、或其它物理沉積、或化學(xué)沈積的等效制程或技術(shù)。另 外，本發(fā)明步驟(C)中形成光阻層的方法可以是下列至少其一印刷、滾輪涂布、噴灑涂布、 簾幕式涂布、及旋轉(zhuǎn)涂布、或其它的等效制程或技術(shù)。又，本發(fā)明步驟(D)中形成多個(gè)開(kāi)口 的方法可利用曝光顯影方式。 本發(fā)明的有益效果本發(fā)明能制造一種能大幅提高使用壽命、又可提高整體測(cè)試 良率、及產(chǎn)能的測(cè)試載板。此外，本發(fā)明的納米貯囊可填入如抗氧化劑、抑制劑、抗化劑、及 抗腐蝕劑、甚至是增加導(dǎo)電、抗磨耗等特性的物質(zhì)，其對(duì)成本的控管、設(shè)備效率、或產(chǎn)值有著 極大的提升。


圖1A至1G為本發(fā)明第一實(shí)施例的測(cè)試載板的剖面示意圖, 圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的流程圖。 圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的步驟(E)的流程圖。 圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的測(cè)試載板的剖面示意圖。 圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的步驟(E)的流程圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明
l測(cè)試載板 10電路布局 ll上表面 2種晶層 32開(kāi)口 4電鍍層 42，44第一金屬層43，46第二金屬層 47第二修補(bǔ)層48第三金屬層 A、 B、 C、 D、 E、 F、 G、 El、 E2、 E3、 E4、 E5、 E6、步驟 E7、E8
101測(cè)試接點(diǎn) 3光阻層 41修補(bǔ)層 45第一修補(bǔ)層 51納米貯囊
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)同時(shí)參閱圖1A至1G、及圖2，其中圖1A至1G是本發(fā)明具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè) 試載板制造方法第一實(shí)施例的測(cè)試載板的剖面示意圖，而圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的流程 圖。以下實(shí)施例將以半導(dǎo)體封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)的測(cè)試載板l(Load Board)為例來(lái)說(shuō)明，但本發(fā) 明并不僅局限于此，其可適用于任何需要長(zhǎng)時(shí)間沖擊、摩擦、或反復(fù)接觸的機(jī)件上。
如圖1A所示，首先提供一測(cè)試載板1 (Load Board)，而測(cè)試載板1已預(yù)先布設(shè)有一 電路布局10 (Circuit Layout)，如圖2的步驟A。其中，電路布局10包括有多個(gè)測(cè)試接點(diǎn) 101，其顯露于測(cè)試載板1的上表面11上，如圖1A所示。 如圖1B所示，形成一種晶層2于測(cè)試載板1的上表面11并覆蓋住電路布局10的多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)IOI，如圖2的步驟B。本實(shí)施例是以電鍍方式形成種晶層2，當(dāng)然亦可采用濺鍍、蒸鍍、無(wú)電電鍍等物理沉積、或化學(xué)沈積、或其它等效制程。 一般常見(jiàn)的種晶層2又包括黍占合層(Adhesion Layer)、濕潤(rùn)層(Wetting Layer)、保護(hù)層(Protection Layer)。其中，黏合層主要用以黏著，常用鈦(Ti)、鉻(Cr)、或鈦/鎢(Ti/W)合金等。濕潤(rùn)層具備易形成球狀的特性，常用鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、或鉬(Mo)。保護(hù)層則主要用以避免氧化，常見(jiàn)使用金(Au)。 如圖1C所示，形成一光阻層3于種晶層2上，如圖2的步驟C。其形成的方法是采用旋轉(zhuǎn)涂布(Spin coating)方式，當(dāng)然亦可利用印刷(Printing)、滾輪涂布(Rollercoating)、噴灑涂布(Spray coating)、簾幕式涂布(Curtaincoating)等方式。光阻層3的厚度在本實(shí)施例中約為30微米(ii m)，當(dāng)然可以依實(shí)際需求來(lái)進(jìn)行變更。
如圖1D所示，接著利用曝光及顯影的方式移除光阻層3—部分以形成多個(gè)開(kāi)口32，如圖2的步驟D。其中，多個(gè)開(kāi)口 32分別對(duì)應(yīng)于測(cè)試載板1的多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)101以顯露出多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)101。 請(qǐng)同時(shí)參閱圖1E-l、lE-2、lE-3、及圖3，其中圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例的步驟(E)的流程圖。再來(lái)，步驟(E)分別依序電鍍一第一金屬層42 (圖3的步驟El)、一修補(bǔ)層41 (圖3的步驟E2)、及第二金屬層43于多個(gè)開(kāi)口 32內(nèi)(圖3的步驟E3)，如圖3所示的流程。本實(shí)施例中，第一金屬層42、及第二金屬層43皆為鎳，而修補(bǔ)層41亦為鎳但摻雜有多個(gè)納米貯囊51。修補(bǔ)層41的厚度在本實(shí)施例中約為1 3微米(ii m)，當(dāng)然可以依實(shí)際需求來(lái)進(jìn)行變更。 本實(shí)施例中關(guān)于上述電鍍步驟是使用兩組電鍍槽，一組電鍍槽為一般的鍍鎳鍍液，其主要由胺基磺酸鎳(Ni(NH2S03)2. 41120)、鹽化鎳(NiCl2. 6H20)、硼酸(H3B03)、及濕潤(rùn)平整劑(Level-Wetter)所組成。此電鍍槽用以沉積第一金屬層42、及第二金屬層43。而另外一電鍍槽為鎳與納米貯囊51的混合鍍液，用以沉積修補(bǔ)層41。亦即，本實(shí)施例采用復(fù)合電鍍方式(Composite Plating)。 據(jù)此，本實(shí)施例于上述兩組電鍍槽間進(jìn)行交替電鍍，其中過(guò)程再輔以氣流攪拌或磁石的攪拌，讓納米貯囊51可以均勻的披覆。本實(shí)施例采用復(fù)合電鍍方式主要優(yōu)點(diǎn)除制程簡(jiǎn)單、成本低廉外，最主要更容易控制修補(bǔ)層41、及金屬層42，43的層數(shù)及厚度，其僅需控制兩組電鍍槽間交替電鍍的次數(shù)、及電鍍沉積的時(shí)間即可。再且，本實(shí)施例中鎳與復(fù)合鎳，因其主體結(jié)構(gòu)都是鎳，故即使使用兩種電鍍的復(fù)合電鍍方式，并不會(huì)影響到整體主體結(jié)構(gòu)。
然而，本實(shí)施例的納米貯囊51的囊體的材質(zhì)可選用對(duì)于環(huán)境因素敏感的材料，如可受外力擠壓破裂、高溫受熱破裂、或其它方式可使之破裂，進(jìn)而可使容置于其內(nèi)的充填劑釋出，進(jìn)而產(chǎn)生修補(bǔ)功效。如常見(jiàn)應(yīng)用于生物科技或生醫(yī)材料領(lǐng)域的如下材料混氧化物(Mixed-oxide nanoparticles) 、 P _環(huán)糊精抗化齊U復(fù)合物(P-cyclodextrin-inhibitorcomplexes)、空纖聚丙條(Hollow fiber polyprolylene)、導(dǎo)電聚苯胺(Conductingpolyaniline)、親疏水雙性嵌段共聚合物(Amphiphilic block copolymers)、聚環(huán)氧乙烷(Ethyleneoxide)、聚異丙基丙烯酰胺(N-isopropyl acrylamide)、及聚己內(nèi)酯多元醇(Polyc即rolactone)等。 再者，納米貯囊51內(nèi)部充填劑的材料可選用抑制劑(Inhibitor)、抗化劑、及抗腐蝕劑(Anti-Corrosion Agent)等，然其主要功效在于修補(bǔ)、減少繼續(xù)磨耗、抗腐蝕、或抗氧化等，故以液態(tài)溶劑為佳。然其材料可采用如下材料，如金屬氧化物、鐵氰化鉀(Potassium ferricyanide)、過(guò)渡金屬氧化物(transition metal)、造膜齊U (Film formers)、塵埃抑制 化合物(Dust suppressioncompounds)、或其它的等效材料皆可適用于本發(fā)明。至于，納米 貯囊51的平均粒徑范圍可為300至400納米(nm)，其可有效減少因接觸、摩擦而造成表面 粗度的變化，進(jìn)而避免影響設(shè)備的整體運(yùn)作。 如圖1F、1G所示，最后依序移除光阻層3、及種晶層2，如圖2的步驟F、及步驟G。 故最終產(chǎn)物如圖1G所示，其中包括已布設(shè)有電路布局10并顯露測(cè)試接點(diǎn)101的測(cè)試載板 1、種晶層2、第一金屬層42、修補(bǔ)層41、及第二金屬層43。 請(qǐng)同時(shí)參閱圖4、及圖5，圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例的測(cè)試載板的剖面示意圖，圖5 是本發(fā)明第二實(shí)施例的步驟(E)的流程圖。本發(fā)明的第二實(shí)施例與第一實(shí)施例主要差異在 于，其中第二實(shí)施例具備二層修補(bǔ)層44， 46。通過(guò)分設(shè)二層修補(bǔ)層44， 46更較前述實(shí)施例又 大幅提高使用壽命。因此，本發(fā)明并非僅局限于單一層修補(bǔ)層41，可依實(shí)施需求加以擴(kuò)充。
據(jù)此，第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的差異在于步驟(E)。第二實(shí)施例的步驟(E)系依 序電鍍一第一金屬層44(圖5的步驟E4)、一摻雜有多個(gè)納米貯囊(圖中未標(biāo)示)的第一修 補(bǔ)層45(圖5的步驟E5)、一第二金屬層46(圖5的步驟E6)、一摻雜有多個(gè)納米貯囊的第 二修補(bǔ)層47 (圖5的步驟E7)、以及電鍍一第三金屬層48于多個(gè)開(kāi)口內(nèi)(圖5的步驟E8)。 然本第二實(shí)施例同樣可采用復(fù)合電鍍方式，以?xún)山M電鍍槽交替電鍍，即可達(dá)成。
上述實(shí)施例僅是為了方便說(shuō)明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利 要求范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。
權(quán)利要求
一種具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法，其特征在于，包括以下步驟(A)提供一測(cè)試載板，該測(cè)試載板預(yù)先布設(shè)有一電路布局，該電路布局包括有多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)其為顯露于該測(cè)試載板的上表面上；(B)形成一種晶層于該測(cè)試載板的上表面并覆蓋住該電路布局的該多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)；(C)形成一光阻層于該種晶層上；(D)移除該光阻層一部分以形成多個(gè)開(kāi)口，其中，該多個(gè)開(kāi)口分別對(duì)應(yīng)于該測(cè)試載板的該多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)以顯露出該多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)；(E)電鍍一電鍍層于該多個(gè)開(kāi)口內(nèi)，該電鍍層至少包括一修補(bǔ)層，該修補(bǔ)層摻雜有多個(gè)納米貯囊，每一納米貯囊于其內(nèi)部容設(shè)有一充填劑，該充填劑是選自由抑制劑、抗化劑、及抗腐蝕劑所組成的群組；(F)移除該光阻層；以及(G)移除該種晶層。
2. 如權(quán)利要求l所述具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法，其特征在于，該步驟(E) 中的每一納米貯囊的囊體為選自由混氧化物、P-環(huán)糊精抗化劑復(fù)合物、空纖聚丙烯、導(dǎo)電 聚苯胺、親疏水雙性嵌段共聚合物、聚環(huán)氧乙烷、聚異丙基丙烯酰胺、及聚己內(nèi)酯多元醇所 組成的群組。
3. 如權(quán)利要求l所述具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法，其特征在于，該步驟(E) 包括以下步驟(El)電鍍一第一金屬層于該多個(gè)開(kāi)口內(nèi)；(E2)電鍍一修補(bǔ)層于該多個(gè)開(kāi)口內(nèi)并覆蓋于該第一金屬層上，該修補(bǔ)層摻雜有多個(gè)納 米貯囊；以及(E3)電鍍一第二金屬層于該多個(gè)開(kāi)口內(nèi)并覆蓋于該修補(bǔ)層上。
4. 如權(quán)利要求3所述具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法，其特征在于，該步驟 (El)的該第一金屬層為一鍍鎳層。
5. 如權(quán)利要求3所述具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法，其特征在于，該步驟 (E2)的該修補(bǔ)層為一鍍鎳層，并摻雜有該多個(gè)納米貯囊。
6. 如權(quán)利要求3所述具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法，其特征在于，該步驟 (E3)的該第二金屬層為一鍍鎳層。
7. 如權(quán)利要求l所述具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法，其特征在于，該步驟(B) 中的該種晶層的形成方法為選自由濺鍍、蒸鍍、電鍍、及無(wú)電電鍍所組成的群組。
8. 如權(quán)利要求l所述具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法，其特征在于，該步驟(C) 中形成該光阻層的方法為選自由印刷、滾輪涂布、噴灑涂布、簾幕式涂布、及旋轉(zhuǎn)涂布所組 成的群組。
9. 如權(quán)利要求l所述具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法，其特征在于，該步驟(D) 中形成該多個(gè)開(kāi)口的方法是利用曝光顯影方式。
全文摘要
本發(fā)明為一種具有修補(bǔ)層金屬墊的測(cè)試載板制造方法，首先提供一預(yù)先布設(shè)有電路布局并顯露有多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)的測(cè)試載板，次而于測(cè)試載板上分別依序形成有一種晶層、及一光阻層。接著，移除對(duì)應(yīng)于測(cè)試接點(diǎn)的部分光阻層以形成多個(gè)開(kāi)口，然后，于多個(gè)開(kāi)口內(nèi)電鍍一電鍍層，其至少包括有一摻雜多個(gè)納米貯囊的修補(bǔ)層，每一納米貯囊于其內(nèi)部容設(shè)有充填劑，其可以是下列至少其一抑制劑、抗化劑、及抗腐蝕劑。最后，再分別移除光阻層、及種晶層。因此，本發(fā)明便能制造一種能大幅提高使用壽命、又可提高整體測(cè)試良率、及產(chǎn)能的測(cè)試載板。
文檔編號(hào)G01R3/00GK101738514SQ20081017606
公開(kāi)日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2008年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月11日
發(fā)明者趙本善 申請(qǐng)人:京元電子股份有限公司