專利名稱：用于制造半導(dǎo)體的爐管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體的爐管裝置。
半導(dǎo)體集成電路的制造過(guò)程中，所包含的重要步驟之一是電介質(zhì)層的沉積。該電介質(zhì)層可能為二氧化硅、氮化硅或多晶硅等各種不同組成，而電介質(zhì)層的沉積都在爐管(Furnace)中進(jìn)行，然而已知爐管由于在石英管與石英管的接頭部分由弧形夾夾住。如

圖1、2所示，圖中1為石英管，在其端頭部分形成有突緣11，通過(guò)弧形夾2嵌入該突緣11，并栓緊螺栓3，使兩段石英管1得以緊合。該弧形夾2的側(cè)視圖，如圖3(a)所示，具有弧形邊21，及二夾臂22，圖3(b)為弧形夾2的俯視圖或底視圖，在二夾臂22及弧形邊21上具有若干螺栓孔23供螺栓3穿過(guò)，通過(guò)該螺栓可以調(diào)整弧形夾2的夾口距離D。
該弧形夾2是由類似“X’字形的長(zhǎng)條狀不銹鋼片摺曲而成。所以該二夾臂是分別圍繞在石英管突緣11的上層與底層，通過(guò)調(diào)整螺栓3，使弧形夾2的夾臂22受螺栓3的迫緊而內(nèi)縮并夾緊二石英管的突緣11，使石英管的接頭能達(dá)到緊密接合和防漏的目的。
但是已知石英管接頭部分仍無(wú)法達(dá)到完全防漏的目的。尤其是為了使成長(zhǎng)電介質(zhì)層品質(zhì)良好，無(wú)雜質(zhì)污染，一般在進(jìn)行沉積之前，先通過(guò)HCl氣體用以清除爐管管壁和晶片表面的污染物，該HCl氣體是由一種TRANS-LL化學(xué)溶液所提供。由于已知的石英管接頭無(wú)法完全防漏，致使該HCl氣體外漏，而使機(jī)臺(tái)附近的不銹鋼抽氣管壁腐蝕，造成生產(chǎn)過(guò)程中需時(shí)常進(jìn)行該抽氣管壁的清蝕操作，無(wú)形中使生產(chǎn)成本大為提高。
本發(fā)明主要目的在于提供一種防止氣體外泄的半導(dǎo)體制造用爐管裝置。
為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，該半導(dǎo)體制造用爐管裝置，包括至少一二截段石英管及相應(yīng)的弧形夾所構(gòu)成的接頭，所述兩截段石英管的相對(duì)端分別具有一凸緣，所述弧形夾可調(diào)整地夾緊于相對(duì)兩凸緣上，其特征在于，所述二截段石英管之一的突緣上形成有突出的環(huán)形平臺(tái)。在該環(huán)形平臺(tái)上，套設(shè)有密封O形環(huán)，所述的O形環(huán)的特征在于，其材料為一耐高溫、韌性材料。所述的O形環(huán)的特征還在于，其高度略高于所述環(huán)形平臺(tái)。
以下結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明圖1為已知二截面段石英管的示意圖。
圖2為圖1二截管組合的示意圖。
圖3(a)為弧形夾的側(cè)視圖。
圖3(b)為弧形夾的上視或底視圖。
圖4(a)為依據(jù)本發(fā)明石英管接頭組合前的示意圖。
圖4(b)為依據(jù)本發(fā)明石英管接頭組合后的示意圖。標(biāo)號(hào)部分1------------石英管11----------突緣2------------弧形夾21----------弧形邊22-----------夾臂 23----------螺栓孔3------------螺栓 4-----------平臺(tái)5------------O形環(huán)首先請(qǐng)參閱圖4(a)，圖4(a)為依據(jù)本發(fā)明石英管接頭組合前的示意圖，本發(fā)明石英管1突緣11上形成有凸出的圓形平臺(tái)4供套設(shè)O形環(huán)5用，圓形平臺(tái)4的高度略小于O形環(huán)5的厚度，而O形環(huán)5最好使用耐溫的韌性材料制成，例如P28鐵弗龍(Tefleon)。組合時(shí)先套上O形環(huán)5，接著接合二石英管接頭，再嵌入弧形夾2并通過(guò)調(diào)整螺栓3將二石英管夾緊并使其密合，如圖4(b)所示，由于二石英管的端面緊密貼合并夾緊O形環(huán)5，因此防漏效果甚佳。
比較本發(fā)明與已知技術(shù)，可明顯發(fā)現(xiàn)本發(fā)明由于在石英管突緣上形成有平臺(tái)4再配合O形環(huán)5，因而比已知裝置有更強(qiáng)的密封性能。因此本發(fā)明在爐管附近的不銹鋼抽氣管壁，不致因HCl氣體外漏而造成腐蝕，影響爐管的正常生產(chǎn)，并進(jìn)而降低產(chǎn)品的制造成本。凡熟悉本發(fā)明技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的精神所做的單純組合、等效替換，皆不超出本申請(qǐng)權(quán)利要求的范疇。
權(quán)利要求
1.一種用于制造半導(dǎo)體的爐管裝置，包括至少一由兩截段石英管及相應(yīng)的弧形夾所構(gòu)成的接頭，所述兩截段石英管的相對(duì)端分別具有一凸緣，所述弧形夾可調(diào)整地夾緊于相對(duì)的兩凸緣上；其特征在于，所述兩截段石英管之一的突緣上形成有突出的環(huán)形平臺(tái)，在該環(huán)形平臺(tái)的外套有密封O形圈。
2.如權(quán)利要求1所述的爐管裝置，其特征在于，所述密封O形圈由耐高溫的韌性材料制成，其高度略高于所述環(huán)形平臺(tái)。
3.如權(quán)利要求1所述的爐管裝置，其特征在于，所述弧形夾上開(kāi)設(shè)有多個(gè)螺栓孔，供螺栓通過(guò)，以使所述弧形夾向內(nèi)縮，從而夾緊所述二截段石英管的凸緣以防氣體外漏。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于半導(dǎo)體制造爐管的新結(jié)構(gòu)，主要涉及石英管的接頭部分具有特殊設(shè)計(jì)的空間形態(tài)，再配合O形環(huán)(o-ring)，使石英管與石英管之間的接頭部分不致有氣體外漏而造成機(jī)臺(tái)附近的不銹鋼管壁腐蝕，進(jìn)而達(dá)到完全防漏目的。
文檔編號(hào)F16C17/04GK1150333SQ95119228
公開(kāi)日1997年5月21日 申請(qǐng)日期1995年11月10日 優(yōu)先權(quán)日1995年11月10日
發(fā)明者彭志文 申請(qǐng)人:臺(tái)灣茂矽電子股份有限公司