專利名稱：晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子元件技術(shù)領(lǐng)域，特指一種晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體陶瓷電容器包括表面層和晶界層兩類，按IEC標(biāo)準(zhǔn)屬III型陶瓷電容器，具有體積小，容量大等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子信息產(chǎn)品中。
本公司曾于2002年4月29日向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利局提出申請?zhí)枮?2115171.7，名稱為晶界層半導(dǎo)體陶瓷電容器制造方法的發(fā)明專利申請。本公司開發(fā)出一次性燒成的晶界層半導(dǎo)體陶瓷電容器主體-晶界層半導(dǎo)體瓷片的瓷料配方和生產(chǎn)工藝方法，即還原燒成后，不再涂覆氧化劑，而直接進(jìn)入氧化，無需涂覆氧化劑后再進(jìn)行氧化，從而實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
本實(shí)用新型就是用于完成晶界層半導(dǎo)體陶瓷電容器主體-晶界層半導(dǎo)體瓷片一次性燒成的燒成聯(lián)體爐。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的就在于提供一種晶界層半導(dǎo)體陶瓷電容器的瓷片還原燒成后，不再涂覆氧化劑，而直接進(jìn)入氧化的一次性燒成的燒成聯(lián)體爐。
本實(shí)用新型是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，它包括排膠爐體、還原燒成爐體和氧化爐體，排膠爐體用于瓷料的鍛燒和排膠，還原燒成爐體用于排膠后的瓷片還原燒成，氧化爐體用于還原燒成后的瓷片氧化，排膠爐體、還原燒成爐體和氧化爐體的爐膛連通；排膠爐體、還原燒成爐體和氧化爐體內(nèi)分別設(shè)有傳送裝置，可沿爐膛推動(dòng)承燒物；排膠爐體和還原燒成爐體間設(shè)有氣幕；還原燒成爐體和氧化爐體間設(shè)有閘門，閘門外側(cè)分別設(shè)有火簾，形成火簾密封；控溫裝置連接排膠爐體、還原燒成爐體和氧化爐體，分別控制此三個(gè)爐體內(nèi)的燒結(jié)溫度；排膠爐體上設(shè)有排氣裝置，以排出排膠爐體內(nèi)膠體碳化物、一氧化碳、二氧化碳?xì)怏w；還原燒成爐體和氣體配比裝置通過氣管連接起來，氣體配比裝置又同氫氣氮?dú)獍l(fā)生裝置相連接，氫氣氮?dú)獍l(fā)生裝置和氣體配比裝置提供給還原燒成爐體按所要求氣體濃度成份；氧化爐體上設(shè)有送風(fēng)裝置及排氣裝置。
按照本公司開發(fā)的晶界層半導(dǎo)體陶瓷電容器制造方法，使用本實(shí)用新型-晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，可實(shí)現(xiàn)該聯(lián)體爐的還原H2、N2氣氛所占比例可調(diào)，爐體內(nèi)溫度曲線可調(diào)，還原燒成后直接進(jìn)入氧化爐，并可快速降溫，從而完成一次性燒成晶界層半導(dǎo)體瓷片。


附圖1為晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐的平面結(jié)構(gòu)示意圖具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型-晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，具體實(shí)施方式
見圖1，它包括排膠爐體(1)、還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)，排膠爐體(1)用于瓷料的鍛燒和排膠，還原燒成爐體(2)用于排膠后的瓷片還原燒成，氧化爐體(3)用于還原燒成后的瓷片氧化，排膠爐體(1)的爐膛A(1a)、還原燒成爐體(2)的爐膛(2a)和氧化爐體(3)的爐膛(3a)連通，排膠爐體(1)、還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)為一體連成的完整爐體；排膠爐體(1)、還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)內(nèi)分別設(shè)有傳送裝置(10、11、12)，可沿爐膛推動(dòng)承燒物。傳送裝置(10、11、12)采用液壓推進(jìn)裝置。
排膠爐體(1)的進(jìn)口依次連接有推送器(20)、傳送裝置(27)和滑動(dòng)導(dǎo)軌(21)，滑動(dòng)導(dǎo)軌(21)的末端連接傳送裝置(22)，傳送裝置(27、22)為液壓推進(jìn)裝置；排膠爐體(1)上設(shè)有排氣裝置(14)，以排出排膠爐體(1)內(nèi)的膠體碳化物、一氧化碳、二氧化碳?xì)怏w，排氣裝置(14、18)采用離心通風(fēng)機(jī)。
還原燒成爐體(2)和氣體配比裝置(16)通過氣管連接起來，氣體配比裝置(16)又同氫氣氮?dú)獍l(fā)生裝置(15)相連接，氫氣氮?dú)獍l(fā)生裝置(15)和氣體配比裝置(16)提供給還原燒成爐體(2)按所要求氫氣體濃度成份配備好含有一定氫氣濃度的氮?dú)浠旌蠚怏w；排膠爐體(1)和還原燒成爐體(2)間設(shè)有氣幕(4、5)，還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)間設(shè)有閘門(6、7)，閘門(6)外側(cè)設(shè)有火簾(8)，形成火簾密封，還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)間的閘門(6、7)為自動(dòng)控制閘門，這樣通過閘門(6、7)和火簾(8)使還原燒成爐體(2)內(nèi)的氫氣同氧化爐體(3)間的空氣隔離開。還原燒成爐體(2)和氣體配比裝置(16)間連接有氣體流量計(jì)(24)，控制進(jìn)入還原燒成爐體(2)內(nèi)的氫氮混合氣體的流量，使瓷片還原燒成質(zhì)量更佳。
氧化爐體(3)上設(shè)有送風(fēng)裝置(17)及排氣裝置(18)；送風(fēng)裝置(17)上連接有空氣過濾器(19)；送風(fēng)裝置(17)為鼓風(fēng)機(jī)；排氣裝置(18)采用離心通風(fēng)機(jī)；氧化爐體(3)和送風(fēng)裝置(17)間連接有氣體流量計(jì)(23)。這樣實(shí)現(xiàn)了補(bǔ)充氧氣并使氧化燒結(jié)后的氣體排出，始終保持有新鮮的氧氣并保持其一定壓力和濃度。
瓷料放在匣缽(30)內(nèi)，再將盛放瓷料的數(shù)個(gè)匣缽(30)摞在推板上，將堆放有匣缽(30)的推板放在滑動(dòng)導(dǎo)軌(21)上，通過傳送裝置(22)推送排在一起的推板，使堆放有匣缽(30)的推板送至傳送裝置(27)前面，傳送裝置(27)將堆放有匣缽(30)的推板推送至推送器(20)，再靠推送器(20)將堆放有匣缽(30)的推板推送至傳送裝置(10)前面，通過傳送裝置(10)送至排膠爐體(1)內(nèi)。
摞在一起的匣缽(30)內(nèi)的瓷料完成燒結(jié)排膠后，由傳送裝置(10)將堆放有匣缽并排在一起的推板送入還原燒成爐體(2)內(nèi)，匣缽(30)內(nèi)瓷片經(jīng)過還原燒成后，被傳送裝置(11)快速推送至氧化爐體(3)內(nèi)，進(jìn)行氧化。完成氧化工序后，被傳送裝置(12)送至出口，氧化爐體(3)的出口設(shè)有滾道(25)，匣缽(30)從滾道(25)上出來成為成品。這樣實(shí)現(xiàn)了還原燒成后直接進(jìn)入氧化爐，并可按照設(shè)計(jì)的工藝要求快速降溫。處于氧化爐體(3)外的滾道(25)內(nèi)側(cè)設(shè)有傳送裝置(28)，傳送裝置(28)為液壓推進(jìn)裝置，傳送裝置(28)可將匣缽(30)內(nèi)的成品傳送至傳送裝置(22)的前面，再由傳送裝置(22)推送至滑動(dòng)導(dǎo)軌(21)上，由工人將盛有成品的匣缽(30)搬下來。
控溫裝置(13)連接排膠爐體(1)、還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)，分別控制此三個(gè)爐體內(nèi)的燒結(jié)溫度，實(shí)現(xiàn)爐體內(nèi)可分段控制爐溫，從而爐內(nèi)可按照本公司開發(fā)的晶界層半導(dǎo)體陶瓷電容器制造方法設(shè)計(jì)的溫度曲線進(jìn)行調(diào)節(jié)。
權(quán)利要求1.晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于它包括排膠爐體(1)、還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)，排膠爐體(1)用于瓷料的鍛燒和排膠，還原燒成爐體(2)用于排膠后的瓷片還原燒成，氧化爐體(3)用于還原燒成后的瓷片氧化，排膠爐體(1)的爐膛(1a)、還原燒成爐體(2)的爐膛(2a)和氧化爐體(3)的爐膛(3a)連通；排膠爐體(1)、還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)內(nèi)分別設(shè)有傳送裝置(10、11、12)，可沿爐膛推動(dòng)承燒物；排膠爐體(1)和還原燒成爐體(2)間設(shè)有氣幕(4、5)；還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)間設(shè)有閘門(6、7)，閘門(6)外側(cè)設(shè)有火簾(8)，形成火簾密封；控溫裝置(13)連接排膠爐體(1)、還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)，分別控制此三個(gè)爐體內(nèi)的燒結(jié)溫度；排膠爐體(1)上設(shè)有排氣裝置(14)，以排出排膠爐體(1)內(nèi)膠體碳化物、一氧化碳、二氧化碳?xì)怏w；還原燒成爐體(2)和氣體配比裝置(16)通過氣管連接起來，氣體配比裝置(16)又同氫氣氮?dú)獍l(fā)生裝置(15)相連接，氫氣氮?dú)獍l(fā)生裝置(15)和氣體配比裝置(16)提供給還原燒成爐體(2)按所要求氣體濃度成份；氧化爐體(3)上設(shè)有送風(fēng)裝置(17)及排氣裝置(18)。
2.如權(quán)利要求1所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于送風(fēng)裝置(17)上連接有空氣過濾器(19)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于還原燒成爐體(2)和氣體配比裝置(16)間連接有氣體流量計(jì)(24)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于氧化爐體(3)和送風(fēng)裝置(17)間連接有氣體流量計(jì)(23)。
5.如權(quán)利要求1或2所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)間的閘門(6、7)為自動(dòng)控制閘門。
6.如權(quán)利要求1或2所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于送風(fēng)裝置(17)為鼓風(fēng)機(jī)。
7.如權(quán)利要求1或2所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于排氣裝置(14、18)為離心通風(fēng)機(jī)。
8.如權(quán)利要求1或2所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于排膠爐體(1)的進(jìn)口依次連接有推送器(20)、傳送裝置(27)和滑動(dòng)導(dǎo)軌(21)，滑動(dòng)導(dǎo)軌(21)的末端連接傳送裝置(22)。
9.如權(quán)利要求1或2所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于氧化爐體(3)的出口設(shè)有滾道(25)，處于氧化爐體(3)外的滾道(25)內(nèi)側(cè)設(shè)有傳送裝置(28)，傳送裝置(28)可將成品傳送至傳送裝置(22)的前面。
10.如權(quán)利要求1或2所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于傳送裝置(10、11、12)為液壓推進(jìn)裝置。
11.如權(quán)利要求8所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于傳送裝(22、27)為液壓推進(jìn)裝置。
12.如權(quán)利要求9所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于傳送裝置(28)為液壓推進(jìn)裝置。
13.如權(quán)利要求9所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于滾道(25)由變頻電機(jī)(26)帶動(dòng)。
14.如權(quán)利要求1或2所述的晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其特征在于排膠爐體(1)、還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)為一體連成的完整爐體。
專利摘要本實(shí)用新型涉及電子元件技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種晶界層半導(dǎo)體瓷片的燒成聯(lián)體爐，其排膠爐體(1)、還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)分別連接控溫裝置(13)，其內(nèi)并設(shè)有傳送裝置(10、11、12)；排膠爐體(1)和還原燒成爐體(2)間設(shè)有氣幕(4、5)；還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)間設(shè)有閘門(6、7)，閘門(6)外側(cè)設(shè)有火簾(8)；還原燒成爐體(2)和氣體配比裝置(16)通過氣管連接起來，氣體配比裝置(16)又同氫氣氮?dú)獍l(fā)生裝置(15)相連接；氧化爐體(3)上設(shè)有送風(fēng)裝置(17)及排氣裝置(18)?？蓪?shí)現(xiàn)還原燒成后直接進(jìn)入氧化爐，從而完成一次性燒成晶界層半導(dǎo)體瓷片。
文檔編號F27B5/04GK2702256SQ20032011972
公開日2005年5月25日 申請日期2003年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月26日
發(fā)明者章士瀛, 王守士, 王振平, 吳賓, 張卓宇, 余如鰲 申請人:廣東南方宏明電子科技股份有限公司