1.利用聚焦激光刻蝕法制備微流控芯片的方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述光刻膠包括季戊四醇三丙烯酸酯和光引發(fā)劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述光刻膠中,光引發(fā)劑與季戊四醇三丙烯酸酯的質(zhì)量體積比為1:(50-100)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述光引發(fā)劑包括光引發(fā)劑369。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述基底包括氧化銦錫玻璃。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述氧化銦錫玻璃是用低壓空氣等離子清洗儀處理氧化銦錫玻璃表面5-10分鐘,然后將氧化銦錫玻璃浸泡在硅烷偶聯(lián)劑kh570中20-30分鐘,取出后用異丙醇清洗干凈。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,將氧化銦錫玻璃表面處理后,以1500-4000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋涂光刻膠20-30秒,得到幾微米至幾十微米厚度的光刻膠,然后使用紫外燈照射3-5秒使得光刻膠發(fā)生聚合反應(yīng),聚合完畢后,先后用顯影液和異丙醇清洗光刻膠表面聚合后的殘留物,并使用氮?dú)飧稍铩?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述微道激光加工的過(guò)程中使用了聚焦激光系統(tǒng)aresis?tweez?305。
9.一種微流控芯片,其特征在于,由權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的方法制備得到。
10.權(quán)利要求9所述的微流控芯片在檢測(cè)領(lǐng)域中的應(yīng)用。