本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地涉及一種改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法。

背景技術(shù)：

1、光敏性聚酰亞胺(pi)是一種主鏈上具有酰亞胺基團(tuán)的高分子聚合材料，耐400℃左右的高溫和液氦(-269℃)的低溫，其玻璃化溫度為140℃以上。聚酰亞胺具有良好的絕緣性、彈性系數(shù)大、線膨脹系數(shù)大、能承受較大的應(yīng)變、在較寬的溫度范圍內(nèi)具有良好的機(jī)械特性等特點(diǎn)。

2、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)是微電子技術(shù)與機(jī)械、光學(xué)等領(lǐng)域交叉融合的產(chǎn)物，是在ic工藝技術(shù)基礎(chǔ)上的延伸和拓展，犧牲層技術(shù)作為mems的關(guān)鍵技術(shù)之一，是利用不同材料在同一種腐蝕液或刻蝕氣體中腐蝕速率的差異，選擇性地將結(jié)構(gòu)圖形與襯底之間的材料(即犧牲層材料)刻蝕掉，進(jìn)行結(jié)構(gòu)釋放，形成空腔上膜或其它懸空結(jié)構(gòu)的一種微加工技術(shù)。

3、在pi釋放工藝中，基本采用氧等離子體干法刻蝕工藝，此類工藝刻蝕速率快、控制方便，能有效解決濕法工藝中存在的粘連現(xiàn)象；但mems結(jié)構(gòu)復(fù)雜，對(duì)于雙層非制冷探測(cè)器，pi釋放后橋面、橋腿、va孔(即穿孔，via)內(nèi)存在絮狀物殘留，嚴(yán)重影響非制冷探測(cè)器性能。圖1是雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝的示意圖，其中，第一犧牲層和第二犧牲層均未釋放，圖2是圖1的雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝的示意圖，其中，第一犧牲層和第二犧牲層均釋放，圖3是第一犧牲層和第二犧牲層均釋放后在橋腿、橋面和va孔(即穿孔，via)處的照片，示出有釋放后的絮狀物殘留。

4、因此，需要一種能去除橋面、橋腿、va孔內(nèi)絮狀物殘留的方法，以改善產(chǎn)品性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于背景技術(shù)中存在的問(wèn)題，本公開(kāi)的一目的在于提供一種改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，其能夠在雙層結(jié)構(gòu)的mems的第一犧牲層和第二犧牲層均釋放后去除橋面、橋腿、va孔內(nèi)的絮狀物殘留，避免絮狀物殘留對(duì)產(chǎn)品性能的影響。

2、由此，提供一種改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝包括步驟：s1，提供旋涂聚酰亞胺樹(shù)脂溶液的第一犧牲層之前的mems流程片，在mems流程片上旋涂聚酰亞胺樹(shù)脂溶液的第一犧牲層；s2，第一犧牲層固化；s3，在固化的第一犧牲層上形成橋腿、橋面、va孔；s4，在形成的橋腿、橋面、va孔上旋涂聚酰亞胺樹(shù)脂溶液的第二犧牲層，第二犧牲層至少通過(guò)橋腿的間隙連接于第一犧牲層；s5，第二犧牲層固化；s6，在固化的第二犧牲層上形成傘面；s7，含氧等離子體干法刻蝕釋放第二犧牲層和第一犧牲層；其中，在步驟s2和步驟s5中，固化工藝包括子步驟：sa，升溫，采用烘箱利用熱風(fēng)對(duì)mems流程片連同相應(yīng)的犧牲層進(jìn)行烘烤，以5-8℃/min從室溫升溫至350℃；sb，恒溫60min；sc，降溫，采用同一烘箱利用冷風(fēng)對(duì)mems流程片連同相應(yīng)的犧牲層進(jìn)行降溫，降溫至50℃之后從烘箱中取出。

3、本公開(kāi)的有益效果如下：在根據(jù)本公開(kāi)的改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法中，通過(guò)步驟s2和步驟s5的聚酰亞胺的固化工藝條件，能夠在步驟s6的釋放工序后去除橋面s、橋腿a、va孔內(nèi)的絮狀物殘留，從而避免絮狀物殘留對(duì)產(chǎn)品性能的影響。

技術(shù)特征：

1.一種改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，其特征在于，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，其特征在于，

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
提供一種改善雙層結(jié)構(gòu)的MEMS工藝中犧牲層殘留的方法，雙層結(jié)構(gòu)的MEMS工藝包括步驟：S1，提供旋涂第一犧牲層之前的MEMS流程片，在MEMS流程片上旋涂第一犧牲層；S2，第一犧牲層固化；S3，在固化的第一犧牲層上形成橋腿、橋面、VA孔；S4，在形成的橋腿、橋面、VA孔上旋涂第二犧牲層，第二犧牲層至少通過(guò)橋腿的間隙連接于第一犧牲層；S5，第二犧牲層固化；S6，在固化的第二犧牲層上形成傘面；S7，含氧等離子體干法刻蝕釋放第二犧牲層和第一犧牲層；其中，在步驟S2和步驟S5中，固化工藝包括子步驟：Sa，升溫，采用烘箱利用熱風(fēng)烘烤，以5?8℃/min從室溫升溫至350℃；Sb，恒溫60min；Sc，降溫，采用冷風(fēng)降溫，降溫至50℃之后從烘箱中取出。

技術(shù)研發(fā)人員：陳國(guó)雪,孫宇,李海濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽光智科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6