本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種MEMS器件的制造方法。

背景技術(shù)：
微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-MechanicalSystems，簡(jiǎn)稱MEMS)是指微細(xì)加工技術(shù)制作的，集微型傳感器、微型構(gòu)件、微型執(zhí)行器、信號(hào)處理、控制電路等于一體的微型器件或系統(tǒng)，其制造過(guò)程是以薄膜沉積、光刻、外延、氧化、擴(kuò)散、注入、濺射、蒸鍍、刻蝕、劃片和封裝等為基本工藝步驟來(lái)制造復(fù)雜三維形體的微加工過(guò)程，尺寸通常在微米或納米級(jí)。其中，磁傳感器是一種MEMS器件，它可以將各種磁場(chǎng)及其變化的量轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出的器件，磁傳感器包括巨磁阻傳感器(GiantMagnetoResistiveSensor，GMR)、各向異性磁阻傳感器(AnisotropicMagnetoResistiveSensor，AMR)等。以各向異性磁阻傳感器為例，鎳鐵合金層作為磁阻層。當(dāng)外界磁場(chǎng)施加到磁阻層上時(shí)，磁阻層的磁疇旋轉(zhuǎn)，使得磁阻層的電阻發(fā)生改變，磁阻層電阻的變化就反應(yīng)在輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)檢測(cè)外加磁場(chǎng)的目的。近幾年，各向異性磁阻傳感器技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)歷了單軸磁傳感器、雙軸磁傳感器到三軸(3D)磁傳感器。在現(xiàn)有技術(shù)中，三軸磁傳感器以其可全面檢測(cè)空間X、Y、Z三個(gè)方向上的磁信號(hào)，而得到普遍應(yīng)用?，F(xiàn)有技術(shù)中，將集成電路技術(shù)應(yīng)用于磁傳感器領(lǐng)域，也促進(jìn)了磁傳感器的規(guī)模化生產(chǎn)和發(fā)展?，F(xiàn)有技術(shù)的AMR三軸磁傳感器的制造過(guò)程中，需要執(zhí)行一種溝槽刻蝕以及填充工藝，其中將溝槽側(cè)壁上的磁性材料保留下來(lái)而去除其它部分上的磁性材料，請(qǐng)參考圖1，通常包括以下步驟：首先在襯底100上形成層間介質(zhì)層101，隨后在層間介質(zhì)層101中形成溝槽(trench)；此后在形成溝槽的層間介質(zhì)層101上依次形成氮化硅層(起擴(kuò)散阻擋作用，未圖示)、鎳鐵合金層102(作為磁性材料層)和氮化鉭層103(TaN，作為導(dǎo)電材料和掩膜材料)，從而在溝槽中也形成氮化硅層、鎳鐵合金層和氮化鉭層的疊層；此后在氮化鉭層103上形成填充材料層104(gapfillingmaterial)，使填充材料層完全填充深溝槽，為后續(xù)形成圖形化的光刻膠層提供平坦表面；此后在填充材料層104上形成光刻膠，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光及顯影，形成圖形化的光刻膠層105，圖形化的光刻膠層定義鎳鐵合金層用于形成磁阻層的位置，所述磁阻層包括：所述溝槽一個(gè)側(cè)壁上的鎳鐵合金層、與該側(cè)壁接觸的溝槽部分底部上的鎳鐵合金層、與該側(cè)壁接觸的部分層間介質(zhì)層上的鎳鐵合金層。此后以圖形化的光刻膠層為掩模刻蝕填充材料層、TaN層，從而留下覆蓋待形成磁阻層的位置的氮化鉭部分，接著去除圖形化的光刻膠層和剩余的填充材料層。之后以剩余的TaN層為掩?？涛g鎳鐵合金層，形成磁阻層，位于磁阻層上的TaN層用于保護(hù)磁阻層，避免磁阻層直接暴露在空氣中而遭到氧化腐蝕。而上述的這種AMR三軸磁傳感器的制造方法造成磁傳感器性能不佳，主要原因如下：參照?qǐng)D1，一方面，由于溝槽深度很大，大約為3um，所以填充材料層104覆蓋TaN層103并填充溝槽后，位于溝槽中的填充材料層104的厚度D1明顯大于溝槽周圍的絕緣層上的填充材料層的厚度D2。由于D1大于D2，在刻蝕填充材料層104時(shí)，溝槽周圍上的填充材料層較快被去除，暴露下方的TaN層，之后，需要繼續(xù)刻蝕去除溝槽中未被光刻膠105覆蓋的填充材料層。在繼續(xù)刻蝕去除溝槽中的填充材料層的過(guò)程中，刻蝕氣體經(jīng)等離子體化后形成的等離子體會(huì)轟擊溝槽中的填充材料層，也會(huì)轟擊溝槽周圍的層間介質(zhì)層上暴露的TaN層，造成TaN層的形貌缺陷，請(qǐng)參考圖2所示的現(xiàn)有AMR三軸磁傳感器刻蝕填充材料層后的SEM圖譜。另一方面，由于溝槽周圍層間介質(zhì)層上的填充材料層被去除后，需要繼續(xù)刻蝕溝槽中的填充材料層104，填充材料層104多為有機(jī)聚合物且在刻蝕過(guò)程中涂布仍有光刻膠，刻蝕用等離子體會(huì)轟擊暴露出的TaN層103表面，造成部分Ta脫離出來(lái)并與填充材料層104暴露表面以及光刻膠反應(yīng)生成Ta基聚合物，因此在去除圖形化的光刻膠層時(shí)，填充材料層表面的Ta基聚合物不會(huì)被去除，使得填充材料層103側(cè)壁粗糙并呈現(xiàn)彎彎曲曲的形貌，請(qǐng)參考圖3所示的現(xiàn)有AMR三軸磁傳感器刻蝕填充材料層后溝槽周圍的SEM圖譜以及圖4所示的現(xiàn)有AMR三軸磁傳感器刻蝕填充材料層后溝槽側(cè)壁的SEM圖譜。以填充材料層103為掩膜而刻蝕獲得的TaN層的形貌均一性較差，嚴(yán)重的甚至導(dǎo)致溝槽側(cè)壁的氮化鉭出現(xiàn)剝離現(xiàn)象，從而造成TaN層表面電阻增大，在后續(xù)TaN層表面與其他器件連接時(shí)，在TaN層表面的連接處的電阻增大，造成信號(hào)傳遞的可靠性降低，造成3D磁傳感器的性能不佳。此外，在以填充材料層103為掩膜，刻蝕TaN層的過(guò)程中，刻蝕氣體直接轟擊TaN層，容易造成部分Ta脫離出來(lái)并與填充材料層104暴露表面反應(yīng)生成Ta基聚合物，該Ta基聚合物由于含有碳、氫、鉭等元素，很難通過(guò)常規(guī)的刻蝕或者剝離工藝去除，因此在填充材料層去除的過(guò)程中出現(xiàn)含鉭類聚合物在溝槽表面再沉積問(wèn)題，最終造成溝槽表面的缺陷。因此需要一種新的MEMS器件的制造方法，能夠解決現(xiàn)有的MEMS器件的溝槽內(nèi)的填充材料刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生TaN層形貌缺陷、含鉭類聚合物殘留的問(wèn)題以及后續(xù)TaN層刻蝕過(guò)程中的含鉭類聚合物殘留問(wèn)題，提高器件性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種MEMS器件的制造方法，能夠解決現(xiàn)有的MEMS器件的溝槽內(nèi)的填充材料刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生導(dǎo)電材料層形貌缺陷、聚合物殘留的問(wèn)題以及后續(xù)導(dǎo)電材料層刻蝕過(guò)程中的聚合物殘留問(wèn)題，提高器件性能。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種MEMS器件的制造方法，包括以下步驟：提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有溝槽；在形成溝槽的半導(dǎo)體襯底表面形成導(dǎo)電材料層，所述導(dǎo)電材料層未填滿所述溝槽；在所述導(dǎo)電材料層表面形成具有平坦頂部表面的有機(jī)填充材料層，所述填充材料層完全填充所述溝槽；在所述有機(jī)填充材料層上形成圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層定義下方要保留的導(dǎo)電材料層；以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，并通過(guò)氯、氧混合等離子體刻蝕所述有機(jī)填充材料層，至所述導(dǎo)電材料層表面停止；采用氟基氣體與具有第一流量的氧氣的混合氣體刻蝕去除所述有機(jī)填充材料層的刻蝕過(guò)程中反應(yīng)產(chǎn)生的聚合物殘留；以圖形化的光刻膠層和剩余的有機(jī)填充材料層為掩模，各向同性刻蝕所述導(dǎo)電材料層；采用氟基氣體與具有第二流量的氧氣的混合氣體進(jìn)行低溫灰化工藝，去除所述導(dǎo)電材料層的刻蝕過(guò)程中反應(yīng)產(chǎn)生的聚合物殘留，所述第二流量大于第一流量；去除所述圖形化的光刻膠層和剩余的有機(jī)填充材料層。進(jìn)一步的，所述氟基氣體為CF4、C4F8、CHF3中的一種或多種。進(jìn)一步的，所述低溫灰化工藝中的氟基氣體為氟等離子體。進(jìn)一步的，所述低溫灰化工藝的工藝溫度低于200℃。進(jìn)一步的，所述低溫灰化工藝的工藝溫度為85℃或80℃～150℃。進(jìn)一步的，采用工藝溫度高于200℃的高溫灰化工藝去除所述圖形化的光刻膠層和剩余的有機(jī)填充材料層。進(jìn)一步的，所述第一流量為5sccm～20sccm，所述第二流量為所述氧氣的流量為500sccm～2500sccm。進(jìn)一步的，提供一半導(dǎo)體襯底的步驟包括：提供一基底，在所述基底上形成層間介質(zhì)層；刻蝕所述層間介質(zhì)層以在層間介質(zhì)層中形成溝槽；在形成所述溝槽的層間介質(zhì)層表面依次形成擴(kuò)散阻擋層和磁性材料層。進(jìn)一步的，所述磁性材料層為鎳鐵合金層，所述導(dǎo)電材料層為氮化鉭。進(jìn)一步的，在去除所述圖形化的光刻膠層和剩余的有機(jī)填充材料層之前或之后，刻蝕所述磁性材料層形成磁阻層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的MEMS器件的制造方法，具有以下有益效果：1、通過(guò)氯、氧混合等離子體刻蝕所述有機(jī)填充材料層，以抑制聚合物殘留產(chǎn)生以及等離子體刻蝕時(shí)對(duì)導(dǎo)電材料層的破壞，保護(hù)了暴露出的導(dǎo)電材料層的形貌；2、在有機(jī)填充材料刻蝕之后、導(dǎo)電材料層刻蝕之前，采用氟基氣體與低流量氧氣的混合氣體刻蝕去除了圖案化的光刻膠層以及填充材料層暴露表面反應(yīng)產(chǎn)生的聚合物殘留，保證了刻蝕導(dǎo)電材料層時(shí)所用掩膜的側(cè)壁形貌，進(jìn)而改善了導(dǎo)電材料層刻蝕后的形貌；3、采用各向同性的方式刻蝕導(dǎo)電材料層，可以抑制圖案化的光刻膠層以及填充材料層暴露表面的聚合物殘留的產(chǎn)生，同時(shí)可以去除圖案化的光刻膠層以及填充材料層的側(cè)壁產(chǎn)生的聚合物殘留；4、在導(dǎo)電材料層刻蝕之后，采用氟基氣體與高量氧氣的混合氣體低溫灰化去除圖案化的光刻膠層以及有機(jī)填充材料層暴露表面再次產(chǎn)生的聚合物殘留，同時(shí)避免了對(duì)導(dǎo)電材料層的破壞，防止光刻膠層以及有機(jī)填充材料層的硬化，有利于后續(xù)光刻膠層以及有機(jī)填充材料層的去除，改善了最終形成的溝槽形貌，提高了器件性能。附圖說(shuō)明圖1是現(xiàn)有的AMR三軸磁傳感器制造過(guò)程中的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有的AMR三軸磁傳感器刻蝕填充材料層后的SEM圖譜；圖3是現(xiàn)有AMR三軸磁傳感器刻蝕填充材料層后溝槽周圍的SEM圖譜；圖4是現(xiàn)有AMR三軸磁傳感器刻蝕填充材料層后溝槽側(cè)壁的SEM圖譜；圖5是本發(fā)明的MEMS器件的制造方法流程圖；圖6A至圖6F是本發(fā)明的MEMS器件制造過(guò)程中的器件結(jié)構(gòu)剖面圖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的說(shuō)明，然而，本發(fā)明可以用不同的形式實(shí)現(xiàn)，不應(yīng)只是局限在所述的實(shí)施例。請(qǐng)參考圖5所示，本發(fā)明提出一種MEMS器件的制造方法，包括以下步驟：S1，提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有溝槽；S2，在形成溝槽的半導(dǎo)體襯底表面形成導(dǎo)電材料層，所述導(dǎo)電材料層未填滿所述溝槽；S3，在所述導(dǎo)電材料層表面形成具有平坦頂部表面的有機(jī)填充材料層，所述填充材料層完全填充所述溝槽；S4，在所述有機(jī)填充材料層上形成圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層定義下方要保留的導(dǎo)電材料層；S5，以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，并通過(guò)氯、氧混合等離子體刻蝕所述有機(jī)填充材料層，至所述導(dǎo)電材料層表面停止；S6，采用氟基氣體與具有第一流量的氧氣的混合氣體刻蝕去除所述有機(jī)填充材料層的刻蝕過(guò)程中反應(yīng)產(chǎn)生的聚合物殘留；S7，以圖形化的光刻膠層和剩余的有機(jī)填充材料層為掩模，各向同性刻蝕所述導(dǎo)電材料層；S8，采用氟基氣體與具有第二流量的氧氣的混合氣體進(jìn)行低溫灰化工藝，去除所述導(dǎo)電材料層的刻蝕過(guò)程中反應(yīng)產(chǎn)生的聚合物殘留，所述第二流量大于第一流量；S9，去除所述圖形化的光刻膠層和剩余的有機(jī)填充材料層。請(qǐng)參考圖6A，本實(shí)施例的步驟S1中，提供具有溝槽的半導(dǎo)體襯底的過(guò)程包括：首先，提供一基底600，在具體實(shí)施例中，基底600可以為硅襯底、鍺襯底或者絕緣體上硅襯底等，或者還可以包括其它的材料，例如砷化鎵等III-Ⅴ族化合物，然后在所述基底600上形成層間介質(zhì)層601，層間介質(zhì)層601的材料可以為氧化硅、氮氧化硅、TEOS或低K介質(zhì)，形成方法為熱氧化生長(zhǎng)或化學(xué)氣相沉積工藝，層間介質(zhì)層601起到后續(xù)形成的磁性材料層與基底600之間的絕緣隔離作用；接著，各向異性刻蝕所述層間介質(zhì)層601以在層間介質(zhì)層601中形成溝槽，具體地，先生長(zhǎng)一層氮化硅等硬掩膜，然后在硬掩膜上涂布一層光刻膠，并圖形化光刻膠以形成深溝槽光刻窗口，然后，以圖形化光刻膠為掩膜，刻蝕硬掩膜層以及層間介質(zhì)層601形成具有一定傾斜角度的深溝槽，深溝槽的角度需要與后續(xù)的有機(jī)填充材料的厚度和淀積的角度做綜合考量并匹配，典型值是85度，然后步通過(guò)濕法刻蝕去除硬掩膜，濕法刻蝕液是氫氟酸和硫酸的混合物，溝槽的深度一般不小于3微米但小于層間介質(zhì)層601的厚度，也就是溝槽的底部不為基底600的上表面；最后，在形成所述溝槽的層間介質(zhì)層601表面依次形成擴(kuò)散阻擋層(未圖示)和磁性材料層602，擴(kuò)散阻擋層的材料可以為氮化硅、氮氧化硅或二氧化硅，形成擴(kuò)散阻擋層的方法可以為化學(xué)氣相沉積，擴(kuò)散阻擋層覆蓋層間介質(zhì)層601、溝槽的底部和側(cè)壁，用于阻擋后續(xù)磁性材料向?qū)娱g介質(zhì)層601中擴(kuò)散，確保層間介質(zhì)層601的絕緣隔離作用；磁性材料層602的材料為鎳鐵合金或其他可行的磁性材料，形成磁性材料層602的方法為濺射鍍膜工藝，在其他實(shí)施例中還可使用其他物理氣相沉積工藝，在形成過(guò)程中，擴(kuò)散阻擋層阻擋磁性材料向?qū)娱g介質(zhì)層601中擴(kuò)散，磁性材料層602用來(lái)形成磁阻層。請(qǐng)繼續(xù)參考圖6A，本實(shí)施例的步驟S2中，通過(guò)濺射鍍膜工藝或其他物理氣相沉積工藝，在磁性材料層602的表面上形成導(dǎo)電材料層603。在3D磁傳感器中，導(dǎo)電材料層603為氮化鉭TaN層，作為磁阻層的保護(hù)層，避免磁阻層暴露在空氣中而遭到氧化腐蝕。請(qǐng)繼續(xù)參考圖6A，本實(shí)施例的步驟S3中，在導(dǎo)電材料層603表面上形成有機(jī)填充材料層604，有機(jī)填充材料層604填充滿溝槽并覆蓋溝槽周圍的導(dǎo)電材料層603，有機(jī)填充材料層604為后續(xù)形成光刻膠提供平坦表面，便于后續(xù)光刻膠圖案的形成，確保光刻膠的圖案精細(xì)，有機(jī)填充材料層604的材料可以為東京應(yīng)化的GF系列，例如GF43、GF70等，可以通過(guò)多次旋涂及烘烤形成，具體地，在導(dǎo)電材料層603表面上旋涂上一層有機(jī)填充材料層，靜止15秒鐘后進(jìn)行烘烤，然后繼續(xù)重復(fù)旋涂、靜止、烘烤過(guò)程，直至有機(jī)填充材料填滿溝槽，且在溝槽周圍的導(dǎo)電材料層603表面上具有一定厚度，其中涂膠過(guò)程后的靜止過(guò)程，可以讓有機(jī)填充材料從溝槽上方附近流入到溝槽中，利用填充材料的隨型性保護(hù)溝槽的側(cè)壁和圓角部分，并保持和溝槽相近的圖形，同時(shí)可以保持該工藝的穩(wěn)定性，保證表面的平坦性，為后續(xù)的涂膠曝光打下基礎(chǔ)。請(qǐng)繼續(xù)參考圖6A，本實(shí)施例的步驟S4中，使用旋涂工藝再在有機(jī)填充材料層604的表面均勻地涂上一層平坦化效果比較好而且厚度比較厚的光刻膠，通過(guò)曝光和顯影等一系列工藝形成圖案化的光刻膠層605，圖案化的光刻膠層605定義了要保留的導(dǎo)電材料層及其以下層的位置，即磁阻層的位置。請(qǐng)參考圖6B，本實(shí)施例的步驟S5中，以圖案化的光刻膠層605為掩模，采用氯氣與氧氣的混合氣體形成的等離子體來(lái)刻蝕有機(jī)填充材料層604。由于溝槽中的有機(jī)填充材料層的厚度明顯大于溝槽周圍的有機(jī)填充材料層，這樣，溝槽周圍的填充材料層先遭到去除。之后，繼續(xù)刻蝕溝槽中有機(jī)填充材料層，在該過(guò)程中，刻蝕氣體經(jīng)等離子體化后的等離子體也轟擊溝槽周圍暴露出的導(dǎo)電材料層603，脫離的導(dǎo)電離子與表面暴露出的光刻膠和有機(jī)填充材料反應(yīng)生成聚合物殘留606a，例如導(dǎo)電材料層603為TaN時(shí)，其表面脫離的Ta與光刻膠和有機(jī)填充材料反應(yīng)生成Ta基聚合物。由于采用了氯、氧混合等離子體刻蝕所述有機(jī)填充材料層604，與現(xiàn)有技術(shù)中的普通干法刻蝕相比，一方面對(duì)溝槽周圍暴露出的導(dǎo)電材料層603轟擊力量減弱，導(dǎo)電材料層603的表面損傷較小，另一方面，可以抑制脫離出來(lái)的Ta等導(dǎo)電離子與光刻膠和有機(jī)填充材料的化學(xué)反應(yīng)，從而減少了產(chǎn)生的聚合物殘留。請(qǐng)參考圖6C，本實(shí)施例的步驟S6中，使用氟基氣體與低流量氧氣的混合氣體干法刻蝕去除在圖案化的光刻膠層605上表面和側(cè)面以及有機(jī)填充材料層604側(cè)面的聚合物殘留。具體地，所述氟基氣體為CF4、C4F8、CHF3中的一種或多種?？涛g反應(yīng)腔中的壓強(qiáng)范圍為6mtorr～8mtorr，向刻蝕反應(yīng)腔中通入的刻蝕氣體流量(即第一流量)范圍為5sccm～20sccm，刻蝕時(shí)間范圍為：20～40s，這樣可以確保聚合物殘留可以得到徹底去除，從而保證了后續(xù)刻蝕導(dǎo)電材料層603時(shí)所用掩膜的側(cè)壁形貌，進(jìn)而改善了導(dǎo)電材料層603刻蝕后的形貌。請(qǐng)參考圖6D，本實(shí)施例的步驟S7中，在去除聚合物殘留后，以圖案化的光刻膠層605以及有機(jī)填充材料層604為掩模，各向同性刻蝕導(dǎo)電材料層604至磁性材料層603上表面停止。采用各向同性的方式刻蝕導(dǎo)電材料層，可以抑制圖案化的光刻膠層605以及有機(jī)填充材料層604暴露表面的聚合物殘留的產(chǎn)生，同時(shí)可以去除圖案化的光刻膠層605以及填充材料層604的側(cè)壁產(chǎn)生的聚合物殘留。但圖案化的光刻膠層605上表面仍殘留有再次產(chǎn)生的聚合物殘留606b。請(qǐng)參考圖6E，本實(shí)施例的步驟S8中，采用氟基氣體與高流量氧氣的混合氣體低溫灰化去除圖案化的光刻膠層605上表面再次產(chǎn)生的聚合物殘留，同時(shí)避免了對(duì)導(dǎo)電材料層603的破壞，防止圖案化的光刻膠層605以及有機(jī)填充材料層604的硬化，有利于后續(xù)圖案化的光刻膠層605以及有機(jī)填充材料層604的去除。進(jìn)一步的，所述低溫灰化工藝中的氟基氣體為氟等離子體，所述低溫灰化工藝的工藝溫度低于200℃，例如85℃或者80℃～150℃中的其他溫度，氧氣流量(即第二流量)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于步驟S6中的氧氣流量，高出幾十倍甚至幾百倍，第二流量具體范圍可以為500sccm～2500sccm。經(jīng)驗(yàn)證，85℃下低溫灰化工藝后聚合物殘留的去除較為徹底，且導(dǎo)電材料層的表面性能以及光刻膠層、有機(jī)填充材料層的硬度最佳。請(qǐng)參考圖6F，在步驟S9中，由于有機(jī)填充材料和圖案化的光刻膠層均為有機(jī)物，所以可以同時(shí)通過(guò)高溫灰化工藝去除，該過(guò)程處于工藝溫度高于200℃的高溫氧氣氣氛中，有機(jī)填充材料和圖案化的光刻膠層均與氧氣反應(yīng)生成揮發(fā)性氣體被排出，然后再使用濕法刻蝕清除灰化過(guò)程中產(chǎn)生的聚合物。在去除圖形化的光刻膠層和剩余的填充材料層后，請(qǐng)繼續(xù)參考圖6F，以剩余的導(dǎo)電材料層603為掩模，刻蝕磁性材料層602形成磁阻層。磁阻層包括位于溝槽一個(gè)側(cè)壁上的磁性材料層、與該側(cè)壁接觸的溝槽部分底部上的磁性材料層、與該側(cè)壁接觸的部分層間介質(zhì)層601上的磁性材料層，由此可以分別感應(yīng)X、Y、Z三個(gè)方向的磁場(chǎng)信號(hào)。在具體實(shí)施例中，刻蝕磁性材料層的方法為等離子體干法刻蝕?？涛g氣體等離子體化形成等離子體，在高速等離子體的轟擊下，暴露出的磁性材料層遭到去除。位于磁阻層上的導(dǎo)電材料層603作為磁阻層的保護(hù)層，防止磁阻層直接暴露在空氣中而遭到氧化腐蝕。在其他實(shí)施例中，還可以是：在刻蝕導(dǎo)電材料層603后，即在步驟S7之后、步驟S8之前，以圖案化的光刻膠層、有機(jī)填充材料層、導(dǎo)電材料層為掩模，刻蝕磁性材料層形成磁阻層；在刻蝕磁性材料層后，在執(zhí)行步驟S8至去除圖形化的光刻膠層和剩余的有機(jī)填充材料層。綜上所述，本發(fā)明提供的MEMS器件的制造方法，首先，通過(guò)氯、氧混合等離子體刻蝕所述有機(jī)填充材料層；接著，在有機(jī)填充材料刻蝕之后、導(dǎo)電材料層刻蝕之前，采用氟基氣體與低流量氧氣的混合氣體刻蝕去除了圖案化的光刻膠層以及填充材料層暴露表面反應(yīng)產(chǎn)生的聚合物殘留；然后，采用各向同性的方式刻蝕導(dǎo)電材料層；之后，在導(dǎo)電材料層刻蝕之后，采用氟基氣體與高量氧氣的混合氣體低溫灰化去除圖案化的光刻膠層以及有機(jī)填充材料層暴露表面再次產(chǎn)生的聚合物殘留，保證了刻蝕導(dǎo)電材料層時(shí)所用掩膜的側(cè)壁形貌，改善了導(dǎo)電材料層刻蝕后的形貌；抑制并去除了有機(jī)填充材料層和導(dǎo)電材料層刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生的聚合物殘留，改善了最終形成的溝槽形貌，提高了器件性能，適用于各種MEMS器件的制造，特別是三軸磁傳感器的制造。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。