本技術(shù)涉及化工提純的領(lǐng)域，尤其是涉及一種精萘動(dòng)態(tài)結(jié)晶器的遠(yuǎn)程控制方法及相關(guān)設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、工業(yè)提純精萘通常用降膜結(jié)晶器，熔融狀態(tài)萘原料流入結(jié)晶器的結(jié)晶管內(nèi)并在冷媒的作用下在結(jié)晶管的內(nèi)壁上形成晶體，但晶體中存在硫茚雜質(zhì)影響精萘純度，雜質(zhì)硫茚同為晶體狀，則需熱媒控制溫度僅對(duì)雜質(zhì)硫茚進(jìn)行熔化，熔化后的雜質(zhì)硫茚在重力作用下向下排出，但由于硫茚晶體是嵌生于萘晶體中的，因此會(huì)發(fā)生硫茚雜質(zhì)熔化的不徹底，或者熔化后不能及時(shí)滴落的情況，導(dǎo)致雜質(zhì)硫茚不能夠完全去除。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了能夠更快地去除結(jié)晶中的硫茚雜質(zhì)并且去除的更徹底，本技術(shù)提供一種精萘動(dòng)態(tài)結(jié)晶器的遠(yuǎn)程控制方法及相關(guān)設(shè)備。

2、第一方面，本技術(shù)提供一種精萘動(dòng)態(tài)結(jié)晶器的遠(yuǎn)程控制方法，采用如下的技術(shù)方案：

3、一種精萘動(dòng)態(tài)結(jié)晶器的遠(yuǎn)程控制方法，包括：

4、獲取萘原料的純度、萘原料結(jié)晶完成后結(jié)晶器的每個(gè)結(jié)晶管內(nèi)壁的圖像；

5、基于所述圖像確定每個(gè)結(jié)晶管的第一結(jié)晶厚度，并基于所述第一結(jié)晶厚度以及純度確定所需升溫時(shí)長(zhǎng)；

6、控制溫控裝置將媒介升高到預(yù)設(shè)溫度將結(jié)晶器升高到預(yù)設(shè)溫度并獲取所述結(jié)晶器底部分離室頂部的視頻信息，所述預(yù)設(shè)溫度為能夠使結(jié)晶中硫茚達(dá)到熔點(diǎn)的溫度；

7、基于所述視頻信息實(shí)時(shí)計(jì)算所述硫茚的滴落速率；

8、當(dāng)所述滴落速率小于預(yù)設(shè)速率時(shí)，獲取所述結(jié)晶管內(nèi)壁的當(dāng)前圖像以及當(dāng)前升溫時(shí)長(zhǎng)，確定所述所需升溫時(shí)長(zhǎng)以及當(dāng)前升溫時(shí)長(zhǎng)的第一差值；

9、基于所述當(dāng)前圖像確定每個(gè)結(jié)晶管的第二結(jié)晶厚度，并確定所述第一結(jié)晶厚度與第二結(jié)晶厚度的第二差值；

10、基于所述第一差值以及第二差值控制沖水裝置向所述結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入水流并且控制通氣裝置向所述結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入空氣。

11、通過采用上述技術(shù)方案，獲取萘原料的純度、萘原料結(jié)晶完成后結(jié)晶器的每個(gè)結(jié)晶管內(nèi)壁的圖像，純度反映了萘原料中硫茚的含量，圖像能夠展示內(nèi)壁的結(jié)晶情況，基于圖像確定每個(gè)結(jié)晶管的第一結(jié)晶厚度，第一結(jié)晶厚度越大，說明硫茚位于結(jié)晶管內(nèi)壁中的位置可能會(huì)越深，基于第一結(jié)晶厚度以及純度確定所需升溫時(shí)長(zhǎng)，第一結(jié)晶厚度與所需升溫時(shí)長(zhǎng)成正比，而純度越低，說明硫茚越多，所需升溫時(shí)長(zhǎng)越長(zhǎng)，控制溫控裝置將媒介升高到能夠?qū)⒘蜍崛刍粫?huì)熔化萘的預(yù)設(shè)溫度，進(jìn)而將結(jié)晶器升高到預(yù)設(shè)溫度，獲取結(jié)晶器底部分離室頂部的視頻信息，視頻信息能夠展示結(jié)晶中硫茚的滴落情況，基于視頻信息實(shí)時(shí)計(jì)算硫茚的滴落速率，當(dāng)?shù)温渌俾市∮陬A(yù)設(shè)速率時(shí)，說明硫茚滴落越來越少，硫茚含量也越來越少，進(jìn)入到末尾階段，因此獲取結(jié)晶管內(nèi)壁的當(dāng)前圖像以及當(dāng)前升溫時(shí)長(zhǎng)，確定所需升溫時(shí)長(zhǎng)以及當(dāng)前升溫時(shí)長(zhǎng)的第一差值，未達(dá)到所需升溫時(shí)長(zhǎng)但硫茚滴落越來越少，說明結(jié)晶中硫茚去除的不夠徹底，因此基于當(dāng)前圖像確定每個(gè)結(jié)晶管的第二結(jié)晶厚度，并確定第一結(jié)晶厚度與第二結(jié)晶厚度的第二差值，第二差值表征了硫茚的熔化情況，基于第一差值以及第二差值控制沖水裝置向結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入水流并且控制通氣裝置向結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入空氣，溫控裝置中的媒介由外到內(nèi)將內(nèi)壁的結(jié)晶熔化，導(dǎo)入水流可以將結(jié)晶由內(nèi)向外進(jìn)行熔化，能夠使雜質(zhì)硫茚熔化且滴落的更快，導(dǎo)入空氣可以促進(jìn)結(jié)晶管內(nèi)殘留水分的蒸發(fā)，從而能夠更快地去除結(jié)晶中的硫茚雜質(zhì)并且去除的更徹底。

12、在另一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，所述基于所述圖像確定每個(gè)結(jié)晶管的第一結(jié)晶厚度，包括：

13、對(duì)所述圖像進(jìn)行邊緣檢測(cè)得到每個(gè)結(jié)晶管的結(jié)晶輪廓,所述結(jié)晶輪廓由多條線段連接組成；

14、從所述結(jié)晶輪廓中確定出晶體的每個(gè)內(nèi)凸點(diǎn)到所述結(jié)晶管中心軸的最小距離，所述內(nèi)凸點(diǎn)為每條線段中距離中心軸最近的端點(diǎn)；

15、計(jì)算預(yù)設(shè)半徑與所述最小距離的差值，所述預(yù)設(shè)半徑為所述結(jié)晶管的半徑，所述差值表征每個(gè)結(jié)晶管的第一結(jié)晶厚度。

16、在另一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，所述基于所述第一結(jié)晶厚度以及純度確定所需升溫時(shí)長(zhǎng)，包括：

17、從全部結(jié)晶管的第一結(jié)晶厚度中確定出第一結(jié)晶厚度的最大值；

18、計(jì)算所述第一結(jié)晶厚度的平均值，計(jì)算所述最大值與平均值的差值；

19、確定第一結(jié)晶厚度大于所述平均值的目標(biāo)結(jié)晶厚度的第一數(shù)量；

20、基于所述第一數(shù)量、差值、純度以及各自對(duì)應(yīng)的第一系數(shù)確定得分；

21、從多個(gè)預(yù)設(shè)得分區(qū)間中確定出所述得分所在的目標(biāo)預(yù)設(shè)得分區(qū)間，每個(gè)預(yù)設(shè)得分區(qū)間對(duì)應(yīng)有預(yù)設(shè)升溫時(shí)長(zhǎng)，將所述目標(biāo)預(yù)設(shè)得分區(qū)間的預(yù)設(shè)升溫時(shí)長(zhǎng)確定為所述所需升溫時(shí)長(zhǎng)。

22、在另一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，所述基于所述視頻信息實(shí)時(shí)計(jì)算所述硫茚的滴落速率，包括：

23、確定每幀畫面內(nèi)每個(gè)結(jié)晶管底部生成硫茚液滴的第二數(shù)量；

24、基于所述第二數(shù)量確定每幀畫面中全部結(jié)晶管生成硫茚液滴的總數(shù)量；

25、確定預(yù)設(shè)數(shù)量的連續(xù)幀畫面，并計(jì)算所述預(yù)設(shè)數(shù)量的連續(xù)幀畫面的硫茚液滴的總數(shù)量的總和，所述總和表征所述滴落速率。

26、在另一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，所述基于所述第一差值以及第二差值控制沖水裝置向所述結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入水流并且控制通氣裝置向所述結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入空氣，包括：

27、確定所述第二差值與所述第一結(jié)晶厚度的比值，并確定出比值小于預(yù)設(shè)比值的第三數(shù)量，確定第三數(shù)量與全部結(jié)晶管數(shù)量的占比；

28、確定每個(gè)結(jié)晶管的第二差值的方差，基于所述占比、第一差值、方差以及各自對(duì)應(yīng)的第二系數(shù)確定除雜質(zhì)量分；

29、基于所述除雜質(zhì)量分確定導(dǎo)入水流的時(shí)長(zhǎng)以及導(dǎo)入空氣的時(shí)長(zhǎng)。

30、在另一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，每個(gè)結(jié)晶管的上方對(duì)應(yīng)一個(gè)導(dǎo)管，每個(gè)所述導(dǎo)管設(shè)置有閥門，所述沖水裝置和通水裝置均與所述導(dǎo)管連通，所述基于所述除雜質(zhì)量分確定導(dǎo)入水流的時(shí)長(zhǎng)以及導(dǎo)入空氣的時(shí)長(zhǎng)，包括：

31、基于所述除雜質(zhì)量分確定基準(zhǔn)沖水時(shí)長(zhǎng)以及基準(zhǔn)導(dǎo)氣時(shí)長(zhǎng)；

32、基于所述比值以及第一結(jié)晶厚度確定每個(gè)結(jié)晶管的補(bǔ)償沖水時(shí)長(zhǎng)以及補(bǔ)償導(dǎo)氣時(shí)長(zhǎng)；

33、基于所述基準(zhǔn)沖水時(shí)長(zhǎng)以及補(bǔ)償沖水時(shí)長(zhǎng)得到每個(gè)結(jié)晶管的所述導(dǎo)入水流的時(shí)長(zhǎng)；

34、基于所述基準(zhǔn)導(dǎo)氣時(shí)長(zhǎng)以及補(bǔ)償導(dǎo)氣時(shí)長(zhǎng)得到每個(gè)結(jié)晶管的所述導(dǎo)入氣體時(shí)長(zhǎng)。

35、在另一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，所述方法還包括：

36、確定所述第二差值低于預(yù)設(shè)最低差值的目標(biāo)結(jié)晶管的數(shù)量和；

37、當(dāng)所述數(shù)量和高于預(yù)設(shè)最高數(shù)量時(shí)，輸出提示信息。

38、第二方面，本技術(shù)提供一種精萘動(dòng)態(tài)結(jié)晶器的遠(yuǎn)程控制裝置，采用如下的技術(shù)方案：

39、一種精萘動(dòng)態(tài)結(jié)晶器的遠(yuǎn)程控制裝置，包括：

40、第一獲取模塊，用于獲取萘原料的純度、萘原料結(jié)晶完成后結(jié)晶器的每個(gè)結(jié)晶管內(nèi)壁的圖像；

41、第一確定模塊，用于基于所述圖像確定每個(gè)結(jié)晶管的第一結(jié)晶厚度，并基于所述第一結(jié)晶厚度以及純度確定所需升溫時(shí)長(zhǎng)；

42、第一控制模塊，用于控制溫控裝置將媒介升高到預(yù)設(shè)溫度將結(jié)晶器升高到預(yù)設(shè)溫度并獲取所述結(jié)晶器底部分離室頂部的視頻信息，所述預(yù)設(shè)溫度為能夠使結(jié)晶中硫茚達(dá)到熔點(diǎn)的溫度；

43、計(jì)算模塊，用于基于所述視頻信息實(shí)時(shí)計(jì)算所述硫茚的滴落速率；

44、第二獲取模塊，用于當(dāng)所述滴落速率小于預(yù)設(shè)速率時(shí)，獲取所述結(jié)晶管內(nèi)壁的當(dāng)前圖像以及當(dāng)前升溫時(shí)長(zhǎng)，確定所述所需升溫時(shí)長(zhǎng)以及當(dāng)前升溫時(shí)長(zhǎng)的第一差值；

45、第二確定模塊，用于基于所述當(dāng)前圖像確定每個(gè)結(jié)晶管的第二結(jié)晶厚度，并確定所述第一結(jié)晶厚度與第二結(jié)晶厚度的第二差值；

46、第二控制模塊，用于基于所述第一差值以及第二差值控制沖水裝置向所述結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入水流并且控制通氣裝置向所述結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入空氣。

47、通過采用上述技術(shù)方案，第一獲取模塊獲取萘原料的純度、萘原料結(jié)晶完成后結(jié)晶器的每個(gè)結(jié)晶管內(nèi)壁的圖像，純度反映了萘原料中硫茚的含量，圖像能夠展示內(nèi)壁的結(jié)晶情況，第一確定模塊基于圖像確定每個(gè)結(jié)晶管的第一結(jié)晶厚度，第一結(jié)晶厚度越大，說明硫茚位于結(jié)晶管內(nèi)壁中的位置可能會(huì)越深，基于第一結(jié)晶厚度以及純度確定所需升溫時(shí)長(zhǎng)，第一結(jié)晶厚度與所需升溫時(shí)長(zhǎng)成正比，而純度越低，說明硫茚越多，所需升溫時(shí)長(zhǎng)越長(zhǎng)，第一控制模塊控制溫控裝置將媒介升高到能夠?qū)⒘蜍崛刍粫?huì)熔化萘的預(yù)設(shè)溫度，進(jìn)而將結(jié)晶器升高到預(yù)設(shè)溫度，獲取結(jié)晶器底部分離室頂部的視頻信息，視頻信息能夠展示結(jié)晶中硫茚的滴落情況，計(jì)算模塊基于視頻信息實(shí)時(shí)計(jì)算硫茚的滴落速率，當(dāng)?shù)温渌俾市∮陬A(yù)設(shè)速率時(shí)，說明硫茚滴落越來越少，硫茚含量也越來越少，進(jìn)入到末尾階段，因此第二獲取模塊獲取結(jié)晶管內(nèi)壁的當(dāng)前圖像以及當(dāng)前升溫時(shí)長(zhǎng)，確定所需升溫時(shí)長(zhǎng)以及當(dāng)前升溫時(shí)長(zhǎng)的第一差值，未達(dá)到所需升溫時(shí)長(zhǎng)但硫茚滴落越來越少，說明結(jié)晶中硫茚去除的不夠徹底，因此第二確定模塊基于當(dāng)前圖像確定每個(gè)結(jié)晶管的第二結(jié)晶厚度，并確定第一結(jié)晶厚度與第二結(jié)晶厚度的第二差值，第二差值表征了硫茚的熔化情況，第二控制模塊基于第一差值以及第二差值控制沖水裝置向結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入水流并且控制通氣裝置向結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入空氣，溫控裝置中的媒介由外到內(nèi)將內(nèi)壁的結(jié)晶熔化，導(dǎo)入水流可以將結(jié)晶由內(nèi)向外進(jìn)行熔化，能夠使雜質(zhì)硫茚熔化且滴落的更快，導(dǎo)入空氣可以促進(jìn)結(jié)晶管內(nèi)殘留水分的蒸發(fā)，從而能夠更快地去除結(jié)晶中的硫茚雜質(zhì)并且去除的更徹底。

48、在另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一確定模塊，在基于所述圖像確定每個(gè)結(jié)晶管的第一結(jié)晶厚度時(shí)，具體用于：

49、對(duì)所述圖像進(jìn)行邊緣檢測(cè)得到每個(gè)結(jié)晶管的結(jié)晶輪廓,所述結(jié)晶輪廓由多條線段連接組成；

50、從所述結(jié)晶輪廓中確定出晶體的每個(gè)內(nèi)凸點(diǎn)到所述結(jié)晶管中心軸的最小距離，所述內(nèi)凸點(diǎn)為每條線段中距離中心軸最近的端點(diǎn)；

51、計(jì)算預(yù)設(shè)半徑與所述最小距離的第三差值，所述預(yù)設(shè)半徑為所述結(jié)晶管的半徑，所述第三差值表征每個(gè)結(jié)晶管的第一結(jié)晶厚度。

52、在另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一確定模塊，在基于所述第一結(jié)晶厚度以及純度確定所需升溫時(shí)長(zhǎng)時(shí)，具體用于：

53、從全部結(jié)晶管的第一結(jié)晶厚度中確定出第一結(jié)晶厚度的最大值；

54、計(jì)算所述第一結(jié)晶厚度的平均值，計(jì)算所述最大值與平均值的第四差值；

55、確定第一結(jié)晶厚度大于所述平均值的目標(biāo)結(jié)晶厚度的第二數(shù)量；

56、基于所述第二數(shù)量、第四差值、純度以及各自對(duì)應(yīng)的第一系數(shù)確定得分；

57、從多個(gè)預(yù)設(shè)得分區(qū)間中確定出所述得分所在的目標(biāo)預(yù)設(shè)得分區(qū)間，每個(gè)預(yù)設(shè)得分區(qū)間對(duì)應(yīng)有預(yù)設(shè)升溫時(shí)長(zhǎng)，將所述目標(biāo)預(yù)設(shè)得分區(qū)間的預(yù)設(shè)升溫時(shí)長(zhǎng)確定為所述所需升溫時(shí)長(zhǎng)。

58、在另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述計(jì)算模塊，在基于所述視頻信息實(shí)時(shí)計(jì)算所述硫茚的滴落速率時(shí)，具體用于：

59、確定每幀畫面內(nèi)每個(gè)結(jié)晶管底部生成硫茚液滴的第一數(shù)量；

60、基于所述第一數(shù)量確定每幀畫面中全部結(jié)晶管生成硫茚液滴的總數(shù)量；

61、確定預(yù)設(shè)數(shù)量的連續(xù)幀畫面，并計(jì)算所述預(yù)設(shè)數(shù)量的連續(xù)幀畫面的硫茚液滴的總數(shù)量的總和，所述總和表征所述滴落速率。

62、在另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二控制模塊，在基于所述第一差值以及第二差值控制沖水裝置向所述結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入水流并且控制通氣裝置向所述結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入空氣時(shí)，具體用于：

63、確定所述第二差值與所述第一結(jié)晶厚度的比值，并確定出比值小于預(yù)設(shè)比值的第三數(shù)量，確定第三數(shù)量與全部結(jié)晶管數(shù)量的占比；

64、確定每個(gè)結(jié)晶管的第二差值的方差，基于所述占比、第一差值、方差以及各自對(duì)應(yīng)的第二系數(shù)確定除雜質(zhì)量分；

65、基于所述除雜質(zhì)量分確定導(dǎo)入水流的時(shí)長(zhǎng)以及導(dǎo)入空氣的時(shí)長(zhǎng)。

66、在另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，每個(gè)結(jié)晶管的上方對(duì)應(yīng)一個(gè)導(dǎo)管，每個(gè)所述導(dǎo)管設(shè)置有閥門，所述沖水裝置和通氣裝置均與所述導(dǎo)管連通，所述第二控制模塊，在基于所述除雜質(zhì)量分確定導(dǎo)入水流的時(shí)長(zhǎng)以及導(dǎo)入空氣的時(shí)長(zhǎng)時(shí)，具體用于：

67、基于所述除雜質(zhì)量分確定基準(zhǔn)沖水時(shí)長(zhǎng)以及基準(zhǔn)導(dǎo)氣時(shí)長(zhǎng)；

68、基于所述比值以及第一結(jié)晶厚度確定每個(gè)結(jié)晶管的補(bǔ)償沖水時(shí)長(zhǎng)以及補(bǔ)償導(dǎo)氣時(shí)長(zhǎng)；

69、基于所述基準(zhǔn)沖水時(shí)長(zhǎng)以及補(bǔ)償沖水時(shí)長(zhǎng)得到每個(gè)結(jié)晶管的所述導(dǎo)入水流的時(shí)長(zhǎng)；

70、基于所述基準(zhǔn)導(dǎo)氣時(shí)長(zhǎng)以及補(bǔ)償導(dǎo)氣時(shí)長(zhǎng)得到每個(gè)結(jié)晶管的所述導(dǎo)入氣體時(shí)長(zhǎng)。

71、在另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述裝置還包括；

72、第三確定模塊，用于確定所述第二差值低于預(yù)設(shè)最低差值的目標(biāo)結(jié)晶管的數(shù)量和；

73、輸出模塊，用于當(dāng)所述數(shù)量和高于預(yù)設(shè)最高數(shù)量時(shí)，輸出提示信息。

74、第三方面，本技術(shù)提供一種電子設(shè)備，采用如下的技術(shù)方案：

75、一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括：

76、至少一個(gè)處理器；

77、存儲(chǔ)器；

78、至少一個(gè)應(yīng)用程序，其中至少一個(gè)應(yīng)用程序被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中并被配置為由至少一個(gè)處理器執(zhí)行，至少一個(gè)配置用于：執(zhí)行根據(jù)第一方面任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式所示的一種精萘動(dòng)態(tài)結(jié)晶器的遠(yuǎn)程控制方法。

79、第四方面，本技術(shù)提供一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，采用如下的技術(shù)方案：

80、一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，當(dāng)所述計(jì)算機(jī)程序在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行時(shí)，令所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行第一方面任一項(xiàng)所述的一種精萘動(dòng)態(tài)結(jié)晶器的遠(yuǎn)程控制方法。

81、綜上所述，本技術(shù)包括以下至少一種有益技術(shù)效果：

82、獲取萘原料的純度、萘原料結(jié)晶完成后結(jié)晶器的每個(gè)結(jié)晶管內(nèi)壁的圖像，純度反映了萘原料中硫茚的含量，圖像能夠展示內(nèi)壁的結(jié)晶情況，基于圖像確定每個(gè)結(jié)晶管的第一結(jié)晶厚度，第一結(jié)晶厚度越大，說明硫茚位于結(jié)晶管內(nèi)壁中的位置可能會(huì)越深，基于第一結(jié)晶厚度以及純度確定所需升溫時(shí)長(zhǎng)，第一結(jié)晶厚度與所需升溫時(shí)長(zhǎng)成正比，而純度越低，說明硫茚越多，所需升溫時(shí)長(zhǎng)越長(zhǎng)，控制溫控裝置將媒介升高到能夠?qū)⒘蜍崛刍粫?huì)熔化萘的預(yù)設(shè)溫度，進(jìn)而將結(jié)晶器升高到預(yù)設(shè)溫度，獲取結(jié)晶器底部分離室頂部的視頻信息，視頻信息能夠展示結(jié)晶中硫茚的滴落情況，基于視頻信息實(shí)時(shí)計(jì)算硫茚的滴落速率，當(dāng)?shù)温渌俾市∮陬A(yù)設(shè)速率時(shí)，說明硫茚滴落越來越少，硫茚含量也越來越少，進(jìn)入到末尾階段，因此獲取結(jié)晶管內(nèi)壁的當(dāng)前圖像以及當(dāng)前升溫時(shí)長(zhǎng)，確定所需升溫時(shí)長(zhǎng)以及當(dāng)前升溫時(shí)長(zhǎng)的第一差值，未達(dá)到所需升溫時(shí)長(zhǎng)但硫茚滴落越來越少，說明結(jié)晶中硫茚去除的不夠徹底，因此基于當(dāng)前圖像確定每個(gè)結(jié)晶管的第二結(jié)晶厚度，并確定第一結(jié)晶厚度與第二結(jié)晶厚度的第二差值，第二差值表征了硫茚的熔化情況，基于第一差值以及第二差值控制沖水裝置向結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入水流并且控制通氣裝置向結(jié)晶管內(nèi)導(dǎo)入空氣，溫控裝置中的媒介由外到內(nèi)將內(nèi)壁的結(jié)晶熔化，導(dǎo)入水流可以將結(jié)晶由內(nèi)向外進(jìn)行熔化，能夠使雜質(zhì)硫茚熔化且滴落的更快，導(dǎo)入空氣可以促進(jìn)結(jié)晶管內(nèi)殘留水分的蒸發(fā)，從而能夠更快地去除結(jié)晶中的硫茚雜質(zhì)并且去除的更徹底。