一種晶片制造用環(huán)保拋光劑的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶片制造用環(huán)保拋光劑，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì)：二氧化氯11-16份，鹽酸2-4份，氧化銅1-3份，氧化鋅3-5份，硫酸鋅6-8份，硫酸鎂1-3份，硫酸銀4-9份，硫酸銅3-8份，分子篩2-3份，硅藻土5-12份，硼酸鈉3-10份，納米有機(jī)蒙脫土4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸鋅4-6份，抗氧劑2-4份，防老劑1份，PH調(diào)節(jié)劑1-3份。本發(fā)明的有益效果是：配方簡(jiǎn)單、制作容易，其可在半導(dǎo)體加工的化學(xué)成膜和機(jī)械去膜的交替過程中實(shí)現(xiàn)超精密表面加工，從而達(dá)到平坦化的目的。
【專利說明】—種晶片制造用環(huán)保拋光劑

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶片制造用環(huán)保拋光劑。

【背景技術(shù)】
[0002]化學(xué)機(jī)械拋光是隨著集成電路的工業(yè)發(fā)展成長(zhǎng)起來的，其基本目的就是通過拋光過程獲得近乎完美的晶體表面結(jié)構(gòu)，用于集成電路的制造，隨著集成電路工業(yè)技術(shù)指標(biāo)的提高，線寬的不斷縮小，可靠程度的要求越來越高，對(duì)拋光晶片的表面缺陷也要求越來越少，而且對(duì)表面的平整度，粗糙度，氧化層厚度及均勻性等等方面提出了非常嚴(yán)格的要求，這就促進(jìn)了廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體晶片拋光過程中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝及相關(guān)設(shè)備的不斷發(fā)展和進(jìn)步。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種晶片制造用環(huán)保拋光劑。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種晶片制造用環(huán)保拋光劑，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):二氧化氯11-16份，鹽酸2-4份，氧化銅1-3份，氧化鋅3-5份，硫酸鋅6-8份，硫酸鎂1-3份，硫酸銀4-9份，硫酸銅3-8份，分子篩2-3份，娃藻土 5-12份，硼酸鈉3-10份，納米有機(jī)蒙脫土 4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸鋅 4-6份，抗氧劑2-4份，防老劑1份，PH調(diào)節(jié)劑1-3份。
[0005]本發(fā)明的有益效果是:配方簡(jiǎn)單、制作容易，其可在半導(dǎo)體加工的化學(xué)成膜和機(jī)械去膜的交替過程中實(shí)現(xiàn)超精密表面加工，從而達(dá)到平坦化的目的。

【具體實(shí)施方式】
[0006]實(shí)施例1
一種晶片制造用環(huán)保拋光劑，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):二氧化氯11-16份，鹽酸2-4份，氧化銅1-3份，氧化鋅3-5份，硫酸鋅6-8份，硫酸鎂1-3份，硫酸銀4-9份，硫酸銅3-8份，分子篩2-3份，娃藻土 5-12份，硼酸鈉3-10份，納米有機(jī)蒙脫土 4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸鋅4-6份，抗氧劑2-4份，防老劑1份，PH調(diào)節(jié)劑1-3份。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片制造用環(huán)保拋光劑，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):二氧化氯11-16份，鹽酸2-4份，氧化銅1-3份，氧化鋅3-5份，硫酸鋅6-8份，硫酸鎂1-3份，硫酸銀4-9份，硫酸銅3-8份，分子篩2-3份，娃操土 5-12份，硼酸鈉3-10份，納米有機(jī)蒙脫土 4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸鋅4-6份，抗氧劑2-4份，防老劑1份，PH調(diào)節(jié)劑1-3份。
【文檔編號(hào)】C09G1/02GK104046253SQ201410282466
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月23日
【發(fā)明者】范向奎 申請(qǐng)人:青島寶泰新能源科技有限公司