整合水分去除與干燥的處理設(shè)備及半導(dǎo)體晶片的處理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種整合水分去除與干燥的處理設(shè)備及半導(dǎo)體晶片的處理方法，所述整合水分去除與干燥的處理設(shè)備包含：一處理室，用以在同一工藝內(nèi)完成晶片表面的水分去除及干燥；一溶劑供給回收單元，經(jīng)由一循環(huán)管線連接至所述處理室；一氣體供給單元，經(jīng)由一進(jìn)氣管線連接至所述處理室；一控制單元，與所述處理室、所述溶劑供給回收單元及所述氣體供給單元電性連結(jié)。采用本發(fā)明的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備及半導(dǎo)體晶片的處理方法，可以大幅降低生產(chǎn)成本并縮短工藝時(shí)間。
【專利說明】
整合水分去除與干燥的處理設(shè)備及半導(dǎo)體晶片的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及晶片表面的處理技術(shù)，特別是指一種整合水分去除與干燥的處理設(shè)備及半導(dǎo)體晶片的處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在次微米或深次微米的晶片工藝中，舉凡薄膜的沉積、高溫爐管的熱擴(kuò)散或熱氧化、或蝕刻后的晶片表面處理等步驟，通常都需要用到許多高純度的化學(xué)品來清洗，隨后再用高純度的去離子水來洗滌，而且經(jīng)去離子水洗滌后的晶片在進(jìn)行下一道工藝之前必須去除表面水分并予以干燥，以避免晶片受到污染。
[0003]晶片的污染源一般可分為兩大類:一種是微粒子，微粒子的污染源包括硅屑、石英屑、空氣、灰塵、操作人員和工藝機(jī)臺(tái)的飛塵、以及光致抗蝕劑片、細(xì)菌等；另一種是膜，膜污染主要是圓上的異物(foreign material, FM)所引起，除此之外還包括有機(jī)溶劑殘留物(如丙酮、三氯乙烯、異丙醇、甲醇、二甲苯)、光致抗蝕劑顯影劑、以及油膜、金屬膜等。
[0004]弘塑公司所擁有的專利(TW 588434)提供一種晶片水分去除裝置，其包括一蝕刻處理槽、一純水溢流槽、一溶劑槽與一干燥槽。蝕刻處理槽用以蝕刻去除光致抗蝕劑膜，純水溢流槽用以清洗蝕刻用的化學(xué)液，溶劑槽內(nèi)可置入經(jīng)去離子水洗滌后的整批晶片，其中溶劑可取代晶片表面的水分，干燥槽則用以使溶劑蒸發(fā)而達(dá)到干燥目的。
[0005]進(jìn)一步而言，所述晶片水分去除裝置在實(shí)際使用時(shí)，溶劑槽內(nèi)的溶劑需要定期做更換以避免因溶劑中的水分蒸發(fā)而造成濃度改變，從而影響到晶片表面的水分去除，惟溶劑的消耗在生產(chǎn)成本中占有相當(dāng)大的比重。另外，于更換溶劑，通常需要先將溶劑槽內(nèi)原來的舊溶劑排空，然后清洗溶劑槽以避免污染新溶劑；然而，所述晶片水分去除裝置在此情況下無法有效執(zhí)行晶片水分去除作業(yè)而閑置下來，此浪費(fèi)的閑置時(shí)間會(huì)延長工藝所需時(shí)程。此外，由于待處理晶片必須先于溶劑槽內(nèi)將水分去除，之后才被搬送到干燥槽內(nèi)將溶劑蒸發(fā)，此浪費(fèi)的傳輸時(shí)間也會(huì)延長工藝所需時(shí)程，因而降低產(chǎn)出速率。
[0006]因此，本發(fā)明人有鑒于常用的晶片水分去除裝置實(shí)在有其改良的必要性，遂以其多年從事相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)作設(shè)計(jì)及專業(yè)制造經(jīng)驗(yàn)，在各方條件的審慎考量下終于開發(fā)出本發(fā)明。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺失，主要目的在于提供一種整合水分去除與干燥的處理設(shè)備，其能夠以較低的工藝成本達(dá)到更佳的洗凈及晶片表面的干燥效果。
[0008]本發(fā)明的另一目的在于提供一種半導(dǎo)體晶片的處理方法，其能夠在同一工藝(chamber)內(nèi)完成晶片表面的水分去除及干燥，以減少作業(yè)時(shí)間進(jìn)而提高生產(chǎn)能力。
[0009]為實(shí)現(xiàn)上述目的及功效，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種整合水分去除與干燥的處理設(shè)備，其包括一處理室、一溶劑供給回收單元、一氣體供給單元及一控制單元。其中，所述處理室用以在同一工藝內(nèi)完成晶片上的水分去除及晶片干燥；所述溶劑供給回收單元經(jīng)由一循環(huán)管線連接至所述處理室；所述氣體供給單元經(jīng)由一進(jìn)氣管線連接至所述處理室；所述控制單元與所述處理室、所述溶劑供給回收單元及所述氣體供給單元電性連結(jié)，用以在置入經(jīng)高潔凈水清洗后的至少一晶片于所述處理室內(nèi)后，控制所述溶劑供給回收單元將一溶劑供應(yīng)于所述處理室以置換至少一所述晶片上殘留的水分，等待一段時(shí)間后控制所述溶劑供給回收單元將所述溶劑予以回收，然后在所述溶劑緩慢排出所述處理室的同時(shí)或在所述溶劑完全排出所述處理室后，控制所述氣體供給單元供應(yīng)一干燥氣體于所述處理室以去除至少一所述晶片上殘留的溶劑。
[0010]在本發(fā)明的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方式中，所述整合水分去除與干燥的處理設(shè)備還包括至少一溶劑預(yù)備單元，至少一所述溶劑預(yù)備單元經(jīng)由一預(yù)備管線連接至所述處理室。
[0011]在本發(fā)明的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述溶劑供給回收單元內(nèi)設(shè)有一含水率感測器。
[0012]在本發(fā)明的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述整合水分去除與干燥的處理設(shè)備還包括一震蕩單元，所述震蕩單元設(shè)置于所述處理室的底部或周緣。
[0013]在本發(fā)明的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述處理室具有一注入端及一相對(duì)于所述注入端的排出端，所述循環(huán)管線包括一溶劑供給管及一溶劑排出管，所述溶劑供給管接設(shè)于所述注入端與所述溶劑供給回收單元之間，所述溶劑排出管接設(shè)于所述排出端與所述溶劑供給回收單元之間。
[0014]在本發(fā)明的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述排出端進(jìn)一步設(shè)置至少一快排閥件。
[0015]本發(fā)明進(jìn)一步采用以下技術(shù)方案:一種半導(dǎo)體晶片的處理方法，包括下列步驟:首先，利用高潔凈水清洗至少一晶片上的半導(dǎo)體工藝的污染物；接著，將經(jīng)高潔凈水清洗后的至少一所述晶片置入一處理室；然后，將一溶劑供應(yīng)至所述處理室，以置換至少一所述晶片上殘留的水分；最后，等待一段時(shí)間后將所述溶劑排出所述處理室外進(jìn)行回收再利用，并通入一干燥氣體于所述處理室，以去除至少一所述晶片上殘留的所述溶劑。
[0016]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)與有益效果如下:本發(fā)明的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備通過處理室、溶劑供給回收單元與氣體供給單元之間形成的特定連結(jié)關(guān)系，可以在同一處理空間內(nèi)及同一工藝步驟中來完成晶片表面的水分去除及干燥處理，進(jìn)而可以有效縮短工藝時(shí)間。
[0017]再者，溶劑供給回收單元可以回收排放出處理室外的溶劑，并在回收溶劑的含水率不高的情況下再次將其供應(yīng)至處理室進(jìn)行重復(fù)利用，以此方式來減少生產(chǎn)成本。
[0018]本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)可以從本發(fā)明所公開的技術(shù)特征得到進(jìn)一步的了解。為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖2為應(yīng)用本發(fā)明第一實(shí)施例的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備的方塊圖。
[0021]圖3為本發(fā)明的處理室的側(cè)視角示意圖。
[0022]圖4為本發(fā)明的處理室的下視角示意圖。
[0023]圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖6為本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的處理方法的流程示意圖。
[0025]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0026]100處理設(shè)備
[0027]I 處理室
[0028]11處理室本體 111注入端
[0029]112排出端
[0030]113快排閥件
[0031]12 封蓋
[0032]13處理空間
[0033]2 溶劑供給回收單元
[0034]20循環(huán)管線
[0035]21溶劑供給
[0036]22溶劑排出管
[0037]23主進(jìn)料管
[0038]24溶劑供應(yīng)端
[0039]25含水率感測器
[0040]3 氣體供給單元
[0041]30進(jìn)氣管線
[0042]31進(jìn)氣管
[0043]32輸氣管
[0044]33干燥氣體供應(yīng)端
[0045]34配管用加熱器
[0046]4 控制單元
[0047]5 震蕩單元
[0048]6 溶劑預(yù)備單元
[0049]60預(yù)備管線
[0050]61預(yù)備進(jìn)料管
[0051]62預(yù)備出料管
[0052]200工藝裝置
[0053]300清洗裝置
[0054]W 晶片
[0055]C 晶片載具
【具體實(shí)施方式】
[0056]本發(fā)明從縮短整體工藝時(shí)間及高揮發(fā)性溶劑的回收再利用的角度出發(fā)，所公開的內(nèi)容是關(guān)于“利用高潔凈水(DI water)將附著于晶片上的半導(dǎo)體污染源清洗掉，并且在同一工藝中通過溶劑的高揮發(fā)性及與水的互溶性使溶劑取代晶片表面的水分，然后揮發(fā)掉溶劑晶片表面上的殘留溶劑，以達(dá)到晶片完全干燥”的技術(shù)手段。
[0057]以下將通過特定具體實(shí)施例并配合所附附圖來說明本發(fā)明整合水分去除與干燥的處理設(shè)備的創(chuàng)新特征及其后續(xù)應(yīng)用，使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可由本發(fā)明所公開的內(nèi)容輕易了解本發(fā)明主要?jiǎng)?chuàng)新部分。應(yīng)理解的是，實(shí)施例內(nèi)容及附圖并非系用以限制本案，且本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不悖離本發(fā)明的精神下所作各種修飾與變化，其皆不脫離本發(fā)明的范圍。
[0058][第一實(shí)施例]
[0059]請參考圖1，為本發(fā)明第一實(shí)施例的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本實(shí)施例的處理設(shè)備100主要包括一處理室1、一溶劑供給回收單元2及一氣體供給單元3。
[0060]請參考圖2，所述處理設(shè)備100在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，可以和工藝裝置200與清洗裝置300搭配使用。具體來說，由于工藝裝置200于處理晶片時(shí)會(huì)產(chǎn)生半導(dǎo)體工藝污染物，例如金屬雜質(zhì)、有機(jī)物污染、微塵粒或天然氧化物等，而且待處理的晶片經(jīng)過工藝裝置200處理后可被搬送到所述清洗裝置300 (如清洗槽)內(nèi)，利用高潔凈水清除晶片表面的半導(dǎo)體工藝污染物，因此，必須利用處理設(shè)備100將晶片表面的水分去除，并使晶片干燥。應(yīng)理解的是，以上所述只是所述處理設(shè)備100的一典型實(shí)施方式而已，本發(fā)明的后續(xù)應(yīng)用能夠在不同的方式上具有各種的變化。
[0061]請一并參考圖1、圖3及圖4，圖3及圖4分別為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的處理室的側(cè)視角及下視角示意圖。處理室I包括一處理室本體11及一封蓋12，在本實(shí)施例中，處理室本體11為一立方體狀的槽體，并且是用耐腐蝕材料，例如不銹鋼、鋁或石英等制成。處理室本體11并包圍界定一處理空間13，提供晶片W進(jìn)行表面的水分去除及干燥處理等程序。而在其他實(shí)施例中，處理室本體11也可以為因應(yīng)工藝需求、與揮發(fā)性溶劑和干燥氣體的供給方式而選用一非立方體狀的槽體。
[0062]更詳細(xì)地說，處理室本體11具有一注入端111及一相對(duì)于注入端111的排出端112，其中注入端111及排出端112都與處理空間13相連通，而注入端111及排出端112與溶劑供給回收單元2之間可形成閉路循環(huán)，并且注入端111可進(jìn)一步提供氣體供給單元3通入干燥氣體。
[0063]封蓋12通過樞軸件而可樞轉(zhuǎn)地安裝于一固定基架(圖中未示出)上，如此，封蓋12可通過掀翻的動(dòng)作而與處理室本體11的注入端111作結(jié)合，并且可以根據(jù)操作需求于一開啟位置與一蓋闔位置之間往復(fù)移動(dòng)。值得注意的是，處理室本體11的排出端112設(shè)有至少一快排閥件113 (如圖4所示)，用以將處理空間13內(nèi)的液體快速排盡，例如，方便操作人員對(duì)處理室I進(jìn)行檢測及例行性的維護(hù)工作，但快排閥件113的應(yīng)用范圍不為此限。
[0064]溶劑供給回收單元2可以是流體儲(chǔ)槽，例如、但不限于溶劑緩沖槽。溶劑供給回收單元2接收并儲(chǔ)存具高揮發(fā)性且可與水互溶的有機(jī)溶劑，例如異丙醇(IPA)、甲醇、乙醇或丙酮等，值得說明的是，這類溶劑的表面張力通常低于高潔凈水，且揮發(fā)性通常高于高潔凈水，因此，有助于帶走晶片W表面的水分。
[0065]請一并參考圖1及圖2，進(jìn)一步說明溶劑供給回收單元2與處理室I的連結(jié)關(guān)系，溶劑供給回收單元2主要經(jīng)由一循環(huán)管線20連接至處理室I。所述循環(huán)管線20至少包含一條溶劑供給管21與一條溶劑排出管22，其中溶劑供給管21可通過處理室本體11的注入端111與處理空間13相連通，溶劑排出管22可通過處理室本體11的排出端112與處理空間13相連通。另外，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，溶劑供給回收單元2還經(jīng)由一主進(jìn)料管23與溶劑供應(yīng)端24相連通，藉此，可以從溶劑供應(yīng)端24補(bǔ)充新的溶劑。
[0066]值得說明的是，通過循環(huán)管線20的配置，溶劑供給回收單元2可供應(yīng)溶劑于處理室本體11的處理空間13，使經(jīng)清洗后而表面殘留有水分的晶片W完全浸泡于溶劑中，進(jìn)行溶劑與高潔凈水之間的置換以帶走晶片W表面的水分；再者，待晶片W表面的水分被溶劑完全帶走后，溶劑供給回收單元2可將使用過的溶劑予以回收，并在回收溶劑的含水率不高的情況下重復(fù)再利用。
[0067]在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，溶劑供給回收單元2內(nèi)可設(shè)有一含水率感測器25，用以偵測回收溶劑的含水率，而操作人員基于此，可以準(zhǔn)確地判斷溶劑更換的時(shí)間點(diǎn)，避免因水分蒸發(fā)而導(dǎo)致組成濃度改變，使產(chǎn)品的良率受到影響。
[0068]進(jìn)一步說明氣體供給單元3與處理室I的連結(jié)關(guān)系，氣體供給單元3可以是干燥氣體槽，并且氣體供給單元3主要經(jīng)由一進(jìn)氣管線30而同時(shí)連接于處理室I與干燥氣體供應(yīng)端33之間。更詳細(xì)地說，所述進(jìn)氣管線30包含一條進(jìn)氣管31與至少一條輸氣管32，其中氣體供給單元3經(jīng)由進(jìn)氣管31與干燥氣體供應(yīng)端33相連通，氣體供給單元3并經(jīng)由輸氣管32供應(yīng)干燥氣體于處理室I的處理空間13。
[0069]在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，條輸氣管32的管壁上可設(shè)有一配管用加熱器34，用以將干燥氣體加熱至一適當(dāng)?shù)奶囟囟龋宕?，可加快溶劑的揮發(fā)速度。附帶一提，在本實(shí)施例中，溶劑供給回收單元2所用溶劑為IPA，而氣體供給單元3所用干燥氣體為氮?dú)猓景l(fā)明不為此限。
[0070]值得注意的是，所述整合水分去除與干燥的處理設(shè)備100通過處理室1、溶劑供給回收單元2與氣體供給單元3之間形成的特定連結(jié)關(guān)系，可以搭配一控制單元4來實(shí)現(xiàn)「在同一處理空間13內(nèi)、并在同一工藝步驟中去除晶片表面的水分及對(duì)晶片W進(jìn)行干燥處理」的自動(dòng)化操作。所述控制單元4電性連接處理室1、溶劑供給回收單元2與氣體供給單元3，其可以是個(gè)人電腦、筆記型電腦、工業(yè)用電腦、CPU或其他能進(jìn)行計(jì)算的計(jì)算裝置。
[0071]在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，控制單元4能在待處理的晶片W(如經(jīng)高潔凈水洗滌后的晶片)置于處理空間13時(shí)，首先令溶劑供給回收單元2供應(yīng)溶劑于處理空間13，以置換晶片W表面上的水分(洗滌后殘留的水分)；接著，控制單元4能在等待一段時(shí)間后令處理室I將溶劑排出處理空間13，并控制溶劑供給回收單元2將高揮發(fā)性溶劑予以回收；之后，最重要的是，控制單元4能在溶劑緩慢排出處理空間13的同時(shí)，或是在溶劑完全排出處理空間13之后，令氣體供給單元3供應(yīng)干燥氣體于處理空間13，藉此將晶片W表面的溶劑(浸泡后殘留的溶劑)蒸發(fā)掉，使晶片W完全干燥。
[0072]進(jìn)一步值得注意的是，所述整合水分去除與干燥的處理設(shè)備100可進(jìn)一步搭配一震蕩單元5以增進(jìn)溶劑與高潔凈水間的置換速率，所述震蕩單元5可包含一超聲波裝置或多個(gè)振動(dòng)器且設(shè)置于處理室本體I的底部或周緣。
[0073]在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，超聲波裝置可對(duì)處理室I施加振蕩頻率范圍介于20，OOOHz至100，OOOHz的超聲波震蕩，而振動(dòng)器可對(duì)處理室I施加振蕩頻率范圍介于IKHz至20，OOOHz的聲波震蕩。通過震蕩單元5的配置，只需要I至30分鐘的時(shí)間，便可達(dá)到去除晶片W表面水分的目的。
[0074][第二實(shí)施例]
[0075]請參考圖5，為本發(fā)明第二實(shí)施例的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例與前一實(shí)施例相比，本實(shí)施例的處理設(shè)備100還包括:溶劑預(yù)備單元6。
[0076]所述溶劑預(yù)備單元6可以是流體儲(chǔ)槽，例如但不限于溶劑預(yù)備槽，溶劑預(yù)備單元6接收并儲(chǔ)存一具高揮發(fā)性且可與水互溶的有機(jī)溶劑，例如異丙醇(IPA)、甲醇、乙醇或丙酮。另外，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，溶劑預(yù)備單元6內(nèi)的溶劑可以和溶劑供給回收單元2內(nèi)的溶劑相同或不相同。
[0077]進(jìn)一步說明溶劑預(yù)備單元6與其他裝置間的連結(jié)關(guān)系，溶劑預(yù)備單元6主要經(jīng)由一預(yù)備管線60而連接于處理室I與干燥氣體供應(yīng)端24之間。更詳細(xì)地說，所述預(yù)備管線60至少包含一條預(yù)備進(jìn)料管61與一條預(yù)備出料管62，其中預(yù)備進(jìn)料管61連接至主進(jìn)料管23，預(yù)備出料管62連接至溶劑供給管21。藉此，溶劑預(yù)備單元6可經(jīng)由預(yù)備進(jìn)料管61及主進(jìn)料管23、進(jìn)而與溶劑供應(yīng)端24相連通，并可經(jīng)由預(yù)備出料管62及溶劑供給管21、進(jìn)而與處理空間13相連通。
[0078]在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，控制單元4進(jìn)一步電性連接溶劑預(yù)備單元6，且控制單元4能在處理設(shè)備100因其溶劑供給回收單元2進(jìn)行排放廢棄溶劑及更換新的溶劑而發(fā)生閑置時(shí)，令溶劑預(yù)備單元6供應(yīng)溶劑于處理空間13，以置換晶片W表面上的水分(洗滌后殘留的水分)，藉此提升整體性工藝效率。
[0079]請一并參考圖1及圖6，本發(fā)明整合水分去除與干燥的處理設(shè)備的特征、優(yōu)點(diǎn)及所能達(dá)成的功效已具體說明如上，接下來將進(jìn)一步介紹其應(yīng)用。如圖6所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例提供一種應(yīng)用所述處理設(shè)備的半導(dǎo)體晶片的處理方法，包括如下步驟:
[0080]首先，執(zhí)行步驟S100，利用高潔凈水清洗至少一晶片W上的半導(dǎo)體工藝的污染物。于具體施行時(shí)，表面附著半導(dǎo)體工藝污染物的晶片W可承載于晶片載具C上，并連晶片載具C一同被搬送到清洗裝置(圖中未顯示)內(nèi)，然后以高潔凈水、并通過浸泡或沖洗的方式洗凈晶片W表面的半導(dǎo)體工藝污染物。在其他的實(shí)施例中，本步驟所用高潔凈水可以在達(dá)到某一特定溫度時(shí)才開始進(jìn)行晶片W表面的洗凈。
[0081]接著，執(zhí)行步驟S102，將經(jīng)高潔凈水清洗后的至少一所述晶片W置入一處理室I。于具體施行時(shí)，經(jīng)過清洗而表面殘留高潔凈水的晶片W可承載于晶片載具C上，并連晶片載具C 一同被搬送到處理室I的處理空間13內(nèi)，而后使封蓋12處于蓋闔位置以與處理室本體11的注入端111結(jié)合。
[0082]然后，執(zhí)行步驟S104，將一溶劑供應(yīng)至所述處理室1，以置換至少一所述晶片W上殘留的高潔凈水。于具體施行時(shí)，溶劑供給回收單元2能根據(jù)控制單元4所發(fā)出的控制命令，供應(yīng)高揮發(fā)性溶劑于處理空間13，使表面上仍殘留有相當(dāng)數(shù)量高潔凈水的晶片W浸泡于溶劑中，以進(jìn)行溶劑與高潔凈水間的置換，帶走晶片W表面的水分。較佳地，于置換程序中可通過震蕩單元5所施加的超聲波聲波震蕩或聲波震蕩來增進(jìn)高揮發(fā)性溶劑與高潔凈水間的置換速率。
[0083]最后，執(zhí)行步驟S106，等待一段時(shí)間后將所述溶劑排出所述處理室I外進(jìn)行回收再利用，同時(shí)通入一干燥氣體于所述處理室1，以去除至少一所述晶片W上殘留的所述溶劑。于具體施行時(shí)，處理室I能根據(jù)控制單元4所發(fā)出的控制命令，將高揮發(fā)性溶劑排出處理空間13外，而后氣體供給單元3能根據(jù)控制單元4所發(fā)出的另一控制命令，將干燥氣體通入處理室1，進(jìn)而干燥噴吹于晶片W表面，藉以將晶片W表面的高揮發(fā)性溶劑蒸發(fā)掉，達(dá)到晶片完全干燥的效果。
[0084]更進(jìn)一步值得注意的是，為了因應(yīng)更復(fù)雜的工藝及品質(zhì)要求，所述干燥氣體可于排出高揮發(fā)性溶劑的同時(shí)注入處理空間13，以同時(shí)進(jìn)行晶片W表面的水分去除及晶片干燥；或者，所述干燥氣體也可于高揮發(fā)性氣體完全排出處理空間13之后始注入處理空間13。
[0085]綜上所述，相較于現(xiàn)有技術(shù)是在不同的處理空間內(nèi)及不同的工藝步驟中來進(jìn)行晶片表面的水分去除及晶片干燥處理，本發(fā)明至少具有下列的優(yōu)點(diǎn):
[0086]1.首先，本發(fā)明的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備通過處理室、溶劑供給回收單元與氣體供給單元之間形成的特定連結(jié)關(guān)系，可以在同一處理空間內(nèi)及同一工藝步驟中來完成晶片表面的水分去除及干燥處理，進(jìn)而可以有效縮短工藝時(shí)間。
[0087]2.承上述，溶劑供給回收單元可以回收排放出處理室外的溶劑，并在回收溶劑的含水率不高的情況下再次將其供應(yīng)至處理室進(jìn)行重復(fù)利用，以此方式來減少生產(chǎn)成本。
[0088]3.其次，所述整合水分去除與干燥的處理設(shè)備可以搭配至少一溶劑預(yù)備單元，藉此在需要進(jìn)行溶劑供給回收單元內(nèi)的溶劑更換時(shí)，通過溶劑預(yù)備單元來供應(yīng)新的溶劑至處理室，以避免處理室發(fā)生閑置，進(jìn)而可以提升整體性工藝效率。
[0089]4.再者，所述整合水分去除與干燥的處理設(shè)備可以確實(shí)降低晶片上的缺陷，增加了設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)的時(shí)間間隔，并使產(chǎn)能得到有效提升。
[0090]惟以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，非意欲局限本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，故舉凡運(yùn)用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所為的等效變化，均同理皆包含于本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍內(nèi)，合予陳明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種整合水分去除與干燥的處理設(shè)備，其特征在于，包括: 一處理室，用以在同一工藝內(nèi)完成晶片上的水分去除及晶片干燥； 一溶劑供給回收單元，經(jīng)由一循環(huán)管線連接至所述處理室； 一氣體供給單元，經(jīng)由一進(jìn)氣管線連接至所述處理室；及 一控制單元，與所述處理室、所述溶劑供給回收單元及所述氣體供給單元電性連結(jié)，用以在置入經(jīng)高潔凈水清洗后的至少一晶片于所述處理室內(nèi)后，控制所述溶劑供給回收單元將一溶劑供應(yīng)于所述處理室以置換至少一所述晶片上殘留的水分，等待一段時(shí)間后控制所述溶劑供給回收單元將所述溶劑予以回收，然后在所述溶劑緩慢排出所述處理室的同時(shí)或在所述溶劑完全排出所述處理室后，控制所述氣體供給單元供應(yīng)一干燥氣體于所述處理室以去除至少一所述晶片上殘留的溶劑。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備，還包括至少一溶劑預(yù)備單元，至少一所述溶劑預(yù)備單元經(jīng)由一預(yù)備管線連接至所述處理室。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備，其中所述溶劑供給回收單元內(nèi)設(shè)有一含水率感測器。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備，還包括一震蕩單元，所述震蕩單元設(shè)置于所述處理室的底部或周緣。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備，其中所述處理室具有一注入端及一相對(duì)于所述注入端的排出端，所述循環(huán)管線包括一溶劑供給管及一溶劑排出管，所述溶劑供給管接設(shè)于所述注入端與所述溶劑供給回收單元之間，所述溶劑排出管接設(shè)于所述排出端與所述溶劑供給回收單元之間。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的整合水分去除與干燥的處理設(shè)備，其中所述排出端進(jìn)一步設(shè)置至少一快排閥件。7.一種半導(dǎo)體晶片的處理方法，其特征在于，包括下列步驟: 利用高潔凈水清洗至少一晶片上的半導(dǎo)體工藝的污染物； 將經(jīng)高潔凈水清洗后的至少一所述晶片置入一處理室； 將一溶劑供應(yīng)至所述處理室，以置換至少一所述晶片上殘留的水分；及 等待一段時(shí)間后將所述溶劑排出所述處理室外進(jìn)行回收再利用，并通入一干燥氣體于所述處理室，以去除至少一所述晶片上殘留的所述溶劑。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶的圓處理方法，其中在通入一干燥氣體于所述處理室的步驟中，所述干燥氣體是在排出所述溶劑的同時(shí)通入于所述處理室。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶片的處理方法，其中在通入一干燥氣體于所述處理室的步驟中，所述干燥氣體是在完全排出所述溶劑后始通入于所述處理室。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶片的處理方法，其中所述溶劑為甲醇、乙醇、異丙醇或丙酮。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK105895552SQ201510038219
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2015年1月26日
【發(fā)明人】黃立佐, 吳進(jìn)原, 姜瑞豐, 葉蔭晟
【申請人】弘塑科技股份有限公司