一種存儲器環(huán)保抗腐蝕拋光液的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種存儲器環(huán)??垢g拋光液,其特征在于,包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):雙酚A型聚碳酸酯5-9份,納米碳酸鈣9-10份,二氯甲烷7-13份,苯甲醇5-10份,正戊烷1-9份,三氯甲烷1-3份,氯化鈉2-8份,氯化鈣3-7份,氯化鋁1-2份,氯化鉀1-2份,助溶劑1份,潤濕劑1份,十二烷基苯磺酸鈉1-2份。本發(fā)明的拋光液性能穩(wěn)定,拋光效果好,可滿足制備納電子相變存儲器中工藝的需要。
【專利說明】一種存儲器環(huán)??垢g拋光液
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種存儲器環(huán)保抗腐蝕拋光液。
【背景技術(shù)】
[0002]相變存儲器因具有高速讀取、高可擦寫次數(shù)、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗強震動和抗輻射、成本具有競爭力等優(yōu)點,而被國際半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會認(rèn)為是最有可能取代目前的閃存存儲器的下一代非易失性存儲器。相變存儲器技術(shù)的基本原理是以硫系化合物為存儲介質(zhì),利用電能使材料在晶態(tài)與非晶態(tài)(高阻)之間相互轉(zhuǎn)換實現(xiàn)信息的寫入與擦除,信息的讀出則靠測量電阻的變化實現(xiàn)。存儲單元包括由電介質(zhì)材料定義的細(xì)孔,相變材料沉積在細(xì)孔中,相變材料在細(xì)孔的一端上連接電極。電極接觸使電流通過該通道產(chǎn)生焦耳熱對該單元進(jìn)行編程,或者讀取該單元的電阻狀態(tài)。
[0003]目前,在構(gòu)建相變存儲單元時,通行的做法是:先通過磁控濺射的方法沉積相變材料在由電介質(zhì)材料定義的細(xì)孔中,然后通過反應(yīng)離子刻蝕CRIE)或者化學(xué)機械拋光的方法,將細(xì)空上方的相變材料進(jìn)行去除。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種存儲器環(huán)??垢g拋光液。
[0005]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種存儲器環(huán)??垢g拋光液,其特征在于,包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):雙酚A型聚碳酸酯5-9份,納米碳酸鈣9-10份,二氯甲烷7-13份,苯甲醇5-10份,正戊烷1-9份,三氯甲燒1-3份,氯化鈉2-8份,氯化韓3-7份,氯化招1-2份,氯化鉀1-2份,助溶劑1份,潤濕劑1份,十二烷基苯磺酸鈉1-2份。
[0006]本發(fā)明的拋光液性能穩(wěn)定,拋光效果好,可滿足制備納電子相變存儲器中工藝的需要。
【具體實施方式】
[0007]實施例1
一種存儲器環(huán)??垢g拋光液,其特征在于,包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):雙酚A型聚碳酸酯5-9份,納米碳酸鈣9-10份,二氯甲烷7-13份,苯甲醇5-10份,正戊烷1-9份,三氯甲燒1-3份,氯化鈉2-8份,氯化韓3-7份,氯化招1-2份,氯化鉀1-2份,助溶劑1份,潤濕劑1份,十二烷基苯磺酸鈉1-2份。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲器環(huán)??垢g拋光液,其特征在于,包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):雙酚A型聚碳酸酯5-9份,納米碳酸鈣9-10份,二氯甲烷7-13份,苯甲醇5-10份,正戊烷1-9份,三氯甲燒1-3份,氯化鈉2-8份,氯化|丐3-7份,氯化招1-2份,氯化鉀1-2份,助溶劑1份,潤濕劑1份,十二烷基苯磺酸鈉 1-2份。
【文檔編號】C09G1/02GK104046268SQ201410292063
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月26日
【發(fā)明者】范向奎 申請人:青島寶泰新能源科技有限公司