專利名稱：碳化硅基片的拋光液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電子領(lǐng)域使用的碳化硅基片表面加工。
背景技術(shù)：
碳化硅(SiC)晶體是光電子領(lǐng)域重要的基礎(chǔ)材料，它是生產(chǎn)GaN薄膜不可缺少的 襯底材料。 質(zhì)量不好的碳化硅基片，在其上長不出滿足發(fā)光二極管(LED)所需的GaN薄膜。而 碳化硅基片的質(zhì)量由碳化硅基片的拋光工藝來保證，拋光液的配方和質(zhì)量是決定碳化硅基 片的拋光質(zhì)量的關(guān)鍵因素。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種新的碳化硅基片的拋光液的配方，該拋光液的配方不僅能夠提高 碳化硅基片的拋光質(zhì)量，而且能夠降低碳化硅基片的加工成本。 碳化硅基片拋光液組成是顆粒直徑為20納米 50納米溶膠型二氧化硅(Si02)， 去離子水，氫氧化鈉(NaOH)，聚氧乙烯酰胺。它們的質(zhì)量比是二氧化硅去離子水氫氧
化鈉聚氧乙烯酰胺=i : 2 : o.oi : o.oe。 二氧化硅作為拋光材料，它具有較低的硬度，采用近似球狀外形的二氧化硅，較小
的顆粒直徑(20納米 50納米)，通過化學(xué)機械拋光，從而獲得良好的拋光表面。去離子水 具有較高的純度。氫氧化鈉是用于對拋光液PH值的調(diào)整。聚氧乙烯酰胺作為懸浮劑，能夠
使得碳化硅基片拋光液長時間放置不沉淀。 發(fā)明效果 本發(fā)明的有益效果是使用本拋光液進行拋光，能夠有效消除碳化硅基片磨削過 程中產(chǎn)生的加工損傷層，保證基片拋光面的粗糙度(RMS) < 0. 3納米，同時使用該拋光液能 夠縮短碳化硅基片的加工時間，降低生產(chǎn)成本。
權(quán)利要求
碳化硅基片的拋光液組成是顆粒直徑為20納米～50納米溶膠型二氧化硅(SiO2)，去離子水，氫氧化鈉(NaOH)，聚氧乙烯酰胺。它們的質(zhì)量比是二氧化硅∶去離子水∶氫氧化鈉∶聚氧乙烯酰胺＝1∶2∶0.01∶0.06。
全文摘要
本發(fā)明涉及光電子領(lǐng)域使用的碳化硅基片加工中拋光液的配方。碳化硅基片拋光液由顆粒直徑為20納米～50納米溶膠型二氧化硅(SiO2)，去離子水，氫氧化鈉(NaOH)，聚氧乙烯酰胺組成。它們的質(zhì)量比是二氧化硅∶去離子水∶氫氧化鈉∶聚氧乙烯酰胺＝1∶2∶0.01∶0.06。使用本拋光液進行拋光，不僅能夠有效消除碳化硅基片磨削過程中產(chǎn)生的加工損傷層，保證基片拋光面的粗糙度(RMS)＜0.3納米，同時能夠縮短碳化硅基片的拋光時間，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號C09G1/00GK101724344SQ20081015574
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月14日
發(fā)明者周海 申請人:周海