專利名稱：：金屬絡(luò)合物、高分子化合物及含有它們的元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及金屬絡(luò)合物、含有該金屬絡(luò)合物的殘基的高分子化合物以及含有這些化合物的元件。
背景技術(shù)：
：作為電致發(fā)光元件的發(fā)光層中使用的發(fā)光材料，顯示從三重態(tài)激發(fā)態(tài)進(jìn)行發(fā)光的金屬絡(luò)合物，與顯示從單重態(tài)激發(fā)態(tài)進(jìn)行發(fā)光的熒光材料相比，可期待其有高發(fā)光效率。其理由是，通過載子的再結(jié)合而形成的激子，理論上25%是單重態(tài)激發(fā)態(tài)，剩余75%是三重態(tài)激發(fā)態(tài)。g卩使用從單重態(tài)激發(fā)態(tài)發(fā)出的光(即熒光)時(shí)，理論上上限為25%，使用從三重態(tài)激發(fā)態(tài)發(fā)出的光(即磷光)時(shí)，理論上可期待3倍的效率。并且從能量相對(duì)關(guān)系來看，如果能夠高效產(chǎn)生從25%的單重態(tài)激發(fā)態(tài)到三重態(tài)激發(fā)態(tài)的系間竄躍，理論上可期待4倍的效率。一般情況下，伴隨著從三重態(tài)激發(fā)態(tài)向單重態(tài)基態(tài)的躍遷，從三重態(tài)激發(fā)態(tài)發(fā)光(即磷光)，因伴隨有自旋反轉(zhuǎn)，所以是禁戒躍遷。但是，已知含有重金屬原子的金屬絡(luò)合物中，因該禁戒躍遷被重原子效應(yīng)解除，所以具有發(fā)光物質(zhì)。例如，作為顯示從三重態(tài)激發(fā)態(tài)進(jìn)行發(fā)光的金屬絡(luò)合物，已知以銥為中心金屬的鄰位金屬絡(luò)合物(Ir(ppy)3:Tris-Ortho-MetalatedComplexofIridium(ni)with2-Phenylpyridine)顯示高效率的綠色發(fā)光，也報(bào)道了將其與低分子主體材料組合形成多層的電致發(fā)光元件(APPLIEDPHYSICSLETTERS，vol,75,No.l,p4(1999))。但是，將使用金屬絡(luò)合物的電致發(fā)光元件等實(shí)際應(yīng)用時(shí)，在所有三原色中，必須要有高發(fā)光效率、且穩(wěn)定性優(yōu)異。因此，期待開發(fā)出特別是在紅色發(fā)光區(qū)域或藍(lán)色發(fā)光區(qū)域中，發(fā)光效率、穩(wěn)定性優(yōu)異的金屬絡(luò)合物。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供發(fā)光效率、穩(wěn)定性優(yōu)異的金屬絡(luò)合物。本發(fā)明者精心研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)使用具有特定結(jié)構(gòu)、具有特定量子化學(xué)性質(zhì)的金屬絡(luò)合物時(shí)，電致發(fā)光元件的發(fā)光効率、穩(wěn)定性優(yōu)異，完成了本發(fā)明。艮口本發(fā)明第一提供金屬絡(luò)合物，其為具有下述通式(1)表示的結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物，(式中，X,及X2分別獨(dú)立地表示碳原子或氮原子，下述式X"-二；C表示的鍵，以及下述式表示的鍵分別獨(dú)立地為單鍵或雙鍵；M表示過渡金屬原子；Z,環(huán)表示含有下述式X「表示的鍵的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，Z2環(huán)表示含有下述式表示的鍵的環(huán)狀結(jié)構(gòu))由含有下述式表示的結(jié)構(gòu)的面和含有下述式Xi——x2^rN表示的結(jié)構(gòu)的面決定的二面角為9°16°，且該金屬絡(luò)合物的最高占有分子軌道中，該金屬原子M的最外層d軌道的軌道系數(shù)平方之和相對(duì)于全部原子軌道系數(shù)平方之和所占的比例(％)除以該金屬絡(luò)合物的最低激發(fā)單重態(tài)能量S"eV)和最低激發(fā)三重態(tài)能量T^eV)的能量之差S!—T"eV)的值為200600%/eV。本發(fā)明第二提供上述金屬絡(luò)合物，其為具有下述通式(1)表示的結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物，(式中，Xi及X2分別獨(dú)立地表示碳原子或氮原子；下述式:表示的鍵及下述式表示的鍵分別獨(dú)立地為單鍵或雙鍵；M表示過渡金屬原子；Z,環(huán)表示含有下述式(式中、XpY,以及Y2分別獨(dú)立地表示碳原子或氮原子；下述式:表示的鍵、下述式表示的鍵以及下述式丫i—，:w丫2表示的鍵分別獨(dú)立地為單鍵或雙鍵；Zu)環(huán)表示含有下述式表示的鍵的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，Z2環(huán)表示含有下述式:表示的鍵的環(huán)狀結(jié)構(gòu))該Z,環(huán)具有下述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)，Yi——-Y2---Xi---C表示的結(jié)構(gòu)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；Zu環(huán)表示除下述式表示的鍵之外，由單鍵構(gòu)成的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。)或者該Z2環(huán)具有下述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)，(式中、X2、Y3以及Y4分別獨(dú)立地表示碳原子或氮原子；下述式表示的鍵、下述式表示的鍵以及下述式Y(jié)3r^Y4表示的鍵分別獨(dú)立地為單鍵或雙鍵，Z2o表示含有下述式Y(jié)(--fc丫3-"""-N表示的結(jié)構(gòu)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，Z^環(huán)表示除下述式表示的鍵之外，由單鍵構(gòu)成的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，)或者該Z!環(huán)具有該通式(2)表示的結(jié)構(gòu)，且該Z2環(huán)具有該通式(3)表示的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明第三提供金屬絡(luò)合物，其具有下述通式(5)表示的結(jié)構(gòu)，問(式中、^及X2分別獨(dú)立地表示碳原子或氮原子；下述式:及下述式表示的鍵分別獨(dú)立地為單鍵或雙鍵；M表示過渡金屬原子；Zi環(huán)表示含有下述式Xi二-C表示的鍵的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；Z2環(huán)表示含有下述式表示的鍵的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，A表示Z,環(huán)中的1個(gè)原子和Z2環(huán)中的1個(gè)原子鍵合的連結(jié)基團(tuán)，該連結(jié)基團(tuán)由選自一C(R5Q1)(R5e2)—、一N(R5Q3)—、—P(R504)—、一P(=0)(R507)—、一Si(R5。5)(R506)—、以及—SO廣中的26個(gè)基團(tuán)組成，R訓(xùn)R柳分別獨(dú)立地表示氫原子、垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳垸硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅垸氧基、一價(jià)雜環(huán)基或鹵原子)。本發(fā)明第四提供分子內(nèi)含有上述金屬絡(luò)合物的殘基的高分子化合物。具體實(shí)施例方式以下對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。<金屬絡(luò)合物〉首先對(duì)本發(fā)明的金屬絡(luò)合物(下述第一第三金屬絡(luò)合物)進(jìn)行說明。-第一金屬絡(luò)合物-本發(fā)明的第一金屬絡(luò)合物，具有上述通式(1)表示的結(jié)構(gòu)，并且同時(shí)滿足條件A:上述二面角(以下有時(shí)稱"配體內(nèi)的二面角")為9。16。，以及條件B:上述d軌道系數(shù)為200600%/eV。上述二面角低于9。時(shí)，會(huì)發(fā)生對(duì)配體的運(yùn)動(dòng)抑制不充分的情況，大于16°時(shí)，配體扭轉(zhuǎn)過多，有時(shí)會(huì)失去多齒配體的穩(wěn)定性。該二面角與配體的運(yùn)動(dòng)性相關(guān)，因此，考慮到對(duì)金屬絡(luò)合物的穩(wěn)定性的效果，優(yōu)選9°14°，更優(yōu)選9°12°，特別優(yōu)選9。11。。上述d軌道系數(shù)低于200%/eV時(shí)，或者因中心金屬的d軌道的貢獻(xiàn)少，或者因能量差(S,—T。大，有時(shí)發(fā)光效率降低，超過600M/eV時(shí)，因?yàn)?3能量差(Si—T。過小，有時(shí)效率降低。考慮到與金屬絡(luò)合物的發(fā)光効率相關(guān)的系數(shù)，該d軌道系數(shù)優(yōu)選200500%/eV，更優(yōu)選200400%/eV，特別優(yōu)選200300%/eV。在本說明書中，"配體"是指，例如上述通式(1)或(5)表示的結(jié)構(gòu)(也包括例如下述通式(4-1)或通式(4-2)表示的結(jié)構(gòu)等下位概念。)中除去金屬原子M的部分。并且，在本說明書中，"二面角"是指從處于基態(tài)的金屬絡(luò)合物中算出的角度。在本說明書中，二面角是從根據(jù)計(jì)算科學(xué)的方法所求出的金屬絡(luò)合物的基態(tài)的最優(yōu)化結(jié)構(gòu)(即該金屬絡(luò)合物的生成能量最小的結(jié)構(gòu))中求出的。具體來說，M(L)3(在此，M與上述相同，L表示配體。)表示的存在多個(gè)相同配體的金屬絡(luò)合物中，將二面角定義為各配體的二面角的平均值。如M(L)2(L2),(在此，M表示與上述相同的含意，L及L2表示不同的配體。)那樣，存在的多個(gè)配體不同時(shí)，不同配體中的任一個(gè)(例如上述式中，配體L的二面角的值及配體L2的二面角的數(shù)值中的任一個(gè))，必須滿足上述二面角的范圍。但是，存在多個(gè)相同配體時(shí)(例如上述式中配體L)，相同的配體(例如上述式中配體L。)的二面角為各配體中的二面角的平均值。此外，在本說明書中，d軌道系數(shù)利用計(jì)算科學(xué)的方法求出。作為用于計(jì)算上述二面角及d軌道系數(shù)的計(jì)算科學(xué)的方法，已知有基于半經(jīng)驗(yàn)方法以及非經(jīng)驗(yàn)方法的分子軌道法、密度泛函數(shù)法等。為了使金屬絡(luò)合物結(jié)構(gòu)最優(yōu)化，例如可使用Hartree-Fock(HF)法或密度泛函數(shù)法。在本說明書中，使用量子化學(xué)計(jì)算程序Gaussian03，利用B3LYP水平的密度泛函數(shù)法，使金屬絡(luò)合物的基態(tài)結(jié)構(gòu)最優(yōu)化，計(jì)算配體內(nèi)的二面角的同時(shí)，進(jìn)行該最優(yōu)化結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物的分子軌道的分布分析，計(jì)算金屬絡(luò)合物的最高占有分子軌道(HOMO)中金屬原子(即中心金屬原子)M的最外層d軌道的軌道系數(shù)平方之和相對(duì)于全部原子軌道系數(shù)平方之和所占的比例(％)。此時(shí)，作為基函數(shù)，金屬原子(即中心金屬原子)使用LANL2DZ，除此之外的原子使用6-31G、金屬絡(luò)合物的分布分析按照如下所述進(jìn)行。即上述金屬絡(luò)合物的HOMO中，金屬原子M的最外層d軌道的軌道系數(shù)平方之和相對(duì)于全部原子軌道系數(shù)平方之和所占的比例PdH0M0(%)，根據(jù)下述公式pdH0M0(%)=i:id(GidH0M0)2/Sn(GnHOMO)、100(%)計(jì)算出。式中，id、n分別表示上述計(jì)算方法及基函數(shù)中所考慮的d軌道的數(shù)量、全部原子軌道的數(shù)量。CidH°M°、C嚴(yán),分別表示HOMO的id、n表示的原子軌道系數(shù)。最低激發(fā)單重態(tài)能量S"eV)、最低激發(fā)三重態(tài)能量T,(eV)、以及其能量差Si—T,(eV)，在結(jié)構(gòu)最優(yōu)化后，使用上述相同的基函數(shù)，使用B3LYP水平的時(shí)間相關(guān)密度泛函數(shù)法計(jì)算。一般來說，因?yàn)榘殡S著從三重態(tài)激發(fā)態(tài)向單重態(tài)基態(tài)的躍遷而從三重態(tài)激發(fā)態(tài)發(fā)光(磷光)是禁戒躍遷，所以三重態(tài)激發(fā)態(tài)的壽命與通常的單重態(tài)狀態(tài)的壽命相比長(zhǎng)數(shù)個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，可在能量高不穩(wěn)定狀態(tài)的激發(fā)態(tài)停留更長(zhǎng)時(shí)間。因此，通過與近旁存在的化合物反應(yīng)的失活過程、三重態(tài)激發(fā)態(tài)的金屬絡(luò)合大量存在而形成飽和狀態(tài)，容易產(chǎn)生所謂的三重態(tài)一三重態(tài)湮滅現(xiàn)象，可影響磷光發(fā)光的效率。即為了穩(wěn)定高效地發(fā)光，優(yōu)選容易解除禁戒躍遷的三重態(tài)激發(fā)態(tài)的壽命短的金屬絡(luò)合物。構(gòu)成金屬絡(luò)合物的配體，對(duì)金屬絡(luò)合物的發(fā)光顏色、發(fā)光強(qiáng)度、發(fā)光効率等產(chǎn)生影響。因此，作為金屬絡(luò)合物，優(yōu)選由使配體內(nèi)能量失活過程最少的結(jié)構(gòu)組成的配體所構(gòu)成的金屬絡(luò)合物。為了使能量失活過程最少，優(yōu)選通過使配體更加剛直，降低配體的運(yùn)動(dòng)性，從而使金屬絡(luò)合物的耐久性提高。從以上觀點(diǎn)來看，作為金屬絡(luò)合物，優(yōu)選具有抑制構(gòu)成配體的環(huán)狀結(jié)構(gòu)(具體為Z,環(huán)和Z2環(huán))運(yùn)動(dòng)的結(jié)構(gòu)、即具有運(yùn)動(dòng)能量壁壘高的結(jié)構(gòu)。進(jìn)而，從發(fā)光効率、穩(wěn)定性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選用配體至少屏蔽一部分金屬原子(即中心金屬原子)。作為金屬絡(luò)合物的中心金屬的金屬原子M是過渡金屬原子。過渡金屬原子在金屬絡(luò)合物中有自旋一軌道相互作用，可產(chǎn)生單重態(tài)和三重態(tài)之間的系間竄躍。優(yōu)選釕、銠、鈀、鋨、銥以及鉑的金屬原子，更優(yōu)選鋨、銥、鉬，最優(yōu)選銥以及鉑，特別優(yōu)選銥。上述通式(1)中Z,環(huán)表示的"環(huán)狀結(jié)構(gòu)"，是指芳香環(huán)、非芳香環(huán)、這些環(huán)的氫原子的一部分或全部被取代后的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，可以是單環(huán)也可以是稠環(huán)。具體來說，可例舉芳香烴環(huán)、芳香雜環(huán)、脂環(huán)烴，是指這些環(huán)多環(huán)稠合而成的環(huán)、這些環(huán)的氫原子的一部分或全部被取代的環(huán)等，優(yōu)選含有上述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)的環(huán)。作為單環(huán)芳香烴環(huán)，例如可例舉苯。作為稠環(huán)芳香烴環(huán)，例如可例舉萘、蒽、菲等。作為單環(huán)芳香雜環(huán)，例如可例舉吡啶、嘧啶、噠嗪等。作為稠環(huán)芳香雜環(huán)，例如可例舉喹喔啉、菲咯啉、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硅雜環(huán)戊二烯(dibenzosilole)等。作為脂環(huán)烴環(huán)，例如可例舉環(huán)丁烷、環(huán)戊烷、環(huán)己烷等。作為其它稠環(huán)結(jié)構(gòu)，可例舉四氫化萘、四氫異喹啉等。上述通式(1)中的環(huán)Z!，只要是含有C(碳原子)和Xi(碳原子或氮原子)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)即可，對(duì)于構(gòu)成該環(huán)狀結(jié)構(gòu)的元素沒有特別限定，但優(yōu)選用選自碳原子、氮原子、氧原子、硫原子、磷原子以及硅原子中的元素構(gòu)成，更優(yōu)選用選自碳原子、氮原子、氧原子以及硫原子的元素構(gòu)成，最優(yōu)選用碳原子以及氮原子構(gòu)成。構(gòu)成該環(huán)狀結(jié)構(gòu)的元素的數(shù)量，只要該環(huán)狀結(jié)構(gòu)能夠與中心金屬M(fèi)進(jìn)行配位，就沒有特別限定，優(yōu)選為5個(gè)以上，更優(yōu)選為6個(gè)以上。該環(huán)狀結(jié)構(gòu)的氫原子的一部分或全部，可分別獨(dú)立地被鹵原子、垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、?；?、*酰氧基、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅垸氧基、取代甲硅垸硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、取代羧基或氰基取代。上述通式(1)中的環(huán)Z2表示的"環(huán)狀結(jié)構(gòu)"，是指芳香環(huán)、非芳香環(huán)、這些環(huán)的氫原子的一部分或全部被取代的環(huán)狀結(jié)構(gòu)?？梢允菃苇h(huán)也可以是稠環(huán)。具體來說，可例舉芳香烴環(huán)、芳香雜環(huán)、脂環(huán)烴等，是指這些環(huán)多環(huán)稠合而成的環(huán)、這些環(huán)的氫原子的一部分或全部被取代的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，優(yōu)選含有上述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。作為芳香烴環(huán)、芳香雜環(huán)、脂環(huán)烴等的具體例，可例舉上述的結(jié)構(gòu)。上述通式(1)中的環(huán)Z2，只要是含有N(氮原子)和X2(碳原子或氮原子)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)即可，對(duì)構(gòu)成該環(huán)狀結(jié)構(gòu)的元素沒有特別限定，優(yōu)選用選自碳原子、氮原子、氧原子、硫原子、磷原子以及硅原子的元素構(gòu)成，更優(yōu)選用選自碳原子、氮原子、氧原子以及硫原子的元素構(gòu)成，最優(yōu)選用碳原子以及氮原子構(gòu)成。構(gòu)成該環(huán)狀結(jié)構(gòu)的元素的數(shù)量，只要該環(huán)狀結(jié)構(gòu)能夠與中心金屬M(fèi)進(jìn)行配位，沒有特別限定，優(yōu)選5個(gè)以上，更優(yōu)選6個(gè)以上。該環(huán)狀結(jié)構(gòu)的氫原子的一部分或全部，可分別獨(dú)立地被鹵原子、垸基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳垸硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅垸氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、取代羧基或氰基取代。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，上述Zi環(huán)具有上述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)，或上述Z2環(huán)具有上述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)，或上述Z,環(huán)具有上述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)并且上述Z2環(huán)具有上述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)。上述通式(2)中的Zu)，只要是環(huán)狀結(jié)構(gòu)即可，沒有特別限定，通常為5元環(huán)或6元環(huán)。上述通式(2)中的Zh)表示的"環(huán)狀結(jié)構(gòu)"，是指無取代或取代的芳香環(huán)、無取代或取代的非芳香環(huán)等，具體是指例如無取代或取代的苯環(huán)、無取代或取代的稠環(huán)、無取代或取代的脂環(huán)烴、這些環(huán)多環(huán)稠合而成的環(huán)等。上述通式(2)中Zn表示的"環(huán)狀結(jié)構(gòu)"，是指除下述式Y(jié)fY2表示的鍵以外，由單鍵構(gòu)成的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，更加具體來說，是指Yi以及Y2以外的原子全部以單鍵結(jié)合的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。Zu表示的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，Yi及Y2分別獨(dú)立地為碳原子或氮原子，并且只要滿足上述條件，對(duì)構(gòu)成該環(huán)狀結(jié)構(gòu)的原子種類沒有特別限定，優(yōu)選用選自碳原子、氮原子、氧原子、硫原子、磷原子以及硅原子中的元素構(gòu)成，更優(yōu)選用選自碳原子、氮原子、氧原子以及硫原子中的元素構(gòu)成，最優(yōu)選用碳原子及氮原子構(gòu)成。作為上述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)，例如可例舉r1等。(式中，女表示與過渡金屬原子M結(jié)合的部位，RE、Rf、Rg、RH、W以及RJ，分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳垸硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、取代羧基、或氰基，或者RE及RF、R^及rH、RH及R1、或Ri及RJ可結(jié)合形成芳香環(huán)。優(yōu)選RE及RG分別獨(dú)立地為氫原子或氟原子，優(yōu)選RF、RH、W以及RJ分別獨(dú)立地為氫原子或鹵原子、烷基、垸氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基)。上述通式(3)中的Zm，只要是環(huán)狀結(jié)構(gòu)即可，沒有特別限定，通常為5元環(huán)或6元環(huán)。上述通式(3)中的Z2o表示的"環(huán)狀結(jié)構(gòu)"是指無取代或取代的芳香環(huán)、無取代或取代的非芳香環(huán)等，具體是指例如無取代或取代的苯環(huán)、無取代或取代的稠環(huán)、無取代或取代的脂環(huán)烴、這些環(huán)多環(huán)稠合而成的環(huán)等。上述通式(3)中Z^表示的"環(huán)狀結(jié)構(gòu)"是指，除下述式表示的鍵以外，由單鍵構(gòu)成的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。Z2,表示的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，Y3及Y4分別獨(dú)立地為碳原子或氮原子，并且只要滿足上述條件，對(duì)構(gòu)成該環(huán)狀結(jié)構(gòu)的原子種類沒有特別限定，優(yōu)選用選自碳原子、氮原子、氧原子、硫原子、磷原子以及硅原子中的元素構(gòu)成，更優(yōu)選用選自碳原子、氮原子、氧原子以及硫原子中的元素構(gòu)成，最優(yōu)選用碳原子及氮原子構(gòu)成。作為上述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)，例如可例舉等。(式中，*表示與過渡金屬原子M結(jié)合的部位，RERJ分別獨(dú)立地具有與上述相同的含義，并且，RE及RF、RG及RH、RH及R1、或W及RJ可結(jié)合形成芳香環(huán))作為上述通式(1)表示的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選下述通式(4-1)及下述通式(4-2)表示的結(jié)構(gòu)，(式中，M與上述相同，RA、Rb、Rc、Rd、RE及RF分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳垸硫基、?；ⅤＱ趸?、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅垸氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、取代羧基、或氰基，或者逸自RA及RB、RB及RG、Re及R以及RE及W中的至少一組可結(jié)合形成芳香環(huán)。進(jìn)而，優(yōu)選RA、RD以及RE分別獨(dú)立地為氫原子或氟原子，優(yōu)選RB及Re分別獨(dú)立地為氫原子或鹵原子、垸基、烷氧基、芳基、或一價(jià)雜環(huán)基)此外，作為上述通式(1)表示的結(jié)構(gòu)，例如可例舉下述通式(式中，M與上述相同，R分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、垸基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、?；?、酰氧基、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅垸基、取代甲硅垸氧基、取代甲硅垸硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、取代羧基、或氰基，或者相鄰的R可結(jié)合形成芳香環(huán))所表示的結(jié)構(gòu)，其中，特別優(yōu)選上述通式(4-1)或上述通式(4-2)表示結(jié)構(gòu)。作為具有上述通式(1)表示的結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第一金屬絡(luò)合物的具體例，可例舉下述通式表示的絡(luò)合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>(式中，M與上述相同，n是根據(jù)金屬原子M的種類而確定的整數(shù))其中，優(yōu)選具有上述通式(4-1)或上述通式(4-2)表示的結(jié)構(gòu)的絡(luò)合物。上述式中，使金屬絡(luò)合物成為電中性，例如M為銠或銥時(shí)n為3，M為鈀或鉑時(shí)n為2。此外，這些具體例是用M(L)n(在此，M表示與上述相同的含義，L是配體，n二2或3)表示的絡(luò)合物，但本發(fā)明的第一金屬絡(luò)合物，也可以如用M(L)ml(L2)m2、M(L)(L2)(L3)(在此，M及L表示與上述相同的含義，L、L2及L3是不同的配體，mi及m2獨(dú)立為l或2，m!+m2二2或3。)等表示的那樣，由不同的配體構(gòu)成。如果M(L)是上述通式(1)表示的結(jié)構(gòu)，k及L3無特別限定。只要不損壞本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的特性，k及L3可以是任意的配體，例如為下述單齒配體、雙齒配體。作為單齒配體，例如可例舉炔基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、?；?、鏈烯基、烷基、烷氧基、烷硫基、芳硫基、烯醇基、酰胺基、氫原子、垸基、芳基、雜環(huán)配體、羧基、酰胺基、亞胺基、垸氧基、垸基巰基、羰基配體、鏈烯烴配體、炔烴配體、胺配體、亞胺配體、腈配體、異腈配體、膦配體、膦氧化物配體、亞磷酸配體、醚配體、砜(sulfone)配體、亞砜配體、硫化物配體等。任何配體均可被氟原子、氯原子等鹵原子取代。作為雙齒配體，無特別限定，例如可例舉以下配體。RRRR、、R*N、一*N'、、RRR,R、RRRR、R、RR(圖中、女表示與過渡金屬原子M結(jié)合的部位，R分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅垸氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、取代羧基、或氰基，并且相鄰的R可結(jié)合形成芳香環(huán)。)構(gòu)成本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的配體含有的環(huán)狀結(jié)構(gòu)(例如Zi環(huán)、&環(huán)等)可具有取代基。作為該取代基，可例舉鹵原子、垸基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、?；?、酰氧基、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷氧基、取代甲硅垸硫基、取代甲硅垸氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、取代羧基、氰基等。環(huán)狀結(jié)構(gòu)上存在多個(gè)取代基時(shí)，這些取代基可以相同，也可以不同。作為鹵原子，可例示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。烷基可以為直鏈、支鏈或環(huán)狀垸基中的任一種。碳原子數(shù)通常為lIO左右，優(yōu)選碳原子數(shù)為310。具體可例舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)己基、庚基、辛基、2—乙基己基、壬基、癸基、3，7—二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等，優(yōu)選戊基、己基、辛基、2—乙基己基、癸基、3，7—二甲基辛基。垸氧基可以是直鏈、支鏈或環(huán)狀垸氧基中的任一種。碳原子數(shù)通常為110左右，優(yōu)選碳原子數(shù)為310。具體可例舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7—二甲基辛氧基、十二烷氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基、甲氧基甲基氧基、2—乙氧基乙基氧基等，優(yōu)選戊氧基、己氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、癸氧基、3，7—二甲基辛氧基。烷硫基可以是直鏈、支鏈或環(huán)狀垸硫基中的任一種。碳原子數(shù)通常為110左右，優(yōu)選碳原子數(shù)為310。具體可例舉甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、環(huán)己硫基、庚硫基、辛硫基、2—乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7—二甲基辛硫基、十二垸硫基、三氟甲硫基等，優(yōu)選戊硫基、己硫基、辛硫基、2一乙基己硫基、癸硫基、3，7—二甲基辛硫基。芳基的碳原子數(shù)通常為660左右，優(yōu)選74S。具體可例舉苯基、C,d2烷氧基苯基("dd2垸氧基"是指垸氧基部分的碳原子數(shù)為112。以下相同。)、dC,2烷基苯基("dd2烷基"是指烷基部分的碳原子數(shù)為112。以下相同。)、l一萘基、2—萘基、l一蒽基、2—蒽基、9—蒽基、五氟苯基等，優(yōu)選dd2烷氧基苯基、dC,2烷基苯基。在此，芳基是從芳香族烴中除去l個(gè)氫原子后的原子團(tuán)。在此作為芳香族烴，包括具有稠環(huán)的芳香族烴，獨(dú)立的苯環(huán)或2個(gè)以上的稠環(huán)直接或通過亞乙烯基結(jié)合的芳香族烴。進(jìn)而，該芳基可以具有取代基，作為該取代基，可以例舉C,C,2烷氧基苯基、Qd2垸基苯基等。作為Qd2垸氧基，具體可例舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7—二甲基辛氧基、十二垸氧基等。作為dd2烷基苯基，具體可例示甲苯基、乙苯基、二甲基苯基、丙基苯基、茶基、甲基乙基苯基、異丙基苯基、丁基苯基、異丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、異戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二垸基苯等。作為芳氧基，碳原子數(shù)通常為660左右，優(yōu)選748。具體可例示苯氧基、C,d2烷氧基苯氧基、C,C,2垸基苯氧基、l一萘氧基、2—萘氧基、五氟苯基氧基等，優(yōu)選C,d2烷氧基苯氧基、dd2垸基苯氧基。作為Qd2烷氧基的具體例，可例舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7—二甲基辛氧基、十二烷氧基等。作為dd2垸基苯氧基的具體例，可例舉甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5—三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、異丙基苯氧基、丁基苯氧基、異丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、異戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。作為芳硫基，碳原子數(shù)通常為660左右，優(yōu)選748。具體可例舉苯硫基、QCu烷氧基苯硫基、C,C,2烷基苯硫基、1一萘硫基、2—萘硫基、五氟苯硫基等，優(yōu)選C,Cn烷氧基苯硫基、C,Cu烷基苯硫基。芳烷基的碳原子數(shù)通常為760左右，優(yōu)選748。具體可例舉苯基一C,C,2垸基、dC,2烷氧基苯基一C,C,2烷基、C,d2垸基苯基一QC,2垸基、1一萘基一C,d2烷基、2—萘基一dCu院基等，優(yōu)選CiC!2烷氧基苯基一CiC!2烷基、C!C!2烷基苯基一C，Ci2烷基o芳垸氧基的碳原子數(shù)通常為760左右，優(yōu)選748。具體可例舉苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等的苯基一dC,2垸氧基、dd2垸氧基苯基一C,Cu烷氧基、C,d2垸基苯基一dQ2垸氧基、1—萘基—C,d2烷氧基、2—萘基一dd2垸氧基等，優(yōu)選Cid2院氧基苯基一dd2垸氧基、C,C!2烷基苯基一CiCi2烷氧基。芳垸硫基的碳原子數(shù)通常為760左右，優(yōu)選74S。具體可例舉苯基—dCu烷硫基、dd2垸氧基苯基一C,d2烷硫基、Gd2烷基苯基一dd2烷硫基、1一萘基一C,d2垸硫基、2—萘基一dQ2烷硫基等，優(yōu)選QCn烷氧基苯基一dd2垸硫基、dd2垸基苯基—CiC!2烷硫基。?；奶荚訑?shù)通常為220左右，優(yōu)選218。具體可例舉乙酰基、丙?；?、丁?；惗□；?、三甲基乙?；?、苯甲酰基、三氟乙?；?、五氟苯甲?；取ｕＱ趸奶荚訑?shù)通常為220左右，優(yōu)選218。具體可例舉乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、異丁酰氧基、三甲基乙酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。酰胺基的碳原子數(shù)通常為220左右，優(yōu)選21S。具體可例舉甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯酰胺基、雙三氟乙酰胺基、雙五氟苯酰胺基等。酰亞胺基是指從酰亞胺中除去1個(gè)與氮原子結(jié)合的氫原子所得到的一價(jià)殘基。該酰亞胺基的碳原子數(shù)通常為260左右，優(yōu)選24S。具體可例舉以下結(jié)構(gòu)式所示的基團(tuán)。(式中，一表示結(jié)合鍵，Me表示甲基、Et表示乙基、n—PR表示正丙基。以下相同。)亞胺殘基是指從亞胺化合物(即分子內(nèi)具有一N二C一的有機(jī)化合物。其例子可例舉醛亞胺、酮亞胺、以及這些分子中的氮原子上結(jié)合的氫原子被垸基等取代后的化合物等。)中除去l個(gè)氫原子后的一價(jià)殘基。亞胺殘基的碳原子數(shù)通常為220左右，優(yōu)選21S。具體可例舉以下結(jié)構(gòu)式表示的基團(tuán)等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>(式中，i—Pr表示異丙基，n—Bu表示正丁基，t—Bu表示叔丁基。波線表示的鍵是指"用楔形表示的鍵"及/或"用虛線表示的鍵"。在此，"用楔形表示的鍵"是指從紙面向外側(cè)伸出的鍵，"用虛線表示的鍵"是指向紙面內(nèi)側(cè)伸出的鍵。)取代氨基是指被選自烷基、芳基、芳垸基或一價(jià)雜環(huán)基中的1個(gè)或2個(gè)基團(tuán)取代的氨基，該烷基、芳基、芳垸基或一價(jià)雜環(huán)基也可具有取代基。碳原子數(shù)不包括該取代基的碳原子數(shù)時(shí)通常為160左右，優(yōu)選248。具體可例舉甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、異丙基氨基、二異丙基氨基、丁基氨基、異丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、環(huán)己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2—乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3,7—二甲基辛基氨基、十二烷基氨基、環(huán)戊基氨基、二環(huán)戊基氨基、環(huán)己基氨基、二環(huán)己基氨基、吡咯烷基、氮雜環(huán)己環(huán)基、雙三氟甲基氨基苯基氨基、二苯基氨基、Qd2烷氧基苯基氨基、二(C!d2烷氧基苯基)氨基、二(Qd2垸基苯基)氨基、1一萘基氨基、2—萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、噠嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基苯基一C,d2烷基氨基、Qd2烷氧基苯基—dd2垸基氨基、C,C,2垸基苯基一dC!2垸基氨基、二(dd2烷氧基苯基一dC,2烷基)氨基、二(C,d2烷基苯基一dd2烷基)氨基、1一萘基一Cid2烷基氨基、2—萘基一QCu烷基氨基等。取代甲硅烷基是指被選自烷基、芳基、芳垸基或一價(jià)雜環(huán)基中的l、2或3個(gè)基團(tuán)取代的甲硅垸基，碳原子數(shù)通常為160左右，優(yōu)選348。此外，該垸基、芳基、芳垸基或一價(jià)雜環(huán)基可具有取代基。具體可例舉三甲基甲硅垸基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三異丙基甲硅烷基、二甲基一異丙基甲硅烷基、二乙基異丙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅垸基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅垸基、辛基二甲基甲硅垸基、2—乙基己基一二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅垸基、3，7—二甲基辛基一二甲基甲硅烷基、十二烷基二甲基甲硅烷基、苯基一dd2垸基甲硅烷基、dd2烷氧基苯基一dd2烷基甲硅烷基、dd2垸基苯基一C!d2烷基甲硅垸基、1一萘基一C,d2烷基甲硅烷基、2—萘基一dd2烷基甲硅垸基、苯基一dd2垸基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅垸基、三(對(duì)二甲苯基)甲硅垸基、三芐基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基等。取代甲硅垸氧基是指被選自垸氧基、芳氧基、芳垸氧基或一價(jià)雜環(huán)氧基中的1、2或3個(gè)基團(tuán)取代的甲硅烷氧基，碳原子數(shù)通常為160左右，優(yōu)選348。此外，該烷氧基、芳氧基、芳垸氧基或一價(jià)雜環(huán)氧基可具有取代基。具體可例舉三甲基甲硅垸氧基、三乙基甲硅垸氧基、三丙基甲硅烷氧基、三異丙基甲硅垸氧基、二甲基異丙基甲硅烷氧基、二乙基異丙基甲硅烷氧基、叔丁基二甲基甲硅烷氧基、戊基二甲基甲硅烷氧基、己基二甲基甲硅垸氧基、庚基二甲基甲硅垸氧基、辛基二甲基甲硅烷氧基、2—乙基己基一二甲基甲硅烷氧基、壬基二甲基甲硅烷氧基、癸基二甲基甲硅烷氧基、3，7—二甲基辛基一二甲基甲硅垸氧基、十二烷基二甲基甲硅垸氧基、苯基一dC,2烷基甲硅烷氧基、dC12垸氧基苯基一dd2烷基甲硅烷氧基、Cid2垸基苯基一C,d2烷基甲硅烷氧基、1一萘基一Qd2烷基甲硅垸氧基、2—萘基一dd2垸基甲硅烷氧基、苯基一dC,2垸基二甲基甲硅烷氧基、三苯基甲硅烷氧基、三(對(duì)二甲苯基)甲硅垸氧基、三芐基甲硅垸氧基、二苯基甲基甲硅烷氧基、叔丁基二苯基甲硅垸氧基、二甲基苯基甲硅垸氧基等。29取代甲硅烷硫基是指被選自烷硫基、芳硫基、芳烷硫基或一價(jià)雜環(huán)硫基中的1、2或3個(gè)基團(tuán)取代的甲硅烷硫基，碳原子數(shù)通常為160左右，優(yōu)選348。此外，該烷氧基、芳硫基、芳烷硫基或一價(jià)雜環(huán)硫基可具有取代基。具體可例舉三甲基甲硅垸硫基、三乙基甲硅烷硫基、三丙基甲硅烷硫基、三異丙基甲硅烷硫基、二甲基異丙基甲硅烷硫基、二乙基異丙基甲硅垸硫基、叔丁基二甲基甲硅烷硫基、戊基二甲基甲硅垸硫基、己基二甲基甲硅垸硫基、庚基二甲基甲硅垸硫基、辛基二甲基甲硅垸硫基、2—乙基己基一二甲基甲硅烷硫基、壬基二甲基甲硅垸硫基、癸基二甲基甲硅烷硫基、3，7—二甲基辛基一二甲基甲硅烷硫基、十二烷基二甲基甲硅垸硫基、苯基一dd2烷基甲硅烷硫基、dC,2烷氧基苯基一C,d2烷基甲硅烷硫基、Qd2烷基苯基一dCu垸基甲硅烷硫基、1—萘基一C,C'2烷基甲硅烷硫基、2—萘基一dC,2垸基甲硅垸硫基、苯基一QC,2烷基二甲基甲硅烷硫基、三苯基甲硅垸硫基、三(對(duì)二甲苯基)甲硅烷硫基、三芐基甲硅烷硫基、二苯基甲基甲硅垸硫基、叔丁基二苯基甲硅烷硫基、二甲基苯基甲硅烷硫基等。取代甲硅垸氨基是指被選自烷基氨基、芳基氨基、芳基烷基氨基或一價(jià)雜環(huán)氨基中的1、2或3個(gè)基團(tuán)取代的甲硅烷氨基，碳原子數(shù)通常為160左右，優(yōu)選348。該烷氧基、芳基氨基、芳基烷基氨基或一價(jià)雜環(huán)氨基可具有取代基。具體可例舉三甲基甲硅烷氨基、三乙基甲硅垸氨基、三丙基甲硅烷氨基、三異丙基甲硅烷氨基、二甲基異丙基甲硅烷氨基、二乙基異丙基甲硅垸氨基、叔丁基二甲基甲硅烷氨基、戊基二甲基甲硅烷氨基、己基二甲基甲硅烷氨基、庚基二甲基甲硅烷氨基、辛基二甲基甲硅垸氨基、2—乙基己基一二甲基甲硅烷氨基、壬基二甲基甲硅烷氨基、癸基二甲基甲硅垸氨基、3，7—二甲基辛基一二甲基甲硅垸氨基、十二烷基二甲基甲硅烷氨基、苯基一C,d2烷基甲硅烷氧基、dd2烷氧基苯基一dd2烷基甲硅垸氨基、Cid2垸基苯基一C,C,2垸基甲硅烷氨基、l一萘基一Qd2烷基甲硅垸氨基、2—萘基一dd2垸基甲硅烷氨基、苯基一C,d2烷基二甲基甲硅垸氨基、三苯基甲硅烷氨基、三(對(duì)二甲苯基)甲硅烷氨基、三芐基甲硅烷氨基、二苯基甲基甲硅烷氨基、叔丁基二苯基甲硅垸氨基、二甲基苯基甲硅垸氨基等。一價(jià)雜環(huán)基是指從雜環(huán)化合物中除去1個(gè)氫原子后剩下的原子團(tuán)，碳原子數(shù)通常為460左右，優(yōu)選420。此外，雜環(huán)基的碳原子數(shù)中不包括取代基的碳原子數(shù)。在此，雜環(huán)化合物是指具有環(huán)式結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物中，構(gòu)成環(huán)的元素不僅有碳原子，環(huán)內(nèi)還含有氧、硫、氮、磷、硼等雜原子的化合物。具體可例舉噻吩基、C,d2烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、Qd2烷基吡啶基、氮雜己環(huán)基、喹啉基、異喹啉基等，優(yōu)選噻吩基、dCu垸基噻吩基、吡啶基、dd2垸基吡啶基。作為雜芳氧基，碳原子數(shù)通常為660左右，優(yōu)選748。具體可例舉噻吩基、dd2烷氧基噻吩基、Qd2烷基噻吩基、吡啶氧基、吡啶氧基、異喹啉氧基等，優(yōu)選dQ2烷氧基吡啶基、dd2烷基吡啶基。作為Qd2垸氧基，具體可例舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7—二甲基辛氧基、十二烷氧基等。作為C,d2垸基吡啶氧基，具體可例舉甲基吡啶氧基、乙基吡啶氧基、二甲基吡啶氧基、丙基吡啶氧基、1，3，5—三甲基吡啶氧基、甲基乙基吡啶氧基、異丙基吡啶氧基、丁基吡啶氧基、異丁基吡啶氧基、叔丁基吡啶氧基、戊基吡啶氧基、異戊基吡啶氧基、己基吡啶氧基、庚基吡啶氧基、辛基吡啶氧基、壬基吡啶氧基、癸基吡啶氧基、十二烷基吡啶氧基等。作為雜芳硫基，碳原子數(shù)通常為660左右，優(yōu)選748。具體可例舉吡啶硫基、C,C,2烷氧基吡啶硫基、C,d2烷基妣啶硫基、異喹啉硫基等，優(yōu)選C,d2垸氧基吡啶硫基、dd2烷基吡啶硫基。芳基鏈烯基的碳原子數(shù)通常為760左右，優(yōu)選748。具體可例舉苯基一C2d2鏈烯基("C2d2鏈烯基"是指鏈烯基部分的碳原子數(shù)為212。以下相同。)、C,Q2烷氧基苯基一C2Q2鏈烯基、dCi2烷基苯基一C2d2鏈烯基、1一萘基一C2C,2鏈烯基、2—萘基一C2C,2鏈烯基等，優(yōu)選C,d2烷氧基苯基一C2d2鏈烯基、C2d2烷基苯基—QC,2鏈烯基。芳基炔基的碳原子數(shù)通常為760左右，優(yōu)選74S。具體可例舉苯基一C2d2炔基("Qd2炔基"是指炔基部分的碳原子數(shù)為212。以下相同。)、dQ2烷氧基苯基一C2d2炔基、dd2垸基苯基一C2C,2炔基、1一萘基一C2d2炔基、2—萘基一C2Cu炔基等，優(yōu)選dCu垸氧基苯基一C2d2炔基、Cd2烷基苯基一C2C,2炔基。取代羧基，碳原子數(shù)通常為260左右，優(yōu)選24S。是指被烷基、芳基、芳烷基或一價(jià)雜環(huán)基取代的羧基，可例舉甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、異丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、環(huán)己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2一乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3，7—二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、吡啶氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。此外，該烷基、芳基、芳烷基或一價(jià)雜環(huán)基可具有取代基。取代羧基的碳原子數(shù)中不包括該取代基的碳原子數(shù)。一第二金屬絡(luò)合物一本發(fā)明的第二金屬絡(luò)合物，具有上述通式(1)表示的結(jié)構(gòu)，并且上述Z，環(huán)具有上述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)，或者上述Z2環(huán)具有上述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)，或者上述Z,環(huán)具有上述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)且上述Z2環(huán)具有上述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)。此外，在本發(fā)明的第二金屬絡(luò)合物中，金屬原子M、X,、X2、Z!環(huán)(即包括Zu)環(huán)、Zn環(huán)、Y!及Y》、Z2環(huán)(即包括Z2o環(huán)、Z^環(huán)、Y3及Y》以及RARF與上述說明例舉的相同。本發(fā)明的第二金屬絡(luò)合物，沒有特別限定，優(yōu)選具有上述通式(4-1)或上述通式(4-2)表示的結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物。此外，該金屬絡(luò)合物的最高占有分子軌道中，該金屬原子M的最外層d軌道的軌道系數(shù)平方之和相對(duì)于全部原子軌道系數(shù)平方之和所占的比例優(yōu)選為33.3%以上，更優(yōu)選為33.3%以上且66.7%以下，最優(yōu)選40%以上且66.7%以下，特優(yōu)選50%以上且66.7%以下。本發(fā)明的第二金屬絡(luò)合物，可以不滿足上述條件A(二面角)及條件B(d軌道系數(shù))，但從配體的穩(wěn)定性、金屬絡(luò)合物的發(fā)光効率的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選滿足這些條件(此時(shí)，包含于上述第一金屬絡(luò)合物)。作為本發(fā)明的第二金屬絡(luò)合物的具體例，可例舉與作為具有上述通式(1)表示的結(jié)構(gòu)的第一金屬絡(luò)合物的具體例所例舉的相同的化合物(但是，不一定要滿足上述條件A及條件B)等。此外，作為該金屬絡(luò)合物，例如可以為下述等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>本發(fā)明的第二金屬絡(luò)合物，與上述第一金屬絡(luò)合物相同，可以為由相同配體構(gòu)成的用M(L)n(在此，M、L及n表示與上述相同的含義。)表示的金屬絡(luò)合物，也可以為由不同配體構(gòu)成的用M(L)mi(L2)m2、M(L)(L2)(L3)(在此，M、L、L2、L3、rr^及m2表示與上述相同的含義。)等表示的金屬絡(luò)合物。一第三金屬絡(luò)合物一本發(fā)明的第三金屬絡(luò)合物是具有上述通式(5)表示的結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物。本發(fā)明的第三金屬絡(luò)合物，可以不滿足上述條件A(二面角)及條件B(d軌道系數(shù))，但從配體的穩(wěn)定性、金屬絡(luò)合物的發(fā)光効率的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選滿足這些條件。條件A及條件B的優(yōu)選范圍和詳細(xì)情況如上所述。在本發(fā)明的第三金屬絡(luò)合物中，金屬原子M、X,、X2、^環(huán)(即含有Z!。環(huán)、Zn環(huán)、Yi及Y2。)、Z2環(huán)(即含有Z2o環(huán)、Z^環(huán)、YjY4。)以及RARD，與上述說明例舉的相同。上述通式(5)中，A表示與Zi環(huán)中的l個(gè)原子和Z2環(huán)中的l個(gè)原子相結(jié)合的連結(jié)基團(tuán)，該連結(jié)基團(tuán)由選自用一C(R5Q1)(R502)—、—N(R503)—、—P(R504)一、—P(二0)(R507)一、一Si(R505)(R506)一、以及一S02—表示的基團(tuán)中的26個(gè)基團(tuán)形成。構(gòu)成該連結(jié)基團(tuán)的上述基團(tuán)通常為26個(gè)，優(yōu)選24個(gè)，更優(yōu)選2個(gè)。作為該連結(jié)基團(tuán)，具體可例舉下述式(5-A1)(5-A10)表示的基—C(R501)(RS02)一C(R501)(R502)—C(R501)(R502)N(R503)—P(R504)-Si(R505)(R506)—'一C(R501)(R502)—P(=〇)(R507)-一C(R501)(R502)—S〇2—一Si(R505)(R506)-N(R503)—一Si(R505)(R506)—P(R504)——Si(R505)(R506)—Si(R505)(R506)一Si(R505)(R506)-P(=〇)(R507)—一Si(R505)(R506)—SO廣(5-A1)(5—A2)(5-A3)(5—A4)(5-A5)(5-A6)(5-A7)(5—A8)(5—A9)(5—Al0)該連結(jié)基團(tuán)中的氫原子的一部分或全部可以被氟原子取代。式中R訓(xùn)R，如上所述。上述R^R^表示的烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳烷硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅垸氧基、一價(jià)雜環(huán)基以及鹵原子，與上述作為構(gòu)成本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的配體含有的環(huán)狀結(jié)構(gòu)(例如Z,環(huán)、Z2環(huán)等)所可具有的取代基而進(jìn)行說明的示例的相同。作為上述通式(5)表示的結(jié)構(gòu)，例如可例舉下述通式表示的結(jié)構(gòu)等。R*R*R*R*R*(式中，m與上述相通，s;分別獨(dú)立地表示氫原子、垸基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅垸氧基、一價(jià)雜環(huán)基或鹵原子。)作為具有上述通式(5)表示的結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第三金屬絡(luò)合物的具體例，可例舉含有下述通式表示的結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物等。(式中，M、n以及R表示與上述相同的含義。)上述R表示的垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅垸基、甲硅垸氧基、取代甲硅烷氧基、一價(jià)雜環(huán)基以及鹵原子，與上述作為構(gòu)成本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的配體含有的環(huán)狀結(jié)構(gòu)(例如Zi環(huán)、Z2環(huán)等)所可具有的取代基而進(jìn)行說明的示例的相同。本發(fā)明的第三金屬絡(luò)合物與上述第一金屬絡(luò)合物相同，可以是由相同配體構(gòu)成的用M(L)n(在此，M、L及n表示與上述相同的含義。)表示的金屬絡(luò)合物，也可以是由不同配體構(gòu)成的用M(L)m,(L2)m2、M(L)(L2)(L3)(在此，M、L、L2、L3、m,及m2表示與上述相同的含義。)等表示的金屬絡(luò)合物。一絡(luò)合物的制造方法一以下對(duì)本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的合成方法進(jìn)行說明。本發(fā)明的金屬絡(luò)合物，例如可利用以下方法進(jìn)行制造。即將具有含Z,環(huán)的部分的化合物和具有含Z2環(huán)的部分的化合物，例如通過Suzuki偶聯(lián)、使用鎳催化劑的Grignard偶聯(lián)、Stille偶聯(lián)等進(jìn)行反應(yīng)，合成作為配體的化合物，通過將其與所需的金屬鹽在溶液中進(jìn)行反應(yīng)形成絡(luò)合物，可以合成本發(fā)明的金屬絡(luò)合物。合成作為上述配體的化合物，具體來說可通過下述反應(yīng)進(jìn)行，即將具有含Z,環(huán)的部分的化合物和具有含Z2環(huán)的部分的化合物，根據(jù)需要溶解在有機(jī)溶劑中，使用例如堿、適當(dāng)?shù)拇呋瘎稍谟袡C(jī)溶劑的融點(diǎn)以上沸點(diǎn)以下的溫度進(jìn)行反應(yīng)。例如可使用下述方法，《OrganicReactions))第14巻，270-490頁、JohnWiley&Sons,Inc.1965年；《OrganicSyntheses》、CollectiveVolumeVI、407-411頁、JohnWiley&Sons,Inc.1988年；《Chem.Rev.》第95巻、2457頁(1995年)；《J.Organomet.Chem.》第576巻、147頁(1999年);《J.Prakt.Chem.》第336巻、247頁(1994年);《Makromol.Chem.，Macromol.Symp.》第12巻、229頁(1987年)等所述的方法。作為合成作為上述配體的化合物所使用的有機(jī)溶劑，根據(jù)使用的化合物、反應(yīng)不同而不同，但是通常情況下為了抑制副反應(yīng)，使用充分實(shí)施脫氧處理后的有機(jī)溶劑。并且優(yōu)選在惰性環(huán)境下進(jìn)行反應(yīng)。此外，優(yōu)選對(duì)上述有機(jī)溶劑預(yù)先進(jìn)行脫水處理。但是，如Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)那樣在與水的2相體系中進(jìn)行反應(yīng)時(shí)不受此限定。在合成作為上述配體的化合物的過程中，為了使反應(yīng)進(jìn)行，適當(dāng)添加堿、適當(dāng)?shù)拇呋瘎┑取＿@些堿、適當(dāng)?shù)拇呋瘎?，可根?jù)采用的反應(yīng)來選擇，但優(yōu)選在反應(yīng)用溶劑中充分溶解的。作為將堿、適當(dāng)?shù)拇呋瘎┖突|(zhì)混合的方法，可例舉在氬、氮等惰性環(huán)境下一邊攪拌反應(yīng)液(即將基質(zhì)溶解或分散在有機(jī)溶劑中形成的液體)，一邊緩慢添加堿、催化劑的方法，或者相反，在堿、催化劑中緩慢添加該反應(yīng)液的方法。在合成作為上述配體的化合物的過程中，反應(yīng)溫度沒有特別限定，通常為一ioo35crc左右，優(yōu)選or溶劑的沸點(diǎn)。對(duì)反應(yīng)時(shí)間雖無特別限定，但通常為30分鐘30小時(shí)左右。在合成作為上述配體的化合物的過程中，上述反應(yīng)結(jié)束后，作為從反應(yīng)混合液中取出和精制目的產(chǎn)物(成為配體的化合物)的方法，根據(jù)獲得的作為配體的化合物的不同而不同，例如可使用重結(jié)晶、升華、色譜法等通常有機(jī)化合物的精制方法。作為形成絡(luò)合物的方法(即使作為配體的化合物和金屬鹽在溶液中反應(yīng)的方法)，例如是銥絡(luò)合物時(shí)，可例舉Inorg.Chem.1991，30，1685;Inorg.Chem.2001，40，1704;Chem丄ett.，2003，32，252等所述的方法；鉬絡(luò)合物時(shí)，可例舉Inorg.Chem.，1984，23，4249;Chem.Mater.1999，11，3709;Organometallics，1999，18，1801等所述的方法；鈀絡(luò)合物時(shí)，可例舉J.Org.Chem.，1987，52，73等所述的方法。形成絡(luò)合物的反應(yīng)溫度，沒有特別限定，通?？稍谌軇┑娜邳c(diǎn)到沸點(diǎn)之間反應(yīng)，優(yōu)選—78'C溶劑的沸點(diǎn)。反應(yīng)時(shí)間雖然沒有特別限定，但通常為30分鐘到30小時(shí)左右。但是，在形成絡(luò)合物的反應(yīng)中使用微波反應(yīng)裝置時(shí)，可在溶劑沸點(diǎn)以上進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)時(shí)間也沒有特別限定，從數(shù)分鐘到數(shù)小時(shí)左右。形成絡(luò)合物的反應(yīng)中的合成操作，在燒瓶?jī)?nèi)加入溶劑，將其進(jìn)行攪拌的同時(shí)利用氮?dú)?、氬氣等惰性氣體進(jìn)行鼓泡等進(jìn)行脫氣后，添加金屬鹽和作為配體的化合物。將這樣獲得的溶液進(jìn)行攪拌的同時(shí)在惰性氣體環(huán)境下升溫到可交換配體的溫度，保溫的同時(shí)進(jìn)行攪拌。反應(yīng)的終點(diǎn)，可根據(jù)TLC控制器、利用高效液相色譜法測(cè)定的原料減少的停止、或者根據(jù)任一種原料的消失來決定。作為從上述反應(yīng)獲得的反應(yīng)混合液中取出和精制目的產(chǎn)物(金屬絡(luò)合物)的方法，根據(jù)金屬絡(luò)合物的不同而不同，例如可使用重結(jié)晶、升華、色譜法等通常絡(luò)合物的精制方法。具體為例如通過在反應(yīng)混合液中添加不良溶劑1N的鹽酸溶液，使金屬絡(luò)合物析出，并將其過濾取出，將該固體溶解于二氯甲垸、三氯甲烷等有機(jī)溶劑中。將該溶液過濾除去不溶物，再濃縮，通過硅膠柱色譜法(二氯甲垸洗脫)進(jìn)行精制，收集目的產(chǎn)物的分級(jí)溶液，例如加入適量甲醇(不良溶劑)，進(jìn)行濃縮，使作為目的產(chǎn)物的金屬絡(luò)合物析出，將其過濾、干燥后獲得金屬絡(luò)合物?；衔锏蔫b定*分析，可通過CHN元素分析、NMR分析以及MS分析來進(jìn)行。例如，下述式(A)表示的本發(fā)明的金屬絡(luò)合物，可用以下合成路徑來合成。<高分子化合物>通過將本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的殘基整合到分子內(nèi)，可獲得高分子化合物。作為整合上述金屬絡(luò)合物的殘基的分子，例如可例舉下述作為電荷輸送材料使用的高分子有機(jī)化合物，其是共軛高分子有機(jī)化合物，因?yàn)楣曹梾^(qū)域廣、載子(電子或空穴)遷移率高，所以優(yōu)選。將本發(fā)明的金屬絡(luò)合物整合到高分子有機(jī)化合物內(nèi)時(shí)，作為在同一分子內(nèi)具有高分子有機(jī)化合物結(jié)構(gòu)和金屬絡(luò)合物殘基的高分子化合物的例子，可例舉1.高分子有機(jī)化合物的主鏈上具有金屬絡(luò)合物的殘基的高分子化合物；2.高分子有機(jī)化合物的末端具有金屬絡(luò)合物的殘基的高分子化合物;3.高分子有機(jī)化合物的側(cè)鏈上具有金屬絡(luò)合物的殘基的高分子化合物等。主鏈上具有金屬絡(luò)合物的殘基時(shí)，除在線形高分子的主鏈上整合了金屬絡(luò)合物的高分子化合物之外，還包括金屬絡(luò)合物與3個(gè)以上高分子鏈結(jié)合的高分子化合物。作為上述高分子化合物的例子，可例舉以下的高分子化合物，其含有具有上述通式(1)、上述通式(5)等所示結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物的殘基，聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為103108，并在其側(cè)鏈、主鏈或末端或在其中的2個(gè)以上中含有具有上述通式(1)、上述通式(5)等所示結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物的殘基。在本說明書中，"金屬絡(luò)合物的殘基"是指從上述金屬絡(luò)合物中除去k個(gè)氫原子后形成的k價(jià)基團(tuán)，在此，k為l6的整數(shù)。高分子有機(jī)化合物的主鏈上具有金屬絡(luò)合物的殘基的高分子化合物，例如用下式表示。-M，-(式中，M,、M2表示金屬絡(luò)合物的殘基，其結(jié)合鍵持有該金屬絡(luò)合物的配體。該M,、M2通過該結(jié)合鍵與形成高分子主鏈的重復(fù)單元相結(jié)合。實(shí)線表示金屬絡(luò)合物的殘基結(jié)合的高分子有機(jī)化合物。)高分子有機(jī)化合物的末端具有金屬絡(luò)合物的殘基的高分子化合物，例如用下式表示。-x---------M3(式中，M3表示金屬絡(luò)合物的一價(jià)殘基，其結(jié)合鍵持有該金屬絡(luò)合物的配體具有。該M3通過該結(jié)合鍵與X相結(jié)合。X表示單鍵、可被取代的亞烯基、可被取代的亞炔基、可被取代的亞芳基、或可被取代的二價(jià)雜環(huán)基。由實(shí)線及X構(gòu)成的部分，表示金屬絡(luò)合物的殘基結(jié)合的高分子有機(jī)化合物。虛線表示單鍵。)高分子有機(jī)化合物的側(cè)鏈上具有金屬絡(luò)合物的殘基的高分子化合物，例如用下式表示。(式中，Ar表示二價(jià)芳香族基團(tuán)、或者具有選自氧原子、硅原子、鍺原子、錫原子、磷原子、硼原子、硫原子、硒原子以及碲原子中的l個(gè)以上的原子的二價(jià)雜環(huán)基，該Ar具有l(wèi)4個(gè)用一L—M4表示的基團(tuán)，M4表示金屬絡(luò)合物的一價(jià)殘基，L表示單鍵、一O—、一S—、一CO—、_CO廣、—SO—、一S02—、—SiR68R69—、皿70—、一BR71—、一PR72—、一P(二O)(R73)—、可被取代的亞烷基、可被取代的亞烯基、可被取代的亞炔基、可被取代的亞芳基、或可被取代的二價(jià)雜環(huán)基，該亞烷基、該亞烯基、該亞炔基含有一CH2—基時(shí)，該亞烷基中含有的一CH2—基的l個(gè)以上、該亞烯基中含有的一CH2—基的1個(gè)以上、該亞炔基中含有的—CH2—基的1個(gè)以上，可分別與選自一O—、一S—、一CO—、一C02一、—SO—、一SO「、—SiR74R75—、NR76—、一BR77—、—PR78—、_P(=0)(R79)—中的基團(tuán)交換。RMR"分別獨(dú)立地表示選自氫原子、烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基以及氰基中的基團(tuán)。Ar除用一L一M4表示的基團(tuán)之外，進(jìn)一步可具有選自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳垸硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅垸基、鹵原子、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基中的取代基。Ar具有多個(gè)取代基時(shí)，這些取代基可以相同，也可以不同。實(shí)線表示具有金屬絡(luò)合物的殘基的Ar所結(jié)合的高分子有機(jī)化合物。)上式中，R"R"表示的烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基和氰基，以及作為Ar可具有的取代基的烷基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅垸基、鹵原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基，與上述作為構(gòu)成本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的配體含有的環(huán)狀結(jié)構(gòu)(例如Zi環(huán)、Z2環(huán)等)所可具有的取代基進(jìn)行說明示例相同。上式中，作為二價(jià)芳香族基團(tuán)，例如可例舉亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基、亞萘基、或下述通式(6)表示的環(huán)等。上式中，二價(jià)雜環(huán)基是指從雜環(huán)化合物中除去2個(gè)氫原子后剩余的原子團(tuán)，碳原子數(shù)通常為460左右，優(yōu)選420。此外，雜環(huán)基的碳原子數(shù)中不包括取代基的碳原子數(shù)。雜環(huán)化合物與在上述一價(jià)雜環(huán)基中說明例示的相同。上述高分子化合物，只要分子內(nèi)具有上述第一金屬絡(luò)合物的殘基、第二金屬絡(luò)合物的殘基或第三金屬絡(luò)合物的殘基、或其中二種以上的組合即可，沒有特別限定，優(yōu)選對(duì)電荷輸送性能、電荷注入性能等無大損壞的高分子化合物，具體來說優(yōu)選載子(電子或空穴)輸送性能優(yōu)異的共軛高分子。共軛高分子優(yōu)選含有可具有取代基的二價(jià)芳香族基團(tuán)。作為該二價(jià)芳香族基團(tuán)，例如優(yōu)選為可具有取代基的二價(jià)雜環(huán)基、可具有取代基的二價(jià)芳香族胺基、下記通式(6)表示的基團(tuán)。(式中，P環(huán)及Q環(huán)分別獨(dú)立地表示芳香環(huán)，P環(huán)可以存在也可以不存在。2根結(jié)合鍵在P環(huán)存在時(shí)，存在于P環(huán)基/或Q環(huán)上，當(dāng)P環(huán)不存在時(shí)，存在于含有Y的5元環(huán)或6元環(huán)及/或Q環(huán)上。P環(huán)、Q環(huán)以及含有Y的5元環(huán)或6元環(huán)，可分別獨(dú)立地具有選自烷基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅垸基、鹵原子、?；ⅤＱ趸?、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基中的至少一種取代基。Y表示—0—、一S—、—Se—、一B(R6)—、—Si(R7)(R8)—、—P(R9)—、—PR10(二O)—、—C(R11)(R12)—、一N(R13)-、一C(R14)(R15)-C(R16)(R17)_、—O-C(R18)(R19)—、—S-C(R20)(R21)—、—N—C(R22)(R23)—、_Si(R24)(R25)—C(R26)(R27)—、—Si(R28)(R29)—Si(R30)(R31)—、—C(R32)=C(R33)—、一N二C(R34)—或一Si(R35)二C(R36)—。R6R36分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅烷氧基、一價(jià)雜環(huán)基或鹵原子。)此外，這些基團(tuán)在高分子化合物(以下稱高分子有機(jī)化合物)中可以存在1個(gè)或2個(gè)以上，也可以作為重復(fù)單元存在。上述二價(jià)芳香族基團(tuán)是指從芳香族化合物中除去2個(gè)氫原子后的原子團(tuán)，也包括具有稠環(huán)的二價(jià)芳香族基團(tuán)、2個(gè)以上獨(dú)立苯環(huán)或稠環(huán)直接或通過亞乙烯基結(jié)合的二價(jià)芳香族基團(tuán)。芳香族基團(tuán)可具有取代基。上述二價(jià)雜環(huán)基是指從雜環(huán)化合物中除去2個(gè)氫原子后剩余的原子團(tuán)，該基團(tuán)可具有取代基。雜環(huán)化合物是指具有環(huán)式結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物中，構(gòu)成環(huán)的元素不僅有碳原子，還有選自氧原子、氮原子、硅原子、鍺原子、錫原子、磷原子、硼原子、硫原子、硒原子以及碲原子中的一種以上原子的化合物。二價(jià)雜環(huán)基中優(yōu)選芳香族雜環(huán)基。二價(jià)雜環(huán)基的除去取代基的部分的碳原子數(shù)，通常為360左右。包括二價(jià)雜環(huán)基的取代基的全部碳原子數(shù)，通常為3100左右。二價(jià)芳香族胺基是指從芳香族胺中除去2個(gè)氫原子后剩余的原子團(tuán)。二價(jià)芳香族胺基的碳原子數(shù)通常為5100左右、優(yōu)選1560。此外，二價(jià)芳香族胺基的碳原子數(shù)中不包括取代基的碳原子數(shù)。作為二價(jià)芳香族胺基，可例舉下述通式(7)表示的基團(tuán)。(式中，Ar6、Ar7、Ars以及Ar9，分別獨(dú)立地表示亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基。43Ar10、Aru以及A"，分別獨(dú)立地表示芳基或一價(jià)雜環(huán)基。Ar6A化可具有取代基。x及y分別獨(dú)立地為O或l，0《x+Y《1。)上述通式(7)中，Ar6Ar9表示的亞芳基是從芳香族烴中除去2個(gè)氫原子后的原子團(tuán)，也包括具有稠環(huán)的基團(tuán)，2個(gè)以上獨(dú)立的苯環(huán)或稠環(huán)直接或通過亞乙烯基結(jié)合的基團(tuán)。亞芳基也可具有取代基。亞芳基中除去的取代基的部分的碳原子數(shù)通常為660左右，優(yōu)選620。包括亞芳基的取代基的全部碳原子數(shù)通常為6100左右。上述通式(7)中，Ar6Ar9表示的二價(jià)雜環(huán)基與上述二價(jià)芳香族基團(tuán)項(xiàng)目中作為二價(jià)雜環(huán)基說明例示的相同。上述通式(7)中，AnoAn2表示的芳基及一價(jià)雜環(huán)基，與上述作為構(gòu)成本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的配體含有的環(huán)狀結(jié)構(gòu)(例如Z,環(huán)、Z2環(huán)等)所可具有的取代基說明例示的相同。作為上述二價(jià)芳香族基團(tuán)、上述二價(jià)雜環(huán)基、上述二價(jià)芳香族胺基、上述通式(7)中的亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基可具有的取代基，可例舉烷基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅烷基、鹵原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基、氰基以及硝基。此外，這些取代基，具體來說，與上述作為構(gòu)成本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的配體含有的環(huán)狀結(jié)構(gòu)(例如Z,環(huán)、Z2環(huán)等)所可具有的取代基說明例示的相同。上述通式(6)中，R"R"表示的烷基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳烷硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅烷氧基、一價(jià)雜環(huán)基以及鹵原子，與上述作為構(gòu)成本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的配體含有的環(huán)狀結(jié)構(gòu)(例如Zt環(huán)、Z2環(huán)等)所可具有的取代基說明例示的相同。作為上述式(6)表示的基團(tuán)，可例舉下述通式(6-1)、下述通式(6-2)或下述通式(6-3)表示的基團(tuán)，下述通式(6-4)或下述通式(6-5)表示的基團(tuán)，優(yōu)選上述通式(6-4)或上述通式(6-5)表示的基團(tuán)。式(6-1)式(6-2)式(6-3)(式中，A環(huán)、B環(huán)以及C環(huán)分別獨(dú)立地表示芳香環(huán)，式(6-1)、式(6-2)以及式(6-3)可分別具有選自烷基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳垸硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅垸基、鹵原子、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基中的l個(gè)以上的取代基。Y表示與上述相同的含義。)式(6-4)式(6-5)(式中，D環(huán)、E環(huán)、F環(huán)以及G環(huán)，分別獨(dú)立地表示可具有選自烷基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅烷基、鹵原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基中的l個(gè)以上取代基的芳香環(huán)。Y表示與上述相同的含義。)從獲得高發(fā)光効率方面來看，上述式中，Y優(yōu)選為—S—、一O—、一C(R11)(R12)_，更優(yōu)選為一S—、一O—。在此，R11、RU表示與上述相同的含義。作為上述通式(6-1)(6-5)中的芳香環(huán)，可例舉苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、并四苯(tetracene)環(huán)、并五苯(pentacene)環(huán)、芘環(huán)、菲環(huán)等芳香烴環(huán)；妣啶環(huán)、聯(lián)吡啶環(huán)、菲繞啉環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、噻吩環(huán)、呋喃環(huán)、吡咯環(huán)等芳香雜環(huán)。用上述通式(6-1)(6-5)表示的基團(tuán)，作為取代基，優(yōu)選具有選自烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅垸基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、或取代羧基中的基團(tuán)。<組合物〉通過將上述金屬絡(luò)合物及/或高分子化合物與電荷輸送材料及/或發(fā)光材料組合，可制備組合物。即本發(fā)明的組合物含有上述金屬絡(luò)合物及/或高分子化合物與電荷輸送材料及/或發(fā)光材料。上述電荷輸送材料分為空穴輸送材料和電子輸送材料，具體可使用有機(jī)化合物(低分子有機(jī)化合物及/或高分子有機(jī)化合物)。作為空穴輸送材料，例如可例舉咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、側(cè)鏈或主鏈上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、含有三苯基二胺衍生物的芳胺衍生物、芪衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚對(duì)苯乙炔(poly(p-phenylenevinylene))或其衍生物、或聚(2，5—噻吩乙炔)(poly(2，5-thienylenevinylene))或其衍生物、聚(對(duì)一亞苯基)或其衍生物等。作為電子輸送材料，可例舉噁二唑衍生物、蒽醌二甲垸或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲垸或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二酚醌衍生物、或8—羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物。作為電荷輸送材料使用的低分子有機(jī)化合物，是指低分子有機(jī)EL元件中使用的主體化合物(即低分子主體化合物)、電荷注入輸送化合物等，具體可例舉例如"有機(jī)EL顯示器"(時(shí)任靜士、安達(dá)千波矢、村田英幸共著、Ohm公司)107頁、月刊顯示器、vol.9、No.9、2003年26-30頁、日本特開2004-244400號(hào)公報(bào)、日本特開2004-277377號(hào)公報(bào)等記載的化合物。作為低分子有機(jī)化合物，具體可例舉下述化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula>作為電荷輸送材料使用的高分子有機(jī)化合物，例如可例舉非共軛高分子有機(jī)化合物、共軛高分子有機(jī)化合物。從電荷輸送的觀點(diǎn)看，共軛區(qū)域廣、載子(電子或空穴)遷移率高是有利的，所以優(yōu)選共軛高分子有機(jī)化合物。作為非共軛高分子有機(jī)化合物，例如可例舉聚乙烯咔唑等。作為共軛高分子有機(jī)化合物，例如可例舉主鏈上含有芳香環(huán)的聚合物，具體可例舉例如將可具有取代基的亞苯基、可具有取代基的芴、可具有取代基的二苯并噻吩、可具有取代基的二苯并呋喃、可具有取代基的二苯并吡咯等作為重復(fù)單元在主鏈上含有的聚合物、與這些重復(fù)單元共聚合的共聚物等。更加具體地說，可例舉具有可具有取代基的苯環(huán)的高分子有機(jī)化合物、具有下述通式(6)表示的結(jié)構(gòu)的高分子有機(jī)化合物等。并且可例舉例如日本特開2003-231741號(hào)公報(bào)、日本特開2004-059899號(hào)公報(bào)、日本特開2004-002654號(hào)公報(bào)、日本特開2004-292546號(hào)公報(bào)、US5708130、W09954385、WO0046321、WO02077060、"有機(jī)EL顯示器"(時(shí)任靜士、安達(dá)千波矢、村田英幸共著、Ohm公司)111頁；月刊顯示器、Vo1.9、No.9、2002年47-51頁等記載的高分子有機(jī)化合物。"共軛高分子"是指，例如"有機(jī)ELo(±《L"(吉野勝美著、日刊工業(yè)新聞社)23頁所記載的由重鍵和單鍵重復(fù)延長(zhǎng)連接的分子，例如可將含有下述結(jié)構(gòu)的重復(fù)結(jié)構(gòu)、將下述結(jié)構(gòu)適當(dāng)組合后的結(jié)構(gòu)的高分子作為典型例子例舉。(式中、R^Rx6分別獨(dú)立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅垸基、甲硅烷氧基、取代甲硅垸氧基。)式中，R)aRx6表示的基團(tuán)，具體來說，與上述作為構(gòu)成本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的配體含有的環(huán)狀結(jié)構(gòu)(例如Z,環(huán)、Z2環(huán)等)所可具有的取代基說明例示的相同。作為高分子有機(jī)化合物，具體可例舉例如含有下述基團(tuán)(即下述例示中除去括號(hào)的基團(tuán))的高分子有機(jī)化合物，含有下述結(jié)構(gòu)作為重復(fù)單元的高分子有機(jī)化合物等。低分子有機(jī)化合物或高分子有機(jī)化合物的基態(tài)能量ESH(eV)、低分子有機(jī)化合物或高分子有機(jī)化合物的最低激發(fā)三重態(tài)能量ETH(eV)、金屬絡(luò)合物的基態(tài)能量ESMC(eV)、以及金屬絡(luò)合物的最低激發(fā)三重態(tài)能量ETMC(eV)，優(yōu)選滿足ETH(eV)—ESH(eV)>ETMC(eV)—ESMC(eV)—0.2(eV)的關(guān)系。上述高分子有機(jī)化合物，聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為103108，優(yōu)選104106。此外，該高分子有機(jī)化合物的聚苯乙烯換算的重均分子量為103108，優(yōu)選5xl()45xl06。作為上述發(fā)光材料，可使用公知的發(fā)光材料。作為發(fā)光材料，例如可例舉萘衍生物、蒽或其衍生物、茈或其衍生物、聚甲炔類、咕噸類、香豆素類、花青素類等色素類、8—羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、芳香族胺、四苯基環(huán)戊二烯或其衍生物、或四苯基環(huán)丁二烯或其衍生物等低分子發(fā)光材料等。本發(fā)明的組合物中的上述金屬絡(luò)合物的配合量，根據(jù)組合的有機(jī)化合物的種類、最適特性的不同而不同，沒有特別限定。但將有機(jī)化合物(即高分子有機(jī)化合物及/或低分子有機(jī)化合物)的量設(shè)為ioo重量份時(shí)，通常為0.0180重量份，優(yōu)選為0.160重量份。上述金屬絡(luò)合物可單獨(dú)使用一種，也可配合二種以上。<液狀組合物>本發(fā)明的金屬絡(luò)合物、高分子化合物以及組合物，均在光電元件、發(fā)光元件等元件的制作中有用，特別優(yōu)選將該金屬絡(luò)合物、高分子化合物以及組合物和溶劑或分散劑混合，作為液狀組合物(例如在印刷法等中作為溶液使用。)使用。在此，"液狀組合物"是指制作元件時(shí)液狀的組合物，典型的是指常壓下(即l個(gè)大氣壓)、25"C時(shí)的液狀組合物。通過這樣形成液狀組合物，可容易地在光電元件、發(fā)光元件等元件上形成層結(jié)構(gòu)、膜等。即涂布上述液狀組合物，然后僅通過干燥除去溶劑，就可形成層結(jié)構(gòu)、膜等。作為用液狀組合物成膜的方法(以下稱為"用溶液成膜"。)，可例舉旋轉(zhuǎn)涂布法、鑄膜法、微凹印涂布(microgravurecoater)法、凹版涂布法、棒涂布法、輥輪涂布法、線棒涂布法、浸漬涂布法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、凸版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法、噴嘴涂布法、毛細(xì)管涂布法、涂布機(jī)法等涂布法等。上述液狀組合物中還可含有其他電荷輸送材料、發(fā)光材料、穩(wěn)定劑、用于調(diào)節(jié)粘度及/或表面張力的添加劑、抗氧化劑等添加劑。液狀組合物中含有的全部固形成分中，本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物的比例，通常為20重量％100重量％，優(yōu)選40重量％100重量％。上述液狀組合物中的溶劑或分散劑的比例，相對(duì)于該液狀組合物的全部重量，通常為1重量％99.9重量％，優(yōu)選60重量％99.9重量％，最優(yōu)選90重量°/。99.8重量％。上述液狀組合物的粘度根據(jù)印刷方法不同而不同，25。C時(shí)優(yōu)選0.5500mPas的范圍，噴墨印刷法等液狀組合物經(jīng)過吐出裝置時(shí)，為了防止吐出時(shí)堵塞、飛行彎曲，優(yōu)選25'C時(shí)粘度為0.520mPa's的范圍。作為液狀組合物使用的溶劑分散劑，優(yōu)選可溶解或均勻分散本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及高分子化合物的溶劑分散劑。作為該溶劑分散劑，可例舉三氯甲烷、二氯甲烷、1,2—二氯乙垸、1，1，2—三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯類溶劑；四氫呋喃、二噁垸等醚類溶劑、甲苯、二甲苯、三甲苯、均三甲基苯(Mesitylene)等芳香族烴類溶劑；環(huán)己垸、甲基環(huán)己垸、正戊烷、正己垸、正庚垸、正辛垸、正壬烷、正癸垸等脂肪族烴類溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮等酮類溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲基苯甲酸酯、乙基溶纖劑醋酸酯等酯類溶劑；乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇單乙基醚、甘油、1，2—己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環(huán)己醇等醇類溶劑；二甲基亞砜等亞砜類溶劑；N—甲基一2—吡咯垸酮、N，N—二甲基甲酰胺等酰胺類溶劑等。其中，從本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及高分子化合物在溶劑中的溶解性、成膜時(shí)的均勻性、粘度特性等觀點(diǎn)來看，優(yōu)選芳香族烴類溶劑、脂肪族烴類溶劑、酯類溶劑以及酮類溶劑，優(yōu)選甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、均三甲基苯、正丙苯、異丙苯、正丁苯、異丁苯、s—丁苯、茴香醚(anisole)、乙氧基苯、l一甲基萘、環(huán)己烷、環(huán)己酮、環(huán)己基苯、聯(lián)二環(huán)己烷、環(huán)己烯環(huán)己酮、正庚基環(huán)己垸、正己基環(huán)己烷、甲基苯甲酸酯、2—丙基環(huán)己酮、2—庚酮、3—庚酮、4_庚酮、2—辛酮、2—壬酮、2_癸酮、二環(huán)己酮，特別優(yōu)選二甲苯、茴香醚、均三甲基苯、環(huán)己基苯、聯(lián)二環(huán)己垸甲基苯甲酸酯。這些溶劑*分散劑，可以單獨(dú)使用一種，也可以并用二種以上。在上述溶劑分散劑中，特別優(yōu)選含有1種以上具有至少含有1個(gè)以上苯環(huán)的結(jié)構(gòu)，且融點(diǎn)為0'C以下、沸點(diǎn)為IO(TC以上的有機(jī)溶劑。上述液狀組合物中含有的溶劑，從成膜性、元件特性等觀點(diǎn)來看，優(yōu)選2種以上，更優(yōu)選23種，最優(yōu)選2種。上述液狀組合物中含有2種溶劑時(shí)，其中1種溶劑在25'C時(shí)可以是固體狀態(tài)。從成膜性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選1種溶劑是沸點(diǎn)為18(TC以上的溶劑，其他l種溶劑為沸點(diǎn)低于18(TC的溶劑，更優(yōu)選l種溶劑是沸點(diǎn)為20CTC以上的溶劑，其他l種溶劑是沸點(diǎn)低于18(TC的溶劑。此外，從粘度的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選在2種溶劑中，在60°0時(shí)均溶解0.2重量％以上的本發(fā)明的金屬絡(luò)合物以及高分子化合物，優(yōu)選在2種溶劑中的l種溶劑中，在25t:時(shí)溶解0.2重量％以上的本發(fā)明的金屬絡(luò)合物以及高分子化合物。上述液狀組合物中含有3種溶劑時(shí)，其中12種溶劑在25C時(shí)可以為固體狀態(tài)。從成膜性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選3種溶劑中至少1種溶劑是沸點(diǎn)為18(TC以上的溶劑，至少l種溶劑是沸點(diǎn)低于18(TC的溶劑，更優(yōu)選3種溶劑中至少1種溶劑是沸點(diǎn)為20(TC30(TC以下的溶劑，至少1種溶劑是沸點(diǎn)低于18(TC的溶劑。此外，從粘度的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選在3種溶劑中的2種溶劑中，6(TC時(shí)溶解0.2重量％以上的本發(fā)明的金屬絡(luò)合物以及高分子化合物，優(yōu)選在3種溶劑中的1種溶劑中，25'C時(shí)溶解0.2重量^以上的本發(fā)明的金屬絡(luò)合物以及高分子化合物。上述液狀組合物中含有2種以上溶劑時(shí)，從粘度及成膜性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選沸點(diǎn)最高的溶劑是該液狀組合物的全部溶劑重量的4090重量％，更優(yōu)選為50卯重量％，最優(yōu)選為6585重量％。作為上述液狀組合物，從粘度及成膜性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選含有茴香醚及聯(lián)二環(huán)己烷的液狀組合物、含有茴香醚及環(huán)己基苯的液狀組合物、含有二甲苯及聯(lián)二環(huán)己烷的液狀組合物、含有二甲苯及環(huán)己基苯的液狀組合物、以及含有均三甲基苯及甲基苯甲酸酯的液狀組合物。可在上述液狀組合物中含有的添加劑中，作為空穴輸送材料及電子輸送材料，可例舉上述化合物。作為發(fā)光材料，與上述已說明例示的相同。作為穩(wěn)定劑，可例舉酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑等。作為用于調(diào)節(jié)粘度及/或表面張力的添加劑，可將用于提高粘度的高分子量的增粘劑、不良溶劑、用于降低粘度的低分子量的化合物、用于降低表面張力的表面活性劑等適當(dāng)組合使用。作為上述高分子量的增粘劑，只要與本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及高分子化合物在相同溶劑中可溶解、不阻礙發(fā)光、電荷輸送即可。例如可使用高分子量聚苯乙烯、高分子量聚甲基丙烯酸甲酯、本發(fā)明的高分子化合物中分子量大的高分子化合物等。作為上述高分子量的增粘劑，優(yōu)選聚苯乙烯換算的重均分子量為50萬以上，更優(yōu)選為IOO萬以上。也可將不良溶劑作為增粘劑使用。即通過在液狀組合物的固形成分中少量添加不良溶劑，可提高粘度。如果還要考慮保存時(shí)的穩(wěn)定性，不良溶劑的量，優(yōu)選為相對(duì)于全部液狀組合物的50重量％以下，更優(yōu)選為30重量％以下。作為抗氧化劑，只要與本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及高分子化合物在相同的溶劑中可溶解，不阻礙發(fā)光、電荷輸送即可，可例舉酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑等。通過使用抗氧化劑，可改善上述液狀組合物的保存穩(wěn)定性。作為液狀組合物的一成分含有溶劑時(shí)，從本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及高分子化合物在溶劑中的溶解性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選溶劑的溶解度參數(shù)和高分子化合物的溶解度參數(shù)之差為10以下，更優(yōu)選為7以下。溶劑的溶解度參數(shù)和本發(fā)明的高分子材料的溶解度參數(shù)，可用《溶劑手冊(cè)》(講談社刊、1976年)記載的方法求出。上述液狀組合物中含有的本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或高分子化合物，可以為1種，也可以為2種，在不損壞元件特性等的范圍內(nèi)，可含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及高分子化合物以外的高分子量的化合物。<元件〉接著，對(duì)本發(fā)明的元件進(jìn)行說明。本發(fā)明的元件的特征在于，在由陽極及陰極組成的電極間，設(shè)有含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物(此外，可以直接是金屬絡(luò)合物、高分子化合物原來的狀態(tài)，也可以是作為上述組合物而調(diào)制的狀態(tài)。以下相同。)的層，例如可作為發(fā)光元件；開關(guān)元件(例如在顯示裝置中有用)、光電轉(zhuǎn)換元件(例如在太陽電池中有用)等光電元件等使用。該元件為發(fā)光元件時(shí)，優(yōu)選含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物的層為發(fā)光層。一發(fā)光元件一作為本發(fā)明的發(fā)光元件，可例舉l)在陰極和發(fā)光層之間，設(shè)有電子輸送層的發(fā)光元件；2)在陽極和發(fā)光層之間，設(shè)有空穴輸送層的發(fā)光元件、3)在陰極和發(fā)光層之間設(shè)有電子輸送層，且在陽極和發(fā)光層之間設(shè)有空穴輸送層的發(fā)光元件等。本發(fā)明的發(fā)光元件，可進(jìn)一步具有電荷阻止層，例如也可在發(fā)光層和陰極之間設(shè)有空穴阻止層。發(fā)光層是具有發(fā)光功能的層，空穴輸送層是具有輸送空穴功能的層，電子輸送層是具有輸送電子功能的層。將電子輸送層和空穴輸送層總稱為電荷輸送層。此外，電荷阻止層是指具有將空穴或電子封閉在發(fā)光層內(nèi)的功能的層，將輸送電子且封閉空穴的層稱為空穴阻止層，將輸送空穴、且封閉電子的層稱為電子阻止層。此外，作為本發(fā)明的發(fā)光元件，除此之外，還可例舉在上述至少一個(gè)電極和發(fā)光層之間，與該電極鄰接設(shè)置含有導(dǎo)電性高分子的層的發(fā)光元件；在至少一個(gè)電極和發(fā)光層之間，與該電極鄰接設(shè)置平均膜厚2nm以下的緩沖層的發(fā)光元件等。具體可例示以下a)e)的結(jié)構(gòu)。a)陽極/發(fā)光層/陰極b)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極c)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/陰極d)陽極/發(fā)光層/空穴阻止層/陰極e)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極(在此，/表示各層相鄰層疊。以下相同。)發(fā)光層、空穴輸送層、電子輸送層，可分別獨(dú)立地使用2層以上。作為本發(fā)明的發(fā)光元件，也包括在空穴輸送層及/或電子輸送層含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物的發(fā)光元件。本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物被用于空穴輸送層時(shí)，優(yōu)選本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物含有空穴輸送性基團(tuán)，作為其具體例，可例舉與芳香族胺的共聚物、與芪的共聚物等。此外，本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物被用于電子輸送層時(shí)，優(yōu)選本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物含有電子輸送性基團(tuán)，作為其具體例，可例舉與噁二唑的共聚物、與三唑的共聚物、與喹啉的共聚物、與喹喔啉的共聚物、與苯并噻二唑的共聚物等。本發(fā)明的發(fā)光元件具有空穴輸送層時(shí)(通常，空穴輸送層含有空穴輸送材料)，作為使用的空穴輸送材料，可例舉聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅垸或其衍生物、側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚對(duì)苯乙炔或其衍生物、或聚(2，5—噻吩乙炔)或其衍生物等高分子空穴輸送材料。具體來說，作為該空穴輸送材料，可例舉日本特開昭63-70257號(hào)公報(bào)、日本特開昭63-175860號(hào)公報(bào)、日本特開平2-135359號(hào)公報(bào)、日本特開平2-135361號(hào)公報(bào)、日本特開平2-209988號(hào)公報(bào)、日本特開平3-37992號(hào)公報(bào)、日本特開平3-152184號(hào)公報(bào)上記載的空穴輸送材料。其中，作為空穴輸送層使用的空穴輸送材料，優(yōu)選聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅垸或其衍生物、側(cè)鏈或主鏈上具有芳香族胺基的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚對(duì)苯乙炔或其衍生物、或聚(2，5—噻吩乙炔)或其衍生物等高分子空穴輸送材料，進(jìn)一步優(yōu)選聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、側(cè)鏈或主鏈上具有芳香族胺的聚硅氧垸衍生物。此外，作為低分子空穴輸送材料，可例示吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物。低分子空穴輸送材料時(shí)，優(yōu)選分散在高分子粘合劑中使用。作為進(jìn)行混合的高分子粘合劑，優(yōu)選不極度阻礙電荷輸送的高分子粘合劑，并且優(yōu)選使用對(duì)可見光吸收不強(qiáng)的高分子粘合劑。作為該高分子粘合劑，可例舉聚(N—乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚對(duì)苯乙炔或其衍生物、聚(2，5—噻吩乙炔)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。聚乙烯基咔唑或其衍生物，例如由乙烯單體經(jīng)過氧離子聚合或自由基聚合而得到。作為聚硅烷或其衍生物，可例示Chem.Rev.第89巻、1359頁(1989年)、英國(guó)專利GB2300196號(hào)公開說明書所述的化合物等。合成方法也可用上述資料記載的方法，特別優(yōu)選使用基平法(Kipping)。聚硅氧烷或其衍生物，因?yàn)楣柩跬楣羌芙Y(jié)構(gòu)中幾乎沒有空穴輸送性能，所以優(yōu)選使用側(cè)鏈或主鏈上具有上述低分子空穴輸送材料的結(jié)構(gòu)的聚硅氧烷或其衍生物。特別例示在側(cè)鏈或主鏈上具有空穴輸送性能的芳香族胺。空穴輸送層的成膜方法沒有特別限定，對(duì)于低分子空穴輸送材料，可例示利用與高分子粘合劑的混合溶液進(jìn)行成膜的方法。此外，對(duì)于高分子空穴輸送材料，可例示利用溶液進(jìn)行成膜的方法。作為利用溶液進(jìn)行成膜所使用的溶劑，只要是可溶解空穴輸送材料及高分子粘合劑的溶劑即可，沒有特別限定。作為該溶劑，可例示三氯甲烷、二氯甲垸、二氯乙烷等氯類溶劑、四氫呋喃等醚類溶劑、甲苯、二甲苯等芳香族烴類溶劑、丙酮、甲基乙基酮等酮類溶劑、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯類溶劑。作為利用溶液進(jìn)行成膜的方法，可使用利用溶液的旋轉(zhuǎn)涂布法、鑄膜法、微凹印涂布(microgravurecoater)法、凹版涂布法、棒涂布法、輥輪涂布法、線棒涂布法、浸漬涂布法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、凸版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法、噴嘴涂布法、毛細(xì)管涂布法、涂布機(jī)法等涂布法。作為空穴輸送層的膜厚，根據(jù)所使用的材料不同而最適值不同，只要能夠使驅(qū)動(dòng)電壓和發(fā)光效率變?yōu)檫m當(dāng)?shù)闹祦磉M(jìn)行選擇即可，至少需要不產(chǎn)生針孔的厚度，如果過厚，元件的驅(qū)動(dòng)電壓增高，所以不優(yōu)選。因此，作為該空穴輸送層的膜厚，例如為lnm到1|_im，優(yōu)選2nm500nm，更優(yōu)選5nm200nm。本發(fā)明的發(fā)光元件具有電子輸送層時(shí)(通常電子輸送層含有電子輸送材料)，作為使用的電子輸送材料，可使用公知的電子輸送材料，可例示噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氨基蒽醌二甲垸或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二酚醌衍生物、或8—羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。具體可例示日本特開昭63-70257號(hào)公報(bào)、日本特開昭63-175860號(hào)公報(bào)、日本特開平2-135359號(hào)公報(bào)、日本特開平2-135361號(hào)公報(bào)、日本特開平2-209988號(hào)公報(bào)、日本特開平3-37992號(hào)公報(bào)、日本特開平3-152184號(hào)公報(bào)上所記載的方法。其中，優(yōu)選噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或8一羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物，更優(yōu)選2—(4一聯(lián)苯基)一5_(4—叔丁基苯基)_1，3，4一噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羥基喹啉)鋁、聚喹啉。作為電子輸送層的成膜方法，沒有特別限定，對(duì)于低分子電子輸送材料，可例示用粉末的真空蒸鍍法、或用溶液或溶融狀態(tài)進(jìn)行成膜方法，對(duì)于高分子電子輸送材料，可例示用溶液或溶融狀態(tài)的成膜方法。用溶液或溶融狀態(tài)進(jìn)行成膜時(shí)，可并用上述高分子粘合劑。作為用溶液進(jìn)行成膜使用的溶劑，只要能夠溶解電子輸送材料及高分子粘合劑，沒有特別限定。作為該溶劑，可例示三氯甲垸、二氯甲垸、二氯乙烷等氯類溶劑，四氫呋喃等醚類溶劑，甲苯、二甲苯等芳香族烴類溶劑，丙酮、甲基乙基酮等酮類溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯類溶劑。作為用溶液或溶融狀態(tài)進(jìn)行成膜的方法，可使用旋轉(zhuǎn)涂布法、鑄膜法、微凹印涂布(microgravurecoater)法、凹版涂布法、棒涂布法、輥輪涂布法、線棒涂布法、浸漬涂布法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、凸版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法、噴嘴涂布法、毛細(xì)管涂布法、涂布機(jī)法等涂布法。作為電子輸送層的膜厚，根據(jù)使用的材料不同而最適值不同，只要能夠使驅(qū)動(dòng)電壓和發(fā)光效率變?yōu)檫m當(dāng)?shù)闹祦磉x擇即可，至少需要不產(chǎn)生針孔的厚度，但如果過厚，元件的驅(qū)動(dòng)電壓增高，所以不優(yōu)選。因此，作為該電子輸送層的膜厚，例如為lnmlpm，優(yōu)選2nm500nm，更優(yōu)選5nm200nm。此外，與電極鄰接設(shè)置的電荷輸送層中，具有改善由電極注入電荷的効率的功能，具有降低元件的驅(qū)動(dòng)電壓的効果的電荷輸送層，特別通稱為電荷注入層(即空穴注入層、電子注入層的總稱，以下相同。)。并且為了提高與電極的緊貼性、改善由電極注入電荷，可以不設(shè)置與電極鄰接的上述電荷注入層或絕緣層，并且為了提高界面的緊貼性、防止混合等，可在電荷輸送層、發(fā)光層的界面插入一層薄的緩沖層。對(duì)于進(jìn)行層疊的層的順序、數(shù)量以及各層的厚度，可考慮發(fā)光效率、元件的壽命進(jìn)行適當(dāng)設(shè)定。在本發(fā)明中，作為設(shè)有電荷注入層的發(fā)光元件，可例舉與陰極鄰接設(shè)置電荷注入層的發(fā)光元件、與陽極鄰接設(shè)置電荷注入層的發(fā)光元件等。例如，具體可例舉以下f)q)的結(jié)構(gòu)。f)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/陰極g)陽極/發(fā)光層/電荷注入層/陰極h)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極i)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極j)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極k)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極1)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極m)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極n)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極o)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極p)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極q)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極作為電荷注入層的具體例，可例舉含有導(dǎo)電性高分子的層，在陽極和空穴輸送層之間設(shè)置的、含有具有陽極材料與空穴輸送層中含有的空穴輸送材料的離子勢(shì)的中間值的材料的層，在陰極和電子輸送層之間設(shè)置的、含有具有陰極材料與電子輸送層中含有的電子輸送材料的電子親和力的中間值的材料的層等。上述電荷注入層含有導(dǎo)電性高分子時(shí)，該導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電系數(shù)優(yōu)選為10-ss/cm以上10、/cm以下，為了減少發(fā)光像素間的漏電，更優(yōu)選為10—5S/cm以上102S/cm以下，最優(yōu)選為l(T5S/cm以上1(^S/cm以下。通常為了使該導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電系數(shù)為10—5S/cm以上、103S/cm以下，在該導(dǎo)電性高分子中摻入適量的離子。摻入的離子的種類，空穴注入層時(shí)為陰離子，電子注入層時(shí)為陽離子。作為陰離子，可例示聚苯乙烯磺酸離子、垸基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子等，作為陽離子，可例示鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子等。作為電荷注入層的膜厚，例如為lnm100nm，優(yōu)選2nm50nm。電荷注入層中使用的材料，根據(jù)與電極或鄰接的層的材料之間的關(guān)系適當(dāng)選擇即可，可例舉聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯乙炔及其衍生物、聚噻吩乙炔及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主鏈或側(cè)鏈上含有芳香族胺結(jié)構(gòu)的聚合物等導(dǎo)電性高分子、金屬酞菁(銅酞菁等)、碳等。絕緣層具有容易使電荷注入的功能。該絕緣層優(yōu)選平均膜厚為4nm以下，更優(yōu)選平均膜厚為2nm以下。此外，通常平均膜厚的下限為0.5nm。作為上述絕緣層的材料，可例舉金屬氟化物、金屬氧化物、有機(jī)絕緣材料等。作為設(shè)有絕緣層的發(fā)光元件，可例舉與陰極鄰接設(shè)置絕緣層的發(fā)光元件、與陽極鄰接設(shè)置絕緣層的發(fā)光元件。具體來說，可例舉以下r)ac)的結(jié)構(gòu)。r)陽極/絕緣層/發(fā)光層/陰極s)陽極/發(fā)光層/絕緣層/陰極t)陽極/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極u)陽極/絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極v)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/絕緣層/陰極w)陽極/絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/絕緣層/陰極x)陽極/絕緣層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極y)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/絕緣層/陰極z)陽極/絕緣層/發(fā)光層/電子輸送層/絕緣層/陰極aa)陽極/絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極ab)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/絕緣層/陰極ac)陽極/絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/絕緣層/陰極形成本發(fā)明的發(fā)光元件的基板，只要在形成電極、形成有機(jī)物層時(shí)不發(fā)生變化即可，例如可例示玻璃、塑料、高分子膜、硅基板等。如果是不透明的基板時(shí)，優(yōu)選反面的電極是透明或半透明的。通常情況下，本發(fā)明的發(fā)光元件具有的陽極及陰極中的至少一個(gè)是透明的或半透明的。優(yōu)選陽極側(cè)是透明或半透明的。作為該陽極的材料，可使用導(dǎo)電性金屬氧化物膜、半透明金屬薄膜等。具體可使用含有氧化銦、氧化鋅、氧化錫、及其復(fù)合體銦，錫，氧化物(ITO)、銦鋅氧化物等的導(dǎo)電性玻璃制作的膜(NESA等)、金、鉬、銀、銅等，優(yōu)選ITO、銦，鋅，氧化物、氧化錫。作為制作方法，可例舉真空蒸鍍法、濺射鍍膜法、離子鍍法、鍍覆法等。此外，作為該陽極，可使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有機(jī)透明導(dǎo)電膜。陽極的膜厚，考慮光的透射性和導(dǎo)電系數(shù)進(jìn)行適當(dāng)選擇，例如從10nm到10(am，優(yōu)選20nm1|am，更優(yōu)選50nm500nm。此外，為了使陽極上電荷注入容易，可設(shè)置含有酞菁衍生物、導(dǎo)電性高分子、碳等的層、或含有金屬氧化物、金屬氟化物、有機(jī)絕緣材料等的平均膜厚2nm以下的層。作為本發(fā)明的發(fā)光元件中使用的陰極的材料，優(yōu)選功函數(shù)小的材料。例如可使用鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鎰等金屬，以及這些金屬中的2個(gè)以上的合金，或其中的l個(gè)以上和金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中的l個(gè)以上的合金，石墨或石墨層間化合物等。作為合金的例子，可例舉鎂一銀合金、鎂一銦合金、鎂一鋁合金、銦一銀合金、鋰一鋁合金、鋰一鎂合金、鋰一銦合金、鈣一鋁合金等。也可使陰極為2層以上的疊層結(jié)構(gòu)。陰極的膜厚，考慮光透過性和電導(dǎo)率進(jìn)行適當(dāng)選擇，例如為10nm到10拜，優(yōu)選20nmljim，更優(yōu)選50nm500nm。作為陰極的制作方法，使用真空蒸鍍法、濺射鍍膜法、或熱壓金屬薄膜的層疊法等。此外，在陰極和有機(jī)物層之間，可以設(shè)置含有導(dǎo)電性高分子的層、或含有金屬氧化物、金屬氟化物、有機(jī)絕緣材料等的平均膜厚2nm以下的層，制成陰極后，可安裝保護(hù)該發(fā)光元件的保護(hù)層。為了長(zhǎng)期穩(wěn)定地使用該發(fā)光元件，為了從外部保護(hù)元件，優(yōu)選安裝保護(hù)層及/或保護(hù)套。作為保護(hù)層，可使用高分子化合物、金屬氧化物、金屬氟化物、金屬硼化物等。此外，作為保護(hù)套，可使用玻璃板、在表面上實(shí)施過低透水率處理的塑料板等，優(yōu)選用熱效應(yīng)樹脂、光固化樹脂將該保護(hù)套與元件基板粘在一起的方法。如果用隔離物維持空間，容易防止元件損傷。如果在該空間封入氮?dú)狻鍤獾榷栊詺怏w，可防止陰極氧化，并且通過在該空間內(nèi)設(shè)置氧化鋇等干燥劑，容易抑制制造過程中吸附的水分損壞元件。其中，優(yōu)選采取任意1種以上的方法。本發(fā)明的發(fā)光元件，可以作為面狀光源、顯示裝置(例如區(qū)段顯示裝置、點(diǎn)陣顯示裝置、液晶顯示裝置等)以及其背光源等使用。為了用本發(fā)明的發(fā)光元件獲得面狀發(fā)光，可設(shè)置成面狀的陽極和陰極相互重疊。此外，為了獲得圖案狀的發(fā)光，有如下方法，即在上述面狀的發(fā)光元件表面上設(shè)置具有圖案狀窗口的掩模的方法，形成極厚非發(fā)光部的有機(jī)物層實(shí)質(zhì)上形成非發(fā)光的方法，將陽極或陰極的任一個(gè)、或兩個(gè)電61極形成圖案狀的方法。采用上述任一方法形成圖案，將幾個(gè)電極設(shè)置成可獨(dú)立地開/關(guān)的方式，獲得可顯示數(shù)字、文字、簡(jiǎn)單符號(hào)等的區(qū)段型顯示元件。并且為了形成點(diǎn)陣元件，可設(shè)置成陽極和陰極同時(shí)形成條紋狀進(jìn)行正交的方式。通過分別涂布多種發(fā)光顏色不同的高分子熒光體的方法、使用濾色器或熒光交換過濾器的方法，使部分彩色顯示、多彩顯示變?yōu)榭赡?。點(diǎn)陣元件可被動(dòng)驅(qū)動(dòng)，也可與TFT等組合進(jìn)行主動(dòng)驅(qū)動(dòng)。這些顯示元件，可作為計(jì)算機(jī)、電視、攜帶終端、手機(jī)、定位系統(tǒng)、攝像機(jī)的取景器等顯示裝置來使用。并且，上述面狀發(fā)光元件為自發(fā)光的薄型，可作為液晶顯示裝置的背光源用的面狀光源、或面狀照明用光源優(yōu)選使用。此外，如果使用撓性基板，也可作為曲面狀的光源、顯示裝置使用。-光電元件-作為本發(fā)明的其他實(shí)施方式，對(duì)光電元件進(jìn)行說明。作為光電元件，例如有光電轉(zhuǎn)換元件，可例舉在至少一個(gè)為透明或半透明的兩個(gè)電極間，設(shè)置含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物的層的元件，具有在基板上成膜的含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物的層上形成的梳狀電極的元件等。為了提高特性，可混合富勒烯(腿e認(rèn))、納米炭管等。作為光電轉(zhuǎn)化元件的制造方法，例舉日本專利第3146296號(hào)公報(bào)記載的方法。具體可例舉在具有第一電極的基板上形成含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物的層(薄膜)，在其上形成第二電極的方法;在基板上形成的一組梳狀電極上形成含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物的層(薄膜)的方法。第一或第二電極中的一個(gè)是透明或半透明的。對(duì)于含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物及/或本發(fā)明的高分子化合物的層(薄膜)的方法、混合富勒烯、納米炭管的方法，沒有特別限制，優(yōu)選利用發(fā)光元件中例舉的方法。<其他用途〉本發(fā)明的金屬絡(luò)合物、本發(fā)明的高分子化合物，如上所述，不僅對(duì)元件的制作有用，例如還可作為有機(jī)半導(dǎo)體材料等的半導(dǎo)體材料、發(fā)光材料、光學(xué)材料或?qū)щ娦圆牧?例如通過摻入使用)使用。因此，使用該金屬絡(luò)合物、該高分子化合物，能夠制作發(fā)光性膜、導(dǎo)電性膜、有機(jī)半導(dǎo)體膜等膜。本發(fā)明的金屬絡(luò)合物、本發(fā)明的高分子化合物，采用與上述發(fā)光元件的發(fā)光層使用的發(fā)光性膜的制作方法相同，可將導(dǎo)電性薄膜及半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行制膜，形成元件。半導(dǎo)體薄膜，優(yōu)選電子遷移率或空穴遷移率中的任一數(shù)值大的值為1(TSci^/V/秒以上。此外，有機(jī)半導(dǎo)體膜可使用有機(jī)太陽電池、有機(jī)晶體管等。以下，例舉實(shí)施例以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)地說明，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。實(shí)施例1一金屬絡(luò)合物(MC1)的合成一(1-1)(1-2)(1-3)根據(jù)J.Org.Chem.1989，54，850-857.所述的方法(上述示意圖)，合成l-溴-5，6，7，8-四氫化萘(l-3)。具體為:在用冰浴冷卻的42%重量氟硼酸水溶液中緩慢加入5，6，7，8-四氫-l-萘胺(l-l)，接著滴入亞硝酸鈉水溶液，將獲得的反應(yīng)混合物依次用5重量％四氟硼酸水溶液、水的順序洗滌，獲得重氮鹽(l-2)。在溴化銅(II)的二甲基亞砜溶液中加入重氮鹽(l-2)，攪拌30分鐘，然后用水稀釋反應(yīng)溶液，用乙酸乙酯提取。將獲得的有機(jī)層濃縮后，用硅膠色譜法精制殘?jiān)?，蒸餾除去溶劑，獲得l-溴-5，6，7，8-四氫化萘(l-3)。在反應(yīng)容器內(nèi)稱量l-溴-5，6，7，8-四氫化萘(l-3)(1.48g、7.0mmo1)、三-正丁基(2-吡啶基)錫((3.76g，lOmmol))、二(三苯基膦)鈀(II)二氯化物(0.337g，0.48mmo1)、氯化鋰(1.70g，40mmol)以及甲苯(35mL)，在氮?dú)饬飨禄亓?小時(shí)?？諝饫鋮s后，在獲得的反應(yīng)溶液中加入氟化鉀飽和水溶液(20mL)，在室溫下攪拌30分鐘。將獲得的反應(yīng)物過濾，濾液用5重量％碳酸氫鈉水溶液(200mL)洗滌后，用硫酸鈉干燥有機(jī)層。蒸餾除去溶劑，用硅膠柱色譜法(己烷/二乙基醚)精制殘?jiān)?，蒸餾除去溶劑，獲得作為淡黃色油的2-(5，6，7，8-四氫化萘-l-基)卩比啶(l-4)(1.06g、5.1mmo1)。收率為73%。LC-MS(正)m/z:210([M+H]+)'H麗R(300MHz，CDC13)51.77(m，4H)，S2.71(m，2H)，S2.86(m，2H)，S7.176(m，3H)，57,22(m，1H)，S7.36(m，1H)，S7.72(m，1H)，58.68(m,1H).在惰性氣體環(huán)境下，加入2-(5，6，7，8-四氫化萘-l-基)-吡啶和銥化合物，在有機(jī)溶劑中進(jìn)行反應(yīng)。將獲得的反應(yīng)物進(jìn)行后處理，獲得粗生成物。將該粗生成物用柱色譜法精制，可獲得金屬絡(luò)合物(MC1)。(MC1)—系數(shù)的計(jì)算一對(duì)于金屬絡(luò)合物(MC1)，金屬絡(luò)合物(MC1)的配體內(nèi)的二面角(。)及d軌道系數(shù)0(。/。/eV)用下述方法計(jì)算。B卩:對(duì)于金屬絡(luò)合物(MC1)，通過B3LYP水平的密度泛函數(shù)法使結(jié)構(gòu)最優(yōu)化。此時(shí)，作為基函數(shù)，中心金屬銥使用LANL2DZ，除此之外的原子使用6-31G、以最優(yōu)化后的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，計(jì)算配體內(nèi)的二面角(。)，然后使用同一的基函數(shù)，通過B3LYP水平的時(shí)間相關(guān)密度泛函數(shù)法，求出最低最低單重態(tài)激發(fā)能量S"eV))及最低三重態(tài)激發(fā)能量T,(eV)，計(jì)算其能量差SrTi(eV)。其結(jié)果如表1所示。-EL元件的制作，特性評(píng)價(jià)-使用金屬絡(luò)合物(MC1)的EL元件，可按照如下所述制作。首先，制備混合有金屬絡(luò)合物(MC1)和4、4'-二(9-咔唑基)聯(lián)苯(CBP)等主體化合物的混合物的甲苯溶液A。另一方面，在附有ITO膜的玻璃基板上，使用聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸溶液進(jìn)行成膜，干燥。接著，涂布上述甲苯溶液A，形成薄膜。進(jìn)而將其干燥后，在真空中作為陰極緩沖層蒸鍍氟化鋰，作為陰極蒸鍍鈣，接著蒸鍍鋁，制作EL元件。通過在該EL元件上施加電壓，可確認(rèn)EL發(fā)光。輝度、發(fā)光效率等特性，可通過組合輝度計(jì)及電流-電壓計(jì)來測(cè)量。實(shí)施例2-金屬絡(luò)合物(MC2)的合成-在惰性氣體環(huán)境下，在反應(yīng)容器中加入l-溴-5，6，7，8-四氫化萘和二乙基醚，冷卻。向其中滴入正丁基鋰的己烷溶液，在低溫下攪拌。向其中加入三甲氧基硼烷，進(jìn)一步攪拌后再加入鹽酸。將反應(yīng)物用有機(jī)溶劑提取，通過用柱色譜法精制，可獲得5，6，7，8-四氫化萘-l-硼酸。在惰性氣體環(huán)境下，在反應(yīng)容器中加入3-羥基異喹啉和吡啶，冷卻。滴入三氟甲基磺酸軒，緩慢升溫至室溫并同時(shí)進(jìn)行攪拌。將反應(yīng)物進(jìn)行后處理，通過用柱色譜法進(jìn)行精制，可獲得3-{(三氟甲磺?；?氧基}異喹啉(3-{(trifluoromethanesulfonyl)oxy}isoquinoline)。在惰性氣體環(huán)境下，進(jìn)行5，6，7，8-四氫化萘-l-硼酸和3-{(三氟甲磺酰基)氧基}異喹啉的偶聯(lián)反應(yīng)，獲得反應(yīng)物。將反應(yīng)物進(jìn)行后處理，通過用柱色譜法進(jìn)行精制，可獲得3-(5，6，7，8-四氫化萘-l-基)異喹啉。在惰性氣體環(huán)境下，加入3-(5，6，7，8-四氫化萘-l-基)-異喹啉和銥化合物，在有機(jī)溶劑中進(jìn)行反應(yīng)。將獲得的反應(yīng)物進(jìn)行后處理，獲得粗生成物。將該粗生成物用柱色譜法精制，可獲得金屬絡(luò)合物(MC2)。一系數(shù)的計(jì)算一與實(shí)施例1相同，計(jì)算金屬絡(luò)合物(MC2)的配體內(nèi)的二面角(。)及d軌道系數(shù)0(%/eV)。其結(jié)果如表1所示。-EL元件的制作，特性評(píng)價(jià)-除使用金屬絡(luò)合物(MC2)代替實(shí)施例1中金屬絡(luò)合物(MC1)之外，其他與實(shí)施例l相同，可制作EL元件。通過在該EL元件上施加電壓，可確認(rèn)EL發(fā)光。輝度、發(fā)光效率等特性，可通過組合輝度計(jì)和電流-電壓計(jì)來測(cè)定。實(shí)施例3-金屬絡(luò)合物MC3的合成-與實(shí)施例2相同，合成5，6，7，8-四氫化萘-l-硼酸。在惰性氣體環(huán)境下，在反應(yīng)容器中加入2-羥基喹啉和吡啶，冷卻。滴入三氟甲基磺酸酐，緩慢升溫至室溫并同時(shí)進(jìn)行攪拌。將反應(yīng)物進(jìn)行后處理，通過用柱色譜法進(jìn)行精制，可獲得2-{(三氟甲磺?；?氧基}喹啉。在惰性氣體環(huán)境下，進(jìn)行5，6，7，8-四氫化萘-l-硼酸和2-{(三氟甲磺?；?氧基}喹啉的偶聯(lián)反應(yīng)，獲得反應(yīng)物。將反應(yīng)物進(jìn)行后處理，通過用柱色譜法進(jìn)行精制，可獲得2-(5，6，7，8-四氫化萘-l-基)喹啉。在惰性氣體環(huán)境下，加入2-(5，6，7，8-四氫化萘-l-基)喹啉和銥化合物，在有機(jī)溶劑中進(jìn)行反應(yīng)。將獲得的反應(yīng)物進(jìn)行后處理，獲得粗生成物。將該粗生成物用柱色譜法精制，可獲得金屬絡(luò)合物(MC2)。(MC3)一系數(shù)的計(jì)算一與實(shí)施例1相同，計(jì)算金屬絡(luò)合物(MC3)的配體內(nèi)的二面角(。)及d軌道系數(shù)<K%/eV)。其結(jié)果如表1所示。-EL元件的制作，特性評(píng)價(jià)-除使用金屬絡(luò)合物(MC3)代替實(shí)施例1中金屬絡(luò)合物(MC1)之外，其他與實(shí)施例l相同，制作EL元件。通過在該EL元件上施加電壓，可確認(rèn)EL發(fā)光。輝度、發(fā)光效率等特性，可通過組合輝度計(jì)和電流-電壓計(jì)來測(cè)定。表l金屬絡(luò)合物二面角(°)實(shí)施例1MC19.5221.96實(shí)施例2MC29.9209.62實(shí)施例3MC311.0268.33比較例1-金屬絡(luò)合物0^^4)的合成-金屬絡(luò)合物(MC4)，用J.Am.Chem.Soc.，2003，125，12971-12979.記載的方法合成。67<formula>formulaseeoriginaldocumentpage68</formula>一系數(shù)的計(jì)算一與實(shí)施例1相同，計(jì)算上述金屬絡(luò)合物(MC4)的配體內(nèi)的二面角(。)及d軌道系數(shù)0(%/eV)，其結(jié)果如表2所示。制備將上述金屬絡(luò)合物(MC4)和聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(Aldrich公司，典型的Mw=120000，以下稱為"PMMA")以重量比2:98混合的混合物的10重量％氯仿溶液。向石英基板上滴下該溶液，干燥，在石英基板上形成摻入金屬絡(luò)合物(MC4)的PMMA膜。使用上述獲得的基板測(cè)定熒光，結(jié)果觀察到在608nm、657nm處有發(fā)光峰的發(fā)光，熒光量子收率為27%。熒光量子收率，使用有機(jī)EL發(fā)光特性評(píng)價(jià)裝置((株)Optd株式會(huì)社制、商品名:IES-150)，于激發(fā)波長(zhǎng)350nm處測(cè)定。-EL元件的制作，特性評(píng)價(jià)-除使用金屬絡(luò)合物(MC4)代替實(shí)施例1中金屬絡(luò)合物(MC1)之外，其他與實(shí)施例l相同，可制作EL元件。通過在該EL元件上施加電壓，可確認(rèn)EL發(fā)光。輝度、發(fā)光效率等特性，可通過組合輝度計(jì)和電流-電壓計(jì)來測(cè)定。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage68</column></row><table>實(shí)施例4一金屬絡(luò)合物(MC5)的合成一(14)lr-二聚體(A)在反應(yīng)容器中稱量實(shí)施例1中獲得的2-(5，6，7，8-四氫化萘-l-基)吡啶(l-4)(523mg、2.50mmo1)、氯化銥(IrCl33H2O)(401mg、1.14mmol)、2-乙氧基乙醇(6mL)及水(2mL)，在氮?dú)饬飨?，?40。C回流7小時(shí)?？諝饫鋮s后，將獲得的反應(yīng)物過濾，通過用水及甲醇洗滌，獲得黃色固體Ir-二聚體(A)(646mg、5.01mmo1)。收率為88%。在反應(yīng)容器中稱量Ir-二聚體(A)(387mg、0.30mmo1)、乙酰丙酮(150mg、1.5mmo1)、碳酸鈉(318mg、3.0mmol)以及2-乙氧基乙醇(8mL)，在氮?dú)饬飨?，在室溫下攪?2小時(shí)?？諝饫鋮s后將反應(yīng)物過濾，用甲醇及己垸洗滌。將獲得的橙色固體溶解到二氯甲垸中，用硫酸鈉干燥。用硅膠柱色譜法(二氯甲烷)精制，溶液量濃縮至約2mL。過濾從濃縮液中結(jié)晶析出的橙色結(jié)晶，通過用己烷及二乙基醚洗滌，獲得黃色固體化合物(MC5)(252mg、0.36mmo1)。收率為59%。LC隱MS(正)m/z:709([M+H]+)'H艦R(300MHz,CDC13)S1.75(br,14H)，(52.62(br,4H),53.16(br,4H),35.16(d，1H),<55.98(d,2H)，56.39(dd,2H),<57.06(邁，2H),(57.68(邁，2H)，58.13(d，2H)，(58.62(d,2H).-熒光量子收率測(cè)定-69c、制備將上述金屬絡(luò)合物(MC5)和聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(Aldrich公司，以下稱為"PMMA")以重量比2:98混合的混合物的10重量％氯仿溶液。向石英基板上滴下該溶液，干燥，在石英基板上形成摻入金屬絡(luò)合物(MC5)的PMMA膜。使用上述獲得的基板測(cè)定熒光，結(jié)果觀察到在562nm處有發(fā)光峰的發(fā)光，熒光量子收率為67%。熒光量子收率，使用有機(jī)EL發(fā)光特性評(píng)價(jià)裝置((株)Optel株式會(huì)社制、商品名:IES-150)，于激發(fā)波長(zhǎng)350nm處測(cè)定。-EL元件的制作*特性評(píng)價(jià)-制備將用下述式表示的化合物(CBP、同仁化學(xué)研究所制)和金屬絡(luò)合物(MC5)以重量比97.5:2.5混合的混合物的0.8重量％氯仿溶液。接著，在通過濺射法形成150nm厚度的ITO膜的玻璃基板上，使用聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸溶液(Bayer公司、商品名:BaytronpP)，通過旋轉(zhuǎn)涂布進(jìn)行成膜，膜厚50nm，在熱板上20(TC下干燥10分鐘。接著，使用上述制備的氯仿溶液，通過旋轉(zhuǎn)涂布以3500rpm的旋轉(zhuǎn)速度進(jìn)行成膜。進(jìn)而在氮?dú)猸h(huán)境下在13(TC干燥1小時(shí)后，作為陰極，蒸鍍約5nm鋇，接著蒸鍍約80nm鋁，制作EL元件。此外，在真空度達(dá)到lxlO—4Pa以下后，開始金屬的蒸鍍。通過在獲得的EL元件上施加電壓，觀察到在550nrn處有最大發(fā)光峰的EL發(fā)光。該EL元件，在約16V下獲得約100cd/r^的發(fā)光輝度，最大發(fā)光效率為15cd/A。-高分子化合物(P-l)的合成-在惰性氣體環(huán)境下，將下述化合物(M-l)[FrontierScientific公司制](0.392G)及下述化合物(M-2)(0.530G)溶解到預(yù)先吹入氬氣的無水甲苯8.5mL中。接著，使獲得的溶液升溫至45°C，加入乙酸鈀(0.4mG)及磷配體(7mG)，攪拌5分鐘，加入2.1ml堿，在IO(TC下加熱7小時(shí)。在獲得的溶液中，加入4-叔丁基苯硼酸(0.05G)，再次在10(TC下攪拌2小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻，通過滴注甲醇(155ml)，獲得下述高分子化合物(P-l)0.47g。此外，聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量及重均分子量分別為:M『l.lx105、Mw=2.5xl05。(下述式中，n為重復(fù)單元數(shù)，滿足這些分子量)。高分子化合物(P-1)，根據(jù)日本特表2005-506439號(hào)公報(bào)記載的方法制造。一EL元件的制作特性評(píng)價(jià)2—制備將高分子化合物(P-1)和金屬絡(luò)合物(MC5)以重量比95:5混合的混合物的0.4重量％氯仿溶液，使用上述溶液，通過旋轉(zhuǎn)涂布以2500rpm的旋轉(zhuǎn)速度將發(fā)光層成膜，與上述相同，制作EL元件。通過在獲得的EL元件上施加電壓，觀察到在550nm處有最大發(fā)光峰的EL發(fā)光。該EL元件，在約19V下獲得100cd/r^發(fā)光輝度，最大發(fā)光效率為3cd/A。實(shí)施例5一金屬絡(luò)合物(MC6)的合成一Tf0吡啶OTf(1-5)在反應(yīng)容器中稱量3-羥基異喹啉(5.0g、34.4mmol)和無水吡啶(15mL)，在氮?dú)饬飨?，在冷卻到or的同時(shí)滴入三氟甲基磺酸酐。在0。C下反應(yīng)1小時(shí)、室溫下反應(yīng)6小時(shí)后，加入水(lOOmL)和二乙基醚(lOOmL)，在室溫下攪拌1小時(shí)。將有機(jī)層依次用水(50mL)、5重量。/。鹽酸(50mL)、水(50mL)、飽和食鹽水(50mL)洗滌，用硫酸鈉干燥。蒸餾除去溶劑，用硅膠色譜法精制殘?jiān)@得化合物(l-5)(8.44g、30.4mmo1)。收率為88%。LC-MS(正)m/z:278([M+H]+)'HNMR(300MHz,CDC13)S7.60(s,1H),57,71(m，1H),57.82(m,1H)，S7.94(d，/=8.3Hz,1H)，8.09(d,/=8.3Hz,1H)，9.09(s,1H).tBuMe2SiCI咪唑DMFOSiMe2'Bu(1-6)CsFPdCI2(dpp1)1,4-二鵬Cs2C03DMF/H20Tf20吡淀Q—,o8n"~K。BB、-/O一PdCI2(dpp1)dppfAcOK1，4-二噁烷4-溴-5，6，7，8-四氫-l-萘酚采用Can.J.Chem.，1989，69，2061.記載的方法合成。在氮?dú)饬飨?，在反?yīng)容器中稱量4-溴-5，6，7，8-四氫匿l一萘酚(100.3g、442mmo1)、咪唑(89.4g、1313mmo1)、N，N-二甲基甲酷胺(1028mL)，添加叔丁基二甲基氯硅烷(91.9g，610mmol)，在室溫下攪拌89小時(shí)。將反應(yīng)溶液加入水(5L)中，用乙酸乙酯(2L)二次提取。將有機(jī)層用水(1L)洗滌、用飽和食鹽水(1L)洗滌后，用硫酸鈉干燥，減壓濃縮。用硅膠色譜法精制殘?jiān)?，獲得化合物(l-6)(155.6g)?；衔?l-6)'HNMR(400MHz,CDC13)50.21(s，6H),61.00(s，9H),S1.75(m,4H),S2.66(m,4H),S6.50(d，/=8.6Hz,1H)，7.23(d,/=8.6Hz，1H).在氮?dú)饬飨拢诜磻?yīng)容器中稱量9-硼雙環(huán)-[3.3.1]壬垸(39.2g、322mmo1)和1，4-二噁烷(1075mL)，加入l-辛烯(36.1g、322mmol)在8CTC下攪拌1小時(shí)。依次加入氟化銫(146.7g、966mmo1)、[1，l-雙(二苯基膦)二茂鐵]二氯化鈀(II)(7.89g、9.66mmo1)、化合物(l-6)(109.8g、322mmo1)，在80。C下攪拌3小時(shí)。將反應(yīng)混合物加入水(2.5L)中，用乙酸乙酯(1L)提取3次。將有機(jī)層用飽和食鹽水(1L)洗滌后，用硫酸鈉干燥，減壓濃縮。用硅膠色譜法精制殘?jiān)?，獲得化合物(l-7)(49.8g)?；衔?l-7)'HNMR(400MHz,CDCI3)S0.22(s,6H)，S0.88(t,3H)，51.00(s,9H)，51.28(m,10H),51.52(m,2H),S1.78(m,4H),S2.48(m，2H),52.65(m,4H)，56.55(d,1H),56.82(d，1H).在氮?dú)饬飨?，在反?yīng)容器中稱量化合物(l-7)(49.8g、134mmol)和N，N-二甲基甲酰胺/水混合溶劑(體積比10/1、150mL)，加入碳酸銫(21.8g、67mmol)在100。C下攪拌1.5小時(shí)。在反應(yīng)溶液中加入水(450mL)，用甲基隱叔丁基醚(300mL)提取2次。將有機(jī)層用用飽和食鹽水(200mL)洗滌后，用硫酸鈉干燥，減壓濃縮。用硅膠色譜法精制殘?jiān)?，獲得化合物(l-8)(30.8g)。化合物(l-8)73'HNMR(400MHz，CDC13)50.88(t,3H),51.32(邁，10H)，S1.51(m,2H)，S1.79(邁，4H),52.48(m,2H),S2.66(m，4H)，54.53(d，1H),56.58(d,1H),56.86(d,1H).在氮?dú)饬飨?，在反?yīng)容器中稱量化合物(l-8)(61.2g、235mmol)、吡啶(120mL)，在冰冷卻下滴入三氟甲基磺酸酐(73.6g，261mmol)。滴入后在室溫下攪拌23小時(shí)。將反應(yīng)溶液加入水(300mL)中，用甲基-叔丁基醚(150mL)提取2次。將有機(jī)層用1N鹽酸(100mL)洗滌3次、用飽和食鹽水(200mL)洗滌1次后，用硫酸鈉干燥，減壓濃縮。用硅膠色譜法精制殘?jiān)?，獲得化合物(l-9)(80.7g)?；衔铩糽-9)'HNMR(400MHz，CDC13)S0.89(t，3H),51.32(m，10H),61.52(邁，2H),51.80(m，4H),S2.52(邁，2H),S2.70(m,2H),52.79(m，2H),S7.01(m,2H).在氮?dú)饬飨?，在反?yīng)容器中稱量乙酸鉀(61.5g、626mmd)、雙頻那酯二硼(bis(pinacolate)diboron)(58.3g、230mmo1)、1，1-雙(二苯基膦)二茂鐵(3.47g、6.26mmo1)、[1，l-雙(二苯基膦)二茂鐵]鈀(II)二氯化物(5.1g、6.26mmo1)、化合物(l-9)(78.2g、209mmol)以及1，4-二噁垸(1260mL)，在80。C下攪拌24小時(shí)。將反應(yīng)溶液用甲苯(2L)稀釋，用飽和食鹽水(1L)洗漆2次后，用硫酸鈉干燥，減壓濃縮。用硅膠色譜法精制殘?jiān)?，獲得化合物(l-10)(37.6g)。化合物(I-IO)'HNMR(400MHz，CDC13)50.88(t，3H)，S1.28(m，10H),S1.32(s,12H)，51.54(m，2H)，S1.77(m,4H),52.54(m,2H),52.69(m，2H),53.05(m,2H),66.97(d,1H)，57.56(d，1H).在氮?dú)饬飨?，在反?yīng)容器中加入化合物(l-5)(2.77g、lOmmol)、化合物(l-10)(3.94g、lOmmol)、碳酸鈉4.24g(40mmo1)、N，N-二甲基甲酰胺(100mL)、乙醇(10mL)、四(三苯基膦)合鈀(0)(0.58g、0.5mmo1)，在115°C下攪拌8小時(shí)。在反應(yīng)溶液中加入水(400mL)和乙酸乙酯/己垸混合溶劑(體積比1A、400mL)進(jìn)行提取。將有機(jī)層用水(400mL)、5重量％碳酸鈉水溶液(300mL)以及飽和食鹽水(100mL)洗滌后，用硫酸鈉干燥，減壓濃縮。用硅膠色譜法精制殘?jiān)@得化合物(l-ll)(1.42g)。化合物(l-ll)LC-MS(正)m/z:372([M+H]+)'HNMR(300MHz,CDC13)60.89(t，3H),51.30(br,10H),S1.61(m,2H),51.71(m,2H),S1.85(m,2H)，S2.62(血，2H)，S2.79(m,4H)，S7.10(d，1H),57.20(d,1H)，57.60(m,1H),S7.70(邁，2H),37.83(d,IH)，38.00(d,1H)，59.31(s，1H).<formula>formulaseeoriginaldocumentpage75</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage76</formula>在反應(yīng)容器中稱量化合物(l-11)(592mg、1.5mmo1)、氯化銥三水合物(241mg、0.68mmo1)、2-乙氧基乙醇(3mL)、7夂(lmL)，在氮?dú)饬飨?，?40'C下加熱16小時(shí)?？諝饫鋮s后，將獲得的反應(yīng)物過濾，通過依次用水、甲醇、己垸洗滌，獲得橙色固體Ir-二聚體(B)(475mg、0.25mmo1)。在反應(yīng)容器中，稱量Ir-二聚體(B)(388mg、0.20mmo1)、乙酰丙酮(100mg、l.Ommol)、碳酸鈉(212mg、2.0mmol)以及2-乙氧基乙醇(6mL)，在氮?dú)饬飨?，在IO(TC下攪拌IO小時(shí)。蒸餾除去溶劑，用柱色譜法精制殘?jiān)?，將油狀殘?jiān)眉和榧凹状枷礈欤@得金屬絡(luò)合物(MC6)(133mg、0.13mmo1、收率32%)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage76</formula>'H■(300MHz,CDC13)50.85—1,27(in,30H)，S1.73(m,4H),S1.79(s,6H),S1.84(邁，4H),S2.10(m,4H),S2.51(邁，4H)，53.29(邁，4H),S5.18(s,1H),55.74(s,2H),&7.51(dd，2H)，S7.66(dd,2H),57.84(d，2H),57.92(d,2H)，S.8.38(s，2H)，59.35(s,2H).—熒光量子收率測(cè)定一除使用上述金屬絡(luò)合物(MC6)代替實(shí)施例4中金屬絡(luò)合物(MC5)之夕卜，其它與實(shí)施例4相同，測(cè)定熒光，結(jié)果觀察到在575nm、615nm處有發(fā)光峰的發(fā)光，熒光量子收率為46%。—EL元件的制作*特性評(píng)價(jià)—制備將實(shí)施例4所述的CBP和金屬絡(luò)合物(MC6)以重量比97.5:2.5混合的混合物的0.8重量％氯仿溶液。接著，在通過濺射法形成150nm厚度的ITO膜的玻璃基板上，使用聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸溶液(Bayer公司、商品名:BaytronP)，通過旋轉(zhuǎn)涂布進(jìn)行成膜，膜厚50nm，在熱板上在20(TC下干燥IO分鐘，接著如上所述，使用制備的氯仿溶液，通過旋轉(zhuǎn)涂布以3500rpm的旋轉(zhuǎn)速度進(jìn)行成膜。進(jìn)而將其在氮?dú)猸h(huán)境下，在13(TC干燥1小時(shí)后，作為陰極，蒸鍍約5nm的鋇，接著蒸鍍約80nm的鋁，制作EL元件。此外，在真空度達(dá)到lxlO—4Pa以下后，開始金屬的蒸鍍。通過在獲得的EL元件上施加電壓，觀察到在605nm處有最大發(fā)光峰的EL發(fā)光。該EL元件，在約18V下獲得約100cd/m2的發(fā)光輝度，最大發(fā)光效率為6cd/A。實(shí)施例6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage77</formula>一系數(shù)的計(jì)算一與實(shí)施例1相同，計(jì)算上述金屬絡(luò)合物(MC7)的配體內(nèi)的二面角(。)及d軌道系數(shù)0(%/eV)。其結(jié)果，配體內(nèi)的二面角為12(°)、并且d軌道系數(shù)(D為228.77(%/eV)。本發(fā)明的金屬絡(luò)合物，特別是適用于電致發(fā)光元件的發(fā)光層所使用的發(fā)光材料時(shí)，發(fā)光效率、穩(wěn)定性等優(yōu)異性顯著。該金屬絡(luò)合物通常是發(fā)光性的絡(luò)合物。這些優(yōu)異的特性，不僅在紅色發(fā)光區(qū)域、藍(lán)色發(fā)光區(qū)域能夠獲得，而且在綠色發(fā)光區(qū)域也能夠獲得。因此，該金屬絡(luò)合物，在電致發(fā)光元件等發(fā)光元件、光電元件等元件的制造中特別有用。權(quán)利要求1.一種金屬絡(luò)合物，其為具有下述通式(1)所示結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物，式中，X1及X2分別獨(dú)立地表示碳原子或氮原子；下述式表示的鍵，以及下述式表示的鍵分別獨(dú)立地為單鍵或雙鍵；M表示過渡金屬原子；Z1環(huán)表示含有下述式表示的鍵的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；Z2環(huán)表示含有下述式表示的鍵的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，由含有下述式所示結(jié)構(gòu)的面和含有下述式所示結(jié)構(gòu)的面決定的二面角為9°～16°，且所述金屬絡(luò)合物的最高占有分子軌道中，所述金屬原子M的最外層d軌道的軌道系數(shù)的平方之和相對(duì)于全部原子軌道系數(shù)的平方之和所占的比例(％)除以該金屬絡(luò)合物的最低激發(fā)單重態(tài)能量S1(eV)與最低激發(fā)三重態(tài)能量T1(eV)的能量之差S1-T1(eV)而得的值為200～600％/eV。2.—種金屬絡(luò)合物，其為具有下述通式(l)表示的結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物，式中，Xi及X2分別獨(dú)立地表示碳原子或氮原子；下述式表示的鍵及下述式表示的鍵分別獨(dú)立地為單鍵或雙鍵；M表示過渡金屬原子；Z!環(huán)表示含有下述式所示鍵的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，Z2環(huán)表示含有下述式所示鍵的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，該Z,環(huán)具有下述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)，式中，X,、Yi以及Y2分別獨(dú)立地表示碳原子或氮原子；下述式:表示的鍵、下述式表示的鍵以及下述式表示的鍵分別獨(dú)立地為單鍵或雙鍵；Zu)環(huán)表示含有下述式:或者所述Z2環(huán)具有下述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)，式中，X2、Y3以及Y4分別獨(dú)立地表示碳原子或氮原子；下述式表示的鍵、下述式表示的鍵以及下述式表示的鍵分別獨(dú)立為單鍵或雙鍵；Z2o表示含有下述式所示結(jié)構(gòu)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，Z^環(huán)表示除下述式表示的鍵之外，由單鍵構(gòu)成的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，或者所述Z,環(huán)具有所述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)，且所述Z2環(huán)具有所述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求1或2所述的金屬絡(luò)合物，具有下述通式(4-1)或下述通式(4-2)表示的結(jié)構(gòu)，式中，M與上述相同，RA、Rb、Rc、Rd、RE以及RF分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅垸基、取代甲硅垸氧基、取代甲硅垸硫基、取代甲硅垸氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基乙炔基、取代羧基或氰基，或者逸自RA及RB、RB及R、f及R13、以及RE及W中的至少一個(gè)組合可結(jié)合形成芳香環(huán)。4.一種金屬絡(luò)合物，其具有下述通式(5)表示的結(jié)構(gòu)，及下述式表示的鍵分別獨(dú)立地為單鍵或雙鍵；M表示過渡金屬原子；Z,環(huán)表示含有下述式所示鍵的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；Z2環(huán)表示含有下述式所示鍵的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，A表示與Z,環(huán)中的1個(gè)原子和Z2環(huán)中的1個(gè)原子鍵合的連結(jié)基團(tuán)，所述連結(jié)基團(tuán)由選自-C(R訓(xùn))(R502)-、-N(R503)-、-P(R504)-、-P(=O)(R507)-、-Si(R5Q5)(R5()6)-、以及-S02-中的26個(gè)基團(tuán)組成，R^R，分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳烷硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅垸氧基、取代甲硅烷氧基、一價(jià)雜環(huán)基或鹵原子。5.如權(quán)利要求24中任一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物，其特征在于，所述金屬絡(luò)合物的最高占有分子軌道中，所述金屬原子M的最外層d軌道的軌道系數(shù)平方之和相對(duì)于全部原子軌道系數(shù)平方之和所占的比例(％)為33.3%以上。6.如權(quán)利要求25中任一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物，其特征在于，由含有下述式:所示結(jié)構(gòu)的面和含有下述式Xl-x2=N所示結(jié)構(gòu)的面決定的二面角為9°16°，且所示金屬絡(luò)合物的最高占有分子軌道中，所示金屬原子M的最外層d軌道的軌道系數(shù)平方之和相對(duì)于全部原子軌道系數(shù)平方之和所占的比例(％)除以該金屬絡(luò)合物的最低激發(fā)單重態(tài)能量S"eV)與最低激發(fā)三重態(tài)能量T,(eV)的能量之差S,-T,(eV)而得的值為200600%/eV。7.如權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物，其中所述M為釕、銠、鈀、鋨、銥或鉑的金屬原子。8.—種高分子化合物，其分子內(nèi)含有權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物的殘基。9.如權(quán)利要求8所述的高分子化合物，其為共軛高分子化合物。10.如權(quán)利要求8或9所述的高分子化合物，其中，所述高分子化合物含有二價(jià)芳香族基團(tuán)。11.權(quán)利要求IO所述的高分子化合物，其中所述二價(jià)芳香族基團(tuán)為可具有取代基的亞苯基、可具有取代基的亞萘基、可具有取代基的二價(jià)雜環(huán)基、可具有取代基的二價(jià)芳香族胺基、或下述通式(6)表示的基團(tuán)，式中、P環(huán)及Q環(huán)分別獨(dú)立地表示芳香環(huán)，P環(huán)可存在也可不存在，2根結(jié)合鍵在P環(huán)存在時(shí)，存在于P環(huán)及/或Q環(huán)上，當(dāng)P環(huán)不存在時(shí)，其存在于含有Y的5元環(huán)或6元環(huán)及/或Q環(huán)上；P環(huán)、Q環(huán)以及含有Y的5元環(huán)或6元環(huán)可分別獨(dú)立地具有選自烷基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳垸硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、鹵原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基中的至少一種取代基；Y表示一O—、一S—、一Se—、一B(R6)—、—Si(R7)(R8)—、一P(R9)—、—PR10(二O)—、一C(R11)(R12)—、—N(R13)—、一C(R14)(R15)—C(R16)(R17)—、一O—C(R18)(R19)一、—S-C(R20)(R21)-、一N—C(R22)(R23)-、一Si(R24)(R25)—C(R26)(R27)—、—Si(R28)(R29)—Si(R30)(R31)—、—C(R32)=C(R33)—、一N=C(R34)—或一Si(R35)二C(R36)—；R6R36分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅垸基、甲硅烷氧基、取代甲硅垸氧基、一價(jià)雜環(huán)基或鹵原子。12.—種組合物，其含有權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物及/或權(quán)利要求811中任一項(xiàng)所述的高分子化合物，和電荷輸送材料及/或發(fā)光材料。13.—種液狀組合物，其含有權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物及/或權(quán)利要求811中任一項(xiàng)所述的高分子化合物和溶劑或分散劑。14.一種膜，其含有權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物及/或權(quán)利要求811中任一項(xiàng)所述的高分子化合物。15.—種元件，其含有權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物及/或權(quán)利要求811中任一項(xiàng)所述的高分子化合物。16.—種元件，其具有由陽極及陰極組成的電極、和在所述電極間設(shè)置的含有權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物及/或權(quán)利要求811中任一項(xiàng)所述的高分子化合物的層。17.如權(quán)利要求16所述的元件，其具有由陽極及陰極組成的電極，和電荷輸送層及/或電荷阻止層。18.—種發(fā)光元件，其由權(quán)利要求1517中任一項(xiàng)所述的元件組成。19.一種開關(guān)元件，其由權(quán)利要求1517中任一項(xiàng)所述的元件組成。20.—種光電轉(zhuǎn)換元件，其由權(quán)利要求1517中任一項(xiàng)所述的元件組成。21.—種面狀光源，其使用權(quán)利要求18所述的元件而成。22.—種照明，其使用權(quán)利要求18所述的元件而形成。23.—種顯示裝置，其使用權(quán)利要求18或19所述的元件而形成。24.—種太陽電池，其使用權(quán)利要求20所述的元件而形成。全文摘要一種具有式(1)表示的結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物。(X₁及X₂分別獨(dú)立地表示碳原子或氮原子，X₁1----C及X₂2----N表示的鍵為單鍵或雙鍵，M表示過渡金屬原子，并且，由含有C----X₁-X₂表示的結(jié)構(gòu)的面和含有X₁-X₂2----N表示的結(jié)構(gòu)的面決定的二面角為9°～16°，且該金屬絡(luò)合物的最高占有分子軌道中，該金屬原子M的最外層d軌道的軌道系數(shù)平方之和相對(duì)于全部原子軌道系數(shù)平方之和所占的比例(％)除以該金屬絡(luò)合物的最低激發(fā)單重態(tài)能量S₁和最低激發(fā)三重態(tài)能量T₁的能量之差S₁-T₁而得的值為200～600％/eV。)文檔編號(hào)C09K11/06GK101426802SQ20078001413公開日2009年5月6日申請(qǐng)日期2007年2月21日優(yōu)先權(quán)日2006年2月22日發(fā)明者三上智司,關(guān)根千津,秋野喜彥申請(qǐng)人:住友化學(xué)株式會(huì)社;薩美甚株式會(huì)社