專利名稱：羥基鎵酞菁化合物,其制備方法和用這種化合物的電照相感光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新的羥基鎵酞菁化合物，其制備方法，用這種化合物的電照相感光元件，和帶這種感光元件的電照相成像設(shè)備和處理盒。
這里，酞菁染料不僅作為著色劑而且作為構(gòu)成電照相感光元件，太陽能電池，光敏元件的電材料。
另一方面，利用電照相的打印機(jī)近年來已廣泛用作終端打印機(jī)。這些打印機(jī)基本上是用激光為光源的激光束打印機(jī)。作為光源，考慮到成本和體積半導(dǎo)體激光器廣泛采用。目前使用的半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長在790-820nm的長波長范圍內(nèi)，結(jié)果發(fā)展了對這種長波長有足夠感光性的電照相光導(dǎo)元件。
電照相光導(dǎo)元件的感光性決定于電荷生成材料，已研究了包括金屬酞菁和非金屬酞菁的對長波長感光的電荷生成材料，如鋁氯酞菁，氯化銦酞菁，氧化釩酞菁，羥基鎵酞菁，氯化鎵酞菁，錳酞菁，和氧化鈦酞菁。
我們知道這些酞菁中的許多有多種晶型。例如，公知的非金屬酞菁有α型，β型，γ型，6型，ε型，χ型，ι型，等等，而銅酞菁公知的有α型，β型，γ型，ε型，χ型等等。這些酞菁化合物的具體例子在例如日本申請專利公開(JP-A)50-38543，JP-A-51-108847和JP-A53-37423中公開。
至于羥基鎵酞菁，在JP-A5-263007和JP-A-6-93203中公開了幾個晶型。但是，用這種羥基鎵酞菁化合物制得的電照相感光元件在高速和高圖像質(zhì)量電照相工藝，感光性，在反復(fù)使用中的電位穩(wěn)定性，和響應(yīng)于白光的貯存特性不令人滿意。
本發(fā)明的基本目的是提供一種羥基鎵酞菁(化合物)的新的晶型。
本發(fā)明的另一目的是提供一種用這種羥基鎵酞菁并對長波光呈現(xiàn)高感光性和在重復(fù)使用時電位變化小的電照相感光元件。
本發(fā)明的另一目的是提供一種即使長期用可見光照射也無光記憶的電照相感光元件。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種包括這種電照相感光元件的處理盒和電照相設(shè)備。
按本發(fā)明，提供一種羥基鎵酞菁其晶型的特征在于CuKα特征X射線衍射圖中最強(qiáng)峰的布拉格角在28.1度(2θ±0.2度)。
按本發(fā)明的另一方面，提供一種制備羥基鎵酞菁的工藝，包括下列步驟處理鹵代鎵酞菁以轉(zhuǎn)換成水合羥基鎵酞菁，將水合羥基鎵酞菁冷凍干燥成低結(jié)晶度的羥基鎵酞菁，和研磨該低結(jié)晶度的羥基鎵酞菁。
按本發(fā)明，還提供一種電照相感光元件，包括電導(dǎo)支撐，和至少形成在該電導(dǎo)支撐體上的含上述羥基鎵酞菁的感光層。
按本發(fā)明，也提供一種電照相設(shè)備，包括上述的電照相感光元件，對感光元件充電的充電裝置，將感光元件成像暴光以在感光元件上形成靜電潛像的成像暴光裝置，用調(diào)色劑將感光元件上的靜電潛像顯影的顯影裝置。
本發(fā)明還提供一種處理盒，包括上述的電照相感光元件和將感光元件充電的充電裝置以形成一個整體，它可拆卸地安裝到電照相設(shè)備的主體上。
通過下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的說明本發(fā)明的上述和其它目的，特征和優(yōu)點(diǎn)將更加清楚，其中類似的部件用類似的參數(shù)注明。


圖1-4分別是本發(fā)明的電照相設(shè)備的實(shí)施例的示意圖。
圖5是例1中得到的氯化鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖。
圖6是例1中得到的低結(jié)晶度的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖。
圖7是例1中得到的具有本發(fā)明晶型的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖。
圖8是例2中得到的具有本發(fā)明晶型的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖。
圖9是例2中得到的具有本發(fā)明晶型的羥基鎵酞菁晶體的紅外吸收光譜圖。
圖10是比較例1中得到的低結(jié)晶度的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖。
圖11是例1中得到的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖。
本發(fā)明的羥基鎵酞菁有一為下式代表的化學(xué)結(jié)構(gòu)，特征在于CuKα特征X射線衍射圖中最強(qiáng)峰(即最高峰)的布拉格角在28.1度(2θ±0.2度) 其中X1，X2，X3和X4分別代表Cl或Br，而n，m，p和k分別代表0-4的整數(shù)。
本發(fā)明的羥基鎵酞菁除了有在28.1度的峰外，在布拉格角為7.3度，24.9度等也有峰，但這些峰都比在28.1度的峰低。
通過在電照相感光元件中用這種羥基鎵酞菁為電荷生成材料，可以得到對長波光有高感光性，有優(yōu)異耐用性和改進(jìn)了的記憶特性的電照相感光元件。
這里用于確定本發(fā)明的羥基鎵酞菁的晶型的X射線衍射數(shù)據(jù)是通過在下述條件下用CuKα特征X射線的X射線衍射測得的數(shù)據(jù)設(shè)備全自動X射線衍射設(shè)備(“MXP18“，可從MACScinence K.K買到)X射線管(靶)Cu管電壓50kV管電流300mA掃描方式2θ/θscan掃描速度2度/min樣品間隔0.020度起始角度(2θ)5度中止角度(2θ)40度發(fā)散縫(Divergence slit)0.5度散射縫(Scattering slit)0.5度接收縫0.3度曲面單色儀使用本發(fā)明的羥基鎵酞菁作為光導(dǎo)體有優(yōu)異的功能和特性，除上述的用作電照相感光元件外，還可用于作成太陽能電池，光敏元件，開關(guān)元件等等。
本發(fā)明的羥基鎵酞菁可以通過例如下述的方法來制備。
鹵代鎵酞菁進(jìn)行酸糊化處理(即，包括將酞菁溶解在酸(如硫酸)中，然后將得到的溶液倒入水中以將晶體再沉淀成糊)以得到糊狀的水合羥基鎵酞菁，然后，它冷凍干燥以得到低結(jié)晶度的羥基鎵酞菁。得到的低結(jié)晶度的羥基鎵酞菁再在一分散介質(zhì)中進(jìn)行研磨，分散介質(zhì)最好是酰胺溶劑，其例子包括乙酰胺，N，N二甲基甲酰胺，N，N-二甲基乙酰胺，N甲基甲酰胺，N-甲基乙酰胺，N-甲基丙酰胺，和甲酰胺。鹵代鎵酞菁可以用JP-A6-93203中公開的各種方法來制備。
這里所說的研磨是用磨裝置，如砂磨或球磨，和分散介質(zhì)，如玻璃珠，鋼珠，和鋁球，一起用來進(jìn)行的處理。研磨時間最好大約是4-24小時的數(shù)量級，它按所用的研磨設(shè)備而不同，其均勻性測定很難。太長的研磨時間對制造本發(fā)明的羥基鎵酞菁不適宜。在每隔1到3小時測研磨了的產(chǎn)物樣品的布拉格角的同時來控制研磨時間可以得到最好的結(jié)果。研磨用的分散介質(zhì)最好用量為低結(jié)晶度的羥基鎵酞菁的重量的5到30倍。
本發(fā)明的生產(chǎn)方法的特征在于對水合羥基鎵酞菁的冷凍干燥。不經(jīng)冷凍干燥步驟得到的羥基鎵酞菁不能在布拉格角為28.1度(2θ±0.2度)得到最強(qiáng)的峰。通過冷凍干燥，水合羥基鎵酞菁中含的水(水分)升華了。因此，冷凍干燥的條件是產(chǎn)生水升華的條件。例如，在水合羥基鎵酞菁冷凍后最多降低4Torr的壓力是適宜的由此即使在室溫也進(jìn)行升華。
在本發(fā)明的生產(chǎn)方法的一個具體例子中，用一個和真空泵相連的冷凍干燥設(shè)備(“KFD-1”，可從Kaneda Rika K.K.買到)進(jìn)行冷凍干燥。該設(shè)備中，集水單元的溫度可調(diào)節(jié)在-20到-110℃的范圍內(nèi)。所用的真空泵的排氣速度為100升/分鐘，最優(yōu)真空度為10-4Torr。
作為原料的鹵化鎵酞菁除了氯化鎵酞菁外，還可以是溴化鎵酞菁或碘化鎵酞菁。
下面，將說明作為電照相感光元件中的電荷生成材料的羥基鎵酞菁晶體的一些應(yīng)用實(shí)例。
本發(fā)明的電照相感光元件具有形成在電導(dǎo)支撐體上的包括含電荷生成材料和電荷遷移材料的單一感光層的層結(jié)構(gòu)，也可以是包括順序形成在電導(dǎo)支撐體上的含電荷生成材料的電荷生成層和含電荷遷移材料的電荷遷移層的層合感光層。電荷生成層和電荷遷移層的層順序可以反過來。
電導(dǎo)支撐體可包括有電導(dǎo)性的任何材料，其例子包括金屬，如鋁和不銹鋼；和帶電導(dǎo)涂層的例如，金屬，塑料和紙的固體襯底。電導(dǎo)支撐體可以是圓柱形，平形，彎曲或繞起的片或帶。
在電導(dǎo)支撐體和感光層之間，可以有一個底層或有隔離功能和粘結(jié)功能的內(nèi)涂層。該內(nèi)涂層例如包括一種材料，如聚乙烯醇，聚環(huán)氧乙烷，乙基纖維素，甲基纖維素，酪蛋白，聚酰胺，膠或明膠。這些材料可溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┲幸约拥诫妼?dǎo)支撐體上，從而形成厚度為如，0.2-3.0μm的膜。
單層的感光元件可以通過將本發(fā)明的作為電荷生成材料的羥基鎵酞菁和電荷遷移材料混到適當(dāng)?shù)恼澈蠘渲芤褐幸孕纬苫旌弦簩⒃摶旌弦杭拥诫妼?dǎo)支撐體上，選擇性地經(jīng)上述的內(nèi)涂層而形成。
在形成如上述疊層的感光層時，通過將本發(fā)明的羥基鎵酞菁分散在適當(dāng)?shù)恼澈蟿┤芤褐幸孕纬煞稚⒁翰⑹┘尤朐摲稚⒁?，之后干燥來適當(dāng)?shù)匦纬呻姾缮蓪印５?，電荷生成層也可以通過羥基鎵酞菁?xì)庀喑练e來形成。
電荷遷移層可以通過加入和干燥將電荷遷移材料和粘合樹脂溶解在溶劑中形成的涂料來形成的。電荷遷移材料的例子包括三芳基氨化合物，腙化合物，芪化合物，吡唑啉化合物，噁唑化合物，噻唑化合物，和三芳基甲烷化合物。
構(gòu)成上述感光層或組成層的粘合劑的例子包括，聚酯，丙烯酸樹脂，聚乙烯咔唑，苯氧基樹脂，聚碳酸酯，聚乙烯醇縮丁醛，聚苯乙烯，聚乙酸乙烯酯，聚砜，聚多芳基化合物，1，1-二氯乙烯-丙烯腈共聚物，聚乙烯亞芐基。
加感光層可以通過涂的方法，如浸漬，斜涂，旋轉(zhuǎn)涂，珠涂，刮涂和束涂來進(jìn)行。
單層的感光層的厚度為5-40μm，優(yōu)選地10-30μm。在層狀感光層中，電荷生成層的厚度為0.1-10μm，優(yōu)選地0.05-5μm，電荷遷移層的厚度為5-40μm，優(yōu)選地10-30μm。
電荷生成材料優(yōu)選地占電荷生成層的量為20-80％(重量)，更優(yōu)選地30-70％(重量)。電荷遷移材料優(yōu)選地占電荷遷移層的量為20-80％(重量)，更優(yōu)選地30-70％(重量)。
單層感光層優(yōu)選地含電荷生成材料的量為3-30％(重量)，電荷遷移材料的量為30-70％(重量)，分別相對于其總重量。
本發(fā)明的羥基鎵酞菁在需要時，可與其它電荷生成材料合用，如用于全色系統(tǒng)或數(shù)字?；旌舷到y(tǒng)，或為改進(jìn)感光性或耐用性。此時，羥基鎵酞菁優(yōu)選地占總的電荷生成材料的50％(重量)。
感光層需要時還可以涂以保護(hù)層。這些保護(hù)層可以通過將適當(dāng)?shù)臉渲軇?，如聚乙烯醇縮丁醛，，聚酯，聚碳酸酯(如聚碳酸酯Z和改性的聚碳酸酯)，尼龍，聚酰亞胺，聚多芳基化合物，聚氨酯，苯乙烯-丁二烯共聚物，苯乙烯-丙烯酸共聚物或苯乙烯-丙烯腈共聚物中的溶液加到感光層上，然后干燥。優(yōu)選形成保護(hù)層的厚度為0.05-20μm。保護(hù)層可含電導(dǎo)顆?；蜃贤馕談ｋ妼?dǎo)顆粒例如包括金屬氧化物顆粒，如氧化錫。
下面，說明包括本發(fā)明的電照相感光元件的電照相設(shè)備的結(jié)構(gòu)和操作的一些實(shí)施例。
見圖1，本發(fā)明的鼓形成感光元件1以預(yù)定圓周速度以箭頭所示方向繞軸1旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)時，感光元件1的外圓周表面均勻充以預(yù)定正或負(fù)電位，然后用成像暴光裝置(未畫出)以圖像光L對感光元件(通過狹縫暴光或激光束掃描暴光)暴光，從而和暴光圖像一致的靜電潛像連續(xù)形成在感光元件1的圓周表面上。然后顯影裝置4用調(diào)色劑將靜電潛像顯影以在感光元件1上形成調(diào)色劑圖像。調(diào)色劑圖像由電暈轉(zhuǎn)印裝置5轉(zhuǎn)印到從供紙單元(未畫出)送入到感光元件1和與感光元件1的旋轉(zhuǎn)同步的轉(zhuǎn)印裝置5之間的位置的記錄材料9上。負(fù)載調(diào)色劑圖像的記錄材料9從感光元件表面分離然后被引向定影裝置8將調(diào)色劑圖像定影。得到的帶定影了的調(diào)色劑圖像的復(fù)印件從電照相設(shè)備中排放出。圖像轉(zhuǎn)印后的感光元件的表面由清潔裝置除殘余調(diào)色劑然后由預(yù)暴光裝置7除去電荷以再循環(huán)以重復(fù)成像。
圖2為電照相設(shè)備的另一個實(shí)施例，其中至少感光元件1，充電裝置2和顯影裝置4裝在一個容器20中以形成處理盒，它可拆卸地沿裝在主體中的導(dǎo)向裝置12，如導(dǎo)軌，安裝或插在電照相設(shè)備的主體上。在本實(shí)施例中位于容器20內(nèi)的清潔裝置6可以省去或放在容器外面。
另一方面，如圖3和4所示，可用直接充電裝置10并使帶電的直接充電裝置10和感光元件1接觸以對感光元件充電。(這種方式可稱為“直接充電”)。在圖3和4所示的設(shè)備中，感光元件1上的調(diào)色劑圖像也在直接充電元件23的作用下轉(zhuǎn)印到記錄材料9上。更具體地說，通過使帶電的直接充電元件23和記錄材料9接觸將感光元件1上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄材料9上。
另外，在圖4所示的設(shè)備中，至少感光元件1和直接充電裝置10裝在第一容器21中以形成第一處理盒，而至少顯影裝置4裝在第二容器22中以形成第二處理盒，結(jié)果第一和第二處理盒可拆卸地安裝到設(shè)備主體上。清潔裝置6可位于也可不位于容器21內(nèi)。
在電照相設(shè)備用作復(fù)印機(jī)或打印機(jī)時，成像暴光光L可以是經(jīng)原稿反射的光或傳遞的光，或通過從原稿讀出的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成信號并進(jìn)行激光束掃描的光，或是LED矩陣驅(qū)動或液晶快門矩陣驅(qū)動的光。
下面基于例子和比較例更具體地說明本發(fā)明。在下述的說明中，用于描述組合物的“％”和“份”都是重量。
例173g鄰苯二甲腈，25g三氯化鎵和400mlα-氯代亞萘以氮?dú)庵?00℃反應(yīng)4小時，在130℃過濾回收產(chǎn)物。在130℃將產(chǎn)物分散在N，N-二甲基甲酰胺中1小時，過濾，用甲醇洗干燥以得到45g氯化鎵酞菁晶體。該晶體的粉末X-射線衍射圖見圖5所示元素分析結(jié)果如下C(％)H(％) N(％)Cl(％)計算值 62.22 2.6118.14 5.74測量值 61.78 2.6618.28 6.2515g上面得到的氯化鎵酞菁在10℃溶解在450g濃硫酸中，得到的溶液滴加到2300g冰水中以沉淀晶體，晶體過濾回收。該晶體分散在2％氨水中然后用脫離子水充分沖洗。洗后晶體以液氮的溫度冷凍約3分鐘然后用上述的冷凍干燥設(shè)備(“KFD-1”，可從Kaneda Rika K.K買到)在1mmHg的真空下冷凍干燥以得到13g低結(jié)晶度的羥基鎵酞菁，它的粉末X-射線衍射圖見圖6所示。
然后，7g上述羥基鎵酞菁和210gN，N-二甲基甲酰胺和300g1mm直徑的玻璃珠在砂磨中在室溫22℃下磨5小時。從分散的液體中回收固態(tài)水，用甲醇充分洗滌并干燥以得到5.6克本發(fā)明的羥基鎵酞菁新晶體，它的粉末X-射線衍射圖見圖7所示。該羥基鎵酞菁的元素分析結(jié)果如下C(％)H(％) N(％)Cl(％)計算值 64.14 2.8618.70 --測量值 62.75 2.5618.31 0.54
例2粉末X-射線衍射圖如圖8所示的羥基鎵酞菁用和例1相同的方法制備，除了研磨時間從5小時變?yōu)?5小時。該羥基鎵酞菁也給出紅外吸收光譜如圖9和如下的元素分析結(jié)果C(％)H(％) N(％)Cl(％)計算值 64.14 2.8618.70 --測量值 62.19 2.7018.06 0.54比較例130g1，3-二亞氨基異二氫吲哚，9.1g三氯化鎵和230g喹啉在氮?dú)庵?00℃反應(yīng)3小時，過濾回收產(chǎn)物。用丙酮和甲醇洗滌產(chǎn)品并干燥以得到27g氯代鎵酞菁晶體。該晶體的粉末X-射線衍射圖和圖5所示的類似。
15g上面得到的氯代鎵酞菁在0℃溶解在300g濃硫酸中，得到的溶液在攪拌下滴加到2250g5℃的蒸餾水中以沉淀晶體，晶體過濾回收。該晶體用蒸餾水和2％氨水沖洗然后在約40℃真空干燥以促進(jìn)干燥得到13g低結(jié)晶度的羥基鎵酞菁，它的粉末X-射線衍射圖見圖10所示。
然后，0.5g上述羥基鎵酞菁和15gN，N-二甲基甲酰胺和30g1mm直徑的玻璃珠在涂料振蕩器(可從K.K.Toyo Seiki Seisakusho買到)以750cpm的振蕩速度磨10小時。從分散的液體中回收固態(tài)物質(zhì)，用甲醇充分洗滌并干燥以得到晶體，它的粉末X-射線衍射圖見圖11所示。下面，說明用上述制備的羥基鎵酞菁制備的電照相感光元件的一些例子。
例350份涂有含10％的氧化銻的氧化錫的氧化鈦粉末，25份酚醛型苯酚樹脂，20份甲基溶纖劑，5份甲醇和0.002份硅油(聚二甲基硅氧烷-聚氧亞烷基共聚物，Mw(重均分子量)＝3000)和1mm直徑的玻璃珠在砂磨中一起分散以制備電導(dǎo)涂料，它通過浸漬加到鋁圓柱(30mm直徑×260mm)在140℃下干燥30分鐘以得到20μm厚的電導(dǎo)層。
帶電導(dǎo)層的鋁柱進(jìn)一步通過浸漬在5份6-66-610-12四成分的聚酰胺共聚物在70份的甲醇和25份丁醇的混合溶劑中的溶液來涂，然后干燥，以形成1μm厚的內(nèi)涂層。
分別地，3份在例2中制備的羥基鎵酞菁和2份的聚乙烯醇縮丁醛加到100份的環(huán)已酮中，該混合物和1mm直徑的玻璃珠在砂磨中一起分散1小時。得到的分散體系用100份的甲基乙基酮稀釋以形成涂液。該涂液通過浸漬加到內(nèi)涂層上并在90℃干燥10分鐘以形成0.15μm厚的電荷生成層。
分別地10份具有下述結(jié)構(gòu)的 電荷遷移材料和10份雙酚Z型聚碳酸酯樹脂溶解在60份的氯苯中以形成涂液，該涂液通過浸漬加到電荷生成層上并在110℃干燥1小時以形成20μm厚的電荷遷移層從而制備了電照相感光元件。
例4以和例3相同的方式制備電照相感光元件除了用例1中制備的羥基鎵酞菁代替用例2中制備的羥基鎵酞菁作電荷生成材料。
比較例2以和例3相同的方式制備電照相感光元件除了用比較例1中制備的羥基鎵酞菁代替用例2中制備的羥基鎵酞菁作電荷生成材料。
以例3和4以及比較例2中制備的感光元件分別裝在激光打印機(jī)”LBP-SX”，可從佳能公司買到)并進(jìn)行感光性測量，其中感光元件充電使暗電位為-700伏然后用波長為820nm的激光照射以測量將電位從-700降低到-150要求的暴光光量作為感光性。結(jié)果見下表1表1感光元件 暴光量(μJ/cm2)例3 0.28例4 0.29比較例20.33分別包括例3和4和比較例2的感光元件的三種激光束打印機(jī)對4000張進(jìn)行連續(xù)成像測試起始暗部分電位(VD)和亮部分電位(VL)分別設(shè)定為-700伏和-150伏以在連續(xù)成像測試后測試暗部分電位(VD)和亮部分電位(VL)。結(jié)果見下表2所示。
表2感光元件 起始4000張后VD(V) VL(V) VD(V) VL(V)例3-700 -150-705 -160例4-700 -150-705 -160比較例3-700 -150-680 -230三個附加的感光元件分別用和例3和4和比較2相同的方式制備，各感光元件的部分用3000勒克司的白光照射30分鐘。感光元件分別裝在和上面不是一個的激光束打印機(jī)中測量各感光元件的照射部分和未照射部分的暗部分電位將未照射部分的暗部分電位設(shè)為-700伏。結(jié)果見下表3所示表3感光元件 未照射部分(V)照射部分(V) 差值(V)例3 -700 -675 25例4 -700 -670 30比較例3 -700 -630 70例6用和例3相同的方法制備電照相感光元件除了用雙酚Z型聚碳酸酯樹脂代替例3中所用的聚乙烯醇縮丁醛樹脂(粘合劑樹脂)。
例7用和例3相同的方法制備電照相感光元件除了用下式化合物作電荷遷移材料。 例8用和例3相同的方法制備電照相感光元件除了用下式化合物作電荷遷移材料。 例5-7制備的三種感光元件分別裝入如上述的激光打印機(jī)中以測量對將-700伏的暗部分電位降到-150伏需要的暴光量的感光性。結(jié)果見下表4所示表5感光元件暴光量(μJ/cm2)例5 0.27例6 0.27例7 0.2權(quán)利要求
1.一種電照相感光元件，包括電導(dǎo)支撐體，和形成在該電導(dǎo)支撐體上至少一個感光層，所述的感光層含一種羥基鎵酞菁，其晶型的特征在于CuKα特征X射線衍射圖中最強(qiáng)峰的布拉格角在28.1度(2θ±0.2度)。
2.一種如權(quán)利要求1所述的感光元件，其中所述的感光層有一個包括電荷生成層和電荷遷移層的層狀結(jié)構(gòu)，而所述的羥基鎵酞菁含在電荷生成層中。
3.一種如權(quán)利要求2所述的感光元件，其中所述的電荷生成層包括從聚乙烯醇縮丁醛或雙酚Z型聚碳酸酯中選擇的粘合劑和分散在該粘合劑中的羥基鎵酞菁的混合物。
4.一種如權(quán)利要求2所述的感光元件，其中所述的電荷遷移層含有從下式(a)-(c)中選擇的電荷遷移材料
5.一種電照相設(shè)備，包括權(quán)利要求1的電照相感光元件，對感光元件充電的充電裝置，將感光元件成像暴光以在感光元件上形成靜電潛像的成像暴光裝置，用調(diào)色劑將感光元件上的靜電潛像顯影的顯影裝置。
6.一種處理盒，包括權(quán)利要求1的電照相感光元件和將感光元件充電的充電裝置以形成一個整體，它中拆卸地安裝到電照相設(shè)備的主體上。
7.一種權(quán)利要求6所述的處理盒，還包括將形成在感光元件上的靜電潛像顯影的顯影裝置。
全文摘要
對半導(dǎo)體激光器發(fā)射的長波光呈現(xiàn)高感光性和在重復(fù)使用時電位變化小的電照相感光元件是通過用一種晶型的特征在于CuKα特征X射線衍射圖中最強(qiáng)峰的布拉格角在28.1度(2θ±0.2度)的羥基鎵酞菁作為電荷生成材料來形成的。這種羥基鎵酞菁優(yōu)選地是通過下面方法制備的,包括處理鹵代鎵酞菁以轉(zhuǎn)換成水合羥基鎵酞菁,將水合羥基鎵酞菁冷凍干燥成低結(jié)晶度的羥基鎵酞菁,和研磨該低結(jié)晶度的羥基鎵酞菁。
文檔編號C09B67/50GK1356597SQ01121638
公開日2002年7月3日 申請日期1997年4月25日 優(yōu)先權(quán)日1996年4月26日
發(fā)明者田中正人 申請人:佳能株式會社