1.一種脈沖正偏壓增強(qiáng)cvd金剛石異質(zhì)外延形核的方法，其特征在于包括下列步驟：首先將承載樣品的鉬托放置于cvd腔體中央的水冷臺(tái)上，直流脈沖電源正極通過導(dǎo)線接到cvd設(shè)備天線上，直流脈沖電源的另一電極通過導(dǎo)線連接到cvd腔體外殼上并接地；然后將用于外延的異質(zhì)襯底置于鉬托中心位置，抽真空；接著通入氫氣，打開微波電源，逐漸增加功率并調(diào)節(jié)氣壓直至溫度達(dá)到600~800℃；最后控制甲烷濃度，打開脈沖偏壓電源進(jìn)行增強(qiáng)形核，設(shè)置偏壓參數(shù)為：脈沖電壓為100~1000?v，脈沖占空比為10%~85%，從而得到高密度外延形核的異質(zhì)襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖正偏壓增強(qiáng)cvd金剛石異質(zhì)外延形核的方法，其特征在于包括下列步驟：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種脈沖正偏壓增強(qiáng)cvd金剛石異質(zhì)外延形核的方法，其特征在于：所述步驟（1）中，承載樣品的鉬托的厚度在1~5?mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種脈沖正偏壓增強(qiáng)cvd金剛石異質(zhì)外延形核的方法，其特征在于：所述步驟（2）中，用于外延的異質(zhì)襯底為si、c-bn、sic或ir基復(fù)合襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種脈沖正偏壓增強(qiáng)cvd金剛石異質(zhì)外延形核的方法，其特征在于：所述步驟(3)中，氫氣流量為50~600?sccm，啟動(dòng)微波發(fā)生器時(shí)的腔體氣壓為0.4~0.8kpa。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種脈沖正偏壓增強(qiáng)cvd金剛石異質(zhì)外延形核的方法，其特征在于：所述步驟(4)中，外延襯底溫度為600~800℃，腔體內(nèi)氣壓為3~4?kpa，微波功率為1500~2000?w。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種脈沖正偏壓增強(qiáng)cvd金剛石異質(zhì)外延形核的方法，其特征在于：氣壓升高速率為0.1~0.5?kpa/min，功率升高速率為50~200?w/min，溫度升高速率為30~70℃/min。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種脈沖正偏壓增強(qiáng)cvd金剛石異質(zhì)外延形核的方法，其特征在于：所述步驟(6)中，甲烷流量為0~500?sccm，體積分?jǐn)?shù)為1%~5%。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種脈沖正偏壓增強(qiáng)cvd金剛石異質(zhì)外延形核的方法，其特征在于：所述步驟(7)中，開啟偏壓模式之前溫度穩(wěn)定時(shí)間為5~15?min。