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鈣鈦礦型化合物和光電轉(zhuǎn)換元件的制作方法

文檔序號:40615760發(fā)布日期:2025-01-07 21:05閱讀:27來源:國知局
鈣鈦礦型化合物和光電轉(zhuǎn)換元件的制作方法

本發(fā)明涉及鈣鈦礦型化合物和光電轉(zhuǎn)換元件。


背景技術(shù):

1、近年來,作為下一代的太陽能電池之一,包含具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的化合物(鈣鈦礦型化合物)的光電轉(zhuǎn)換元件(例如鈣鈦礦太陽能電池)備受關(guān)注。作為一個例子,鈣鈦礦太陽能電池具有從受光面?zhèn)绕鹨来闻帕杏杏蒼型半導(dǎo)體構(gòu)成的電子傳輸層、鈣鈦礦層(光吸收層)、由p型半導(dǎo)體構(gòu)成的空穴傳輸層的所謂的n-i-p型的層疊結(jié)構(gòu)。作為另一例,鈣鈦礦太陽能電池具有從受光面?zhèn)绕鹨来闻帕杏杏蓀型半導(dǎo)體構(gòu)成的空穴傳輸層、鈣鈦礦層、由n型半導(dǎo)體構(gòu)成的電子傳輸層的所謂的p-i-n型的層疊結(jié)構(gòu)。

2、鈣鈦礦層包含具有鈣鈦礦型的晶體結(jié)構(gòu)的化合物。具有鈣鈦礦型的晶體結(jié)構(gòu)的化合物由通式a-b-x3表示。

3、作為構(gòu)成鈣鈦礦型化合物的元素或分子a、b、x,已知可以應(yīng)用多種多樣的元素或分子(非專利文獻1、非專利文獻2、非專利文獻3)。

4、現(xiàn)有技術(shù)文獻

5、非專利文獻

6、非專利文獻1:liang,?j.,?et?al.,?j.?am.?chem.?soc.?139,?14009-14012(2017)

7、非專利文獻2:fang,?z.,?et?al.,?nano?energy?61,?389-396(2019)

8、非專利文獻3:wang,?z.,?et?al.,?adv.?sci.?2019,?6,?1801704


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、然而,已知應(yīng)用于光電轉(zhuǎn)換元件的鈣鈦礦型化合物大多在耐熱性的觀點上存在課題。特別是在可能暴露于高溫的環(huán)境下,例如人造衛(wèi)星那樣的在宇宙空間中使用的情況下,需要能夠耐受比在地上使用的溫度高的溫度的鈣鈦礦型化合物。

2、從這樣的觀點出發(fā),期望具有高耐熱性的鈣鈦礦型化合物和光電轉(zhuǎn)換元件。

3、一個方式的鈣鈦礦型化合物具有a(pb1-xsnx)i3-ybry所示的組成式。元素a為選自li、na、k、rb和cs中的1種或2種以上的元素。該組成式中的x和y屬于以下的(1)~(6)中的任一個范圍:

4、(1)0.0≤x<0.0125且1.6≤y≤3.0

5、(2)0.0125≤x<0.1且1.1≤y≤3.0

6、(3)0.1≤x<0.3且0.8≤y≤3.0

7、(4)0.3≤x<0.5且0.8≤y≤3.0

8、(5)0.5≤x<0.7且0.8≤y≤2.8

9、(6)0.7≤x≤0.8且0.8≤y≤1.8。

10、一個方式的光電轉(zhuǎn)換元件具有包含上述鈣鈦礦型化合物的光吸收層。



技術(shù)特征:

1.一種鈣鈦礦型化合物,其具有a(pb1-xsnx)i3-ybry所示的組成式,

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦型化合物,其屬于以下的(1)~(5)中的任一個范圍:

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鈣鈦礦型化合物,其價帶與導(dǎo)帶之間的帶隙為1.9ev以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的鈣鈦礦型化合物,其價帶與導(dǎo)帶之間的帶隙為1.5ev以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的鈣鈦礦型化合物,其中,所述元素a為cs。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鈣鈦礦型化合物,其還滿足“y≤5.0x+1.0”。

7.一種光電轉(zhuǎn)換元件,其具有包含權(quán)利要求1~6中任一項所述的鈣鈦礦型化合物的光吸收層。


技術(shù)總結(jié)
提供一種具有高耐熱性的鈣鈦礦型化合物。鈣鈦礦型化合物具有A(Pb<subgt;1?x</subgt;Sn<subgt;x</subgt;)I<subgt;3?y</subgt;Br<subgt;y</subgt;所示的組成式。元素A為選自Li、Na、K、Rb和Cs中的1種或2種以上的元素。該組成式中的x和y屬于以下的(1)~(6)中的任一個范圍:(1)0.0≤x<0.0125且1.6≤y≤3.0(2)0.0125≤x<0.1且1.1≤y≤3.0(3)0.1≤x<0.3且0.8≤y≤3.0(4)0.3≤x<0.5且0.8≤y≤3.0(5)0.5≤x<0.7且0.8≤y≤2.8(6)0.7≤x≤0.8且0.8≤y≤1.8。

技術(shù)研發(fā)人員:中村元志,馬淵隆,瀨川浩司,別所毅隆,野野村一輝
受保護的技術(shù)使用者:出光興產(chǎn)株式會社
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/6
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