技術(shù)編號：40615801
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種脈沖正偏壓增強cvd金剛石異質(zhì)外延形核的方法，屬于cvd法異質(zhì)外延單晶金剛石。背景技術(shù)、金剛石作為典型的超寬禁帶半導(dǎo)體，具有比傳統(tǒng)半導(dǎo)體更優(yōu)異的熱學(xué)、電學(xué)性能。同時，單晶金剛石由于不存在晶界，載流子遷移率以及電荷收集效率大大提高，相比于多晶金剛石來說，在探測器以及功率器件等領(lǐng)域潛力巨大。由于設(shè)備以及工藝的突破，多晶金剛石尺寸可達~?mm，在熱沉、微波窗口、耐磨涂層等方面基本可以滿足應(yīng)用要求。然而大尺寸天然單晶金剛石極其稀少且價格昂貴，單晶金剛石成為半導(dǎo)體材料急需解決的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。