技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及內含Si?C60的陶瓷的制備方法，包括如下步驟：將硅酸鹽材料與炭黑混合后，依次升溫至500℃～550℃、1400℃～1500℃、1750℃～1850℃，再降至常溫，然后將其破碎并加熱至600℃～700℃，以得到Si?C60粉體材料；將粉石英礦、水與分散劑混合后，依次進行沉淀、過濾、離心、烘干，再加入Si?C60粉體材料，然后進行微波碳化處理，冷卻后加入聚碳硅烷和四氫呋喃得到漿料，然后將聚氨酯海綿制成素坯后進行空氣不熔化處理，得到內含Si?C60的陶瓷。本發(fā)明的方法制備的內含Si?C60的陶瓷，具有較優(yōu)的介電性能和抗彎性能，具有很好的商業(yè)前景和科研前景。

技術研發(fā)人員：黃榮權;李志文;胡祥龍;戴煜;石雙維
受保護的技術使用者：李志文
技術研發(fā)日：2017.03.20
技術公布日：2017.07.07