蝕除部分仍有油 墨保護膜覆蓋，利用強堿(例如NaOH或K0H等)進行沖洗退膜，然后烘干；
[0072] 步驟(6)托盤成型：退膜烘干后的不誘鋼片上面有花紋和圖案，然后利用液壓機進 行沖壓拉伸，制作成托盤形狀；
[0073] 步驟(7)切割去毛刺:按照尺寸將成型的托盤切割下來，形成單片托盤，對托盤的 邊緣進行拋光去毛刺，從而得到蝕刻后不誘鋼托盤，將其命名為TP1。
[0074] 實施例2
[0075] 除將步驟(4)中所使用蝕刻液的各個組分的濃度修改為如下濃度外，其它操作均 不變，從而重復(fù)實施了實施例1，得到實施例2,將所得蝕刻后不誘鋼托盤命名為TP2;
[0076] 其中，蝕刻液的各個組分的濃度如下： 王氯化鐵 40 g/L 裘酸 2 g化 亞絡(luò)酸銅 10 g/L
[0077] 氣化換 0.8 g/L 二亞乙基王胺五乙酸 4 g/L 1 -怒甲基苯并王氮噸 10 g/L 1，1，3,3-四甲基二珪氧燒 2.5 g/L
[007引實施例3
[0079] 除將步驟(4)中所使用蝕刻液的各個組分的濃度修改為如下濃度外，其它操作均 不變，從而重復(fù)實施了實施例1，得到實施例3,將所得蝕刻后不誘鋼托盤命名為TP3;
[0080] 其中，蝕刻液的各個組分的濃度如下： 友氯化鐵 50g/L 鹽酸 1 g/L 亞絡(luò)酸銅 18g化
[0081 ] 氣化鎮(zhèn) 化4 g/L: 二亞乙基互胺五乙酸 6 g/L 1-怒甲基苯并王氮。生 8 g/L 1，1，S，3-四甲基三珪氧滅 3 g/L
[0082] 實施例4-9
[0083] 實施例4-6:除將步驟(4)所用蝕刻液中的絡(luò)合劑由二亞乙基Ξ胺五乙酸替換為乙 二胺四乙酸外，其它操作均不變，從而順次進行了實施例1-3,也順次得到了實施例4-6,將 所得蝕刻后不誘鋼托盤順次命名為ΤΡ4、ΤΡ5和TP6。
[0084] 實施例7-9:除將步驟(4)所用蝕刻液中的絡(luò)合劑由二亞乙基Ξ胺五乙酸替換為Ξ 亞乙基四胺六乙酸外，其它操作均不變，從而順次進行了實施例1-3,也順次得到了實施例 7-9，將所得蝕刻后不誘鋼托盤順次命名為ΤΡ7、ΤΡ8和ΤΡ9。
[0085] 實施例10-18
[0086] 實施例10-12:除將步驟(4)所用蝕刻液中的助劑由1-徑甲基苯并Ξ氮挫替換為苯 并Ξ氮挫外，其它操作均不變，從而順次進行了實施例1-3,也順次得到了實施例10-12,將 所得蝕刻后不誘鋼托盤順次命名為ΤΡ10、ΤΡ11和ΤΡ12。
[0087] 實施例13-15:除將步驟(4)所用蝕刻液中的助劑由1-徑甲基苯并Ξ氮挫替換為1-徑基苯并Ξ氮挫外，其它操作均不變，從而順次進行了實施例1-3,也順次得到了實施例13-15,將所得蝕刻后不誘鋼托盤順次命名為ΤΡ13、ΤΡ14和ΤΡ15。
[0088] 實施例16-18:除將步驟(4)所用蝕刻液中的助劑由1-徑甲基苯并Ξ氮挫替換為3-琉基-1，2,4-Ξ氮挫外，其它操作均不變，從而順次進行了實施例1-3,也順次得到了實施例 16-18，將所得蝕刻后不誘鋼托盤順次命名為ΤΡ16、ΤΡ17和ΤΡ18。
[0089] 實施例19-24
[0090] 實施例19-21:除將步驟(4)所用蝕刻液中的穩(wěn)定劑由1，1，3,3-四甲基二硅氧烷 (TMDS)替換為化t0)2MeSiH(二乙氧基甲基硅烷)外，其它操作均不變，從而順次進行了實施 例1-3,也順次得到了實施例19-21，將所得蝕刻后不誘鋼托盤順次命名為ΤΡ19、ΤΡ20和 ΤΡ21〇
[0091] 實施例22-24:除將步驟(4)所用蝕刻液中的穩(wěn)定劑由1，1，3,3-四甲基二硅氧烷 (TMDS)替換為二甲基二乙氧基硅烷外，其它操作均不變，從而順次進行了實施例1-3,也順 次得到了實施例22-24,將所得蝕刻后不誘鋼托盤順次命名為ΤΡ22、ΤΡ23和ΤΡ24。
[0092] 蝕刻表征
[0093] 對上述實施例得到的蝕刻后不誘鋼托盤進行性能表征，主要針對蝕刻深度、蝕刻 深度偏差(將其定義為偏離值與同類處理方法所得平均值的偏差百分比及蝕刻邊緣進 行檢測，運些測量和表征方法都是本領(lǐng)域中公知的，在此不再進行詳細(xì)描述。具體結(jié)構(gòu)見下 表1所不：
[0094] 表 1
[0095]
[0096] 其中，偏差百分比的計算方法如下，如TP1-TP3為例:Ξ者的蝕刻深度分別為12化 111、12541]1和12化111，^者平均值為123.334111，則了？1的偏差百分比為：偏差百分比=|(123-123.33) 1/123.33 = 0.27% ( I (123-123.33) I表示絕對值），其它實施例也同樣如此計算。
[0097] 其中，WTP4-TP6為例，其中的蝕刻深度"115皿、102皿、109μπι"分別為ΤΡ4、ΤΡ5和 ΤΡ6的蝕刻深度，而蝕刻深度偏差5.82%、6.14%和0.30%則分別為ΤΡ4、ΤΡ5和ΤΡ6的蝕刻深 度偏差。其它實施例也有相同的順次對應(yīng)關(guān)系，在此不再--寶述。
[0098] 由上表1可見，當(dāng)采用本發(fā)明的蝕刻液時，能夠取得如下效果：1、在相同的蝕刻時 間和溫度下，能夠獲得最深的蝕刻深度，也即具有最快的蝕刻速度（當(dāng)不需要如此深的深度 時，則可W簡單地通過縮短蝕刻時間來進行調(diào)整）；2、在蝕刻速度最快的基礎(chǔ)上，保證了最 為均勻的蝕刻深度，各個蝕刻深度之間相差最小(最大僅為3μπι)，從而取得了整體上最小的 蝕刻深度偏差;3、能夠?qū)吘壆a(chǎn)生側(cè)蝕效果，且邊緣過渡圓滑。
[0099] 而當(dāng)改變絡(luò)合劑時，即便是與二亞乙基Ξ胺五乙酸非常類似的乙二胺四乙酸或Ξ 亞乙基四胺六乙酸，其蝕刻深度相互之間差異較大(最大為13μπι)，從而導(dǎo)致了整體相差很 大的蝕刻深度偏差，W及雖然存在側(cè)蝕，但邊緣光滑性稍差。由此證明了，二亞乙基Ξ胺五 乙酸具有最好的技術(shù)效果。
[0100] 而當(dāng)改變助劑時，都將導(dǎo)致蝕刻深度產(chǎn)生較大差異(最大為18μπι)，進而導(dǎo)致了相 差很大的蝕刻深度偏差，即便是與1-徑甲基苯并Ξ氮挫非常類似的1-徑基苯并Ξ氮挫，效 果也有顯著的降低。而且雖然存在側(cè)蝕，但邊緣光滑性為稍差或較差(最為類似的1-徑基苯 并Ξ氮挫反而為"光滑較差"，要劣于苯并Ξ氮挫）。由此證明了，1-徑甲基苯并Ξ氮挫具有 最好的技術(shù)效果。
[0101] 而當(dāng)改變穩(wěn)定劑時，不但蝕刻深度相互之間差異較大（最大為Ι?μπι)，從而導(dǎo)致了 整體相差很大的蝕刻深度偏差，而且沒有產(chǎn)生側(cè)蝕。由此證明了只有1，1，3，3-四甲基二娃 氧燒(TMDS)才能取得最好的技術(shù)效果(蝕刻深度、偏差W及側(cè)蝕效果）。
[0102] 綜上所述，在本發(fā)明的蝕刻液中，絡(luò)合劑、助劑和穩(wěn)定劑的種類對于最終的結(jié)果有 顯著的、不可預(yù)測的影響，也只有同時采用二亞乙基Ξ胺五乙酸、1-徑甲基苯并Ξ氮挫和1， 1，3,3-四甲基二硅氧烷(TMDS)，才能取得本發(fā)明最為優(yōu)異的蝕刻效果，運是非顯而易見和 不可預(yù)料的。
[0103] 此外，為了提高本發(fā)明方法的操作效率、生產(chǎn)效果和提高自動化程度，本發(fā)明對步 驟(2)和(4)中的裝置進行了研發(fā)，其具體特征和操作過程如下：
[0104] 如圖2所示，步驟(2)中，不誘鋼片1在縱向輸送的輸送帶2上向下游輸送，輸送帶2 通常使用鏈板式輸送帶，在輸送帶2的兩側(cè)分別設(shè)置凸緣201，兩凸緣201的間距與不誘鋼片 1的寬度相適配，W確保不誘鋼片1涂布時位置的準(zhǔn)確性，油墨保護膜覆在一膜卷3上，位于 輸送帶2的兩側(cè)分別設(shè)有放卷漉4和收卷漉5，膜卷3由放卷漉4展開，并由收卷漉5卷取，油墨 保護膜朝向輸送帶2方向，膜卷3的運動方向與輸送帶2的輸送方向相垂直，當(dāng)不誘鋼片1由 輸送帶2輸送至膜卷3位置時，輸送帶2停止輸送，收卷漉5和放卷漉4開始輸送膜卷3，油墨保 護膜覆蓋不誘鋼片1時，收卷漉5和放卷漉4停止轉(zhuǎn)動，輸送帶2上方設(shè)有由第一動力裝置驅(qū) 動的滾壓漉7,第一動力裝置通常為電動機，在輸送帶2的兩側(cè)通常均設(shè)有限位開關(guān)8, W實 現(xiàn)滾壓漉7往復(fù)滾壓于輸送帶2上，當(dāng)不誘鋼片1輸送到位后，滾壓