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一種研磨墊調(diào)整裝置制造方法

文檔序號:3334755閱讀:260來源:國知局
一種研磨墊調(diào)整裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種研磨墊調(diào)整裝置,至少包含:傳動裝置,圓盤和光信號探測器,所述圓盤側(cè)面至少設(shè)置有一個反射標(biāo)記。在所述研磨墊調(diào)整裝置的圓盤側(cè)面設(shè)置反射標(biāo)記用于反射光信號,同時設(shè)置光信號傳感器用于發(fā)射光信號照射圓盤側(cè)面和接收從圓盤側(cè)面反射標(biāo)記反射的光信號,根據(jù)設(shè)定的反射標(biāo)記的個數(shù)和接收到的發(fā)射光信號的間隔時間,可以計算出圓盤的轉(zhuǎn)速,實現(xiàn)了對圓盤轉(zhuǎn)速的實時監(jiān)控,能夠在圓盤轉(zhuǎn)速異常時及時發(fā)現(xiàn)問題,避免了因圓盤的轉(zhuǎn)速異常,使得研磨墊表面存在問題,進而使得研磨后的晶片表面不平整或被刮傷等問題的發(fā)生。
【專利說明】一種研磨墊調(diào)整裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】,特別是涉及一種研磨墊調(diào)整裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]在IC制造工藝中,平坦化技術(shù)已成為與光刻和刻蝕同等重要且相互依賴的不可缺少的關(guān)鍵技術(shù)之一。而化學(xué)機械拋光(CMP,Chemical Mechanical Polishing)工藝便是目前最有效、最成熟的平坦化技術(shù)。在半導(dǎo)體制造工藝中,表面平坦化是處理高密度光刻的一項重要技術(shù),在表面平坦化的過程中,控制晶片表面厚度的均勻性非常重要,因為只有沒有高度落差的平坦表面才能避免曝光散射,而達成精密的圖案轉(zhuǎn)移;同時,晶片表面厚度的均勻性也將會影響到電子器件的電性能參數(shù),厚度不均勻會使同一晶片上制作出的器件性能廣生差異,影響成品率。
[0003]目前,在進行化學(xué)機械研磨(CMP, Chemical Mechanical Polishing)時,由于研磨墊高速旋轉(zhuǎn)會帶走大量的研磨液或化學(xué)藥液,其他的研磨液或化學(xué)藥液會流到研磨墊的溝槽中。對于化學(xué)機械研磨的研磨墊的較大區(qū)域來說,很難保證研磨墊的平整度,且很容易在研磨墊表面的溝槽中沉積副產(chǎn)物,同時很難達到使研磨液均勻地分布在研磨墊的所有區(qū)域,研磨墊平整度不好、副產(chǎn)物的存在與否和研磨液的均勻性均對研磨后的晶圓表面的形態(tài)存在著影響,一旦研磨墊平整度不好、存在大量副產(chǎn)物或者研磨液分布不均勻,將導(dǎo)致晶圓表面不平整或者存在刮傷,因此,研磨墊調(diào)整器對調(diào)整研磨墊平整度、去除副產(chǎn)物和使研磨液均勻分布起到至關(guān)重要的調(diào)整作用,其調(diào)整研磨墊表面狀態(tài)的好壞將影響到研磨的效果O
[0004]如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)機械研磨時研磨墊表面工作狀態(tài)的俯視示意圖,研磨頭10中裝有需要化學(xué)機械研磨的晶片,在一定的壓力作用下,晶片表面薄膜與研磨墊11以及漿料相互作用實現(xiàn)化學(xué)機械拋光,研磨頭10相對研磨墊11做直線運動以及自身的圓周運動;漿料傳送裝置12提供研磨時所需要的漿料;研磨墊調(diào)整裝置13對研磨墊11表面進行調(diào)整,以使研磨墊11表面的研磨液分布更均勻,同時去除研磨時產(chǎn)生在研磨墊11表面的副產(chǎn)物,其中,研磨墊調(diào)整裝置13包括傳動軸131和圓盤132,傳動軸131的一端帶動圓盤132在研磨墊11表面沿預(yù)先設(shè)定的軌跡運動,同時,圓盤132會在馬達的驅(qū)動下自轉(zhuǎn),以增加圓盤132與研磨墊11的相對速度,以達到對研磨墊11更好的調(diào)整效果。
[0005]由于現(xiàn)有技術(shù)中,金剛石圓盤是由馬達通過皮帶和齒輪帶動而轉(zhuǎn)動的,機臺本身檢測馬達的轉(zhuǎn)動情況。當(dāng)皮帶和齒輪出現(xiàn)問題時,譬如打滑或磨損,圓盤的轉(zhuǎn)動就會出現(xiàn)異常,而由于目前圓盤的設(shè)計如圖2所示,圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的圓盤的正視圖,其側(cè)面為光滑的曲面,并不支持被作為檢測對象,因此,當(dāng)出現(xiàn)上述情況的時候,機臺端不會報警,不會被及時發(fā)現(xiàn)。而如果圓盤的轉(zhuǎn)動出現(xiàn)異常,則會影響其對研磨墊的調(diào)整,使得研磨墊表面平整度變差,副產(chǎn)物不能被及時清除,以及研磨液分布不均勻,進而嚴(yán)重影響研磨效果。
[0006]鑒于此,有必要設(shè)計一種新的研磨墊調(diào)整裝置用以解決上述技術(shù)問題。實用新型內(nèi)容
[0007]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本實用新型的目的在于提供一種研磨墊調(diào)整裝置,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中研磨墊調(diào)節(jié)裝置的圓盤轉(zhuǎn)動出現(xiàn)異常時不能被及時發(fā)現(xiàn),進而導(dǎo)致嚴(yán)重影響研磨效果的問題。
[0008]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實用新型提供一種研磨墊調(diào)整裝置,所述研磨墊調(diào)整裝置至少包括:圓盤,所述圓盤側(cè)面至少設(shè)置有一個反射標(biāo)記;光信號探測器,所述光信號探測器至少包含:光信號發(fā)射端、光信號接收端和光信號處理模塊;其中,所述光信號發(fā)射端適于持續(xù)地發(fā)出光信號照射在圓盤的側(cè)面上;所述光信號接收端適于接收所述反射標(biāo)記反射的光信號;所述光信號處理模塊適于根據(jù)所述反射標(biāo)記的數(shù)目及相鄰兩反射標(biāo)記反射回來光信號的時間間隔,計算出圓盤自轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速,并將計算出的轉(zhuǎn)速與預(yù)設(shè)定轉(zhuǎn)速進行比對。
[0009]作為本實用新型的研磨墊調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述反射標(biāo)記為拋光面。
[0010]作為本實用新型的研磨墊調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述反射標(biāo)記的兩端分別與所述圓盤上下底面相平齊。
[0011]作為本實用新型的研磨墊調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述反射標(biāo)記的寬度為4mm ?1mm0
[0012]作為本實用新型的研磨墊調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述反射標(biāo)記的表面為平面。
[0013]作為本實用新型的研磨墊調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述反射標(biāo)記為多個,且所述反射標(biāo)記均勻地設(shè)置在圓盤的側(cè)面上。
[0014]作為本實用新型的研磨墊調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述圓盤側(cè)面上反射標(biāo)記為8個。
[0015]作為本實用新型的研磨墊調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,還包含一壓力調(diào)整器,所述壓力調(diào)整器與所述圓盤的上表面相連接。
[0016]作為本實用新型的研磨墊調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述圓盤在一傳動軸的帶動下在研磨墊上沿預(yù)先設(shè)定的軌跡運動,至少所述光信號發(fā)射端和光信號接收端隨所述圓盤沿預(yù)先設(shè)定的軌跡做同步運動,且所述光信號發(fā)射端和光信號接收端相對于所述傳動軸靜止。
[0017]作為本實用新型的研磨墊調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述光信號發(fā)射端和光信號接收端固定在所述傳動軸的下方。
[0018]如上所述,本實用新型的研磨墊調(diào)整裝置,具有以下有益效果:在所述研磨墊調(diào)整裝置的圓盤側(cè)面設(shè)置反射標(biāo)記用于反射光信號,同時設(shè)置光信號傳感器用于發(fā)射光信號照射圓盤側(cè)面和接收從圓盤側(cè)面反射標(biāo)記反射的光信號,根據(jù)設(shè)定的反射標(biāo)記的個數(shù)和接收到的發(fā)射光信號的間隔時間,可以計算出圓盤的轉(zhuǎn)速,實現(xiàn)了對圓盤轉(zhuǎn)速的實時監(jiān)控,能夠在圓盤轉(zhuǎn)速異常時及時發(fā)現(xiàn)問題,避免了因圓盤的轉(zhuǎn)速異常,使得研磨墊表面存在問題,進而使得研磨后的晶片表面不平整或被刮傷等問題的發(fā)生。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)機械研磨時研磨墊表面工作狀態(tài)的俯視圖。
[0020]圖2顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的圓盤的正視圖。
[0021]圖3顯示為本實用新型的研磨墊調(diào)整裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖4顯示為本實用新型的圓盤的正視圖。
[0023]圖5顯示為本實用新型的研磨墊調(diào)整裝置工作時的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]元件標(biāo)號說明
[0025]10研磨頭
[0026]11研磨墊
[0027]12漿料傳送裝置
[0028]13研磨墊調(diào)整裝置
[0029]131傳動軸
[0030]132圓盤
[0031]20研磨頭
[0032]21研磨墊
[0033]22晶片
[0034]23研磨墊調(diào)整裝置
[0035]231傳動部件
[0036]231a傳動軸
[0037]231b旋轉(zhuǎn)軸
[0038]232圓盤
[0039]232a反射標(biāo)記
[0040]233第一馬達
[0041]234第二馬達
[0042]235連接桿
[0043]236光信號探測器
[0044]236a光信號發(fā)射端
[0045]236b光信號接收端
[0046]236c光信號處理模塊
[0047]237壓力調(diào)整器
[0048]h反射標(biāo)記的高度
[0049]d圓盤的厚度
[0050]L反射標(biāo)記的寬度

【具體實施方式】
[0051]以下通過特定的具體實例說明本實用新型的實施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用,本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用,在沒有背離本實用新型的精神下進行各種修飾或改變。
[0052]請參閱圖3至圖5。須知,本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容,以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀,并非用以限定本實用新型可實施的限定條件,故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義,任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整,在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下,均應(yīng)仍落在本實用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時,本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語,亦僅為便于敘述的明了,而非用以限定本實用新型可實施的范圍,其相對關(guān)系的改變或調(diào)整,在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下,當(dāng)亦視為本實用新型可實施的范疇。
[0053]請參閱圖3至圖5,本實用新型提供一種研磨墊調(diào)整裝置,所述研磨墊調(diào)整裝置23至少包括:圓盤232,所述圓盤232側(cè)面至少設(shè)置有一個反射標(biāo)記232a ;光信號探測器236,所述光信號探測器236至少包含:光信號發(fā)射端236a、光信號接收端236b和光信號處理模塊236c ;其中,所述光信號發(fā)射端236a適于持續(xù)地發(fā)出光信號照射在圓盤232的側(cè)面上;所述光信號接收端236b適于接收所述反射標(biāo)記232a反射的光信號;所述光信號處理模塊236c適于根據(jù)所述反射標(biāo)記232a的數(shù)目及相鄰兩反射標(biāo)記232a反射回來光信號的時間間隔,計算出圓盤232自轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速,并將計算出的轉(zhuǎn)速與預(yù)設(shè)定轉(zhuǎn)速進行比對。在所述研磨墊調(diào)整裝置的圓盤232側(cè)面設(shè)置反射標(biāo)記232a用于反射光信號,同時設(shè)置光信號傳感器236用于發(fā)射光信號照射圓盤232側(cè)面和接收從圓盤232側(cè)面反射標(biāo)記232a反射的光信號,根據(jù)設(shè)定的反射標(biāo)記232a的個數(shù)和接收到的發(fā)射光信號的間隔時間,可以計算出圓盤232的轉(zhuǎn)速,實現(xiàn)了對圓盤232轉(zhuǎn)速的實時監(jiān)控,能夠在圓盤232轉(zhuǎn)速異常時及時發(fā)現(xiàn)問題,避免了因圓盤232的轉(zhuǎn)速異常,使得研磨墊表面存在問題,進而使得研磨后的晶片表面不平整或被刮傷等問題的發(fā)生。
[0054]在本實施例中,優(yōu)選地,請繼續(xù)參閱圖3,所述研磨墊調(diào)整裝置還包含一傳動部件231,一第一馬達233、一第二馬達234和一壓力調(diào)整器237,其中,所述傳動部件231包含傳動軸231a和旋轉(zhuǎn)軸231b,所述第一馬達233與所述傳動軸231a相連接,并用于驅(qū)動所述傳動軸231a帶動所述圓盤232在研磨墊(未示出)上沿設(shè)定的軌跡運動;所述第二馬達234與所述旋轉(zhuǎn)軸231b相連接,并用于驅(qū)動所述旋轉(zhuǎn)軸231b帶動所述圓盤232在研磨墊(未示出)上沿設(shè)定的軌跡運動的同時自轉(zhuǎn);所述壓力調(diào)整器237與所述圓盤232的上表面相連接,通過調(diào)整所述壓力調(diào)整器237對所示圓盤232的壓力,可以調(diào)節(jié)所述圓盤232與所述研磨墊(未示出)之間的作用力,進而調(diào)節(jié)所述圓盤232去除副產(chǎn)物、調(diào)整所述研磨墊(未示出)表面平整度和研磨液分布的效果。所述光信號探測器236通過一連接桿235與所述傳動軸231a相連接。
[0055]在本實施例中,優(yōu)選地,請繼續(xù)參閱圖4,所述圓盤232為金屬圓盤,一面鑲嵌有金剛石,工作時,所述圓盤232鑲嵌有金剛石的一面與研磨墊相接觸;所述圓盤232的側(cè)面上至少設(shè)置一個反射標(biāo)記232a。在所述圓盤232與研磨墊接觸的一面鑲嵌有金剛石,由于金剛石的硬度高,可以有效地防止研磨液中研磨顆粒對所述圓盤232的損傷;所述圓盤232的側(cè)面上設(shè)置的反射標(biāo)記232a可以為固定在所述圓盤232側(cè)面上的反射部件,也可以為在所述圓盤232側(cè)面上通過拋光工藝制得的拋光面。優(yōu)選地,本實施例中,所述反射標(biāo)記232a為拋光面;所述反射標(biāo)記232a的個數(shù)為多個,且所述反射標(biāo)記232a均勻地設(shè)置在圓盤232的側(cè)面上;更為優(yōu)選地,本實施例中,所述反射標(biāo)記232a的個數(shù)為8個。在所述圓盤232側(cè)面設(shè)置反射標(biāo)記232a的個數(shù)越多,測量的結(jié)果越精確,在保證測量結(jié)果達到所述精確度的前提下,所述反射標(biāo)記232a的個數(shù)應(yīng)盡量少,以使所述圓盤232的制備工藝盡量簡單化。所述反射標(biāo)記232a的兩端分別與所述圓盤232的上下底面相平齊,當(dāng)所述反射標(biāo)記232a為拋光面時,優(yōu)選地,所述反射標(biāo)記232a的高度h等于所述圓盤232的厚度d ;將所述反射標(biāo)記232a的兩端設(shè)計為與所述圓盤232的上下底面相平齊,保證了所述反射標(biāo)記232a貫通整個圓盤232的側(cè)面,確保在所述圓盤232的側(cè)面上沒有凸臺的存在,有效地避免了圓盤232在研磨墊表面轉(zhuǎn)動的過程中研磨液在凸臺拐角處的堆積,進而確保了測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。所述反射標(biāo)記232a用作被光信號照射和反射所照射過來的光信號,其應(yīng)該具有一個適當(dāng)?shù)膶挾?,所述反射?biāo)記232a的寬度L過窄或過寬,都將會使得光信號的照射和反射的精度大大降低,因此,本實施例中,所述反射標(biāo)記232a的寬度L設(shè)定為4mm?10mm。所述反射標(biāo)記232為平面,將所述反射標(biāo)記232設(shè)計為平面,更加有利于光信號的反射,提高檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性。
[0056]本實施例中,優(yōu)選地,請繼續(xù)參閱圖5,所述研磨墊調(diào)整器工作時,所述圓盤232置于研磨墊21的上表面,所述圓盤232的上表面的壓力調(diào)整器237給所述圓盤232 —向下的固定壓力,并在第一馬達233和第二馬達234的驅(qū)動下在研磨墊21上沿設(shè)定的軌跡運動的同時自轉(zhuǎn)。同時,光信號探測器236中的光信號發(fā)射端236a持續(xù)地發(fā)射光信號至所述圓盤232的側(cè)面上,所述光信號接收端236b接收從所述圓盤232側(cè)面發(fā)射回來的光信號,并將接收到的反射光信號反饋給光信號處理模塊236c,所述光信號處理模塊236c根據(jù)所述反射標(biāo)記232a的數(shù)目及相鄰兩反射標(biāo)記232a反射回來光信號的時間間隔,計算出圓盤232自轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速,并將計算出的轉(zhuǎn)速與預(yù)設(shè)定轉(zhuǎn)速進行比對,以此來判斷所述圓盤232的轉(zhuǎn)動是否存在問題。通過上述裝置,可以實時的監(jiān)控圓盤232的轉(zhuǎn)動情況,保證了其對研磨墊21的調(diào)整效果:在所述圓盤232的調(diào)節(jié)作用下,所述研磨墊21表面保持平整,且研磨墊21表面的研磨液均勻分布,使得研磨頭20底部裝載的晶片22與研磨液充分地均勻接觸,平整地研磨掉所述晶片22表面的材料,降低了研磨后晶片22表面不平整的風(fēng)險;在所述圓盤232的調(diào)節(jié)作用下,副產(chǎn)物可以被及時的去除掉,從而避免了晶圓22表面被刮傷的風(fēng)險。
[0057]需要說明的是,所述圓盤232對所述研磨墊21的作用力是通過調(diào)整所述壓力調(diào)整器237調(diào)節(jié)的,在滿足重新調(diào)整所述研磨墊21表面的平整度、去除所述研磨墊21表面副產(chǎn)物并重新均勻分布研磨液傳送裝置提供的研磨液等功能的條件下,可以將所述壓力調(diào)整器237對所示圓盤232的壓力調(diào)節(jié)至最小,從而提高所述圓盤232和研磨墊21的使用壽命。
[0058]需要進一步說明的是,由于所述圓盤232要在所述傳動軸231a的帶動下在所述研磨墊21上沿預(yù)先設(shè)定的軌跡運動,為了保證所述光信號探測器236能夠持續(xù)地實時監(jiān)控所述圓盤232的自轉(zhuǎn)情況,所述光信號發(fā)射端236a所發(fā)出的光信號必須能持續(xù)地照射在所述圓盤232的側(cè)面上,且照射到所述圓盤232側(cè)面上的光信號經(jīng)所述圓盤232側(cè)面反射后的反射信號也必須能被所述光信號接收端236b所接收到。為了達到所述效果,至少所述光信號發(fā)射端236a和光信號接收端236b隨所述圓盤232沿預(yù)先設(shè)定的軌跡做同步運動,且所述光信號發(fā)射端236a和光信號接收端236b相對于所述傳動軸231a靜止。優(yōu)選地,本實施例中,所述光信號發(fā)射端236a和光信號接收端236b固定在所述傳動軸231a的下方。所述光信號處理模塊236c可以如圖3所示置于所述光信號探測器236內(nèi)部,也可以為與所述光信號探測器236相連接的處理終端儀器,如計算器等。
[0059]綜上所述,本實用新型提供一種研磨墊調(diào)整裝置,在所述研磨墊調(diào)整裝置的圓盤側(cè)面設(shè)置設(shè)置反射標(biāo)記用于反射光信號,同時設(shè)置光信號傳感器用于發(fā)射光信號照射圓盤側(cè)面和接收從圓盤側(cè)面的拋光面反射的光信號,根據(jù)設(shè)定的反射標(biāo)記的個數(shù)和接收到的發(fā)射光信號的間隔時間,可以計算出圓盤的轉(zhuǎn)速,實現(xiàn)了對圓盤轉(zhuǎn)速的實時監(jiān)控,能夠在圓盤轉(zhuǎn)速異常時及時發(fā)現(xiàn)問題,避免了因圓盤的轉(zhuǎn)速異常,使得研磨墊表面存在問題,進而使得研磨后的晶片表面不平整或被刮傷等問題的發(fā)生。
[0060]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效,而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下,對上述實施例進行修飾或改變。因此,舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變,仍應(yīng)由本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種研磨墊調(diào)整裝置,其特征在于,所述研磨墊調(diào)整裝置至少包括: 圓盤,所述圓盤側(cè)面至少設(shè)置有一個反射標(biāo)記; 光信號探測器,所述光信號探測器至少包含:光信號發(fā)射端、光信號接收端和光信號處理模塊;其中,所述光信號發(fā)射端適于持續(xù)地發(fā)出光信號照射在圓盤的側(cè)面上;所述光信號接收端適于接收所述反射標(biāo)記反射的光信號;所述光信號處理模塊適于根據(jù)所述反射標(biāo)記的數(shù)目及相鄰兩反射標(biāo)記反射回來光信號的時間間隔,計算出圓盤自轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速,并將計算出的轉(zhuǎn)速與預(yù)設(shè)定轉(zhuǎn)速進行比對。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊調(diào)整裝置,其特征在于:所述反射標(biāo)記為拋光面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的研磨墊調(diào)整裝置,其特征在于:所述反射標(biāo)記的兩端分別與所述圓盤上下底面相平齊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的研磨墊調(diào)整裝置,其特征在于:所述反射標(biāo)記的寬度為4mm ?1mm0
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的研磨墊調(diào)整裝置,其特征在于:所述反射標(biāo)記的表面為平面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的研磨墊調(diào)整裝置,其特征在于:所述反射標(biāo)記為多個,且所述反射標(biāo)記均勻地設(shè)置在圓盤的側(cè)面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的研磨墊調(diào)整裝置,其特征在于:所述圓盤側(cè)面上反射標(biāo)記為8個。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊調(diào)整裝置,其特征在于:還包含一壓力調(diào)整器,所述壓力調(diào)整器與所述圓盤的上表面相連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊調(diào)整裝置,其特征在于:所述圓盤在一傳動軸的帶動下在研磨墊上沿預(yù)先設(shè)定的軌跡運動,至少所述光信號發(fā)射端和光信號接收端隨所述圓盤沿預(yù)先設(shè)定的軌跡做同步運動,且所述光信號發(fā)射端和光信號接收端相對于所述傳動軸靜止。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨墊調(diào)整裝置,其特征在于:所述光信號發(fā)射端和光信號接收端固定在所述傳動軸的下方。
【文檔編號】B24B53/017GK203993546SQ201420470413
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月20日
【發(fā)明者】吳江波, 周維娜 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
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