倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】一種倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陰極、有機(jī)發(fā)光功能層和陽(yáng)極，還包括設(shè)置于陰極和有機(jī)發(fā)光功能層之間的pn結(jié)層。pn結(jié)層包括依次層疊于陰極上的p型層、中間層和n型層。p型層由p型半導(dǎo)體材料摻雜于空穴傳輸材料中形成，p型半導(dǎo)體材料占p型層的質(zhì)量百分比為2~10%；中間層由金屬氧化物形成；n型層由n型半導(dǎo)體材料摻雜于電子傳輸材料中形成，n型半導(dǎo)體材料占所述n型層的質(zhì)量百分比為2~20%。pn結(jié)層使電子注入較容易。中間層能避免p型層中的p型半導(dǎo)體材料與n型層的n型半導(dǎo)體材料相互擴(kuò)散的而干擾電荷分離的問(wèn)題，有利于提高電子的注入效率，提發(fā)光效率。還提供一種倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專(zhuān)利說(shuō)明】倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光(Organic Light Emission Diode),以下簡(jiǎn)稱(chēng)0LED,具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國(guó)內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003]目前，OLED的發(fā)展十分迅速，為了獲得其更多的應(yīng)用領(lǐng)域，更簡(jiǎn)單的制作工藝，研究者們開(kāi)發(fā)了多種結(jié)構(gòu)的OLED發(fā)光裝置，例如頂發(fā)射發(fā)光器件，倒置型發(fā)光器件。目前OLED器件可以與薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor, TFT)配置制備成大面積、高效率的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體或主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極體(Active-matrix organiclight-emitting diode, AM0LED)器件。采用倒置型OLED可以擴(kuò)展AMOLED的制備方案并降低成本。
[0004]對(duì)于下出光的倒置型OLED發(fā)光器件，通常需要一個(gè)高透明的電極作為陰極才能獲得較高的發(fā)光效率。然而，目前常用作的陰極的薄層金屬的透過(guò)率只有60-70%左右，難以獲得較高的發(fā)光效率。雖然透明導(dǎo)電氧化物薄膜透過(guò)率高，但是將其作為陰極時(shí)，由于其功函較高，對(duì)電子的注入不利，使有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率難以提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較低的問(wèn)題，提供一種發(fā)光效率較高的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006]一種倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陰極、有機(jī)發(fā)光功能層和陽(yáng)極，還包括設(shè)置于所述陰極和有機(jī)發(fā)光功能層之間的pn結(jié)層，所述pn結(jié)層包括依次層疊于所述陰極上的P型層、中間層和n型層；其中，所述P型層由P型半導(dǎo)體材料摻雜于空穴傳輸材料中形成，所述P型半導(dǎo)體材料占所述P型層的質(zhì)量百分比為2~10% ;所述中間層由金屬氧化物形成；所述n型層由n型半導(dǎo)體材料摻雜于電子傳輸材料中形成，所述n型半導(dǎo)體材料占所述n型層的質(zhì)量百分比為2~20% ;所述有機(jī)發(fā)光功能層包括依次層疊于n型層上的電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層。
[0007]在其中 一個(gè)實(shí)施例中，所述P型半導(dǎo)體材料為2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌_ 二甲燒、1, 3, 4, 5, 7, 8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌或2，2’ -(2，5- 二氰基_3，6- 二氟環(huán)己烷-2，5- 二烯-1，4- 二亞基)二丙二腈。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬氧化物為三氧化錸、三氧化鶴、三氧化鑰、五氧化
二釩或三氧化二鉍。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述n型半導(dǎo)體材料為碳酸鋰、疊氮化鋰、疊氮化銫、碳酸銫或氟化銫。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴傳輸材料為酞菁鋅、酞菁銅、4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、4，4’，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或(N, N, N，，N，-四甲氧基苯基)_對(duì)二氨基聯(lián)苯。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子傳輸材料為(8-羥基喹啉)-鋁、4，7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2，4-三唑衍生物。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述P型層的厚度為5?20納米，所述中間層的厚度為廣4納米，所述η型層的厚度為5?20納米。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陰極的材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或鎵鋅氧化物；所述陽(yáng)極的材料為金、銅或鎳。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子傳輸層的材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述發(fā)光層由10-(2-苯并噻唑)-2，3，6，7-四氫-1，1，7，7，-四甲基L-1H, 5Η, IIH-[I]苯丙吡喃酮基[6，7，8-1J]喹嗪_11_酮摻雜于(8-羥基喹啉)-鋁中形成，所述空穴傳輸層的材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺，所述空穴注入層的材料為酞菁銅。
[0015]一種倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0016]采用磁控濺射或真空蒸鍍?cè)诨迳闲纬申帢O；
[0017]采用真空蒸鍍?cè)谒鲫帢O上形成P型層，所述P型層由P型半導(dǎo)體材料摻雜于空穴傳輸材料中形成，所述P型半導(dǎo)體材料占所述P型層的質(zhì)量百分比為2?10% ；
[0018]采用真空蒸鍍?cè)谒鯬型層上形成中間層，所述中間層由金屬氧化物形成；
[0019]采用真空蒸鍍?cè)谒鲋虚g層上形成η型層，得到ρη結(jié)層；所述η型層由η型半導(dǎo)體材料摻雜于電子傳輸材料中形成，所述η型半導(dǎo)體材料占所述η型層的質(zhì)量百分比為2?20% ；
[0020]采用真空蒸鍍?cè)谒靓切蛯由闲纬捎袡C(jī)發(fā)光功能層；及
[0021]采用熱蒸發(fā)或者電子束蒸發(fā)技術(shù)在所述有機(jī)發(fā)光功能層上形成陽(yáng)極，得到倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0022]上述倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件工作時(shí)，ρη結(jié)層在外部電場(chǎng)作用下發(fā)生電荷分離，使得電子從η型層直接向有機(jī)發(fā)光功能層傳輸，由于電子通過(guò)η型層注入到有機(jī)發(fā)光功能層傳輸中需要克服的勢(shì)壘較小，因此電子注入比較容易。并且，P型層和η型層之間的中間層能夠避免P型層中的P型半導(dǎo)體材料與η型層的η型半導(dǎo)體材料相互擴(kuò)散的而干擾電荷分離的問(wèn)題，有利于提高電子的注入效率，從而提高倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為一實(shí)施方式的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為一實(shí)施方式的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法流程圖；
[0025]圖3為實(shí)施例1與對(duì)比例I的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的電壓-電流密度特性曲線對(duì)比圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0026]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。
[0027]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件100，包括依次層疊的基板110、陰極120、ρη結(jié)層130、有機(jī)發(fā)光功能層140和陽(yáng)極150。
[0028]基板10為透明基板，可以采用透明玻璃或聚醚砜樹(shù)脂基板。本實(shí)施方式采用透明玻璃。
[0029]陰極120的材料為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)或鎵鋅氧化物(GZO)。這幾種材料形成的陰極120具有較高的透過(guò)率，有利于提高倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件100的光效。
[0030]陰極120的厚度為100納米。
[0031]ρη結(jié)層130包括依次層疊于陰極120上的ρ型層131、中間層132和η型層133。
[0032]ρ型層131由ρ型半導(dǎo)體材料摻雜于空穴傳輸材料中形成。P型半導(dǎo)體材料占P型層131的質(zhì)量百分比為2?10%，優(yōu)選為5%。
[0033]ρ型半導(dǎo)體材料為空穴濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度的材料。本實(shí)施方式中，P型半導(dǎo)體材料優(yōu)選為 2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、1，3，4，5，7，8_ 六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌(F6-TNAP)或(2，2’ - (2，5- 二氰基-3，6- 二氟環(huán)己燒-2，5- 二稀-1, 4- 二亞基)二丙二臆)(F2-HCNQ)。
[0034]空穴傳輸材料為酞菁鋅(ZnPc)、酞菁銅(CuPc)、4，4’，4"-三(2_萘基苯基氨基)三苯基胺(2-ΤΝΑΤΑ)、4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或(N, N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)。
[0035]ρ型層131的厚度為5?20納米，優(yōu)選為15納米。
[0036]中間層132由金屬氧化物形成。金屬氧化物為三氧化錸(ReO3)、三氧化鎢(WO3)、三氧化鑰(MoO3)、五氧化二fL (V2O5)或三氧化二秘(Sb2O3)。
[0037]中間層132的厚度為廣4納米，優(yōu)選為3納米。
[0038]η型層133由η型半導(dǎo)體材料摻雜于電子傳輸材料中形成。η型半導(dǎo)體材料占η型層133的質(zhì)量百分比為2?20%，優(yōu)選為10%。
[0039]η型半導(dǎo)體材料為自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的材料。本實(shí)施方式中，η型半導(dǎo)體材料優(yōu)選為碳酸鋰(Li2CO3)、疊氮化鋰(LiN3)、疊氮化銫(CsN3)、碳酸銫(Cs2CO3)或氟化銫(CsF)。
[0040]電子傳輸材料為(8-羥基喹啉)_鋁(Alq3)、4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、
I,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)或I, 2，4-三唑衍生物(TAZ)。
[0041]η型層133的厚度為5?20納米，優(yōu)選為10納米。
[0042]有機(jī)發(fā)光功能層140包括依次層疊于η型層133上的電子傳輸層141、發(fā)光層142、空穴傳輸層143和空穴注入層144。
[0043]電子傳輸層141的材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯(TPBi)形成。電子傳輸層141的厚度為30納米。
[0044]發(fā)光層142由10-(2-苯并噻唑)_2，3，6，7_四氫_1，1，7，7，-四甲基L-1H, 5H, IIH-[I]苯丙吡喃酮基[6，7，8-1J]喹嗪-11-酮(C545T)摻雜的(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)中形成。C545T占發(fā)光層142的質(zhì)量百分比為10%。發(fā)光層的厚度為15納米。
[0045]空穴傳輸層143的材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’_二胺(NPB)。空穴傳輸層143的厚度為30納米。
[0046]空穴注入層144的材料為酞菁銅(CuPc)?？昭ㄗ⑷雽?44的厚度為20納米。
[0047]可以理解，在其他實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光功能層140也可以僅由發(fā)光層142組成。
[0048]在發(fā)光層142靠近η型層133的一側(cè)設(shè)置有電子傳輸層141，有利于電子從η型層133傳輸至發(fā)光層142 ;在發(fā)光層142靠近陽(yáng)極150的一側(cè)依次設(shè)置有空穴傳輸層143和空穴注入層144,有利于空穴從陽(yáng)極150傳輸至發(fā)光層142。
[0049]陽(yáng)極150的材料為金(Au)、銅(Cu)或鎳(Ni)。陽(yáng)極150的厚度為80納米。
[0050]倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件100的pn結(jié)層130在外部電場(chǎng)作用下發(fā)生電荷分離，使得電子從η型層133直接向有機(jī)發(fā)光功能層140傳輸，從而使電子注入到有機(jī)發(fā)光功能層140中。由于電子通過(guò)η型層133注入到有機(jī)發(fā)光功能層140傳輸中需要克服的勢(shì)壘較小，因此電子注入比較容易。并且，P型層131和η型層133之間設(shè)置有中間層132，中間層132能夠避免了 P型層131中的P型半導(dǎo)體材料與η型層133的η型半導(dǎo)體材料相互擴(kuò)散的而干擾電荷分離的問(wèn)題，有利于提高電子的注入效率，從而提高倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件100的發(fā)光效率。
[0051]陰極120的材料為高透過(guò)率、高功函數(shù)的銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)或鎵鋅氧化物(GZO)，pn結(jié)層140的設(shè)置解決了由這幾種高功函數(shù)的材料形成的陰極120的電子注入較為困難的問(wèn)題，使得倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件100具有較高的透過(guò)率和較高的電子注入效率，具有優(yōu)良的發(fā)光性能。
[0052]將這種發(fā)光性能優(yōu)良的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件100應(yīng)用于AMOLED中，有利于提高AMOLED的效率。
[0053]請(qǐng)參閱圖2，一實(shí)施方式的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0054]步驟SllO:采用磁控濺射或真空蒸鍍?cè)诨迳闲纬申帢O。
[0055]基板采用透明玻璃或聚醚砜樹(shù)脂基板。
[0056]首先清洗基板，以避免基板上的污染物對(duì)倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的性能產(chǎn)生不良影響。將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈?，備用?br> [0057]陰極的材料為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)或鎵鋅氧化物(GZO)。
[0058]陰極的厚度為100納米。
[0059]采用真空蒸鍍制備陰極時(shí)，真空度為5X10_4Pa。
[0060]步驟S120:采用真空蒸鍍?cè)陉帢O上形成P型層。
[0061]真空度為5Xl(T4Pa。
[0062]P型層由P型半導(dǎo)體材料摻雜于空穴傳輸材料中形成。P型半導(dǎo)體材料占P型層的質(zhì)量百分比為2~10%，優(yōu)選為5%。
[0063]P型半導(dǎo)體材料優(yōu)選為2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、1,3,4, 5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌(F6-TNAP)或(2，2’-(2，5-二氰基-3，6-二氟環(huán)己燒-2, 5- 二稀-1, 4- 二亞基)二丙二臆)(F2-HCNQ)。
[0064]空穴傳輸材料為酞菁鋅(ZnPc)、酞菁銅(CuPc)、4，4’，4"-三(2_萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m_MTDATA)或(N, N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-Tro)。
[0065]P型層的厚度為5~20納米，優(yōu)選為15納米。
[0066]步驟S130:采用真空蒸鍍?cè)赑型層上形成中間層。
[0067]真空度為5Xl(T4Pa。
[0068]中間層由金屬氧化物形成。金屬氧化物為三氧化錸(ReO3)、三氧化鎢(WO3)、三氧化鑰(MoO3)、五氧化二釩(V2O5)或三氧化二鉍(Sb203)。
[0069]中間層的厚度為 4納米，優(yōu)選為3納米。
[0070]步驟S140:采用真空蒸鍍?cè)谥虚g層上形成η型層，得到pn結(jié)層。
[0071]真空度為5Xl(T4Pa。
[0072]η型層由η型半導(dǎo)體材料摻雜于電子傳輸材料中形成。η型半導(dǎo)體材料占η型層的質(zhì)量百分比為2~20%，優(yōu)選為10%。
[0073]η型半導(dǎo)體材料優(yōu)選為碳酸鋰(Li2CO3)、疊氮化鋰(LiN3)、疊氮化銫(CsN3)、碳酸銫(Cs2CO3)或氟化銫(CsF)。
[0074]電子傳輸材料為(8-羥基喹啉)_鋁(Alq3)、4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、
I,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)或I, 2，4-三唑衍生物(TAZ)。
[0075]η型層的厚度為5~20納米，優(yōu)選為10納米。
[0076]P型層、中間層和η型層依次層疊，得到pn結(jié)層。
[0077]步驟S150:采用真空蒸鍍?cè)讦切蛯由闲纬捎袡C(jī)發(fā)光功能層。
[0078]真空度為5Xl(T4Pa。
[0079]有機(jī)發(fā)光功能層包括依次層疊于η型層上的電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層。
[0080]電子傳輸層的材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯(TPBi)。電子傳輸層的厚度為30納米。
[0081]發(fā)光層由10-(2-苯并噻唑)-2，3，6，7-四氫-1，1，7，7，-四甲基 L-1H，5Η，IIH-[I]苯丙吡喃酮基[6, 7, 8-1J]喹嗪-11-酮(C545T)摻雜的(8_羥基喹啉)-鋁(Alq3)中形成。C545T占發(fā)光層的質(zhì)量百分比為10%。發(fā)光層的厚度為15納米。
[0082]空穴傳輸層的材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0納米。
[0083]空穴注入層的材料為酞菁銅(CuPc)。空穴注入層的厚度為20納米。
[0084]步驟S160:采用熱蒸發(fā)或者電子束蒸發(fā)技術(shù)在有機(jī)發(fā)光功能層上形成陽(yáng)極，得到倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0085]陽(yáng)極的材料為金(Au)、銅(Cu)或鎳(Ni)。陽(yáng)極的厚度為80納米。[0086]依次層疊的基板、陰極、ρη結(jié)層、有機(jī)發(fā)光功能層和陽(yáng)極組成有倒置型機(jī)電致發(fā)光器件。
[0087]上述倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法采用磁控濺射或真空蒸鍍?cè)谕该鞑Ａе苽渖详帢O，然后采用真空蒸鍍制備依次層疊的Pn結(jié)層和有機(jī)發(fā)光功能層，最后采用熱蒸發(fā)或者電子束蒸發(fā)技術(shù)制備陽(yáng)極得到有機(jī)電致發(fā)光器件。該制備方法工藝簡(jiǎn)單，易于大規(guī)豐吳制備。
[0088]真空蒸鍍制備ρη結(jié)層和有機(jī)發(fā)光功能層均在真空度5Χ 10_4Pa下進(jìn)行蒸鍍。在較高的真空度5X 10_4Pa下，能夠避免沉積形成的膜產(chǎn)生缺陷，有利于提高成膜質(zhì)量，從而得到性能穩(wěn)定的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0089]以下為具體實(shí)施例。
[0090]實(shí)施例1
[0091 ]結(jié)構(gòu)為:Glass/IT0/F6-TNAP: CuPc/W03/Li2C03:Alq3/TPBi/C545T:Alq3/NPB/CuPc/Au的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件
[0092]該倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法如下:
[0093](I)提供透明玻璃作為基板，表示為Glass。將透明玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?
[0094](2)采用真空蒸鍍?cè)谇逑锤稍锖蟮耐该鞑Ａ闲纬申帢O。真空度為5X 10_4Pa。陰極的材料為銦錫氧化物(ITO)。陰極的厚度為IOOnm ；
[0095](3)采用真空蒸鍍?cè)陉帢O上形成ρ型層。真空度為5X10_4Pa。P型層由P型半導(dǎo)體材料摻雜于空穴傳輸材料中形成，表示為F6-TNAP:CuPc。？型半導(dǎo)體材料為1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌(F6-TNAP)，空穴傳輸材料為酞菁銅(CuPc)。F6-TNAP占ρ型層的質(zhì)量百分比為5%。ρ型層的厚度為15nm ；
[0096](4)采用真空蒸鍍?cè)赑型層上形成中間層。真空度為5X10_4Pa。中間層的材料為三氧化鎢(WO3)。中間層的厚度為3nm ；
[0097](5)采用真空蒸鍍?cè)谥虚g層上形成η型層。真空度為5X10_4Pa。η型層由η型半導(dǎo)體材料摻雜于電子傳輸材料中形成，表示為L(zhǎng)i2C03:Alq3。η型半導(dǎo)體材料為碳酸鋰(Li2CO3)，電子傳輸材料為(8-羥基喹啉)_鋁(Alq3)。Li2CO3占η型層的質(zhì)量百分比為10%。η型層的厚度為10nm。ρ型層、中間層和η型層依次層疊得到ρη結(jié)層；
[0098](6)采用真空蒸鍍?cè)讦切蛯由闲纬呻娮觽鬏攲?。真空度?X10_4Pa。電子傳輸層的材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。電子傳輸層的厚度為30nm ；
[0099](7)采用真空蒸鍍?cè)陔娮觽鬏攲由闲纬砂l(fā)光層。真空度為5X10_4Pa。發(fā)光層由10-(2-苯并噻唑)-2，3，6，7-四氫-1，1，7，7，_四甲基L-1H，5H，苯丙吡喃酮基[6，7，8_IJ]喹嗪-11-酮(C545T)摻雜的(8_羥基喹啉)-鋁(Alq3)中形成，表示為C545T:Alq3。C545T占發(fā)光層的質(zhì)量百分比為10%。發(fā)光層的厚度為15nm ;
[0100](8)采用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層上形成空穴傳輸層。真空度為5X 10_4Pa。空穴傳輸層的材料為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm ；[0101](9)采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由闲纬煽昭ㄗ⑷雽印Ｕ婵斩葹?X10_4Pa?？昭ㄗ⑷氲牟牧蠟樘笺~(CuPc)。空穴注入層的厚度為20nm。電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層依次層疊，得到有機(jī)發(fā)光功能層；
[0102](10)采用熱蒸發(fā)技術(shù)在空穴注入層上形成陽(yáng)極，得到倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件。陽(yáng)極的材料為金(Au),陽(yáng)極的厚度為80nm。
[0103]實(shí)施例2
[0104]結(jié)構(gòu)為:Glass/AZ0/F4-TCNQ:ZnPc/Mo03/Cs2C03:Bphen/TPBi/C545T:Alq3/NPB/CuPc/Cu的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件
[0105]該倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法如下:
[0106](I)提供透明玻璃作為基板，表示為Glass。將透明玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?
[0107](2)采用真空蒸鍍?cè)谇逑锤稍锖蟮耐该鞑Ａ闲纬申帢O。真空度為5X 10_4Pa。陰極的材料為鋁鋅氧化物(ΑΖ0)。陰極的厚度為IOOnm;
[0108](3)采用真空蒸鍍?cè)陉帢O上形成P型層。真空度為5X10_4Pa。P型層由P型半導(dǎo)體材料摻雜于空穴傳輸材料中形成，表示為F4-TCNQ:ZnPc。p型半導(dǎo)體材料為2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)，空穴傳輸材料為酞菁鋅(ZnPc)。F4-TCNQ占P型層的質(zhì)量百分比為2%。P型層的厚度為5nm ；
[0109](4)采用真空蒸鍍?cè)赑型層上形成中間層。真空度為5X10_4Pa。中間層的材料為
三氧化鑰(MoO3)。中間層的厚度為2nm ；
[0110](5)采用真空蒸鍍?cè)谥虚g層上形成η型層。真空度為5X10_4Pa。η型層由η半導(dǎo)體型材料摻雜于電子傳輸材料中形成，表示為Cs2C03:Bphen。η型半導(dǎo)體材料為碳酸銫(Cs2CO3)，電子傳輸材料為4，7- 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)。Cs2CO3占η型層的質(zhì)量百分比為2%。η型層的厚度為5nm。p型層、中間層和η型層依次層疊得到pn結(jié)層；
[0111](6)采用真空蒸鍍?cè)讦切蛯由闲纬呻娮觽鬏攲印Ｕ婵斩葹?X10_4Pa。電子傳輸層的材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。電子傳輸層的厚度為30nm ；
[0112](7)采用真空蒸鍍?cè)陔娮觽鬏攲由闲纬砂l(fā)光層。真空度為5X10_4Pa。發(fā)光層由10-(2-苯并噻唑)-2，3，6，7-四氫-1，1，7，7，_四甲基L-1H，5H，苯丙吡喃酮基[6，7，8_IJ]喹嗪-11-酮(C545T)摻雜的(8_羥基喹啉)-鋁(Alq3)中形成，表示為C545T:Alq3。C545T占發(fā)光層的質(zhì)量百分比為10%。發(fā)光層的厚度為15nm ;
[0113](8)米用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層上形成空穴傳輸層。真空度為5X l(T4Pa?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm ；
[0114](9)采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由闲纬煽昭ㄗ⑷雽?。真空度?X10_4Pa?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟樘笺~(CuPc)?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm。電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層依次層疊，得到有機(jī)發(fā)光功能層；
[0115](10)采用熱蒸發(fā)技術(shù)在空穴注入層上形成陽(yáng)極，得到倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件。陽(yáng)極的材料為銅(Cu)，陽(yáng)極的厚度為80nm。[0116]實(shí)施例3
[0117]結(jié)構(gòu)為:Glass/IZ0/F2-HCNQ:2_TNATA/Re03/CsN3:BCP/TPBi/C545T:Alq3/NPB/CuPc/Ni的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件
[0118]該倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法如下:
[0119](I)提供透明玻璃作為基板，表示為Glass。將透明玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?
[0120](2)采用真空蒸鍍?cè)谇逑锤稍锖蟮耐该鞑Ａ闲纬申帢O。真空度為5X 10_4Pa。陰極的材料為銦鋅氧化物(ΙΖ0)。陰極的厚度為IOOnm;
[0121](3)采用真空蒸鍍?cè)陉帢O上形成ρ型層。真空度為5X10_4Pa。P型層由P型半導(dǎo)體材料摻雜于空穴傳輸材料中形成，表示為F2-HCNQ:2-TNATA。ρ型半導(dǎo)體材料為2，2’ - (2, 5- 二氛基-3，6- 二氣環(huán)己燒 ~2, 5- 二稀-1, 4- 二亞基)二丙二臆(F2-HCNQ),空穴傳輸材料為4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-ΤΝΑΤΑ)。F2-HCNQ占ρ型層的質(zhì)量百分比為10%。ρ型層的厚度為20nm ；
[0122](4)采用真空蒸鍍?cè)赑型層上形成中間層。真空度為5X10_4Pa。中間層的材料為三氧化錸(ReO3)。中間層的厚度為4nm ；
[0123](5)采用真空蒸鍍?cè)谥虚g層上形成η型層。真空度為5 X 10_4Pa。η型層由η型半導(dǎo)體材料摻雜于電子傳輸材料中形成，表不為CsN3:BCP。η型半導(dǎo)體材料為疊氮化銫(CsN3),電子傳輸材料為2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)。CsN3占η型層的質(zhì)量百分比為15%。η型層的厚度為15nm。ρ型層、中間層和η型層依次層疊得到ρη結(jié)層；
[0124](6)采用真空蒸鍍?cè)讦切蛯由闲纬呻娮觽鬏攲?。真空度?X10_4Pa。電子傳輸層的材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。電子傳輸層的厚度為30nm ；
[0125](7)采用真空蒸鍍?cè)陔娮觽鬏攲由闲纬砂l(fā)光層。真空度為5X10_4Pa。發(fā)光層由10-(2-苯并噻唑)-2，3，6，7-四氫-1，1，7，7，_四甲基L-1H，5H，苯丙吡喃酮基[6，7，8_IJ]喹嗪-11-酮(C545T)摻雜的(8_羥基喹啉)-鋁(Alq3)中形成，表示為C545T:Alq3。C545T占發(fā)光層的質(zhì)量百分比為10%。發(fā)光層的厚度為15nm ;
[0126](8)采用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層上形成空穴傳輸層。真空度為5X 10_4Pa。空穴傳輸層的材料為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm ；
[0127](9)采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由闲纬煽昭ㄗ⑷雽?。真空度?X10_4Pa?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟樘笺~(CuPc)。空穴注入層的厚度為20nm。電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層依次層疊，得到有機(jī)發(fā)光功能層；
[0128](10)采用熱蒸發(fā)技術(shù)在空穴注入層上形成陽(yáng)極，得到倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件。陽(yáng)極的材料為鎳(Ni)，陽(yáng)極的厚度為80nm。
[0129]實(shí)施例4
[0130]結(jié)構(gòu)為:Glass/GZ0/F4-TCNQ:m-MTDATA/V205/CsF:TAZ/TPBi/C545T:Alq3/NPB/CuPc/Ni的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件
[0131]該倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法如下:[0132](I)提供透明玻璃作為基板，表示為Glass。將透明玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?
[0133](2)采用真空蒸鍍?cè)谇逑锤稍锖蟮耐该鞑Ａ闲纬申帢O。真空度為5X 10_4Pa。陰極的材料為鎵鋅氧化物(GZ0)。陰極的厚度為IOOnm;
[0134](3)采用真空蒸鍍?cè)陉帢O上形成P型層。真空度為5X10_4Pa。P型層由P型半導(dǎo)體材料摻雜于空穴傳輸材料中形成，表示為F4-TCNQ:m-MTDATA。p型半導(dǎo)體材料為2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)，空穴傳輸材料為4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)。F4-TCNQ占p型層的質(zhì)量百分比為5%。P型層的厚度為IOnm ；
[0135](4)采用真空蒸鍍?cè)赑型層上形成中間層。真空度為5X10_4Pa。中間層的材料為五氧化二釩(V2O5)。中間層的厚度為Inm ；
[0136](5)采用真空蒸鍍?cè)谥虚g層上形成η型層。真空度為5X10_4Pa。η型層由η型半導(dǎo)體材料摻雜于電子傳輸材料中形成，表不為CsF:TAZ。η型半導(dǎo)體材料為氟化銫(CsF),電子傳輸材料為1，2，4-三唑衍生物(TAZ)。CsF占η型層的質(zhì)量百分比為20%。η型層的厚度為20nm。P型層、中間層和η型層依次層疊得到pn結(jié)層；
[0137](6)采用真空蒸鍍?cè)讦切蛯由闲纬呻娮觽鬏攲?。真空度?X10_4Pa。電子傳輸層的材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。形成電子傳輸層的厚度為30nm ；
[0138](7)米用真空蒸鍍?cè)陔娮觽鬏攲由闲纬砂l(fā)光層。真空度為5X l(T4Pa。發(fā)光層由10-(2-苯并噻唑)-2，3，6，7-四氫-1，1，7，7，_四甲基L-1H，5H，苯丙吡喃酮基[6，7，8_IJ]喹嗪-11-酮(C545T)摻雜的(8_羥基喹啉)-鋁(Alq3)中形成，表示為C545T:Alq3C545T占發(fā)光層的質(zhì)量百分比為10%。發(fā)光層的厚度為15nm ;
[0139](8)采用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層上形成空穴傳輸層。真空度為5X 10_4Pa?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm ；
[0140](9)采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由闲纬煽昭ㄗ⑷雽印Ｕ婵斩葹?X 10_4Pa?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟樘笺~(CuPc)?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm。電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層依次層疊，得到有機(jī)發(fā)光功能層；
[0141](10)采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在空穴注入層上形成陽(yáng)極，得到倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件。陽(yáng)極的材料為鎳(Ni)，陽(yáng)極的厚度為80nm。
[0142]實(shí)施例5
[0143]結(jié)構(gòu)為:Glass/GZ0/F4_TCNQ:Me0_TPD/Sb203/Li2C03:TPBi/TPBi/C545T:Alq3/NPB/CuPc/Au的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件
[0144]該倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法如下:
[0145](I)提供透明玻璃作為基板，表示為Glass。將透明玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?
[0146](2)采用真空蒸鍍?cè)谇逑锤稍锖蟮耐该鞑Ａ闲纬申帢O。真空度為5X 10_4Pa。陰極的材料為鎵鋅氧化物(GZO)。陰極的厚度為IOOnm;
[0147](3)采用真空蒸鍍?cè)陉帢O上形成P型層。真空度為5X KT4Pa15P型層由P型半導(dǎo)體材料摻雜于空穴傳輸材料中形成，表示為F4-TCNQ: MeO-TPD。p型半導(dǎo)體材料為2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷$4-1^觸)，空穴傳輸材料為隊(duì)隊(duì)^，^ -四甲氧基苯基)_對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-Tro)。F4-TCNQ占P型層的質(zhì)量百分比為8%。P型層的厚度為IOnm ；
[0148](4)采用真空蒸鍍?cè)赑型層上形成中間層。真空度為5X10_4Pa。中間層的材料為三氧化二鉍(Sb2O3)。中間層的厚度為2nm ； [0149](5)采用真空蒸鍍?cè)谥虚g層上形成η型層。真空度為5X10_4Pa。η型層由η半導(dǎo)體型材料摻雜于電子傳輸材料中形成，表不為L(zhǎng)i2C03:TPBi。η型半導(dǎo)體材料為碳酸鋰(Li2CO3)，電子傳輸材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。Li2CO3占η型層的質(zhì)量百分比為12%。η型層的厚度為20nm。p型層、中間層和η型層依次層疊得到pn結(jié)層；
[0150](6)采用真空蒸鍍?cè)讦切蛯由闲纬呻娮觽鬏攲印Ｕ婵斩葹?X10_4Pa。電子傳輸層的材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。電子傳輸層的厚度為30nm ；
[0151](7)米用真空蒸鍍?cè)陔娮觽鬏攲由闲纬砂l(fā)光層。真空度為5X l(T4Pa。發(fā)光層由10-(2-苯并噻唑)-2，3，6，7-四氫-1，1，7，7，_四甲基L-1H，5H，苯丙吡喃酮基[6，7，8-1J]喹嗪-11-酮(C545T)摻雜的(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)中形成，表示為C545T:Alq30 C545T占發(fā)光層的質(zhì)量百分比為10%。發(fā)光層的厚度為15nm ;
[0152](8)米用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層上形成空穴傳輸層。真空度為5X l(T4Pa?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm ；
[0153](9)采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由闲纬煽昭ㄗ⑷雽印Ｕ婵斩葹?X10_4Pa。空穴注入層的材料為酞菁銅(CuPc)?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm。電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層依次層疊，得到有機(jī)發(fā)光功能層；
[0154](10)采用熱蒸發(fā)技術(shù)在空穴注入層上形成陽(yáng)極，得到倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件。陽(yáng)極的材料為金(Au),陽(yáng)極的厚度為80nm。
[0155]對(duì)比例I
[0156]結(jié)構(gòu)為:Glass/IT0/TPBi/C545T:Alq3/NPB/CuPc/Au的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0157]該器件在陰極與電子傳輸層之間不設(shè)置有pn結(jié)層，其余與實(shí)施例1的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)相同。制備方法也相同。
[0158]由下表1可看出，與對(duì)比例I的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件相比，實(shí)施例1飛的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的啟動(dòng)電壓較低、發(fā)光效率較高。
[0159]表1實(shí)施例1飛及對(duì)比例I的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光性能數(shù)據(jù)
[0160]
【權(quán)利要求】
1.一種倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陰極、有機(jī)發(fā)光功能層和陽(yáng)極，其特征在于，還包括設(shè)置于所述陰極和有機(jī)發(fā)光功能層之間的pn結(jié)層，所述pn結(jié)層包括依次層疊于所述陰極上的P型層、中間層和η型層；其中，所述P型層由P型半導(dǎo)體材料摻雜于空穴傳輸材料中形成，所述P型半導(dǎo)體材料占所述P型層的質(zhì)量百分比為2~10% ;所述中間層由金屬氧化物形成；所述η型層由η型半導(dǎo)體材料摻雜于電子傳輸材料中形成，所述η型半導(dǎo)體材料占所述η型層的質(zhì)量百分比為2~20% ;所述有機(jī)發(fā)光功能層包括依次層疊于η型層上的電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述P型半導(dǎo)體材料為2，3，5,6-四氟_7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷、1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌或2，2’ -(2, 5- 二氰基-3，6- 二氟環(huán)己燒-2, 5- 二烯-1，4- 二亞基)二丙二臆。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬氧化物為三氧化錸、三氧化鶴、三氧化鑰、五氧化二fL或三氧化二秘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述η型半導(dǎo)體材料為碳酸鋰、疊氮化鋰、疊氮化銫、碳酸銫或氟化銫。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸材料為酞菁鋅、酞菁銅、4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或(N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_對(duì)二氨基聯(lián)苯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸材料為(8-羥基喹啉)-鋁、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉、I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2，4-三唑衍生物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述P型層的厚度為5^20納米，所述中間層的厚度為1-4納米，所述η型層的厚度為5~20納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或鎵鋅氧化物；所述陽(yáng)極的材料為金、銅或鎳。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述發(fā)光層由10-(2-苯并噻唑)-2，3，6，7_ 四氫-1，1，7，7，-四甲基 L-1H，5H，IIH-[I]苯丙吡喃酮基[6，7，8—1J]喹嗪-11-酮摻雜于(8-羥基喹啉)_鋁中形成，所述空穴傳輸層的材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺，所述空穴注入層的材料為酞菁銅。
10.一種倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 采用磁控濺射或真空蒸鍍?cè)诨迳闲纬申帢O； 采用真空蒸鍍?cè)谒鲫帢O上形成P型層，所述P型層由P型半導(dǎo)體材料摻雜于空穴傳輸材料中形成，所述P型半導(dǎo)體材料占所述P型層的質(zhì)量百分比為2~10% ； 采用真空蒸鍍?cè)谒鯬型層上形成中間層，所述中間層由金屬氧化物形成； 采用真空蒸鍍?cè)谒鲋虚g層上形成η型層，得到ρη結(jié)層；所述η型層由η型半導(dǎo)體材料摻雜于電子傳輸材料中形成，所述η型半導(dǎo)體材料占所述η型層的質(zhì)量百分比為2~20% ； 采用真空蒸鍍?cè)谒靓切蛯由闲纬捎袡C(jī)發(fā)光功能層 '及 采用熱蒸發(fā)或者電子束蒸發(fā)技術(shù)在所述有機(jī)發(fā)光功能層上形成陽(yáng)極，得到倒置型有機(jī)電致發(fā)光器件。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK103730591SQ201210384719
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2012年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月11日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 馮小明, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司