專利名稱：：一種銀銅納米合金及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明屬于金屬功能材料領(lǐng)域，具體是一種銀銅納米合金及其制備方法。二
背景技術(shù)：
：金屬等離子晶體(plasmoniccrystal)是一種具有表面等離子共振(surfaceplasmonresonance,SPR)活性的金屬功能材料器件，能夠在納米尺度上控制電磁場，在國防工業(yè)和信息產(chǎn)業(yè)中有著重要的應(yīng)用，其中，太陽能電池和高密度存儲(chǔ)器等器件已經(jīng)開始商業(yè)化開發(fā)，具有極大的商業(yè)前景和巨大的社會(huì)效益。目前，制備金屬等離子晶體器件主要使用Ag，Au和Cu等純金屬粒子為原材料，這些原料的共振波長主要通過尺寸和形狀等因素來調(diào)制。以純金屬納米銀和納米金為例，目前已經(jīng)研究了下列納米結(jié)構(gòu)及其表面等離子共振波長的調(diào)制性質(zhì)l.純金屬納米球，球形金銀納米粒子是目前最廣泛研究的體系，直徑尺寸為20nm和100nm的Au納米球的表面等離子共振波長在520nm和650nm，而相應(yīng)尺寸的Ag納米球的表面等離子共振(SPR)波長為370nm和600nm。2.純金屬納米棒，納米棒具有多個(gè)表面等離子共振(SPR)峰，大量的實(shí)驗(yàn)測試和理論計(jì)算都發(fā)現(xiàn)，Au和Ag納米棒具有多極的表面等離子共振模式。3.純金屬納米殼，納米殼是隨著生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用發(fā)展起來的納米結(jié)構(gòu)，其表面等離子共振(SPR)峰可以調(diào)制到近紅外區(qū)域(600-卯0nm)。在金屬等離子晶體中，應(yīng)用這些純金屬納米材料和結(jié)構(gòu)明顯存在的技術(shù)問題是難以實(shí)現(xiàn)離域表面等離子模式(delocalizedsurfaceplasmonresonance,SPP)和局域表面等離子模式(localsurfaceplasmon,LSP)的耦合，原因是由于等禽子波導(dǎo)的特殊傳輸方式，金屬等離子晶體中電磁能的傳輸具有較低的群速度，波導(dǎo)中電磁波的群速度依賴于納米粒子之間的近場耦合強(qiáng)度，這個(gè)近場耦合強(qiáng)度取決于納米粒子直徑和粒子間距。目前應(yīng)用純金屬納米材料和結(jié)構(gòu)時(shí)，如果增加納米粒子尺寸來降低局域等離子頻率，同時(shí)會(huì)減少粒子間距，降低離域等離子頻率，難以實(shí)現(xiàn)確定一個(gè)合適的頻率實(shí)現(xiàn)LSP和SPP模式耦合。納米合金及其制備方法已經(jīng)有很多文獻(xiàn)報(bào)道，其中最多的就是銀金體系，由于納米銀吸收波長比納米金短，銀金體系的等離子共振峰位置隨著銀含量的增加而藍(lán)移。相比之下，銀銅納米合金的殺菌性能和催化性質(zhì)已經(jīng)有一些文獻(xiàn)報(bào)道，光學(xué)性質(zhì)還沒有報(bào)道，由于Cu的等離子體吸收峰比Au更加靠近紅外波段，銀銅納米合金體系可以在更寬的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)等離子體吸收波長，其研究更有意義。銀銅納米合金的制備方法主要有離子注入法，凝膠溶膠法，粒子束混合，球磨等方法，這些制備方法的主要缺點(diǎn)是銀和銅不能形成合金，而是以兩相分離的形式存在，制備的材料出現(xiàn)了與Ag和Cu相關(guān)的兩個(gè)吸收峰。
發(fā)明內(nèi)容為克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的純金屬粒子必須以尺寸和形狀來調(diào)制表面等離子共振波長的局限性，以及在銀銅納米合金的制備中，銀和銅以兩相分離的形式存在，出現(xiàn)了與Ag和Cu相關(guān)的兩個(gè)吸收峰的不足，本發(fā)明提出了一種銀銅納米合金及其制備方法。本發(fā)明包括摩爾成分為(l-x)Ag-xCu，其中乂=0.2-0.8，合金的相為FCC結(jié)構(gòu)單相固溶體；合金的微觀結(jié)構(gòu)為枝晶，并且所選用合金的一次枝晶長度為10-20pm，二次枝晶間距為100-200nm，長度為2-10|_im，三次枝晶間距為10-20nm，長度為2-10nm。本發(fā)明還提出了制備銀銅納米合金的方法，其具體包括如下步驟步驟l、清洗ITO玻璃基體將ITO玻璃基體浸泡在0.5mol/L的NaOH溶液中15min，其后用去離子水將ITO玻璃充分沖洗干凈；最后將ITO在丙酮溶液中超聲清洗15min。步驟2、配制電解液配制電解液時(shí)，稱量100ml去離子水，先加入0.1-0.8gPEG-10000，待其溶解后，再加入0.03-0.2gAgNCb和0.04-0.2gCu(N03)2，最后加入0.51gKN03。步驟3、制備鹽橋?qū)?0g的KN03溶解在100g蒸餾水中，將KN03溶液加熱至60QC，再將總?cè)芤嘿|(zhì)量5%的瓊脂加入，升溫至90。C溶解。用直徑約為5-6mm的玻璃管彎成U形管，把做好的瓊脂溶液灌入U(xiǎn)形管中，即形成了裝有凝固了的瓊脂溶液的玻璃管(鹽橋)。步驟4、恒電位沉積采用三電極電解池、電解液以及鹽橋，通過恒電位法在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積納米銀膜；沉積電位為-0.18到-0.8V，沉積的時(shí)間為10min，沉積的溫度為20。C和50。C。三電極電解池包括研究電極、輔助電極和參比電極。步驟5、性質(zhì)表征測試。本發(fā)明通過控制銀銅納米合金的成分，實(shí)現(xiàn)了表面等離子吸收波長的變化。當(dāng)Cu摩爾含量為0.2、0.5時(shí)，Cu以固溶體的形式存在于Ag晶格中，當(dāng)Cu的摩爾分?jǐn)?shù)為0.8時(shí)，合金薄膜中既有Ag的固溶體，又出現(xiàn)了Cu的固溶體；隨著Cu+的加入，純納米銀中樹枝晶的二次枝晶彎曲，生長成了Ag-Cu納米合金的柔軟羽毛狀；Cu的摩爾比為0.8時(shí)，銀銅納米合金的枝晶尺寸變小。隨著沉積電位的變負(fù)，銀銅納米合金的吸收峰逐漸藍(lán)移。溫度和成分影響銀銅納米合金的微觀結(jié)構(gòu)和等離子體共振波長。由于本發(fā)明采取的技術(shù)方案，能夠制備出具有一個(gè)吸收峰的單相的銀銅納米合金。本發(fā)明在保持納米粒子尺寸不變的同時(shí)，通過控制合金成份以調(diào)制該合金表面等離子共振頻率。通過控制合金成份調(diào)制，改變納米粒子的共振波長，是一個(gè)對目前通過納米粒子形狀控制解決電磁模式耦合難題的全新的方法，能夠在保持等離子晶體周期性不變的情況下控制等離子晶體中的電磁能的傳輸規(guī)律。四附圖1是制備流程圖附圖2是0.8Ag-0.2Cu的銀銅納米合金的紫外吸收光譜；附圖3是0.8Ag-0.2Cu的銀銅納米合金的XRD譜；附圖4是沉積電壓-0.8V時(shí)銀銅納米合金的紫外吸收光譜；附圖5是沉積電壓-0.6V時(shí)銀銅納米合金的紫外吸收光譜；附圖6是沉積電壓-0.4V時(shí)銀銅納米合金的紫外吸收光譜。五具體實(shí)施方式實(shí)施例一本實(shí)施例是一種銀銅納米合金及其制備方法，其中銀銅納米合金的摩爾成分為(l-x)Ag-xCu，本實(shí)施例中xi.2，合金成分為0.8Ag-0.2Cu，合金的相為FCC結(jié)構(gòu)單相固溶體；合金的微觀結(jié)構(gòu)為枝晶，并且所選用合金的一次枝晶長度為10-20pm，二次枝晶間距為100-200nm，長度為2-10fim，三次枝晶間距為10-20nm，長度為2-10nm。本實(shí)施例的制備過程包括以下步驟步驟一清洗ITO玻璃基體將ITO玻璃基體浸泡在0.5mol/L的NaOH溶液中15min，以增加ITO玻璃基體的5親水性；其后用去離子水將ITO玻璃充分沖洗干凈；最后將ITO在丙酮溶液中超聲清洗15min，以去除其表面的有機(jī)物。步驟二配制電解液本實(shí)施例的電解液配方如下表所示表1制備成分為0.8Ag-0.2Cu的銀銅納米合金的電解液配方<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>配制電解液時(shí)，稱量50ml去離子水，先加入PEG-IOOOO，待其溶解后，再將AgNO:加入，然后加Cu(N03)23H20，最后加入KNQ3。步驟三制備鹽橋把90g的KNO3溶解在100g蒸餾水中，將KN03溶液加熱至6(TC，再將總?cè)芤嘿|(zhì)量5%的瓊脂加入，升溫至卯'C溶解。用直徑約為5-6mm的玻璃管彎成U形管，把做好的瓊脂溶液灌入U(xiǎn)形管中，到裝滿為止。溫度降低后，隨著瓊脂的凝固，溶于瓊脂中的KN03將部分析出，玻璃管中出現(xiàn)白色的斑點(diǎn)，這種裝有凝固了的瓊脂溶液的玻璃管就叫做鹽橋。步驟四恒電位沉積采用研究電極、輔助電極和參比電極、電解液以及鹽橋，通過恒電位法在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積銀銅納米合金。根據(jù)循環(huán)伏安測試結(jié)果選擇的沉積電位-0.6V。沉積的時(shí)間為10min。沉積的溫度為5(TC。步驟五性質(zhì)表征測試采用日本島津UV-3150紫外-可見-近紅外光譜儀測量制備出試樣的吸收光譜，測試的銀銅納米合金的光學(xué)性質(zhì)如圖2所示。當(dāng)沉積電位E=-0.6V時(shí)，0.8Ag-0.2Cu銀銅納米合金的等離子體吸收峰為375nm，合金結(jié)構(gòu)分析如圖3所示，為FCC結(jié)構(gòu)銀單相固溶體。6實(shí)施例二本實(shí)施例是一種銀銅納米合金及其制備方法，其中銀銅納米合金的摩爾成分為(l-x)Ag-xCu，本實(shí)施例中x-0.5，合金成分為0.5Ag-0.5Cu;合金的相為FCC結(jié)構(gòu)單相固溶體；合金的微觀結(jié)構(gòu)為枝晶，并且所選用合金的一次枝晶長度為10-20pm，二次枝晶間距為100-200nm，長度為2-10^m，三次枝晶間距為10-20nm,長度為2-10nm。本實(shí)施例在不同沉積電壓下制備了三個(gè)試樣，其具體制備過程為步驟一清洗ITO玻璃基體將ITO玻璃基體浸泡在0.5mol/L的NaOH溶液中15min，以增加ITO玻璃基體的親水性；其后用去離子水將ITO玻璃充分沖洗干凈；最后將ITO在丙酮溶液中超聲清洗15min，以去除其表面的有機(jī)物。步驟二配制電解液本實(shí)施例的電解液配方如下表所示表2制備成分為0.5Ag-0.5Cu的銀銅納米合金的電解液配方<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>配制電解液時(shí)，稱量50ml去離子水，先加入PEG-IOOOO，待其溶解后，再將AgNO:加入，然后加Cu(N03)23H20，最后加入KN03。步驟三制備鹽橋把90g的KN03溶解在100g蒸餾水中，將KN03溶液加熱至60°C，再將總?cè)芤嘿|(zhì)量5°/。的瓊脂加入，升溫至9(TC溶解。用直徑約為5-6mm的玻璃管彎成U形管，把做好的瓊脂溶液灌入U(xiǎn)形管中，到裝滿為止。溫度降低后，隨著瓊脂的凝固，溶于瓊脂中的KN03將部分析出，玻璃管中出現(xiàn)白色的斑點(diǎn)，這種裝有凝固了的瓊脂溶液的玻璃管就叫做鹽橋。步驟四恒電位沉積采用研究電極、輔助電極和參比電極、電解液以及鹽橋，通過恒電位法在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積銀銅納米合金。本實(shí)施例在不同沉積電壓下制備了三個(gè)試樣，各試樣的沉積電位分別是-0.8V、隱0.6V和-0.4V。沉積的時(shí)間為10min，沉積的溫度為20°C。步驟五性質(zhì)表征測試采用日本島津UV-3150紫外-可見-近紅外光譜儀測量制備出試樣的吸收光譜，測試的銀銅納米合金的光學(xué)性質(zhì)如圖4至圖6所示，當(dāng)沉積電位E=-0.8V時(shí)，銀銅納米合金的等離子體吸收峰為395nm,沉積電位E=-0.6V時(shí)，銀銅納米合金的等離子體吸收峰為360nm,沉積電位E=-0.4V時(shí)，銀銅納米合金的等離子體吸收峰為354nm。.實(shí)施例三本實(shí)施例是一種銀銅納米合金及其制備方法，其中銀銅納米合金的摩爾成分為(l-x)Ag-xCu，本實(shí)施例中x二0.8，合金成分為0.2Ag-0.8Cu;合金的相為FCC結(jié)構(gòu)單相固溶體；合金的微觀結(jié)構(gòu)為枝晶，并且所選用合金的一次枝晶長度為10-20nm，二次枝晶間距為100-200nm，長度為2-10^im，三次枝晶間距為10-20nm，長度為2-10nm。本實(shí)施例在不同沉積電壓下制備了三個(gè)試樣，其具體制備過程為步驟一清洗ITO玻璃基體將ITO玻璃基體浸泡在0.5mol/L的NaOH溶液中15min，以增加ITO玻璃基體的親水性；其后用去離子水將ITO玻璃充分沖洗干凈；最后將ITO在丙酮溶液中超聲清洗15min，以去除其表面的有機(jī)物。步驟二配制電解液本實(shí)施例的電解液配方如下表所示表3制備成分為0.2Ag-0.8Cu的銀銅納米合金的電解液配方<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>配制電解液時(shí)，稱量50ml去離子水，先加入PEG-10000，待其溶解后，再將AgNO:加入，然后加Cu(N03)23H20，最后加入KN03。步驟三制備鹽橋把90g的KN03溶解在100g蒸餾水中，將KN03溶液加熱至60°C，再將總?cè)芤嘿|(zhì)量5%的瓊脂加入，升溫至9(TC溶解。用直徑約為5-6mm的玻璃管彎成U形管，把做好的瓊脂溶液灌入U(xiǎn)形管中，到裝滿為止。溫度降低后，隨著瓊脂的凝固，溶于瓊脂中的KN03將部分析出，玻璃管中出現(xiàn)白色的斑點(diǎn)，這種裝有凝固了的瓊脂溶液的玻璃管就叫做鹽橋。步驟四恒電位沉積采用研究電極、輔助電極和參比電極、電解液以及鹽橋，通過恒電位法在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積銀銅納米合金。本實(shí)施例在不同沉積電壓下制備了三個(gè)試樣，各試樣的沉積電位分別是國0.8V、-0.6V和-0.4V。沉積的時(shí)間為10min，沉積的溫度為20。C。步驟五性質(zhì)表征測試采用日本島津UV-3150紫外-可見-近紅外光譜儀測量制備出試樣的吸收光譜。測試的銀銅納米合金的光學(xué)性質(zhì)如圖4至圖6所示，當(dāng)沉積電位E;0.8V時(shí)，銀銅納米合金的等離子體吸收峰為376nm，沉積電位E=-0.6V時(shí)，銀銅納米合金的等離子體吸收峰為378nm，沉積電位E;0.4V時(shí)，銀銅納米合金的等離子體吸收峰為370nm。實(shí)施例四本實(shí)施例是一種銀銅納米合金及其制備方法，其中銀銅納米合金的摩爾成分為(l-x)Ag-xCu，本實(shí)施例中xi.2，合金成分為0.8Ag-0.2Cu;合金的相為FCC結(jié)構(gòu)單相固溶體；合金的微觀結(jié)構(gòu)為枝晶，并且所選用合金的一次枝晶長度為10-20pim，二次枝晶間距為100-200nm，長度為2-10|nm，三次枝晶間距為10-20nm，長度為2-10nm。本實(shí)施例在不同沉積電壓下制備了五個(gè)試樣，其具體制備過程為步驟一清洗ITO玻璃基體將ITO玻璃基體浸泡在0.5mol/L的NaOH溶液中15min，以增加ITO玻璃基體的親水性；其后用去離子水將ITO玻璃充分沖洗干凈；最后將ITO在丙酮溶液中超聲清洗15min，以去除其表面的有機(jī)物。步驟二配制電解液本實(shí)施例的電解液配方如下表所示表1制備成分為0.8Ag-0.2Cu的銀銅納米合金的電解液配方摩爾濃度(mol/L)質(zhì)量(g)純度所需質(zhì)量(g)AgN03O馬0.13590.9980.1362KN030.10.50550.990.5106PEG-1000011.89g/L0.59451.000.5945Cu(N03)2.3H20O細(xì)0.04830.9950德6配制電解液時(shí)，稱量50ml去離子水，先加入PEG-IOOOO，待其溶解后，再將AgNO:加入，然后加Cu(N03)23H20，最后加入KN03。.步驟三制備鹽橋把卯g的KN03溶解在100g蒸餾水中，將KNO3溶液加熱至60"C，再將總?cè)芤嘿|(zhì)量5%的瓊脂加入，升溫至9(TC溶解。用直徑約為5-6mm的玻璃管彎成U形管，把做好的瓊脂溶液灌入U(xiǎn)形管中，到裝滿為止。溫度降低后，隨著瓊脂的凝固，溶于瓊脂中的KN03將部分析出，玻璃管中出現(xiàn)白色的斑點(diǎn)，這種裝有凝固了的瓊脂溶液的玻璃管就叫做鹽橋。步驟四恒電位沉積采用研究電極、輔助電極和參比電極、電解液以及鹽橋，通過恒電位法在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積銀銅納米合金。本實(shí)施例在不同沉積電壓下制備了五個(gè)試樣，各試樣的沉積電位分別是-0.8V,-0.7V,-0.6V，-0.3V,-0.18V。沉積的時(shí)間為10min。沉積的溫度為50。C。步驟五性質(zhì)表征測試采用日本島津UV-3150紫外-可見-近紅外光譜儀測量制備出試樣的吸收光譜。測試的銀銅納米合金的光學(xué)性質(zhì)為，當(dāng)E^0.8V下恒電位沉積，銀銅納米合金呈片狀，其吸收峰在347nm處；當(dāng)E=-0.7V、-0.6V下恒電位沉積電解液，形成的是羽毛狀合金，其吸收峰分別在379nm和383nm處；當(dāng)E=-0.3V、-0.18V沉積的是穗狀A(yù)g-Cu合金，其吸收峰在390nm處；另外，當(dāng)E二0.4時(shí)，銀銅納米合金呈現(xiàn)的是樹枝晶，-0.12V和0V沉積的銀銅納米合金生長成了很大的枝晶，枝干均長成了片狀。實(shí)施例五本實(shí)施例是一種銀銅納米合金及其制備方法，其中銀銅納米合金的摩爾成分為(l-x)Ag-xCu，本實(shí)施例中xK).5，合金成分為0.5Ag-0.5Cu;合金的相為FCC結(jié)構(gòu)單相固溶體；合金的微觀結(jié)構(gòu)為枝晶，并且所選用合金的一次枝晶長度為10-20pm，二次枝晶間距為100-200nm，長度為2-l(^m，三次枝晶間距為10-20nm，長度為2-10nm。本實(shí)施例在不同沉積電壓和不同溫度下制備了兩組共六個(gè)試樣，其具體制備過程為步驟一清洗ITO玻璃基體將ITO玻璃基體浸泡在0.5mol/L的NaOH溶液中15min，以增加ITO玻璃基體的親水性；其后用去離子水將ITO玻璃充分沖洗干凈；最后將ITO在丙酮溶液中超聲清洗15min，以去除其表面的有機(jī)物。步驟二配制電解液本實(shí)施例的電解液配方如下表所示表2制備成分為0.5Ag-0.5Cu的銀銅納米合金的電解液配方<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>配制電解液時(shí)，稱量50ml去離子水，先加入PEG-IOOOO，待其溶解后，再將AgNO:加入，然后加Cu(N03)23H20，最后加入KN03。步驟三制備鹽橋把％g的KN03溶解在100g蒸餾水中，將KN03溶液加熱至60°C，再將總?cè)芤嘿|(zhì)量5%的瓊脂加入，升溫至9(TC溶解。用直徑約為5-6mm的玻璃管彎成U形管，把做好的瓊脂溶液灌入U(xiǎn)形管中，到裝滿為止。溫度降低后，隨著瓊脂的凝固，溶于瓊脂中的KN03將部分析出，玻璃管中出現(xiàn)白色的斑點(diǎn)，這種裝有凝固了的瓊脂溶液的玻璃管就叫做鹽橋。步驟四恒電位沉積采用研究電極、輔助電極和參比電極、電解液以及鹽橋，通過恒電位法在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積銀銅納米合金。本實(shí)施例在不同沉積電壓和不同溫度下制備了兩組共六個(gè)試樣，其中，第一組各試樣的沉積電位分別是-0.8V,-0.6V,-0.4V,沉積的溫度為20°C，沉積的時(shí)間為10min;第二組各試樣的沉積電位分別是-0.8V,-0.6V,-0.4V,沉積的溫度為50。C，沉積的時(shí)間為10min。步驟五性質(zhì)表征測試采用日本島津UV-3150紫外-可見-近紅外光譜儀測量制備出試樣的吸收光譜。測試的銀銅納米合金的光學(xué)性質(zhì)為在20。C、50。C下，恒電位E;0.8V電沉積10分鐘，得到顆粒狀的銀銅納米合金，發(fā)現(xiàn)在升高溫度以后，生長成了薄片狀的合金，合金的吸收峰發(fā)生了藍(lán)移現(xiàn)象，0.5Ag-0.5Cu銀銅納米合金的紫外吸收峰從395nm藍(lán)移至371nm。在20°<:、50T下，在恒電位E-力.6V電沉積IO分鐘，發(fā)現(xiàn)溫度升高，樹枝狀的銀銅納米合金成長了飽滿的羽毛狀的銀銅納米合金，吸收峰發(fā)生會(huì)發(fā)生紅移現(xiàn)象,0.5Ag-0.5Cu銀銅納米合金的紫外吸收峰由360nm紅移至397nm。在20。C、50°<:下，在恒電位EM).4V電沉積10分鐘，發(fā)現(xiàn)溫度升高后，銀銅納米合金生長成了較大的樹枝晶。當(dāng)電沉積溫度從20°<:升高至50°(:后，銀銅納米合金的等離子共振峰發(fā)生了很大的紅移。權(quán)利要求1.一種銀銅納米合金，其特征在于合金的摩爾分?jǐn)?shù)為(1-x)Ag-xCu，其中x＝0.2-0.8；合金的相為FCC結(jié)構(gòu)單相固溶體，并且合金的微觀結(jié)構(gòu)為枝晶。2.如權(quán)利要求1所述一種銀銅納米合金，其特征在于合金的一次枝晶長度為10-2(Hmi;二次枝晶間距為100-200nm，長度為2-10(im;三次枝晶間距為10-20nm，長度為2-10謹(jǐn)o3.—種制備如權(quán)利要求1所述銀銅納米合金的方法，采用電化學(xué)沉積方法制備，其特征在于具體制備步驟為步驟1，清洗ITO玻璃基體；將ITO玻璃基體浸泡在0.5mol/L的NaOH溶液中15min;用去離子水將ITO玻璃充分沖洗干凈;將ITO在丙酮溶液中超聲清洗15min;步驟2，配制電解液；稱量100ml去離子水，先加入0.1-0.8gPEG-lOOOO，待其溶解后，再加入0.03-0.2gAgN03和0.04-0.2gCu(N03)2，最后加入0.51gKN03;步驟3，制備鹽橋；將90g的KNO3溶解在100g蒸餾水中，將KN03溶液加熱至60°C，再將總?cè)芤嘿|(zhì)量5%的瓊脂加入，升溫至9(TC溶解；步驟4，恒電位沉積；采用三電極電解池、電解液以及鹽橋，通過恒電位法在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積納米銀膜；沉積電位為-0.18到-0.8V;沉積時(shí)間為10min，沉積溫度為20。C和50。C;三電極電解池包括研究電極、輔助電極和參比電極；步驟5，性質(zhì)表征測試。全文摘要本發(fā)明提出了一種銀銅納米合金及其制備方法，包括摩爾成分為(1-x)Ag-xCu，其中x＝0.2-0.8，合金的相為FCC結(jié)構(gòu)單相固溶體；合金的微觀結(jié)構(gòu)為枝晶，通過電化學(xué)沉積制備。制備中，通過對電解液配方和恒電位沉積工藝中電壓及溫度的控制，制備出具有一個(gè)吸收峰的單相的銀銅納米合金。由于本發(fā)明采取的技術(shù)方案，在保持納米粒子尺寸不變的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了對納米合金成分的控制，和納米合金表面等離子共振波長的調(diào)制，能夠在保持等離子晶體周期性不變的情況下控制金屬表面等離子晶體中的電磁能的傳輸規(guī)律。文檔編號C22C9/00GK101643865SQ20091002269公開日2010年2月10日申請日期2009年5月26日優(yōu)先權(quán)日2009年5月26日發(fā)明者閻曉紅,陳福義申請人:西北工業(yè)大學(xué)