專利名稱：光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的研磨是將研具表面嵌入磨料或敷涂磨料并添加潤滑劑，在一定的壓力作用下，使工件與研具接觸并做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，通過游離磨料的作用，從工件表面切去一層極薄的切屑，使工件具有精確的尺才、準(zhǔn)確的幾何形狀和很高的表面光潔度這種對(duì)工件表面進(jìn)行最終精密加工的工藝方法。這種傳統(tǒng)研磨存在如下缺點(diǎn)1、研磨速度慢；2、散粒磨料研磨時(shí)存在磨粒飛濺問題；3、磨粒容易流失，降低了研磨壓力、研磨效率；4、工件容易受熱變形；5、散粒磨料研磨時(shí)磨料之間相互磨削，從而大大增加了磨料的消耗；6、從工件上磨削下來的切屑與磨料混淆，降低加工效率，需要經(jīng)常更換磨料，造成能源浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是解決傳統(tǒng)研磨存在的研磨速度慢、散粒磨料研磨時(shí)存在磨粒飛濺和流失、生產(chǎn)效率低等缺點(diǎn)，提供一種生產(chǎn)效果高、磨粒層牢固粘結(jié)在研磨盤上的光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法。
為此，本發(fā)明采取以下技術(shù)方案一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，所述的方法包括以下步驟(1)、制作研磨盤基體；(2)、配料，用攪拌機(jī)把光敏樹脂結(jié)合劑與磨粒均勻混合；(3)、將配料均勻涂覆在研磨盤基體表面，光照固化成型即可。
進(jìn)一步，步驟(3)中采用涂敷裝置，將研磨盤基體安裝在所述涂覆裝置上，通過滾筒將配料均勻旋涂在研磨盤基體表面，光照固化。
所述研磨盤基體為金屬基體。
光照固化成型采用紫外線照射裝置，光照固化參數(shù)如下波長200nm～400nm，固化時(shí)間15s。
所述的磨具濃度50％～100％，在磨加工學(xué)中，定義磨削層每立方厘米所含磨料為0.878g定義為100％濃度。
所述的磨粒為下式之一或下式任意組合①人造金剛石；②碳化硅；③氧化鋁。
所述的磨粒為人造金剛石與二氧化硅的混合物；光照固化成型采用紫外線照射裝置，光照固化參數(shù)如下波長200nm～400nm，固化時(shí)間15s。
本發(fā)明所述的一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法具有如下優(yōu)點(diǎn)使用光敏樹脂結(jié)合劑作為結(jié)合劑，將傳統(tǒng)的游離磨料固結(jié)起來，制成研磨盤。相對(duì)于傳統(tǒng)的散粒磨料慢速研磨來說，固著磨料研磨具有如下優(yōu)點(diǎn)1、由于磨料是固結(jié)的，可以顯著提高研磨速度，而沒有散粒磨料研磨的磨料飛濺問題；可以加大冷卻液流量，而不致于沖走磨料，保證了在增大研磨壓力，提高研磨效率的同時(shí)，又使工件不產(chǎn)生熱變形；不存在散粒磨料研磨時(shí)磨料之間的相互磨削作用，從而顯著減少磨料的消耗；從工件上磨削下來的切屑不會(huì)與磨料混淆，從而充分發(fā)揮了磨料切削作用，提高加工效率，避免經(jīng)常更換磨料所造成的浪費(fèi)；磨料受力均勻，工件表面劃痕淺，工件表面質(zhì)量高；四

圖1是本發(fā)明的研磨盤的截面結(jié)構(gòu)圖
1、研磨盤基體 2、磨料層五具體實(shí)施方式
實(shí)施例1參照?qǐng)D1，一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，該方法包括以下步驟(1)、制作研磨盤基體1，金屬基體尺寸如下直徑300mm，厚度，20mm；(所需制備的研磨盤整體尺寸為直徑300mm，厚度28mm；)(2)、混料配方，將113.07g市售光敏樹脂結(jié)合劑、磨粒尺寸規(guī)格為14～20μm的人造金剛石36.93g用攪拌機(jī)將上述材料攪拌均勻，磨具濃度為50％；(3)、固化成型把基體1安裝在自制的涂敷裝置上，轉(zhuǎn)動(dòng)滾筒，使攪拌均勻的混料均勻的旋涂在金屬基體表面，采用自制的紫外線照射裝置固化成型，波長分布范圍為200nm到400nm，固化時(shí)間15s；可多次涂敷，多次固化，直至達(dá)到預(yù)定的厚度。
研磨盤用途半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體、磁性材料等的精密研磨。
實(shí)施例2參照?qǐng)D1，一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，該方法包括以下步驟(1)、制作研磨盤基體1，金屬基體尺寸如下直徑300mm，厚度，20mm；(所需制備的研磨盤整體尺寸直徑300mm，厚度28mm；)(2)、混料配方，將98.14g市售光敏樹脂結(jié)合劑、磨粒尺寸規(guī)格為14～20μm的人造金剛石51.86g用攪拌機(jī)將上述材料攪拌均勻，磨具濃度為75％；(3)、固化成型把基體1安裝在自制的涂敷裝置上，轉(zhuǎn)動(dòng)滾筒，使攪拌均勻的混料均勻地旋涂在金屬基體表面，采用自制的紫外線照射裝置固化成型，波長分布范圍為200nm到400nm，固化時(shí)間15s；可多次涂敷，多次固化，直至達(dá)到預(yù)定的厚度。
研磨盤用途半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體、磁性材料等的精密研磨。
實(shí)施例3參照?qǐng)D1，一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，該方法包括以下步驟(1)、制作研磨盤基體1，金屬基體尺寸如下直徑300mm，厚度，20mm；(所需制備的研磨盤整體尺寸直徑300mm，厚度28mm；)(2)、混料配方，將85.11g市售光敏樹脂結(jié)合劑、磨粒尺寸規(guī)格為14～20μm的人造金剛石64.89g用攪拌機(jī)將上述材料攪拌均勻，磨具濃度為100％；(3)、固化成型把基體1安裝在自制的涂敷裝置上，轉(zhuǎn)動(dòng)滾筒，使攪拌均勻的混料均勻地旋涂在金屬基體表面，采用自制的紫外線照射裝置固化成型，波長分布范圍為200nm到400nm，固化時(shí)間15s；可多次涂敷，多次固化，直至達(dá)到預(yù)定的厚度。
研磨盤用途半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體、磁性材料等的精密研磨。
實(shí)施例4參照?qǐng)D1，一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，該方法包括以下步驟(1)、制作研磨盤基體1，金屬基體尺寸如下直徑300mm，厚度，20mm；(所需制備的研磨盤整體尺寸直徑300mm，厚度28mm；)(2)、混料配方，將112.63g市售光敏樹脂結(jié)合劑、磨粒尺寸規(guī)格為10-20μm的碳化硅37.37g用攪拌機(jī)將上述材料攪拌均勻，磨具濃度為50％；(3)、固化成型把基體1安裝在自制的涂敷裝置上，轉(zhuǎn)動(dòng)滾筒，使攪拌均勻的混料均勻地旋涂在金屬基體表面，采用自制的紫外線照射裝置固化成型，波長分布范圍為200nm到400nm，固化時(shí)間15s；可多次涂敷，多次固化，直至達(dá)到預(yù)定的厚度。
研磨盤用途半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體、磁性材料等的精密研磨。
實(shí)施例5參照?qǐng)D1，一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，該方法包括以下步驟(1)、制作研磨盤基體1，金屬基體尺寸如下直徑300mm，厚度，20mm；(所需制備的研磨盤整體尺寸直徑300mm，厚度28mm；)(2)、混料配方，將97.39g市售光敏樹脂結(jié)合劑、磨粒尺寸規(guī)格為10-20μm的碳化硅52.61g用攪拌機(jī)將上述材料攪拌均勻，磨具濃度為75％；(3)、固化成型把基體1安裝在自制的涂敷裝置上，轉(zhuǎn)動(dòng)滾筒，使攪拌均勻的混料均勻地旋涂在金屬基體表面，采用自制的紫外線照射裝置固化成型，波長分布范圍為200nm到400nm，固化時(shí)間15s；可多次涂敷，多次固化，直至達(dá)到預(yù)定的厚度。
研磨盤用途半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體、磁性材料等的精密研磨。
實(shí)施例6參照?qǐng)D1，一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，該方法包括以下步驟(1)、制作研磨盤基體1，金屬基體尺寸如下直徑300mm，厚度，20mm；(所需制備的研磨盤整體尺寸直徑300mm，厚度28mm；)(2)、混料配方，將83.90g市售光敏樹脂結(jié)合劑、磨粒尺寸規(guī)格為10-20μm的碳化硅66.10g用攪拌機(jī)將上述材料攪拌均勻，磨具濃度為100％；(3)、固化成型把基體1安裝在自制的涂敷裝置上，轉(zhuǎn)動(dòng)滾筒，使攪拌均勻的混料均勻地旋涂在金屬基體表面，采用自制的紫外線照射裝置固化成型，波長分布范圍為200nm到400nm，固化時(shí)間15s；可多次涂敷，多次固化，直至達(dá)到預(yù)定的厚度。
研磨盤用途半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體、磁性材料等的精密研磨。
實(shí)施例7參照?qǐng)D1，一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，該方法包括以下步驟(1)、制作研磨盤基體1，金屬基體尺寸如下直徑300mm，厚度，20mm；(所需制備的研磨盤整體尺寸直徑300mm，厚度28mm；)(2)、混料配方，將113.5g市售光敏樹脂結(jié)合劑、磨粒尺寸規(guī)格為10-20μm的氧化鋁36.5g用攪拌機(jī)將上述材料攪拌均勻，磨具濃度為50％；
(3)、固化成型把基體1安裝在自制的涂敷裝置上，轉(zhuǎn)動(dòng)滾筒，使攪拌均勻的混料均勻地旋涂在金屬基體表面，采用自制的紫外線照射裝置固化成型，波長分布范圍為200nm到400nm，固化時(shí)間15s；可多次涂敷，多次固化，直至達(dá)到預(yù)定的厚度。
研磨盤用途半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體、磁性材料等的精密研磨。
實(shí)施例8參照?qǐng)D1，一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，該方法包括以下步驟(1)、制作研磨盤基體1，金屬基體尺寸如下直徑300mm，厚度，20mm；(所需制備的研磨盤整體尺寸直徑300mm，厚度28mm；)(2)、混料配方，將99.04g市售光敏樹脂結(jié)合劑、磨粒尺寸規(guī)格為10-20μm的氧化鋁50.96g用攪拌機(jī)將上述材料攪拌均勻，磨具濃度為75％；(3)、固化成型把基體1安裝在自制的涂敷裝置上，轉(zhuǎn)動(dòng)滾筒，使攪拌均勻的混料均勻地旋涂在金屬基體表面，采用自制的紫外線照射裝置固化成型，波長分布范圍為200nm到400nm，固化時(shí)間15s；可多次涂敷，多次固化，直至達(dá)到預(yù)定的厚度。
研磨盤用途半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體、磁性材料等的精密研磨。
實(shí)施例9參照?qǐng)D1，一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，該方法包括以下步驟(1)、制作研磨盤基體1，金屬基體尺寸如下直徑300mm，厚度，20mm；(所需制備的研磨盤整體尺寸直徑300mm，厚度28mm；)(2)、混料配方，將86.44g市售光敏樹脂結(jié)合劑、磨粒尺寸規(guī)格為10-20μm的氧化鋁63.56g用攪拌機(jī)將上述材料攪拌均勻，磨具濃度為100％；(3)、固化成型把基體1安裝在自制的涂敷裝置上，轉(zhuǎn)動(dòng)滾筒，使攪拌均勻的混料均勻地旋涂在金屬基體表面，采用自制的紫外線照射裝置固化成型，波長分布范圍為200nm到400nm，固化時(shí)間15s；可多次涂敷，多次固化，直至達(dá)到預(yù)定的厚度。
研磨盤用途半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體、磁性材料等的精密研磨。
權(quán)利要求
1.一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，其特征在于，所述的光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法包括如下工藝步驟(1)、制作研磨盤基體；(2)、配料，用攪拌機(jī)把光敏樹脂結(jié)合劑與磨粒均勻混合；(3)、將配料均勻涂覆在研磨盤基體表面，光照固化成型即可。
2.如權(quán)利要求1所述的光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，其特征在于步驟(3)中采用涂敷裝置，將研磨盤基體安裝在所述涂覆裝置上，通過滾筒將配料均勻旋涂在研磨盤基體表面，光照固化。
3.如權(quán)利要求2所述的光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，其特征在于所述研磨盤基體為金屬基體。
4.如權(quán)利要求2或3所述的光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，其特征在于光照固化成型采用紫外線照射裝置，光照固化參數(shù)如下波長200nm～400nm，固化時(shí)間15s。
5.如權(quán)利要求4所述的光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，其特征在于所述的磨具濃度50％～100％。
6.如權(quán)利要求5所述的光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，其特征在于所述的磨粒為下式之一或下式任意組合①人造金剛石；②碳化硅；③氧化鋁。
7.如權(quán)利要求6所述的光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，其特征在于所述的磨粒為人造金剛石與二氧化硅的混合物；光照固化成型采用紫外線照射裝置，光照固化參數(shù)如下波長200nm～400nm，固化時(shí)間15s。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光敏樹脂結(jié)合劑研磨盤的制備方法，包括如下步驟制作研磨盤基體；配料，把光敏樹脂結(jié)合劑與磨粒均勻混合；將配料均勻涂覆在研磨盤基體表面，光照固化成型即可。步驟(3)中采用涂敷裝置，將研磨盤基體安裝在所述涂覆裝置上，通過滾筒將配料均勻旋涂在研磨盤基體表面，光照固化。本發(fā)明將光敏樹脂結(jié)合劑固接游離磨料，制成研磨盤。由于磨料是固結(jié)的，提高了研磨速度，而沒有散粒磨料研磨的磨料飛濺問題；加大冷卻液流量，不致于沖走磨料，保證了在增大研磨壓力，提高研磨效率，又使工件不產(chǎn)生熱變形；不存在散粒磨料研磨時(shí)磨料之間的相互磨削作用，從而顯著減少磨料的消耗。
文檔編號(hào)B24B37/12GK1792554SQ20051006219
公開日2006年6月28日 申請(qǐng)日期2005年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月23日
發(fā)明者姚春燕, 彭偉 申請(qǐng)人:浙江工業(yè)大學(xué)