專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)，更具體而言，涉及一種能夠降低放電電壓同時(shí)提高發(fā)光效率的PDP。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(PDP)是利用放電的圖像形成裝置，而且由于其包括高亮度和寬視角的良好顯示特性而逐漸受到歡迎。在這樣的PDP中，由于將直流(DC)或者交流(AC)電壓施加到電極上，在電極之間產(chǎn)生氣體放電，熒光體被在氣體放電過(guò)程中產(chǎn)生的紫外(UV)光激發(fā)，從而發(fā)出可見(jiàn)光。
根據(jù)放電類(lèi)型，PDP可分為DC型PDP和AC型PDP。以下述方式構(gòu)成DC型PDP，即所有電極均暴露于放電空間，并且在相應(yīng)電極之間產(chǎn)生直流放電的狀態(tài)下執(zhí)行操作。另一方面，構(gòu)成AC型PDP使得至少一個(gè)電極由介電層覆蓋，并且由壁電荷而不是電荷的直接移動(dòng)來(lái)執(zhí)行操作。
此外，根據(jù)電極的排列，PDP能夠分為對(duì)向放電型PDP和表面放電型PDP。在對(duì)向放電型PDP中，維持電極分別在上基板和下基板上成對(duì)設(shè)置，在垂直于基板的方向上產(chǎn)生放電。在表面放電型PDP中，維持電極在單一基板上成對(duì)設(shè)置，在平行于基板的方向上產(chǎn)生放電。
盡管具有高發(fā)光效率，但對(duì)向放電型PDP易于由于等離子體而在熒光體層中發(fā)生劣化。因此，近年來(lái)，表面放電型PDP成為顯示裝置的主要類(lèi)型。
在PDP中，通過(guò)增加X(jué)e氣的局部壓力可以提高發(fā)光效率，但是，這卻不利地增大了放電電壓。通過(guò)增大每個(gè)維持電極之間的距離從而延伸放電路徑，也可以提高PDP的發(fā)光效率。在這種情況下，放電電壓的增大也是不可避免的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種降低放電電壓同時(shí)提高發(fā)光效率的等離子體顯示面板。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，等離子體顯示面板包括彼此面對(duì)、以預(yù)定間隙隔開(kāi)并且在其間形成放電空間的下基板和上基板；設(shè)置在下基板和上基板之間的障壁，所述障壁是通過(guò)劃分所述放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；形成在下基板上的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的第一介電層；形成在每個(gè)放電單元的內(nèi)壁上的熒光體層；在每個(gè)放電單元中的上基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；以及，形成在上基板上從而與第一和第二維持電極對(duì)應(yīng)的第一和第二輔助電極，當(dāng)將外部電壓施加到第一和第二維持電極時(shí)，在所述第一和第二輔助電極中感應(yīng)出(induce)預(yù)定電壓。第一和第二輔助電極由電阻材料(resistive material)制造。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，等離子體顯示面板包括彼此面對(duì)、以預(yù)定間隙隔開(kāi)并且在其間形成放電空間的下基板和上基板；設(shè)置在下基板和上基板之間的障壁，所述障壁是通過(guò)劃分該放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；在上基板或者下基板上形成的尋址電極；覆蓋該尋址電極的第一介電層；在每個(gè)放電單元的內(nèi)壁上形成的熒光體層；在每個(gè)放電單元中的下基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；形成在下基板上從而與第一和第二維持電極對(duì)應(yīng)的第一和第二輔助電極，當(dāng)將電壓施加到第一和第二維持電極時(shí)，在所述第一和第二輔助電極中感應(yīng)出電壓。第一和第二輔助電極由電阻材料制造。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，等離子體顯示面板包括彼此面對(duì)、以預(yù)定間隙隔開(kāi)并且在其間形成放電空間的下基板和上基板；設(shè)置在下基板和上基板之間的障壁，所述障壁是通過(guò)劃分該放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；在下基板上形成的尋址電極；覆蓋該尋址電極的第一介電層；在每個(gè)放電單元的內(nèi)壁上形成的熒光體層；在每個(gè)放電單元中的上基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；形成在上基板上從而與第一維持電極對(duì)應(yīng)的輔助電極，當(dāng)將電壓施加到第一維持電極時(shí)，在該輔助電極中感應(yīng)出電壓。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，等離子體顯示面板包括彼此面對(duì)、以預(yù)定間隙隔開(kāi)并且在其間形成放電空間的下基板和上基板；設(shè)置在下基板和上基板之間的障壁，該障壁是通過(guò)劃分該放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；在下基板上形成的尋址電極；覆蓋該尋址電極的第一介電層；在每個(gè)放電單元的內(nèi)壁上形成的熒光體層；在每個(gè)放電單元中的下基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；形成在下基板上從而與第一維持電極對(duì)應(yīng)的輔助電極，當(dāng)將外部電壓施加到第一維持電極時(shí)，在該輔助電極中感應(yīng)出電壓。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，等離子體顯示面板包括彼此面對(duì)、以預(yù)定間隙隔開(kāi)并且在其間形成放電空間的下基板和上基板；設(shè)置在下基板和上基板之間的障壁，所述障壁是通過(guò)劃分該放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；在下基板上形成的尋址電極；覆蓋該尋址電極的第一介電層；在每個(gè)放電單元的內(nèi)壁上形成的熒光體層；在每個(gè)放電單元中的上基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；形成在上基板上從而與第一和第二維持電極對(duì)應(yīng)的第一和第二輔助電極，當(dāng)將外部電壓施加到第一和第二維持電極時(shí)，在該第一和第二輔助電極中感應(yīng)出電壓；以及，在下基板和上基板之間成對(duì)從而彼此相對(duì)并面對(duì)的第三和第四輔助電極，所述第三和第四輔助電極分別與第一和第二輔助電極電連接。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，等離子體顯示面板包括彼此面對(duì)、以預(yù)定間隔隔開(kāi)并且在其間形成放電空間的下基板和上基板；設(shè)置在下基板和上基板之間的障壁，所述障壁是通過(guò)劃分該放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；在上基板或者下基板上形成的尋址電極；覆蓋該尋址電極的第一介電層；在每個(gè)放電單元的內(nèi)壁上形成的熒光體層；在每個(gè)放電單元中的下基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；形成在下基板上從而與第一和第二維持電極對(duì)應(yīng)的第一和第二輔助電極，當(dāng)將外部電壓施加到第一和第二維持電極時(shí)，在該第一和第二輔助電極中感應(yīng)出電壓；在下基板和上基板之間成對(duì)從而彼此相對(duì)并面對(duì)的第三和第四輔助電極，所述第三和第四輔助電極分別與第一和第二輔助電極電連接。


通過(guò)結(jié)合附圖參考下面的詳細(xì)說(shuō)明，對(duì)本發(fā)明和其伴隨的許多優(yōu)點(diǎn)的較完整的理解將變得更加容易，附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同或者相似的元件，其中圖1是PDP的分解透視圖；
圖2A和2B是沿圖1所示的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖；圖3A和3B是沿根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的一種變型的截面圖；圖5A和5B是沿根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖；圖6A和6B是沿根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖；圖7A和7B是沿根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖；圖8A和8B是沿根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖；圖9A和9B是沿根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中示出。盡可能地，在所有附圖中使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)代表相同或者相似的部件。
圖1是PDP的分解透視圖；圖2A和2B是沿圖1所示的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖。
參考圖1、2A和2B，該P(yáng)DP包括隔開(kāi)預(yù)定間隔并且彼此相對(duì)的下基板10和上基板20，其間具有所述預(yù)定間隔。下基板10和上基板20之間的空間是放電空間，在其中產(chǎn)生等離子體放電。
在下基板10上形成多個(gè)尋址電極11，而且由第一介電層12覆蓋該尋址電極11。在第一介電層12上，該放電空間被分成放電單元30。用于防止每個(gè)放電單元30之間的電/光干擾的多個(gè)障壁35以預(yù)定間隙隔開(kāi)。放電單元30填充有放電氣體，一般為氖(Ne)和氙(Xe)的惰性氣體混合物。在形成放電單元30內(nèi)壁的第一介電層12的頂表面和障壁35的側(cè)表面上將熒光體層15涂敷至一預(yù)定厚度。
上基板20是能夠透過(guò)可見(jiàn)光的透明基板，并且通常由玻璃制成。上基板20和具有障壁35的下基板10結(jié)合。與尋址電極11正交的維持電極21a和21b成對(duì)地形成在上基板20的底表面上。維持電極21a和21b一般由透明的導(dǎo)電材料制成、例如氧化銦錫(ITO)，從而透射可見(jiàn)光。為了降低維持電極21a和21b的線(xiàn)電阻，分別在維持電極21a和21b的底表面上形成由金屬性材料制成的匯流電極22a和22b，使匯流電極22a和22b分別窄于維持電極21a和21b。維持電極21a和21b以及匯流電極22a和22b被透明的第二介電層23覆蓋。在第二介電層23的底表面上形成保護(hù)層24。保護(hù)層24防止第二介電層23由于等離子體微粒的飛濺而受到損害，并且通過(guò)發(fā)射二次電子而降低放電電壓。保護(hù)層24通常由氧化鎂(MgO)制成。
在上述PDP中，通過(guò)增加X(jué)e氣的局部壓力可以提高發(fā)光效率，但是，這不利地增大了放電電壓。通過(guò)增大維持電極21a和21b之間的距離從而延伸放電路徑，也可以提高PDP的發(fā)光效率。在這種情況下，放電電壓的增大也是不可避免的。
圖3A和3B是沿根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖。
圖3A和3B的PDP是反射型PDP，并且以下述方式構(gòu)成，即下基板110和上基板120彼此相對(duì)，在其間形成放電空間。下基板110和上基板120通常由玻璃制成。
在下基板110上形成多個(gè)尋址電極111，而且用第一介電層112覆蓋尋址電極111。在第一介電層112上，該放電空間被分成多個(gè)放電單元130，多個(gè)障壁135以預(yù)定間隙彼此隔開(kāi)并且與尋址電極111平行地形成。障壁135防止相鄰放電單元130之間的電/光干擾。放電單元130中填充有通過(guò)等離子體放電而發(fā)出UV光的放電氣體。熒光體層115被UV光激發(fā)從而發(fā)出可見(jiàn)光并且在形成放電單元130內(nèi)壁的第一介電層112的頂表面和障壁135的側(cè)表面上被涂敷至預(yù)定厚度。
盡管在圖3A和3B中沒(méi)有示出，但用于將從放電單元130發(fā)射的可見(jiàn)光朝向上基板120反射的反射層形成在下基板110上。
第一輔助電極122a和第二輔助電極122b在每個(gè)放電單元130中的上基板120的底表面上是成對(duì)的。第一輔助電極122a和第二輔助電極122b被第二介電層123覆蓋。第一輔助電極122a和第二輔助電極122b形成在與尋址電極111正交的方向上。此外，第一維持電極121a和第二維持電極121b在每個(gè)放電單元130中的第二介電層123的底表面上是成對(duì)的。第一維持電極121a和第二維持電極121b被第三介電層125覆蓋。第一維持電極121a和第二維持電極121b形成在與尋址電極111正交的方向上。
第一維持電極121a和第二維持電極121b是被施加外部電壓的電極。第一維持電極121a是用作顯示電極的X電極，而第二維持電極121b是用作掃描電極的Y電極。第一維持電極121a和第二維持電極121b通常由非電阻金屬性材料(non-resistive metallic material)制成，比如Ag。
形成第一輔助電極122a和第二輔助電極122b使其分別對(duì)應(yīng)于第一維持電極121a和第二維持電極121b，并且第一輔助電極122a和第二輔助電極122b是浮置電極(floating electrode)，當(dāng)外部電壓分別被引入到第一維持電極121a和第二維持電極121b中時(shí)在所述浮置電極上施加了電壓。也就是說(shuō)，如果外部電壓被分別施加到第一維持電極121a和第二維持電極121b上，則分別在第一輔助電極122a和第二輔助電極122b中感應(yīng)出由第二介電層123引起的電壓降所致的預(yù)定電壓，所述預(yù)定電壓低于分別施加到第一維持電極121a和第二維持電極121b上的電壓。根據(jù)第二介電層123的厚度或者介電常數(shù)，能夠調(diào)整在第一輔助電極122a和第二輔助電極122b中感應(yīng)的電壓。
形成第一輔助電極122a和第二輔助電極122b，使其分別比第一維持電極121a和第二維持電極121b要寬。第一輔助電極122a和第二輔助電極122b之間的距離小于第一維持電極121a和第二維持電極121b之間的距離。根據(jù)設(shè)計(jì)條件，第一維持電極121a和第二維持電極121b以及第一輔助電極122a和第二輔助電極122b在寬度或位置上可以發(fā)生變化。
第一輔助電極122a和第二輔助電極122b由電阻材料(resistive material)制成。優(yōu)選地，第一輔助電極122a和第二輔助電極122b由透明的電阻材料制成，例如ITO(氧化銦錫)或者SnO2，從而使得從放電單元130發(fā)射的可見(jiàn)光通過(guò)上基板120被傳送。如上所述，當(dāng)?shù)谝惠o助電極122a和第二輔助電極122b由電阻材料制成時(shí)，與第一輔助電極122a和第二輔助電極122b由非電阻材料制成的情況相比，放電路徑實(shí)質(zhì)上被延長(zhǎng)了，從而提高了發(fā)光效率。
在第三介電層125的底表面上形成保護(hù)層124。保護(hù)層124防止第三介電層125由于等離子體微粒的飛濺而受到損害，并且通過(guò)發(fā)射二次電子降低了放電電壓。保護(hù)層124一般由氧化鎂(MgO)制成。
在上述PDP中，當(dāng)將外部電壓分別施加到第一維持電極121a和第二維持電極121b上時(shí)，分別在第一輔助電極122a和第二輔助電極122b中感應(yīng)出預(yù)定電壓，從而在其間的空間中引起表面放電。在這種情況下，發(fā)生表面放電的第一輔助電極122a和第二輔助電極122b之間的距離要小于常規(guī)PDP中的距離，從而降低了放電電壓。此外，因?yàn)榈谝惠o助電極122a和第二輔助電極122b由電阻材料制成，在放電期間放電路徑得到延長(zhǎng)，從而提高了發(fā)光效率。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的一種變型的截面圖。
參考圖4，分別在設(shè)置于第一輔助電極122a和第二輔助電極122b之間的第二介電層123和第三介電層125中形成具有預(yù)定形狀的溝槽140，從而使其分別平行于第一輔助電極122a和第二輔助電極122b。當(dāng)溝槽140分別形成在第二介電層123和第三介電層125中時(shí)，在溝槽140內(nèi)形成電場(chǎng)，從而進(jìn)一步提高了發(fā)光效率。
除上述反射型PDP之外，本發(fā)明還適用于透射型PDP。
圖5A和5B是沿根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖。
圖5A和5B的PDP是透射型PDP，其中下基板210和上基板220彼此面對(duì)，在其間形成放電空間。在上基板220的底表面上形成多個(gè)尋址電極221，而且用第一介電層222覆蓋尋址電極221。
尋址電極221優(yōu)選由透明導(dǎo)電材料制成，以使得在放電期間發(fā)射的可見(jiàn)光通過(guò)上基板220被傳送。尋址電極221也可以形成在下基板210上。
放電空間被分為多個(gè)放電單元230，從而在第一介電層222的底表面上形成多個(gè)障壁235。熒光體層225以預(yù)定厚度被涂敷在形成放電單元230的內(nèi)壁的第一介電層222的頂表面和障壁235的側(cè)表面上。
在每一個(gè)放電單元230中，第一輔助電極212a和第二輔助電極212b在下基板210上是成對(duì)的，并且用第二介電層213覆蓋第一輔助電極212a和第二輔助電極212b。此外，在每一個(gè)放電單元230中，第一維持電極211a和第二維持電極211b在第二介電層213上是成對(duì)的，并且第一維持電極211a和第二維持電極211b被第三介電層215覆蓋。而且，保護(hù)層214形成在第三介電層215上。
如上所述，第一維持電極211a和第二維持電極211b是被施加外部電壓的電極，而第一輔助電極212a和第二輔助電極212b是浮置電極，當(dāng)外部電壓分別被施加到第一維持電極211a和第二維持電極211b上時(shí)，在所述浮置電極上感應(yīng)出電壓。形成第一輔助電極212a和第二輔助電極212b，使其分別寬于第一維持電極211a和第二維持電極211b。第一輔助電極212a和第二輔助電極212b之間的距離小于第一維持電極211a和第二維持電極211b之間的距離。第一輔助電極212a和第二輔助電極212b由電阻材料制成。第一輔助電極212a和第二輔助電極212b也可由ITO或者SnO2制成。如上所述，當(dāng)?shù)谝惠o助電極212a和第二輔助電極212b由電阻材料制成時(shí)，與其中第一輔助電極212a和第二輔助電極212b由非電阻材料制成的情況相比，放電路徑實(shí)質(zhì)上被延長(zhǎng)了，從而提高了發(fā)光效率。
盡管在圖5A和5B中沒(méi)有示出，但具有預(yù)定形狀的溝槽可以分別形成在設(shè)置于第一輔助電極212a和第二輔助電極212b之間的第二介電層213和第三介電層215中。
圖6A和6B是沿根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖。
圖6A和6B的PDP是反射型PDP，其中，下基板310和上基板320以預(yù)定間隔分開(kāi)并且彼此相對(duì)，在其間形成放電空間。多個(gè)尋址電極311形成在下基板310上，而且用第一介電層312覆蓋尋址電極311。放電空間被分成多個(gè)放電單元330，從而在第一介電層312上形成多個(gè)障壁335。熒光體層315以預(yù)定厚度被涂敷在形成放電單元330內(nèi)壁的第一介電層312的頂表面和障壁335的側(cè)表面上。盡管在圖6A和6B中沒(méi)有示出，但在下基板310上形成反射層，該反射層用于將從放電單元330發(fā)出的可見(jiàn)光朝向上基板320反射。
在每一個(gè)放電單元330中，輔助電極322a形成在上基板320的底表面上，并且輔助電極322a被第二介電層323覆蓋。輔助電極322a形成在與尋址電極311正交的方向上。在每一個(gè)放電單元330中，第一維持電極321a和第二維持電極321b在第二介電層323的底表面上是成對(duì)的，且第一維持電極321a和第二維持電極321b被第三介電層325覆蓋。第一維持電極321a和第二維持電極321b形成在與尋址電極311正交的方向上。
第一維持電極321a和第二維持電極321b是其上被施加外部電壓的電極。第一維持電極321a是用作顯示電極的X電極，而第二維持電極321b是用作掃描電極的Y電極。第一維持電極321a和第二維持電極321b通常由非電阻金屬性材料制成，比如Ag。
形成輔助電極322a使其與第一維持電極321a、即X電極對(duì)應(yīng)，而且輔助電極322a是浮置電極，當(dāng)外部電壓被施加到第一維持電極321a上時(shí)，在該浮置電極上感應(yīng)出電壓。形成輔助電極322a使其與X電極、即第一維持電極321a和第二維持電極321b中的第一維持電極321a對(duì)應(yīng)，以避免信號(hào)失真。如果形成輔助電極322a使其與Y電極、即第二維持電極321b相對(duì)應(yīng)，則在重置放電(reset discharge)和尋址放電期間可能會(huì)產(chǎn)生信號(hào)失真。
形成輔助電極322a使其比第一維持電極321a更寬。輔助電極322a和第二維持電極321b之間的距離小于第一維持電極321a和第二維持電極321b之間的距離。輔助電極322a優(yōu)選由電阻材料制成。此外，輔助電極322a優(yōu)選由透明電阻材料制成，比如氧化銦錫(ITO)或者SnO2，從而使得從放電單元330發(fā)射的可見(jiàn)光透過(guò)上基板320被傳送。輔助電極322a也可以由金屬制成，比如Ag。
在第三介電層325上形成保護(hù)層324。盡管在圖6A和6B中沒(méi)有示出，但具有預(yù)定形狀的溝槽可以分別形成在設(shè)置于輔助電極322a和第二維持電極321b之間的第二介電層323和第三介電層325中。
在上述PDP中，當(dāng)將外部電壓分別施加到第一維持電極321a和第二維持電極321b上時(shí)，在與第一維持電極321a對(duì)應(yīng)的輔助電極322a中感應(yīng)出預(yù)定電壓。因此，首先在輔助電極322a和第二維持電極321b之間發(fā)生放電。在這種情況下，因?yàn)榘l(fā)生放電的輔助電極322a和第二維持電極321b之間的距離比常規(guī)PDP中的距離要小，因此能夠降低放電電壓。此外，能夠延長(zhǎng)放電期間的放電路徑，從而提高了發(fā)光效率。
圖7A和7B是沿根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖。
圖7A和7B的PDP是透射型PDP，其中下基板410和上基板420以預(yù)定間隔隔開(kāi)并彼此相對(duì)，在其間形成放電空間。在上基板420的底表面上形成多個(gè)尋址電極421，而且用第一介電層422覆蓋尋址電極421。尋址電極421優(yōu)選由透明導(dǎo)電材料制成。尋址電極421也可以形成在下基板410上。
在第一介電層422上，放電空間被劃分為多個(gè)放電單元430，并且多個(gè)障壁435以預(yù)定間隙隔開(kāi)。熒光體層425被UV光激發(fā)從而發(fā)出可見(jiàn)光，并且該熒光體層425以預(yù)定厚度被涂敷在形成放電單元430內(nèi)壁的第一介電層422的底表面和障壁435的側(cè)表面上。
在每一個(gè)放電單元430中，在下基板410的頂表面上形成輔助電極412a，而且輔助電極412a被第二介電層413覆蓋。在每一個(gè)放電單元430中，第一維持電極411a和第二維持電極411b在第二介電層413的頂表面上是成對(duì)的，并且第一維持電極411a和第二維持電極411b被第三介電層415覆蓋。保護(hù)層414形成在第三介電層415上。
如上所述，第一維持電極411a和第二維持電極411b是其上被施加外部電壓的電極。第一維持電極411a是用作顯示電極的X電極，而第二維持電極411b是用作掃描電極的Y電極。
形成輔助電極412a使其與第一維持電極411a、即X電極對(duì)應(yīng)，并且輔助電極412a是浮置電極，當(dāng)外部電壓被引入到第一維持電極411a上時(shí)，在該浮置電極上感應(yīng)出電壓。
形成輔助電極412a使其比第一維持電極411a寬。輔助電極412a和第二維持電極411b之間的距離小于第一維持電極411a和第二維持電極411b之間的距離。輔助電極412a優(yōu)選由電阻材料制成，輔助電極412a也可以由金屬制成，比如Ag。
盡管在圖7A和7B中沒(méi)有示出，但具有預(yù)定形狀的溝槽可以分別形成在設(shè)置于輔助電極412a和第二維持電極411b之間的第二介電層413和第三介電層415中。
圖8A和8B是沿根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖。
圖8A和8B的PDP是反射型PDP，其中，下基板510和上基板520以預(yù)定間隔隔開(kāi)并且彼此相對(duì)，在其間形成放電空間。多個(gè)尋址電極511形成在下基板510上，而且用第一介電層512覆蓋尋址電極511。放電空間被分成多個(gè)放電單元530，從而在第一介電層512上形成多個(gè)障壁535。熒光體層515以預(yù)定厚度被涂敷在形成放電單元530內(nèi)壁的第一介電層512的頂表面和障壁535的側(cè)表面上。盡管在圖8A和8B中沒(méi)有示出，但在下基板510上形成有反射層，該反射層用于將放電單元530發(fā)出的可見(jiàn)光朝向上基板520反射。
在每一個(gè)放電單元530中，第一輔助電極522a和第二輔助電極522b在上基板520的底表面上是成對(duì)的，并且第一輔助電極522a和第二輔助電極522b被第二介電層523覆蓋。第一輔助電極522a和第二輔助電極522b形成在與尋址電極511正交的方向上。在每一個(gè)放電單元530中，第一維持電極521a和第二維持電極521b在第二介電層523的底表面上是成對(duì)的，并且第一維持電極521a和第二維持電極521b被第三介電層525覆蓋。第一維持電極521a和第二維持電極521b形成在與尋址電極511正交的方向上。
第一維持電極521a和第二維持電極521b是其上被施加外部電壓的電極。第一維持電極521a是用作顯示電極的X電極，而第二維持電極521b是用作掃描電極的Y電極。第一維持電極521a和第二維持電極521b通常由非電阻金屬性材料制成，例如Ag。
形成第一輔助電極522a和第二輔助電極522b，使其分別與第一維持電極521a和第二維持電極521b對(duì)應(yīng)，而且第一輔助電極522a和第二輔助電極522b是浮置電極，當(dāng)外部電壓分別被施加到第一維持電極521a和第二維持電極521b上時(shí)，在所述浮置電極上感應(yīng)出電壓。
形成第一輔助電極522a和第二輔助電極522b，使其分別比第一維持電極521a和第二維持電極521b要寬。第一輔助電極522a和第二輔助電極522b之間的距離小于第一維持電極521a和第二維持電極521b之間的距離。
第一輔助電極522a和第二輔助電極522b優(yōu)選由電阻材料制成。此外，第一輔助電極522a和第二輔助電極522b優(yōu)選由透明的電阻材料制成，比如ITO或者SnO2，從而使得從放電單元530發(fā)射的可見(jiàn)光透過(guò)上基板520被傳送。盡管在圖8A和8B中沒(méi)有示出，但具有預(yù)定形狀的溝槽可以分別形成在設(shè)置于第一輔助電極522a和第二輔助電極522b之間的第二介電層523和第三介電層525中。
在每一個(gè)放電單元530中，在下基板510和上基板520之間成對(duì)地設(shè)置第三輔助電極532a和第四輔助電極532b，使其彼此相對(duì)并面對(duì)。第三輔助電極532a和第四輔助電極532b分別與第一輔助電極522a和第二輔助電極522b電連接。第三輔助電極532a和第四輔助電極532b被第四介電層533覆蓋。在第三介電層525和第四介電層533的表面上分別形成保護(hù)層524。
在上述PDP中，當(dāng)將外部電壓分別施加到第一維持電極521a和第二維持電極521b上時(shí)，分別在第一輔助電極522a和第二輔助電極522b中感應(yīng)出預(yù)定電壓，從而在其間引起表面放電。因?yàn)榈谌o助電極532a和第四輔助電極532b分別與第一輔助電極522a和第二輔助電極522b電連接，所以在第三輔助電極532a和第四輔助電極532b之間發(fā)生具有延長(zhǎng)的放電路徑的面對(duì)放電(facing discharge)，從而和根據(jù)前述實(shí)施例的PDP的發(fā)光效率相比，進(jìn)一步提高了發(fā)光效率。
圖9A和9B是沿根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的PDP的水平和豎直方向得到的截面圖。
圖9A和9B的PDP是透射型PDP，其中下基板610和上基板620以預(yù)定間隔隔開(kāi)并且彼此相對(duì)，在其間形成放電空間。在上基板620的底表面上形成多個(gè)尋址電極621，而且用第一介電層622覆蓋尋址電極621。尋址電極621優(yōu)選由透明導(dǎo)電材料制造。尋址電極621也可以形成在下基板610上。
在第一介電層622上，放電空間被分為多個(gè)放電單元630，并且多個(gè)障壁635以預(yù)定間隙隔開(kāi)。熒光體層625以預(yù)定厚度被涂敷在形成放電單元630內(nèi)壁的第一介電層622的底表面和障壁635的側(cè)表面上。
在每一個(gè)放電單元630中，在下基板610的頂表面上形成第一輔助電極612a和第二輔助電極612b，并且第一輔助電極612a和第二輔助電極612b被第二介電層613覆蓋。在每一個(gè)放電單元630中，第一維持電極611a和第二維持電極611b在第二介電層613的頂表面上是成對(duì)的，并且第一維持電極611a和第二維持電極611b被第三介電層615覆蓋。
如上所述，第一維持電極611a和第二維持電極611b是其上被施加外部電壓的電極。第一輔助電極612a和第二輔助電極612b是浮置電極，當(dāng)將預(yù)定電壓施加到第一維持電極611a和第二維持電極611b上時(shí)，在所述浮置電極中感應(yīng)出電壓。形成第一輔助電極612a和第二輔助電極612b，使其分別比第一維持電極611a和第二維持電極611b要寬。第一輔助電極612a和第二輔助電極612b之間的距離小于第一維持電極611a和第二維持電極611b之間的距離。第一輔助電極612a和第二輔助電極612b優(yōu)選由電阻材料制成，但第一輔助電極612a和第二輔助電極612b也可以由金屬制成，例如Ag。盡管在圖9A和9B中沒(méi)有示出，但具有預(yù)定形狀的溝槽可以分別形成在設(shè)置于第一輔助電極612a和第二輔助電極612b之間的第二介電層613和第三介電層615中。
在每一個(gè)放電單元630中，在下基板610和上基板620之間成對(duì)地設(shè)置第三輔助電極632a和第四輔助電極632b，使其彼此相對(duì)并面對(duì)。第三輔助電極632a和第四輔助電極632b分別與第一輔助電極612a和第二輔助電極612b電連接。第三輔助電極632a和第四輔助電極632b被第四介電層633覆蓋。在第三介電層615和第四介電層633的表面上分別形成保護(hù)層614。
雖然已描述了上述實(shí)施例包括輔助電極，當(dāng)將外部電壓施加到維持電極上時(shí)在所述輔助電極中感應(yīng)出電壓，而且所述輔助電極形成在維持電極的外部，但是，本發(fā)明不局限于此，輔助電極也可形成在維持電極的內(nèi)部。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的PDP中，在上基板或者下基板上設(shè)置輔助電極，當(dāng)將外部電壓施加到維持電極時(shí)在所述輔助電極上感應(yīng)出電壓，因此降低了放電電壓而且提高了PDP的發(fā)光效率。
雖然已參考其示例性實(shí)施例具體表示并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的是，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
本申請(qǐng)要求于2004年11月8日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的編號(hào)為10-2004-0090493、題為“等離子體顯示面板”的申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容在此引入作為參考。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括下基板和上基板，所述下基板和上基板彼此面對(duì)、以預(yù)定間隙彼此隔開(kāi)，并且在所述下基板和上基板之間形成有放電空間；設(shè)置在所述下基板和所述上基板之間的障壁，所述障壁是通過(guò)劃分所述放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；形成在所述下基板上的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的第一介電層；形成在每個(gè)所述放電單元的內(nèi)壁上的熒光體層；在每個(gè)所述放電單元中的所述上基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；以及第一和第二輔助電極，所述第一和第二輔助電極形成在所述上基板上從而與所述第一和第二維持電極相對(duì)應(yīng)，并且當(dāng)外部電壓施加到所述第一和第二維持電極時(shí)在所述第一和第二輔助電極中感應(yīng)出預(yù)定電壓，其中所述第一和第二輔助電極由電阻材料制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述第一和第二輔助電極形成在所述第一和第二維持電極的上部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述第一輔助電極和第二輔助電極之間的距離小于所述第一維持電極和第二維持電極之間的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述第一和第二輔助電極與所述第一和第二維持電極之間的第二介電層，形成在所述第二介電層上從而覆蓋所述第一和第二維持電極的第三介電層，以及形成在所述第三介電層表面上的保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中，溝槽形成在所述第二和第三介電層中并設(shè)置在所述第一輔助電極和所述第二輔助電極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一和第二輔助電極由透明電阻材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一和第二輔助電極由氧化銦錫或者SnO2制成。
8.一種等離子體顯示面板，包括下基板和上基板，所述下基板和上基板彼此面對(duì)、以預(yù)定間隙彼此隔開(kāi)，并且在所述下基板和上基板之間形成有放電空間；設(shè)置在所述下基板和所述上基板之間的障壁，所述障壁是通過(guò)劃分所述放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；形成在所述下基板和所述上基板之一上的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的第一介電層；形成在每個(gè)所述放電單元的內(nèi)壁上的熒光體層；在每個(gè)所述放電單元中的所述下基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；以及第一和第二輔助電極，所述第一和第二輔助電極形成在所述下基板上從而與所述第一和第二維持電極相對(duì)應(yīng)，并且當(dāng)電壓施加到所述第一和第二維持電極時(shí)在所述第一和第二輔助電極中感應(yīng)出電壓，其中所述第一和第二輔助電極由電阻材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其中所述第一和第二輔助電極形成在所述第一和第二維持電極之下。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其中所述第一輔助電極和第二輔助電極之間的距離小于所述第一維持電極和第二維持電極之間的距離。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述第一和第二輔助電極與所述第一和第二維持電極之間的第二介電層，形成在所述第二介電層上從而覆蓋所述第一和第二維持電極的第三介電層，以及形成在所述第三介電層表面上的保護(hù)層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示面板，其中，溝槽形成在所述第二和第三介電層中并設(shè)置在所述第一輔助電極和所述第二輔助電極之間。
13.一種等離子體顯示面板，包括下基板和上基板，所述下基板和上基板彼此面對(duì)、以預(yù)定間隙彼此隔開(kāi)，并且在所述下基板和上基板之間形成有放電空間；設(shè)置在所述下基板和所述上基板之間的障壁，所述障壁是通過(guò)劃分所述放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；形成在所述下基板上的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的第一介電層；形成在每個(gè)所述放電單元的內(nèi)壁上的熒光體層；在每個(gè)所述放電單元中的所述上基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；以及輔助電極，所述輔助電極形成在所述上基板上從而與所述第一維持電壓相對(duì)應(yīng)，并且當(dāng)電壓施加到所述第一維持電極上時(shí)在所述輔助電極中感應(yīng)出電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一維持電極是顯示電極，所述第二維持電極是掃描電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其中，所述輔助電極形成在所述第一維持電極的上部。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中，所述輔助電極與所述第二維持電極之間的距離小于所述第一維持電極和所述第二維持電極之間的距離。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述輔助電極與所述第一和第二維持電極之間的第二介電層，形成在所述第二介電層上從而覆蓋所述第一和第二維持電極的第三介電層，以及形成在所述第三介電層表面上的保護(hù)層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板，其中，溝槽形成在所述第二和第三介電層中并設(shè)置于所述輔助電極和所述第二維持電極之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，其中，所述輔助電極由電阻材料和金屬之一制成。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其中，所述輔助電極由透明電阻材料制成。
21.一種等離子體顯示面板，包括下基板和上基板，所述下基板和上基板彼此隔開(kāi)預(yù)定間隔并且彼此面對(duì)，其間形成有放電空間；設(shè)置在所述下基板和所述上基板之間的障壁，所述障壁是通過(guò)劃分所述放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；形成在所述下基板和所述上基板之一上的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的第一介電層；形成在每個(gè)所述放電單元的內(nèi)壁上的熒光體層；在每個(gè)所述放電單元中的所述下基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；以及輔助電極，所述輔助電極形成在所述下基板上從而與所述第一維持電壓相對(duì)應(yīng)，并且當(dāng)外部電壓施加到所述第一維持電極上時(shí)在所述輔助電極中感應(yīng)出電壓。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一維持電極是顯示電極，所述第二維持電極是掃描電極。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的等離子體顯示面板，其中，所述輔助電極形成在所述第一維持電極之下。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子體顯示面板，其中，所述輔助電極與所述第二維持電極之間的距離小于所述第一維持電極和所述第二維持電極之間的距離。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述輔助電極與所述第一和第二維持電極之間的第二介電層，形成在所述第二介電層上從而覆蓋所述第一和第二維持電極的第三介電層，以及形成在所述第三介電層表面上的保護(hù)層。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的等離子體顯示面板，其中，溝槽形成在所述第二和第三介電層中并設(shè)置于所述輔助電極和所述第二維持電極之間。
27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子體顯示面板，其中，所述輔助電極由電阻材料和金屬之一制成。
28.一種等離子體顯示面板，包括下基板和上基板，所述下基板和上基板彼此隔開(kāi)預(yù)定間隔并且彼此面對(duì)，其間形成有放電空間；設(shè)置在所述下基板和所述上基板之間的障壁，所述障壁是通過(guò)劃分所述放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；形成在所述下基板上的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的第一介電層；形成在每個(gè)所述放電單元的內(nèi)壁上的熒光體層；在每個(gè)所述放電單元中的所述上基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；第一和第二輔助電極，所述第一和第二輔助電極形成在所述上基板上從而與所述第一和第二維持電極相對(duì)應(yīng)，并且當(dāng)外部電壓施加到所述第一和第二維持電極時(shí)在所述第一和第二輔助電極中感應(yīng)出電壓；以及第三和第四輔助電極，所述第三和第四輔助電極在所述下基板和上基板之間是成對(duì)的從而彼此相對(duì)并面對(duì)，并且所述第三和第四輔助電極分別與所述第一和第二輔助電極電連接。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的等離子體顯示面板，其中所述第一和第二輔助電極形成在所述第一和第二維持電極的上部。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的等離子體顯示面板，其中所述第一輔助電極和第二輔助電極之間的間隔小于所述第一維持電極和第二維持電極之間的間隔。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述第一和第二輔助電極與所述第一和第二維持電極之間的第二介電層，形成在所述第二介電層上從而覆蓋所述第一和第二維持電極的第三介電層，以及形成在所述第三介電層上的保護(hù)層。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述第三和第四輔助電極上的第四介電層，其中在所述第四介電層上形成有保護(hù)層。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的等離子體顯示面板，其中，溝槽形成在所述第二和第三介電層中并設(shè)置于所述第一輔助電極和所述第二輔助電極之間。
34.根據(jù)權(quán)利要求28所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一和第二輔助電極由電阻材料和金屬之一制成。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一和第二輔助電極由透明電阻材料制成。
36.一種等離子體顯示面板，包括下基板和上基板，所述下基板和上基板彼此隔開(kāi)預(yù)定間隔并且彼此面對(duì)，其間形成有放電空間；設(shè)置在所述下基板和所述上基板之間的障壁，所述障壁是通過(guò)劃分所述放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；形成在所述下基板和所述上基板之一上的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的第一介電層；形成在每個(gè)所述放電單元的內(nèi)壁上的熒光體層；在每個(gè)所述放電單元中的所述下基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；第一和第二輔助電極，所述第一和第二輔助電極形成在所述下基板上從而與所述第一和第二維持電極相對(duì)應(yīng)，并且當(dāng)外部電壓施加到所述第一和第二維持電極時(shí)在所述第一和第二輔助電極中感應(yīng)出電壓；以及第三和第四輔助電極，所述第三和第四輔助電極在所述下基板和上基板之間是成對(duì)的從而彼此相對(duì)并面對(duì)，并且所述第三和第四輔助電極分別與所述第一和第二輔助電極電連接。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的等離子體顯示面板，其中所述第一和第二輔助電極形成在所述第一和第二維持電極之下。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的等離子體顯示面板，其中所述第一輔助電極和第二輔助電極之間的距離小于所述第一維持電極和第二維持電極之間的距離。
39.根據(jù)權(quán)利要求30所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述第一和第二輔助電極與所述第一和第二維持電極之間的第二介電層，形成在所述第二介電層上從而覆蓋所述第一和第二維持電極的第三介電層，以及形成在所述第三介電層上的保護(hù)層。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述第三和第四輔助電極上的第四介電層，其中在所述第四介電層上形成有保護(hù)層。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的等離子體顯示面板，其中，溝槽形成在所述第二和第三介電層中并設(shè)置于所述第一輔助電極和所述第二輔助電極之間。
42.根據(jù)權(quán)利要求36所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一和第二輔助電極由電阻材料和金屬之一制成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種等離子體顯示面板，其包括彼此面對(duì)、以預(yù)定間隙隔開(kāi)并且在其間形成放電空間的下基板和上基板；設(shè)置在下基板和上基板之間的障壁，所述障壁是通過(guò)劃分所述放電空間從而限定多個(gè)放電單元而形成的；形成在下基板上的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的第一介電層；形成在每個(gè)放電單元的內(nèi)壁上的熒光體層；在每個(gè)放電單元中的上基板上成對(duì)形成的第一和第二維持電極；以及，形成在上基板上從而與第一和第二維持電極對(duì)應(yīng)的第一和第二輔助電極，當(dāng)將外部電壓施加到第一和第二維持電極時(shí)，在所述第一和第二輔助電極中感應(yīng)出預(yù)定電壓。第一和第二輔助電極由電阻材料制成。
文檔編號(hào)H01J11/38GK1801438SQ200510003498
公開(kāi)日2006年7月12日 申請(qǐng)日期2005年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月8日
發(fā)明者孫承賢, 畑中秀和, 金永模, 李鎬年, 藏尚勛, 李圣儀, 樸亨彬, 金起永 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社