專(zhuān)利名稱(chēng)：共聚物樹(shù)脂,其制備方法及用其制成的光致抗蝕劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造電子裝置的光致抗蝕劑的共聚物樹(shù)脂。此光致抗蝕劑可用于紫外線(xiàn)，像KrF或ArF。更具體的說(shuō)，本發(fā)明涉及一種制備該光致抗蝕劑的方法，使用此光致抗蝕劑的方法，以及光致抗蝕劑本身。在一示列性實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及一種光致抗蝕劑樹(shù)脂，其中順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯單元已被導(dǎo)入用作光致抗蝕劑的降冰片烯-順丁烯二酸酐共聚物結(jié)構(gòu)中，此光致抗蝕劑可應(yīng)用于能用來(lái)制造1G或4G DRAM元件及其它元件而使用的KrF(248nm)或ArF(193nm)光源的光刻程序；本發(fā)明也涉及制備此共聚物樹(shù)脂的方法，及包含此樹(shù)脂的光致抗蝕劑。
各種類(lèi)型的光致抗蝕劑已被使用或建議使用。這些光致抗蝕劑通常具有各種特征或特性，像蝕刻阻抗性、粘著性，及其它性質(zhì)。一般而言，蝕刻阻抗性、具有193nm波長(zhǎng)低光吸收的粘著性等性質(zhì)對(duì)用于ArF的共聚物樹(shù)脂是必須的。此共聚物樹(shù)脂應(yīng)使用2.38wt％四甲基氫氧化銨水溶液(TMAH)顯像。然而，合成一個(gè)能夠滿(mǎn)足一種或數(shù)種這些性質(zhì)的共聚物樹(shù)脂是非常困難的。許多的研究者致力于研究降冰片基類(lèi)的樹(shù)脂以增加在193nm波長(zhǎng)的透明性，及增加蝕刻阻抗性。有一個(gè)例子為貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Lab)曾嘗試將脂環(huán)單元導(dǎo)入分子的主干中以提高其蝕刻阻抗性。這類(lèi)主干具有降冰片基，丙烯酸酯及順丁烯二酸酐取代基的共聚物樹(shù)脂的化學(xué)式例如下式Ⅰ所示
式Ⅰ的共聚物樹(shù)脂，其中用于聚合脂環(huán)烯烴基的順丁烯二酸酐部分(A部分)是唯一和降冰片烯及脂環(huán)單元聚合的物質(zhì)，且沒(méi)有吸收波長(zhǎng)為193nm的ArF光。因此，因?yàn)槠湓?.38％TMAH水溶液中是非常易溶解的，所以一般來(lái)說(shuō)其不能當(dāng)作ArF樹(shù)脂。即使沒(méi)有曝光仍然會(huì)溶解，而產(chǎn)生一種“頂部漏失”現(xiàn)象(形成圓形的頂部圖像)，這是一種在傳統(tǒng)光致抗蝕劑產(chǎn)生圖像時(shí)通?？梢?jiàn)的。
因此，為了防止此種現(xiàn)象，具有叔丁基取代基的y部分必須增加。z-部分(可提高敏感性及對(duì)基板的粘著性)相對(duì)減少會(huì)產(chǎn)生一些缺點(diǎn)，如光致抗蝕劑以傳統(tǒng)產(chǎn)生圖像方法由晶片移去時(shí)，不能很有效率的產(chǎn)生圖像。另外也有人建議使用其它光致抗蝕劑產(chǎn)物，但這些光致抗蝕劑產(chǎn)物有許多的限制，像不易于制造，有刺激性氣味等等。
由上述可看出仍然需要一種具有較佳粘著性及良好分辨度的光致抗蝕劑。
依據(jù)本發(fā)明，發(fā)明人開(kāi)發(fā)了一種順丁烯二酸酐型式的共聚物樹(shù)脂，其包括式Ⅱ所示的作為主要成份的5-降冰片烯-2-羧酸單體，且申請(qǐng)了專(zhuān)利(韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第97-26807號(hào)，申請(qǐng)日為1997年6月21日)，作為解決傳統(tǒng)光致抗蝕劑產(chǎn)物限制的一種嘗試。
雖然上述申請(qǐng)案建議使用的順丁烯二酸酐型式的共聚物樹(shù)脂具有高粘著性、敏感性及優(yōu)良分辨度的優(yōu)點(diǎn)，但其實(shí)際制造時(shí)仍有問(wèn)題，這是因?yàn)槠渲饕煞葜?-降冰片烯-2-羧酸在合成過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生刺激性極強(qiáng)的氣味。因此，本發(fā)明人開(kāi)發(fā)出了一具有優(yōu)良分辨度，且不會(huì)引起刺激氣味問(wèn)題的新穎光致抗蝕劑。
在一具體實(shí)施方案中，本發(fā)明提供一種限制傳統(tǒng)光致抗蝕劑產(chǎn)物所引起的刺激性氣味的技藝。具體地講，本發(fā)明提供一種將順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯單元代替5-降冰片烯-2-羧酸導(dǎo)入降冰片烯-順丁烯二酸酐共聚物結(jié)構(gòu)中的方法，同時(shí)本發(fā)明方法解決了刺激性氣味逸出的問(wèn)題。在一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明方法提供了一種光阻敏感性基本上不變劣的光致抗蝕劑。本發(fā)明的光致抗蝕劑也具有像優(yōu)良粘著性及分辨度(0.13μm)的特征。本發(fā)明光致抗蝕劑在合成過(guò)程中易于控制其組成，所以大量制造是可能的。
相較于傳統(tǒng)技藝，本發(fā)明具有許多優(yōu)點(diǎn)或益處。在一具體實(shí)施方案中，本發(fā)明提供一包含順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯單元的共聚物樹(shù)脂；在另一實(shí)施方案中，本發(fā)明提供一種制備含有順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯單元的共聚物樹(shù)脂的方法；又另一實(shí)施方案中，本發(fā)明提供一種包含上述降冰片烯-順丁烯二酸酐共聚物樹(shù)脂、有機(jī)溶劑及一光酸產(chǎn)生劑的光致抗蝕劑。再者，本發(fā)明提供使用含有上述共聚物樹(shù)脂的光致抗蝕劑制得的半導(dǎo)體元件。這些及其它優(yōu)點(diǎn)將由說(shuō)明書(shū)描述，尤其是以下的說(shuō)明。
本發(fā)明涉及一種用作光致抗蝕劑的共聚物樹(shù)脂，該樹(shù)脂包含順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯單元，其由下式Ⅲ所表示[式Ⅲ]
其中，R是叔丁基、四氫吡喃基、四氫呋喃基或乙氧基乙基，且x∶y∶z的比例是(0.1-99％)∶(0.1-99％)∶(0.1-99％)。
依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的共聚物樹(shù)脂優(yōu)選包括下式Ⅳ至Ⅶ的降冰片烯-順丁烯二酸酐共聚物樹(shù)脂
在這些結(jié)構(gòu)式中，R,x,y及z如上文所定義。
本發(fā)明的式Ⅲ所示的共聚物樹(shù)脂可在自由基引發(fā)劑的存在下，由式Ⅷ的降冰片烯衍生物、式Ⅸ的5-降冰片烯-2-羧酸(2-羥乙基)酯、式X的順丁烯二酸酐及式Ⅺ的順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯聚合制備而得[式Ⅷ]
在上述結(jié)構(gòu)式中，R是叔丁基、四氫吡喃基、四氫呋喃基或乙氧基乙基等基團(tuán)。
在制備本發(fā)明的共聚物樹(shù)脂時(shí)，式Ⅷ的降冰片烯衍生物優(yōu)選選自5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯、5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氫吡喃酯、5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氫呋喃酯和5-降冰片烯-2-羧酸(1-乙氧基乙基)酯酯。
本發(fā)明的共聚物樹(shù)脂可由傳統(tǒng)聚合方法制備而得，像本體聚合或溶液聚合方法等。溶劑可為環(huán)己酮、甲基乙基酮、苯、甲苯、二噁烷及/或二甲基甲酰胺，其可單獨(dú)使用，或混合使用。用于本發(fā)明的聚合反應(yīng)引發(fā)劑包括過(guò)氧化苯甲酰、2,2′-偶氮二異丁腈(AIBN)、過(guò)氧化乙酰、過(guò)氧化月桂酰、過(guò)乙酸叔丁酯、二-叔丁基過(guò)氧化物等。
在制備本發(fā)明共聚物樹(shù)脂的方法中，可依據(jù)反應(yīng)物的性質(zhì)來(lái)控制一般包括自由基聚合反應(yīng)的溫度和壓力在內(nèi)的聚合化條件，但優(yōu)選該聚合反應(yīng)在溫度從60至200℃之間進(jìn)行。
本發(fā)明的共聚物樹(shù)脂能依據(jù)傳統(tǒng)制備光致抗蝕劑組合物的方法，將本發(fā)明的樹(shù)脂與有機(jī)溶劑及傳統(tǒng)光酸產(chǎn)生劑混合，制成光致抗蝕劑溶液而用于形成正顯微-影像(micro-image)。在形成半導(dǎo)體元件的光致抗蝕劑圖像的程序中，本發(fā)明共聚物樹(shù)脂的使用量是依據(jù)所使用的有機(jī)溶劑或光酸產(chǎn)生劑及光刻的條件而定，但一般傳統(tǒng)上采用約10至30％(重量百分比)(依據(jù)用于制備此光致抗蝕劑有機(jī)溶劑的量而定)。
使用本發(fā)明共聚物樹(shù)脂形成半導(dǎo)體元件光致抗蝕劑圖像的程序?qū)⒃谝韵伦髟敿?xì)的說(shuō)明將本發(fā)明的共聚物樹(shù)脂溶于環(huán)己酮中，其濃度為10至30％(重量)。加入光酸產(chǎn)生劑(0.1至10wt％)如三苯基三倍酸锍(triphenylsulfonium triplate)、二丁基萘基三倍酸锍(dibutylnaphthylsulfoniumtriplate)、2,6-二甲基苯基磺酸酯、雙(芳基磺?；?-二偶氮甲烷、磺酸肟、2,1-二偶氮萘醌-4-磺酸酯至此光致抗蝕劑樹(shù)脂中。然后用一超微過(guò)濾器過(guò)濾該混合物。接著將光致抗蝕劑溶液旋轉(zhuǎn)涂覆至一硅晶片上，以形成一薄膜，然后在一烤箱中或在一加熱板上以溫度80-150℃輕輕地烘烤(soft-baked)1-5分鐘，接著使用遠(yuǎn)紫外線(xiàn)曝光器或激光雷射曝光器曝光，然后以溫度100℃至200℃烘烤10秒鐘至60分鐘。將曝光后的晶片浸漬至2.38％的TMAH水溶液中1至30秒鐘，以獲得一正光致抗蝕劑圖像。
本發(fā)明可通過(guò)以說(shuō)明為目的的下列實(shí)施例得到進(jìn)一步的了解，實(shí)施例的目的不是要限制本發(fā)明。制備實(shí)施例Ⅰ5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯的合成。
在一反應(yīng)器中，加入環(huán)戊二烯(66克)及四氫呋喃溶劑(500克)，且攪拌此反應(yīng)混合物至均勻。于此反應(yīng)混合物中，加入丙烯酸叔丁酯(128克)，且在溫度-30℃和60℃之間攪拌所得混合物約10小時(shí)，使反應(yīng)進(jìn)行。當(dāng)反應(yīng)完全時(shí)，使用一旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器除去溶劑，且在減壓下蒸餾該殘留物，可得176克(產(chǎn)率90％)式Ⅷa之5-降冰片烯2-羧酸叔丁酯。制備實(shí)施例Ⅱ5-降冰片烯-2-羧酸(2-羥基乙基)酯的合成(式Ⅸ)重復(fù)制備實(shí)施例Ⅰ的步驟，但使用丙烯酸2-羥基乙基酯(116克)代替丙烯酸叔丁基酯，可得155克(產(chǎn)率85％)的式Ⅸ的5-降冰片烯-2-羧酸(2-羥基乙基)酯。制備實(shí)施例Ⅲ5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氫吡喃酯的合成
重復(fù)制備實(shí)施例Ⅰ的步驟，但使用丙烯酸2-四氫吡喃酯(156克)代替丙烯酸叔丁基酯，可得186克(產(chǎn)率84％)式Ⅷb所示的5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氫吡喃酯。制備實(shí)施例Ⅳ5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氫呋喃酯的合成[式Ⅷc]
重復(fù)制備實(shí)施例Ⅰ的步驟，但使用丙烯酸2-四氫呋喃酯(144克)代替丙烯酸叔丁基酯，可得172克(產(chǎn)率82％)式Ⅷc的2-四氫呋喃基-5-降冰片烯-2-羧酸酯。制備實(shí)施例Ⅴ5-降冰片烯-2-羧酸(1-乙氧基乙基)酯的合成
重復(fù)制備實(shí)施例Ⅰ的步驟，但使用丙烯酸乙氧基乙基酯(144克)代替丙烯酸叔丁基酯，可得174克(產(chǎn)率83％)式Ⅷd的5-降冰片烯-2-羧酸(1-乙氧基乙基)酯。制備實(shí)施例Ⅵ順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯(式Ⅺ)的合成在一反應(yīng)器中，加入環(huán)戊二烯(66克)，并加入四氫呋喃溶劑(500克)和順丁烯二酸酐(98克)，且均勻攪拌此反應(yīng)混合物。于此反應(yīng)混合物中，加入無(wú)水乙醇(500克)，且在溫度50℃于攪拌下使反應(yīng)進(jìn)行8小時(shí)，當(dāng)反應(yīng)完成時(shí)，使用一旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器除去溶劑，且在減壓下蒸餾該殘留物，可得156克(產(chǎn)率87％)式Ⅺ的順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯。實(shí)施例Ⅰ聚[5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸(2-羥基乙基)酯/順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯/順丁烯二酸酐]共聚物樹(shù)脂(式Ⅳ)的合成。
將順丁烯二酸酐(1莫耳)、制備實(shí)施例Ⅰ制備的5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯(0.5-0.9莫耳)、制備實(shí)施例Ⅱ制備的5-降冰片烯-2-羧酸(2-羥基乙基)酯(0.05-0.8莫耳)、制備實(shí)施例Ⅵ制備的順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯(0.01-0.5莫耳)溶于四氫呋喃或甲苯中，然后加入作為聚合起始劑的2,2′-偶氮二異丁腈(AIBN)(0.5-10克)，且維持溫度65℃和70℃之間，在氮?dú)饣驓鍤鈿夥罩逻M(jìn)行反應(yīng)4-24小時(shí)。所得粗產(chǎn)物由乙醚或己烷中沉淀出，且干燥沉淀物后可得標(biāo)題共聚物樹(shù)脂(式Ⅳ)，其分子量3,000-100,000(產(chǎn)率63％)。所得共聚物樹(shù)脂對(duì)ArF光的透明性高，蝕刻阻抗性增加，且具有優(yōu)良的粘著性，可由2.38wt％的TMAH水溶液顯像。實(shí)施例Ⅱ聚[5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氫吡喃酯/5-降冰片烯-2-羧酸(2-羥基乙基)酯/順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯/順丁烯二酸酐]共聚物樹(shù)脂(式Ⅴ)的合成。
重復(fù)實(shí)施例Ⅰ的步驟，但使用制備實(shí)施Ⅲ的5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氫吡喃酯代替5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯，可得標(biāo)題共聚物樹(shù)脂(式Ⅴ)，其分子量3,000-100,000(產(chǎn)率68％)。雖然所得共聚物樹(shù)脂的保護(hù)基是由乙酰基所取代的，但樹(shù)脂的蝕刻阻抗性沒(méi)有變劣，且具有優(yōu)良的敏感度(敏感度11Nj/cm2)。實(shí)施例Ⅲ聚[5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氫呋喃酯/5-降冰片烯-2-羧酸(2-羥基乙基)酯/順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯/順丁烯二酸酐]共聚物樹(shù)脂(式Ⅵ)的合成。
重復(fù)實(shí)施例Ⅰ的步驟，但使用制備實(shí)施例Ⅳ的5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氫呋喃酯代替5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯，可得標(biāo)題共聚物樹(shù)脂(式Ⅵ)，其分子量4,000-100,000(產(chǎn)率64％)。所得共聚物樹(shù)脂的性質(zhì)類(lèi)似于實(shí)施例Ⅱ的共聚物樹(shù)脂。實(shí)施例Ⅳ聚[5-降冰片烯-2-羧酸(1-乙氧基乙基)酯/5-降冰片烯-2-羧酸(2-羥乙基)酯/順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯/順丁烯二酸酐]共聚物(式Ⅶ)的合成。
重復(fù)實(shí)施例Ⅰ的步聚，但使用制備實(shí)施例Ⅴ的5-降冰片烯-2-羧酸(1-乙氧基乙基)酯代替5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯，可得標(biāo)題共聚物樹(shù)脂(式Ⅶ)，其分子量4,000-100,000(產(chǎn)率59％)。所得共聚物樹(shù)脂的性質(zhì)類(lèi)似于實(shí)施例Ⅰ的共聚物樹(shù)脂，但相比而言，其性質(zhì)更佳。實(shí)施例Ⅴ實(shí)施例Ⅰ所得的共聚物樹(shù)脂(式Ⅳ)(10克)溶于丙酸3-甲氧基甲基酯(40克，溶劑)中，且加入作為光酸產(chǎn)生劑的三苯基三倍酸锍或二丁基萘基三倍酸锍(約0.2-1克)，攪拌后，經(jīng)由0.10μm過(guò)濾器過(guò)濾所得混合物，獲得一光致抗蝕劑溶液。然后，將光致抗蝕劑溶液旋轉(zhuǎn)涂覆至一晶片表面，制備一厚度為0.4-1.2μm之薄膜，且以70℃-150℃的溫度在烘箱中或在熱板上輕輕烘烤1-5分鐘。以250nm波長(zhǎng)的曝光器曝光后，以90-160℃的溫度后-烘烤。然后將曝光后的晶片浸漬在濃度為0.01-5％(重量)的TMAH水溶液中1.5分鐘，此水溶液為顯像劑，可得一超顯微光致抗蝕劑圖像(分辨度0.13μm)。實(shí)施例Ⅵ重復(fù)實(shí)施例Ⅴ的步驟，但使用實(shí)施例Ⅱ制得的共聚物樹(shù)脂(式Ⅴ)作為光致抗蝕劑樹(shù)脂，來(lái)形成一超顯微光致抗蝕劑圖像。實(shí)施例Ⅶ重復(fù)實(shí)施例Ⅴ的步驟，但使用實(shí)施例Ⅲ制備的共聚物樹(shù)脂(式Ⅵ)作為光致抗蝕劑樹(shù)脂，來(lái)形成一超顯微光致抗蝕劑圖像。實(shí)施例Ⅷ重復(fù)實(shí)施例Ⅴ的步驟，但使用實(shí)施例Ⅳ制得的共聚物樹(shù)脂(式Ⅶ)作為光致抗蝕劑樹(shù)脂，來(lái)形成一光致抗蝕劑圖像。
當(dāng)使用上述光致抗蝕劑形成圖像時(shí)，可制得一具有0.13μm超顯微圖像的半導(dǎo)體元件，所以可有利于制造高度集成的元件。
如上所述，本發(fā)明使用KrF(249nm)或ArF(193nm)的光致抗蝕劑的共聚物樹(shù)脂可以傳統(tǒng)自由基聚合反應(yīng)，將順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯單元導(dǎo)入聚合物結(jié)構(gòu)中而容易地制備。此樹(shù)脂在193nm波長(zhǎng)具有高度透明性，蝕刻阻抗性增加，且解決了在合成共聚物樹(shù)脂時(shí)產(chǎn)生刺激性氣味的問(wèn)題。再者，因?yàn)榉肿咏Y(jié)構(gòu)的原因，此樹(shù)脂的組成很容易控制，所以可用于大量制造。因此，本發(fā)明的使用KrF或ArF的共聚物樹(shù)脂能夠用于光刻程序。
根據(jù)上述教導(dǎo)，各種對(duì)本發(fā)明的改良及修正皆是可能的，因此，應(yīng)理解的是在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，除了特別敘述的方式外，本發(fā)明可以其它的方法施行。
權(quán)利要求
1．一種分子量為3,000-100,000的共聚物樹(shù)脂，包括順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯單元，該共聚物樹(shù)脂由下式Ⅲ所表示
其中，R是叔丁基、四氫吡喃基、四氫呋喃基或乙氧基乙基，且x∶y∶z的比例是(0.1-99％)∶(0.1-99％)∶(0.1-99％)。
2．如權(quán)利要求1的共聚物樹(shù)脂，其是如式Ⅳ所示的降冰片烯-順丁烯二酸酐共聚物樹(shù)脂
其中x∶y∶z的比例為(0.1-99％)∶(0.1-99％)∶(0.1-99％)。
3．如權(quán)利要求1的共聚物樹(shù)脂，其是如式Ⅴ所示的降冰片烯-順丁烯二酸酐共聚物樹(shù)脂
其中x∶y∶z的比例為(0.1-99％)∶(0.1-99％)∶(0.1-99％)。
4．如權(quán)利要求1的共聚物樹(shù)脂，其是如式Ⅵ所示的降冰片烯-順丁烯二酸酐共聚物樹(shù)脂
其中x∶y∶z的比例為(0.1-99％)∶(0.1-99％)∶(0.1-99％)。
5．如權(quán)利要求1的共聚物樹(shù)脂，其是如式Ⅶ所示的降冰片烯-順丁烯二酸酐共聚物樹(shù)脂
其中x∶y∶z的比例為(0.1-99％)∶(0.1-99％)∶(0.1-99％)。
6．一種制備如權(quán)利要求1定義的如式Ⅲ所示的共聚物樹(shù)脂的方法，包括在自由基引發(fā)劑存在下，使式Ⅷ所示的5-降冰片烯衍生物、式Ⅸ所示的5-降冰片烯-2-羧酸(2-羥乙基)酯、式Ⅹ所示的順丁烯二酸酐及式Ⅺ所示的順-5-降冰片烯-內(nèi)-2,3-二羧酸單甲酯聚合的步驟
其中R是叔丁基、四氫吡喃基、四氫呋喃基或1-乙氧基乙基。
7．如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述的5-降冰片烯衍生物是式Ⅷa所示的5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯。
8．如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述的5-降冰片烯衍生物是式Ⅷb所示的5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氫吡喃酯。
9．如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述的5-降冰片烯衍生物是式Ⅷc所示的5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氫呋喃酯。
10．如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述的5-降冰片烯衍生物是式Ⅷd所示的5-降冰片烯-2-羧酸(1-乙氧基乙基)酯。
11．如權(quán)利要求6的制備共聚物樹(shù)脂的方法，其中所述聚合反應(yīng)引發(fā)劑是選自包含下列化合物的族群過(guò)氧化苯甲酰、2,2′-偶氮二異丁腈、過(guò)氧化乙酰、過(guò)氧化月桂酰、過(guò)乙酸叔丁酯及二-叔丁基過(guò)氧化物。
12．如權(quán)利要求6的制備共聚物樹(shù)脂的方法，其中所述聚合反應(yīng)是在溶劑或溶劑混合物的存在下進(jìn)行反應(yīng)，所述溶劑選自環(huán)己酮、甲基乙基酮、苯、甲苯、二噁烷及二甲基甲酰胺。
13．如權(quán)利要求6的制備共聚物樹(shù)脂的方法，其中所述聚合反應(yīng)是在溫度60℃和200℃之間，在氬氣或氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行。
14．一種光致抗蝕劑組合物，包括如權(quán)利要求1所述的降冰片烯-順丁烯二酸酐共聚物樹(shù)脂、一種有機(jī)溶劑及一種光酸產(chǎn)生劑。
15．如權(quán)利要求14所述的光致抗蝕劑組合物，其中所述光酸產(chǎn)生劑是三苯基三倍酸锍或二丁基萘基三倍酸锍。
16．如權(quán)利要求14所述的光致抗蝕劑組合物，其中以溶劑的量為基準(zhǔn)，所述共聚物樹(shù)脂的含量在10wt％到30wt％之間。
17．如權(quán)利要求14所述的光致抗蝕劑組合物，其中以共聚物樹(shù)脂的量為基準(zhǔn)，所述光酸產(chǎn)生劑的量在0.01wt％到10wt％之間。
18．一種使用如權(quán)利要求14所述的光致抗蝕劑組合物制成的半導(dǎo)體器件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種使用于遠(yuǎn)紫外線(xiàn)(像KrF或ArF)的光致抗蝕劑的共聚物樹(shù)脂、其制備方法及包含此樹(shù)脂的光致抗蝕劑。本發(fā)明的共聚物因其可將順－5－降冰片烯－內(nèi)－2,3－二羧酸單甲酯單元導(dǎo)入用作光致抗蝕劑之降冰片烯－順丁烯二酸酐共聚物的結(jié)構(gòu)中,因此可以傳統(tǒng)自由基聚合反應(yīng)容易地制備。此樹(shù)脂在193nm波長(zhǎng)時(shí)具有高的透明性,蝕刻阻抗性增加,并解決了在共聚物樹(shù)脂合成過(guò)程中產(chǎn)生刺激性氣味的問(wèn)題。再者,因?yàn)榇藰?shù)脂組成由于分子結(jié)構(gòu)的原因,所以可輕易的控制,因此,此樹(shù)脂可以大規(guī)模地制造。
文檔編號(hào)G03F7/029GK1226565SQ9812660
公開(kāi)日1999年8月25日 申請(qǐng)日期1998年12月29日 優(yōu)先權(quán)日1997年12月29日
發(fā)明者鄭旼鎬, 鄭載昌, 卜喆圭, 白基鎬 申請(qǐng)人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社