本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種對位標(biāo)記、顯示基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著全球信息社會的興起增加了對各種顯示裝置的需求。因此，對各種平面顯示裝置的研究和開發(fā)投入了很大的努力，如液晶顯示裝置(LCD)、等離子顯示裝置(PDP)、場致發(fā)光顯示裝置(ELD)以及真空熒光顯示裝置(VFD)。

液晶顯示裝置因其功耗小、成本低、無輻射和易操作等特點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，如家庭、公共場所、辦公場及個人電子相關(guān)產(chǎn)品等。目前，液晶顯示裝置已經(jīng)從制作簡單、成本低廉但視角較小的扭曲向列型液晶顯示裝置(Twisted Nematic,TN)，發(fā)展到平面電場切換型液晶顯示裝置(In-Plane Switching,IPS)、多維電場型液晶顯示裝置(Advanced Super Dimension Switch,AD-SDS,簡稱ADS)，以及基于ADS模式提出的高開ロ率的HADS型液晶顯示裝置。

傳統(tǒng)的液晶顯示裝置一般是分別制作薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光片基板，然后再將二者對位貼合。但是隨著液晶顯示裝置對高PPI的要求，使得在薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光片基板的制作過程中，需要每層膜層間對位，也就是膜層間Overlay的精確度不斷提高，但是傳統(tǒng)的液晶顯示裝置中，在薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光片基板的制作過程，不同膜層之間會存在位移偏差，從而造成串色、亮度降低、短路等不良問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種對位標(biāo)記、顯示基板及顯示裝置，以解決顯示裝置的基板在制作過程中，不同膜層之間存在位移偏差，從而造成串色、亮度降低、短路等不良的問題。

第一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種對位標(biāo)記，用于測試兩層膜層圖形的位移偏差，所述對位標(biāo)記包括兩組標(biāo)記，每組標(biāo)記由不同膜層形成，每組標(biāo)記包括至少一個圓形的子標(biāo)記。

第二方面，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示基板，所述顯示基板包括至少一個對位標(biāo)記，所述對位標(biāo)記用于測試至少兩層膜層圖形的位移偏差，所述對位標(biāo)記包括至少兩組標(biāo)記，每組標(biāo)記由不同膜層形成，每組標(biāo)記包括至少一個圓形的子標(biāo)記。

另一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示基板，所述顯示基板包括對位標(biāo)記，所述對位標(biāo)記用于測試至少兩層膜層圖形的位移偏差，所述對位標(biāo)記包括至少兩組標(biāo)記，每組標(biāo)記由不同膜層形成，每組標(biāo)記包括至少一個圓形的子標(biāo)記。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的對位標(biāo)記、顯示基板及顯示裝置，在基底上設(shè)置用于測試兩層膜層圖形的位移偏差的對位標(biāo)記，所述對位標(biāo)記包括兩組標(biāo)記，每組標(biāo)記由不同膜層形成，每組標(biāo)記包括至少一個圓形的子標(biāo)記。這樣，在基底上形成不同膜層的時候使用對位標(biāo)記進(jìn)行對位，可降低甚至避免不同膜層之間的位移偏差，從而避免因?yàn)槟又g會的位移偏差造成的串色、亮度降低、短路等不良問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對本實(shí)用新型實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例提供的一種顯示裝置的立體圖；

圖2為圖1中所示顯示基板的部分平面圖；

圖3為圖2中III-III處所示的剖面圖；

圖4為圖2中IV-IV處所示的剖面圖；

圖5至圖14為本使用新型另一實(shí)施方式提供的顯示基板的制作過程中的剖面圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請參閱圖1，圖1為本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例提供的一種顯示裝置的立體圖。如圖1所示，所述顯示裝置100包括顯示面板10及背光模組20，所述顯示面板10及所述背光模組20層疊設(shè)置，共同組成所述顯示裝置100的顯示模組，以實(shí)現(xiàn)所述顯示裝置100的顯示功能。所述顯示裝置100還包括一顯示區(qū)101及圍繞所述顯示區(qū)101的周邊區(qū)102，所述顯示區(qū)101主要用于實(shí)現(xiàn)所述顯示裝置100的顯示輸出功能，所述周邊區(qū)102主要用于走線等。

所述顯示面板10還包括至兩個層疊設(shè)置的顯示基板11及夾設(shè)與二者之間的液晶，其中一個顯示基板11為薄膜晶體管陣列基板，另一個顯示基板11為彩膜基板。本實(shí)施方式中，所述顯示基板11是以薄膜晶體管陣列基板或者彩色濾光片基板為例進(jìn)行說明，但并不局限于此，在其他實(shí)施方式中，所述顯示基板11還可以是其他具有多層膜層的基板。

請同時參閱圖2、圖3和圖4，圖2為圖1中所示顯示基板的部分平面圖，圖3為圖2中III-III處所示的剖面圖，圖4為圖2中IV-IV處所示的剖面圖。如圖2、圖3和圖4所示，所述顯示基板11的基底111上設(shè)置有至少一個對位標(biāo)記12，所述對位標(biāo)記12用于在所述顯示基板11上形成不同的膜層的時候，測試所述顯示基板11上至少兩層膜層圖形之間的位移偏差。優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，所述對位標(biāo)記12對應(yīng)位于所述顯示裝置100的周邊區(qū)102中，但并不局限于此，在其他實(shí)施方式中，所述對位標(biāo)記12也可以位于顯示區(qū)101中。

所述對位標(biāo)記12包括兩組標(biāo)記121，每組標(biāo)記121均是在所述顯示基板11上沉積不同膜層的時候，由不同的膜層所形成。本實(shí)施方式中，所述顯示基板11是以薄膜晶體管陣列基板為例來進(jìn)行說明的，但并不局限于此，在其他實(shí)施方式中，所述顯示基板11還可以是彩色濾光片陣列基板或者其他具有多層膜層的基板。本實(shí)施方式中，因?yàn)槭且詡鹘y(tǒng)的薄膜晶體管陣列基板為例，因此，僅以兩個不同位置的對位標(biāo)記12為例進(jìn)行說明，但并不局限于此，在其他實(shí)施中，為了使不同膜層至今對位精準(zhǔn)，也可以在不同的位置處設(shè)置更多個相同的對位標(biāo)記，或者在其他實(shí)施例中，如果有更多層膜層的話，還可以為了測試不同組合的兩層膜層之間的位移偏差而設(shè)置多個對位標(biāo)記。

每組標(biāo)記121中還包括至少一個子標(biāo)記1211，所述子標(biāo)記1211的形狀為圓形，并且每個所述子標(biāo)記1211的直徑為3微米至8微米。本實(shí)施方式中，所述子標(biāo)記1211設(shè)置為圓形，這樣方便在每個膜層上進(jìn)行抓取，即使在抓取形成圓形子標(biāo)記1211的圓周上的點(diǎn)中部分點(diǎn)偏差，也可以通過大部分正確點(diǎn)位的抓取來確定子標(biāo)記1211的圓心以及圓周，而不會出現(xiàn)子標(biāo)記1211的抓取錯誤。

具體的，本實(shí)施方式中，是以每組標(biāo)記121中包括兩組子標(biāo)記1211，并且每組子標(biāo)記1211中包括兩個子標(biāo)記1211為例來進(jìn)行說明，但并不局限于此，在其他實(shí)施方式中，每組標(biāo)記121還可以包括1組、3組甚至更多組子標(biāo)記1211，并且每組子標(biāo)記1211中包括1個、3個或者更多個子標(biāo)記1211。

本實(shí)施方式中，每組標(biāo)記121包括至少兩組子標(biāo)記1211，并且每組子標(biāo)記1211中包括兩個相對設(shè)置的圓形的子標(biāo)記1211，其中，每組子標(biāo)記1211中的兩個子標(biāo)記1211的圓心之間的連線與其他組子標(biāo)記1211中的兩個子標(biāo)記1211的圓心之間的連線相交于一交點(diǎn)，同時，每組子標(biāo)記1211中的兩個子標(biāo)記1211之間彼此關(guān)于所述交點(diǎn)呈中心對稱。

其中，在所述至少兩組標(biāo)記121中的其中一組標(biāo)記121中，每組子標(biāo)記1211之中關(guān)于所述交點(diǎn)相對設(shè)置的兩個子標(biāo)記1211之間的距離為15微米至25微米，而所述至少兩組標(biāo)記121中除所述其中一組標(biāo)記121之外的其他組標(biāo)記121中，每組子標(biāo)記1211中關(guān)于所述交點(diǎn)相對設(shè)置的兩個子標(biāo)記1211之間的距離為30微米至40微米。這樣，將所述其中一組標(biāo)記121最為參考標(biāo)記，而其他組的標(biāo)記與參考標(biāo)記進(jìn)行比對，就可以知道不同膜層之間具有多少的位移偏差，并且通過位移偏差的大小，可以得知是否會對顯示裝置的顯示性能具有影響，從而及時調(diào)整膜層之間的位移偏差。在比對的時候，可以通過計(jì)算不同組標(biāo)記121中不同組子標(biāo)記1211的交點(diǎn)的位置，將交點(diǎn)的位置作為標(biāo)記121的中心的位置，再通過比較或者計(jì)算等獲取不同組標(biāo)記121的中心之間的位移偏差，從而可以得知不同膜層之間存在的位移偏差。

一般的，參考標(biāo)記，都是在基底上最先形成的一組標(biāo)記，由最先在基底上形成的膜層所形成。

下面請同時參閱圖5至圖12，圖5至圖12為本使用新型另一實(shí)施方式提供的顯示基板的制作過程中的剖面圖。本實(shí)施方式中，仍以顯示基板為薄膜晶體管陣列基板為例進(jìn)行說明，如圖4至圖12所示，對位標(biāo)記的形成方法包括：

步驟1，如圖5所示，提供一基底211，并在所述基底211上形成第一膜層30。

步驟2，對所述第一膜層30進(jìn)行曝光、顯影和刻蝕等工藝，圖案化所述第一膜層30，以得到如圖6和圖7所示的具有柵極(圖未示)的所述顯示基板的第一金屬層，同時，在得到柵極的同時，一并經(jīng)過圖案化所述第一膜層30得到具有第一子標(biāo)記2211的兩個在不同位置第一組標(biāo)記221。

在得到第一組標(biāo)記221之后，可以將得到的所述第一組標(biāo)記211作為參考標(biāo)記，以供與后續(xù)膜層形成的標(biāo)記進(jìn)行對比，來測試不同的兩層膜層圖形的位移偏差。

本實(shí)施方式中，是將最初形成的第一組標(biāo)記211作為參考標(biāo)記，但并不局限于此，在其他實(shí)施方式中，還可以以第二組甚至第三組標(biāo)記作為參考標(biāo)記。

步驟3，如圖8所示，在所述第一金屬層及所述第一組標(biāo)記221上依次形成第一保護(hù)層40、第二膜層50及光阻層60。本實(shí)施方式中，僅以一個位置的對位標(biāo)記的形成過程為例進(jìn)行說明，其他位置的對位標(biāo)記的形成過程與本實(shí)施例的對位標(biāo)記的形成過程相同，僅是因?yàn)樽饔糜诓煌佣选?/p>

步驟4，對所述光阻層60進(jìn)行曝光、顯影等工藝，圖案化所述光阻層60，以得到如圖9所示的具有源極圖案(圖未示)、漏極圖案(圖未示)以及標(biāo)記62圖案的光罩61。

在得到具有源極圖案(圖未示)、漏極圖案(圖未示)以及標(biāo)記62圖案的光罩61之后，將光罩61上的標(biāo)記62與第一金屬層中的第一組標(biāo)記221進(jìn)行比對，來得知所述光罩61與所述第一金屬層之間是否存在位移偏差，位移偏差量是否在允許范圍內(nèi)，如果位移偏差量在允許范圍內(nèi)，可以認(rèn)為兩層膜層之間的不存在位移偏差，執(zhí)行步驟5，如果位移偏差量超出允許范圍，說明兩層膜層之間位移偏差較多，需要重新進(jìn)行對位，那么執(zhí)行步驟6。

具體的，可以是將光罩61上的標(biāo)記62的中心，也就是標(biāo)記62中不同組的子標(biāo)記621中相對設(shè)置的子標(biāo)記621之間的連線的交點(diǎn)，與第一組標(biāo)記221的中心進(jìn)行比對，來確定第一金屬層與所述光罩61之間的位移偏差量，然后看位移偏差量是否在誤差允許范圍內(nèi)，如果位移偏差量在允許范圍內(nèi)，可以認(rèn)為兩層膜層之間的不存在位移偏差，執(zhí)行步驟5，如果位移偏差量超出允許范圍，說明兩層膜層之間位移偏差較多，需要重新進(jìn)行對位，那么執(zhí)行步驟6。

步驟5，使用所述光罩61對所述第二膜層50進(jìn)行刻蝕等工藝，圖案化所述第二膜層50，以得到如圖10所示的具有源極和漏極(圖未示)的所述顯示基板的第二金屬層，同時，在得到源極和漏極的同時，一并經(jīng)過圖案化所述第二膜層50得到具有第二子標(biāo)記2221的第二組標(biāo)記222。

步驟6、如圖11所示，剝離所述光罩61，重新在所述第二膜層上形成一層光阻層70，并圖案化光阻層70，以得如圖12所示的到具有源極圖案(圖未示)、漏極圖案(圖未示)以及標(biāo)記72形狀的光罩71。

在得到具有標(biāo)記72的光罩71之后，將光罩71上的標(biāo)記72與第一金屬層中的第一組標(biāo)記221進(jìn)行比對，來得知所述光罩71與所述第一金屬層之間是否存在位移偏差，位移偏差量是否在允許范圍內(nèi)，如果位移偏差量在允許范圍內(nèi)，可以認(rèn)為兩層膜層之間的不存在位移偏差，執(zhí)行步驟5，如果位移偏差量超出允許范圍，說明兩層膜層之間位移偏差較多，需要重新進(jìn)行對位，那么重新執(zhí)行步驟6。

步驟7，重復(fù)步驟3、步驟4、步驟5和步驟6，以制作得到其他膜層的對位標(biāo)記，并且直至獲得每層膜層與其他膜層之前均無位移偏差，或者位移偏差量在允許范圍內(nèi)的，如圖13和圖14所述的具有由兩組標(biāo)記221組成的位于不同位置的連個對位標(biāo)記22的顯示基板。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的對位標(biāo)記、顯示基板及顯示裝置，在基底上設(shè)置用于測試兩層膜層圖形的位移偏差的對位標(biāo)記，所述對位標(biāo)記包括兩組標(biāo)記，每組標(biāo)記由不同膜層形成，每組標(biāo)記包括至少一個圓形的子標(biāo)記。這樣，在基底上形成不同膜層的時候使用對位標(biāo)記進(jìn)行對位，可降低甚至避免不同膜層之間的位移偏差，從而避免因?yàn)槟又g會的位移偏差造成的串色、亮度降低、短路等不良問題。

以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。