專利名稱：包含內(nèi)部傳感器和微小反應(yīng)器的光刻設(shè)備和用于處理內(nèi)部傳感器的感測表面的方法
包含內(nèi)部傳感器和微小反應(yīng)器的光刻設(shè)備和用于處理內(nèi)部 傳感器的感測表面的方法
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2008年4月15日申請的美國臨時申請第61/071，156號的權(quán)益，在 此通過參考將其全部內(nèi)容并入本文中。技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及一種包含內(nèi)部傳感器和微小反應(yīng)器的光刻設(shè)備。本發(fā)明還涉及一種用 于處理光刻設(shè)備的內(nèi)部傳感器的感測表面的方法。本發(fā)明還涉及一種器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上(通常應(yīng)用到所述襯底的目標(biāo)部分上) 的機器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選 地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？?以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一個或多個管芯的一 部分)上。典型地，經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕 劑)層上。通常，單個襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備 包括所謂步進機，在所述步進機中，通過將整個圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每 一個目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向) 掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來輻射每一個目 標(biāo)部分。還可以通過將所述圖案壓印到所述襯底上，而將所述圖案從所述圖案形成裝置轉(zhuǎn) 移到所述襯底上。
在光刻設(shè)備中，能夠成像到襯底上的特征的尺寸，可能受到投影輻射的波長的限 制。為了制造具有更高密度器件的集成電路，并且因此實現(xiàn)更高的操作速度，期望能夠使得 更小的特征成像。雖然大多數(shù)現(xiàn)有的光刻投影設(shè)備采用由汞燈或準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生的紫外 光，但是已經(jīng)提出使用更短波長的輻射，例如約13nm的波長的輻射。這樣的輻射被稱為極 紫外(EUV)或軟χ射線，可能的源例如包括激光產(chǎn)生等離子體源、放電等離子體源或來自電 子儲存環(huán)的同步加速器輻射。
典型地，EUV輻射源是等離子體源，例如是激光產(chǎn)生等離子體或放電源。任何等 離子體源的共同特征是快速離子和原子的產(chǎn)生，其沿所有方向從等離子體射出。這些粒子 可能對收集器和聚光器反射鏡造成損害，所述收集器和聚光器反射鏡通常是具有易碎表面 的多層反射鏡或掠入射反射鏡。該表面由于從等離子體射出的顆粒的沖擊或濺射而逐漸 劣化，因此降低了反射鏡的壽命。濺射作用對于輻射收集器或收集器反射鏡是尤其有問題 的。該反射鏡的目的是收集在所有方向上由等離子體源發(fā)射的輻射且將它向照射系統(tǒng)中的 其它反射鏡引導(dǎo)。輻射收集器被定位成非常靠近等離子體源且與其在同一視線上，因此接 收了來自等離子體的大通量的快速的顆粒。系統(tǒng)中的其它反射鏡因為可以被一定程度地屏 蔽，因此通常受從等離子體射出的顆粒的濺射的損害程度較小。
在不久的將來，極紫外(EUV)源可以使用錫(Sn)或另一金屬蒸汽來產(chǎn)生EUV輻 射。錫可能泄漏到光刻設(shè)備中，且可能沉積在光刻設(shè)備中的反射鏡上，例如輻射收集器的反 射鏡。這樣的輻射收集器的反射鏡可以具有例如釕(Ru)的EUV反射頂層。將多于約IOnm 錫(Sn)沉積到反射Ru層上，將以與塊狀Sn相同的方式反射EUV輻射。因為錫的反射系數(shù) 遠(yuǎn)低于釕的反射系數(shù)，可以顯著地降低收集器的整體透射。為了防止來自源的碎片或由這 樣的碎片產(chǎn)生的二次粒子沉積到輻射收集器上，可以使用污染物阻擋件。盡管這樣的污染 物阻擋件或阱可以移除一部分碎片，但是仍然有一些碎片將會沉積到輻射收集器或其它光 學(xué)元件上。
為了移除不希望的沉積物，已經(jīng)討論了清潔方法，包括例如氫基(氫自由基)清 潔，例如在國際專利申請公開NO.W02008002134中所描述的。這樣，H2和氫基被引入到光刻 設(shè)備的至少一部分中。專利文獻W02008002134描述了一種用在EUV光刻設(shè)備中的清潔布 置，例如具有Sn源的EUV光刻設(shè)備。清潔布置包括用于包含氫的氣體的氣體源和氫基源。 氫基源是導(dǎo)致氫光分解的(UV)輻射源(其可以也被稱為EUV源)或產(chǎn)生氫基的熱絲。根 可以減少Sn氧化物(如果有的話)和形成Sn沉積物和/或碳沉積物的揮發(fā)性氫化物。這 樣，所述清潔布置可以用于清潔光學(xué)元件，除去Sn和/或C沉積物。發(fā)明內(nèi)容
光刻設(shè)備可以包括一個或更多的內(nèi)部傳感器，所述內(nèi)部傳感器可以用于多種用 途，諸如對準(zhǔn)控制、劑量控制、圖像優(yōu)化、光瞳觀察、光譜純度等。這樣的傳感器可能遭受諸 如碳或碳?xì)浠衔锏奶假|(zhì)材料的沉積。
本發(fā)明的一個方面是提供一種包括內(nèi)部傳感器的光刻設(shè)備。本發(fā)明的另一方面是 提供一種用于處理光刻設(shè)備的內(nèi)部傳感器的感測表面的方法。本發(fā)明的又一另外的方面是 提供一種器件制造方法。
為此目的，在一個實施例中，本發(fā)明提供了一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括內(nèi)部 傳感器和微小反應(yīng)器，其中所述微小反應(yīng)器相對于傳感器是可移動的，其中所述傳感器具 有感測表面，所述微小反應(yīng)器包括用于包含氫的氣體的入口、氫基產(chǎn)生器和用于包含氫基 的氣體的出口，所述微小反應(yīng)器被布置以在用于處理傳感器的感測表面的方法中使用微小 反應(yīng)器的期間產(chǎn)生包括氫基的局部微小環(huán)境，以處理所述感測表面。
根據(jù)一個實施例，提供了一種光刻設(shè)備，其包括投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)被構(gòu)造 且被布置以將輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上；內(nèi)部傳感器，具有感測表面；和微小反應(yīng) 器，其相對于所述傳感器是可移動的。所述微小反應(yīng)器包括用于包含氫的氣體的入口、氫基 產(chǎn)生器、和用于包含氫基的氣體的出口。所述微小反應(yīng)器被構(gòu)造且被布置以產(chǎn)生包括氫基 的局部微小環(huán)境，以處理所述感測表面。
所述傳感器可以包括從由晶片臺傳感器、掩模臺傳感器、探測器傳感器、收集器傳 感器、收集器框架傳感器、照射器傳感器、照射器框架傳感器、位置傳感器和能量傳感器構(gòu) 成的組中選擇的傳感器。在一個實施例中，感測表面包括釕。在此處，術(shù)語“傳感器”表示 內(nèi)部傳感器，即在光刻設(shè)備內(nèi)的傳感器。
在一個實施例中，氫基產(chǎn)生器可以包括絲，所述絲被構(gòu)造且布置以被加熱，用以將 分子態(tài)氫轉(zhuǎn)換成氫基。在一個實施例中，微小反應(yīng)器可以被布置以對傳感器的感測表面進行凈化。在一個實施例中，光刻設(shè)備還可以包括冷卻元件，所述冷卻元件被布置以冷卻微小 反應(yīng)器的至少一部分，尤其是微小反應(yīng)器壁。
在一個實施例中，微小反應(yīng)器可以包括具有腔開口的反應(yīng)器腔。這樣的反應(yīng)器腔 開口可以布置至感測表面或感測表面可以布置至反應(yīng)器腔開口，或反應(yīng)器腔開口和感測表 面兩者可以彼此布置，這是因為如上所述傳感器或微小反應(yīng)器或傳感器和微小反應(yīng)器兩者 是可運送的。這樣，微小反應(yīng)器還能夠“服務(wù)”多個傳感器，例如兩個或更多的傳感器。例 如，不同的傳感器的感測表面可以依次被處理，或者因為傳感器被分別運送至微小反應(yīng)器， 或者微小反應(yīng)器被分別運送至傳感器，或者各個傳感器和微小反應(yīng)器被彼此運送。
感測表面可以具有感測表面面積或感測表面橫截面面積，反應(yīng)器腔開口可以具有 腔開口面積(或腔開口橫截面面積)。尤其是，反應(yīng)器腔開口面積大致等于或大于感測表 面面積或感測表面橫截面面積。這樣，清潔位置(即在感測表面的上方)可以幾乎與環(huán)境 封閉或屏蔽。典型地，反應(yīng)器腔開口面積同感測表面面積或感測表面橫截面面積的比在約 0. 2-2的范圍內(nèi)。
微小反應(yīng)器的內(nèi)表面且尤其是反應(yīng)器腔的內(nèi)表面可以包括基本上不會與氫或氫 基或氫和氫基兩者反應(yīng)的材料，尤其是在處理條件下。在一個實施例中，反應(yīng)器壁的內(nèi)表 面，尤其是反應(yīng)器腔的內(nèi)表面可以包括小于0. 02的氫基表面再結(jié)合系數(shù)的材料。在一個實 施例中，反應(yīng)器的外部部件，尤其是反應(yīng)器腔的外部部件，可以被布置以被引導(dǎo)至感測表面 的一部分和/或其周圍，并可以包括氫基表面再結(jié)合系數(shù)大于約0. 02,尤其是約大于0. 1的 材料。
根據(jù)一個方面，本發(fā)明的實施例提供了一種用于處理光刻設(shè)備的內(nèi)部傳感器的感 測表面的方法，其中所述傳感器具有感測表面，所述方法包括提供包含氫基的局部微小環(huán) 境至感測表面和用氫基處理感測表面。
根據(jù)一個實施例，提供了一種用于處理光刻設(shè)備的內(nèi)部傳感器的感測表面的方 法，其中傳感器具有感測表面。所述方法包括提供包括氫基的局部微小環(huán)境和用氫基處理 感測表面。
本發(fā)明的一個實施例允許將局部微小環(huán)境僅大致提供至感測表面。在一個實施例 中，所述方法包括至少部分地清潔感測表面除去含碳沉積物(也表示為碳質(zhì)沉積物)，諸如 碳沉積物和/或碳?xì)浠衔锍练e物。因此，在一個實施例中，微小反應(yīng)器可布置以產(chǎn)生大致 僅到傳感器的感測表面的局部微小環(huán)境。
在一個實施例中，可以通過沿著熱絲引導(dǎo)包含氫的氣體來提供氫基。在微小反應(yīng) 器中，尤其是在反應(yīng)器腔中，H2的分壓可以是在約0. I-IOOPa的范圍內(nèi)，氫基分壓可以在約 10_5至101 的范圍內(nèi)。在一個實施例中，包含氫的氣體包括從由H2, HD，D2, HT，DT，和T2構(gòu) 成的組中選擇的一種或更多種氣體。
所述方法還可以包括對處理結(jié)果的評估，例如通過評估從感測表面放出的氣體。 例如，質(zhì)譜儀可以探測反應(yīng)產(chǎn)物，例如碳?xì)浠衔铩．?dāng)達到碳?xì)浠衔锏念A(yù)定下限時，可以 終止處理。因此，光刻設(shè)備還可以包括處理傳感器，所述處理傳感器被布置以評估處理結(jié) 果。所述方法還可以包括評估處理的感測表面。依賴于所述評估，所述處理可以是連續(xù)進 行的，例如直至獲得某一預(yù)定的結(jié)果，例如撞擊到感測表面上的光的這種預(yù)定的吸收、反射 或折射值，或可以終止所述處理，和例如光刻處理(即器件的制造)可以是連續(xù)進行的。
在一個實施例中，光刻設(shè)備還包括微小反應(yīng)器(諸如上文所述)，其中微小反應(yīng)器 包括用于包含氫的氣體的入口、氫基產(chǎn)生器和用于包含氫基的氣體的出口，其中微小反應(yīng) 器被布置以產(chǎn)生(在用于處理傳感器的感測表面的方法中使用微小反應(yīng)器期間)至感測表 面的用于處理感測表面的包含氫基的局部微小環(huán)境，所述用于處理傳感器的感測表面的方 法包括以下步驟將所述感測表面布置至所述微小反應(yīng)器，或?qū)⑺鑫⑿》磻?yīng)器布置至所 述感測表面，或?qū)⑺龈袦y表面和所述微小反應(yīng)器彼此地布置；和產(chǎn)生包括至感測表面的 氫基的所述局部微小環(huán)境；和用所述氫基處理所述感測表面。
所述用于處理感測表面的方法可以在用光刻設(shè)備制造器件之前或之后應(yīng)用。然 而，一個實施例還在另外的方面中提供了一種使用光刻設(shè)備的器件制造方法，其中所述光 刻設(shè)備包括包含感測表面的傳感器，其中在制造器件的同時，在器件制造方法期間在傳感 器不關(guān)鍵的制造階段的過程中，所述用于處理傳感器的感測表面的方法被采用，其中所述 方法包括將包括氫基的局部微小環(huán)境提供至感測表面；和用氫基處理感測表面。
根據(jù)一個實施例，提供了一種使用光刻設(shè)備的器件制造方法。所述光刻設(shè)備包括 包含感測表面的傳感器。所述方法包括圖案化輻射束，將輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分 上，提供包含氫基的局部微小環(huán)境，和用氫基處理感測表面。
在一個實施例中，光刻設(shè)備包括被構(gòu)造以產(chǎn)生EUV輻射的輻射源，其中輻射源是 Sn等離子體源。在此處，術(shù)語“被構(gòu)造以產(chǎn)生EUV輻射”尤其是指被設(shè)計產(chǎn)生EUV輻射和被 設(shè)計用在EUV光刻術(shù)中的源。在特定的變形中，輻射源分別包括激光產(chǎn)生等離子體源(LPP) 或放電產(chǎn)生等離子體源(Sn等離子體源)。
在一個實施例中，光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)，被配置以調(diào)節(jié)輻射束；支撐件，被構(gòu) 造以支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠在輻射束的橫截面中將圖案賦予輻射束以 形成圖案化的輻射束；襯底臺，被構(gòu)造以保持襯底；和投影系統(tǒng)，被配置以將圖案化的輻射 束投影到襯底的目標(biāo)部分上。在一個實施例中，光刻設(shè)備是EUV光刻設(shè)備。光刻設(shè)備包括 輻射源，被構(gòu)造以產(chǎn)生輻射束，所述輻射束在一個實施例中可以是EUV輻射束，輻射源被構(gòu) 造以產(chǎn)生EUV輻射。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實施例，其中，在附 圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，且其中
圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設(shè)備；
圖2示意性地示出了根據(jù)圖1的實施例的光刻投影設(shè)備的EUV照射系統(tǒng)和投影光 學(xué)裝置的側(cè)視圖；和
圖3a_;3e示意性地示出了作為圖1的光刻設(shè)備的一部分的微小反應(yīng)器的實施例以 及其變形。
具體實施方式
圖1示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設(shè)備1。所述設(shè)備1包括用 于產(chǎn)生輻射的源SO ；照射系統(tǒng)(照射器)IL，配置用于調(diào)節(jié)來自接收自源SO的輻射的輻射 束B(例如，紫外(UV)輻射或極紫外(EUV)輻射)。源SO可以被設(shè)置成獨立的單元。支撐件(例如掩模臺)MT，被配置用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與配置用于根據(jù)確定 的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連。襯底臺(例如晶片臺)WT，被 配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定 位襯底W的第二定位裝置PW相連。投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，配置用于將 由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根 管芯)上。
所述照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁 型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。
所述支撐件支撐圖案形成裝置，例如承載圖案形成裝置的重量。支撐件以依賴于 圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其 它條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐件可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持 技術(shù)來保持圖案形成裝置。支撐件可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可 移動的。支撐件可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。在這 里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。
這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖 案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器 件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。
圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編 程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如 二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩 模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地 傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡 矩陣反射的輻射束。
這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折 射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使 用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這 里使用的術(shù)語“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
如這里所示的，所述設(shè)備是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述設(shè)備 可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模 臺)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺 上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。
光刻設(shè)備還可以是至少一部分襯底可以被相對高折射率的液體(例如水)覆蓋、 以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的類型。浸沒液體還可以被施加至光刻設(shè)備中的其它 空間，例如在掩模和投影系統(tǒng)之間。浸沒技術(shù)用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域中是 公知的。如在此處所使用的術(shù)語“浸沒”并不意味著諸如襯底的結(jié)構(gòu)必須浸沒在液體中，而 是僅僅意味著在曝光期間液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。
參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可 以是分立的實體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源考慮成形成 光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)的幫 助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻 設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果 使用時設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)一起稱作輻射系統(tǒng)。
所述照射器IL可以包括配置用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整裝置。通 常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一 般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件， 例如積分器和聚光器?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需 的均勻性和強度分布。
所述輻射束B入射到保持在支撐件(例如，掩模臺MT)上的所述圖案形成裝置(例 如，掩模MA)上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)穿過掩模MA之后，所述輻射 束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第 二定位裝置PW和位置傳感器IF2(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助， 可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑 中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM 和另一個位置傳感器IFl (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)用于相對于所述 輻射束B的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的 長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)掩模臺MT的移動。類似地， 可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底 臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，所述掩模臺MT可以僅與短行程致動器 相連，或可以是固定的。可以使用掩模對準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記Pl、P2來對準(zhǔn)掩模 MA和襯底W。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分 之間的空間(這些公知為劃線對齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在掩模MA 上的情況下，所述掩模對準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間。
可以將所述設(shè)備用于以下模式中的至少一種中
a.在步進模式中，在將掩模臺MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所 述輻射束的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底 臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。在步進模式中，曝光場的 最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。
b.在掃描模式中，在對掩模臺MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述 輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT的 速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描 模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)， 而所述掃描運動的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。
c.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺MT保持為基本靜 止，并且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo) 部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模 式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的 無掩模光刻術(shù)中。
也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。
在上下文允許的情況下，所述術(shù)語“透鏡”可以表示各種類型的光學(xué)部件中的任何 一種或它們的組合，包括折射式、反射式、磁性式、電磁式和靜電式光學(xué)部件。
此處使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例 如具有365，M8，193，157或U6nm的波長λ的輻射)和極紫外(EUV或軟X射線)輻射 (例如具有在5-20nm范圍內(nèi)的波長，例如約13.5nm)以及粒子束(諸如離子束或電子束)。 通常，具有在約780-3000nm(或更大)的波長的輻射認(rèn)為是頂輻射。UV是指約100-400nm 的波長的輻射。在光刻術(shù)中，它還典型地應(yīng)用可以由汞放電燈產(chǎn)生的波長G線436nm、H線 405nm和/或I線365nm。VUV是真空UV (即被空氣吸收的UV)且表示約100_200nm的波 長。DUV是深UV，且典型地用在由準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生的例如126nm-248nm的波長的光刻術(shù) 中。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解具有在例如5-20nm范圍內(nèi)的波長的輻射涉及具有至少一部分在 5-20nm的范圍內(nèi)的特定波長帶的輻射。
圖2更詳細(xì)地示出了投影設(shè)備1，包括輻射系統(tǒng)42、照射光學(xué)裝置單元44和投影 系統(tǒng)PS。輻射系統(tǒng)42包括輻射源S0，所述輻射源SO可以由放電等離子體形成。EUV輻射 可以由氣體或蒸汽產(chǎn)生，例如)(e氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽，在這些氣體或蒸汽中產(chǎn)生了非常 熱的等離子體，以發(fā)射在電磁光譜的EUV范圍內(nèi)的輻射。非常熱的等離子體由通過例如放 電導(dǎo)致至少部分電離的等離子體來產(chǎn)生。對于有效地產(chǎn)生輻射來說，可能需要例如分壓為 IOPa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它適合的氣體或蒸汽。在一種實施例中，將Sn源用作為 EUV源。由輻射源SO發(fā)射的輻射從源腔47經(jīng)由可選的氣體阻擋件或污染物阱49 (也被表 示為污染物阻擋件或翼片阱)傳遞至收集器腔48中，該氣體阻擋件或污染物阱49被定位 在源腔47的開口中或其后面。污染物阱49可以包括通道結(jié)構(gòu)。污染物阱49還可以包括 氣體阻擋件或者氣體阻擋件和通道結(jié)構(gòu)的組合。進一步地在此處顯示的污染物阱或污染物 阻擋件49至少包括如在本領(lǐng)域中已知的通道結(jié)構(gòu)。
收集器腔48包括輻射收集器50 (在此處也被稱為收集器反射鏡)，其可以由掠入 射收集器形成。輻射收集器50具有上游輻射收集器側(cè)50a和下游輻射收集器側(cè)50b。通過 收集器50的輻射可以被反射離開光柵光譜濾光片51，以被聚焦在收集器腔48中的孔闌處 的虛源點52上。來自收集器腔48的輻射束56在照射光學(xué)裝置單元44中經(jīng)由正入射反射 器5354被反射到定位在掩模板臺或掩模臺MT上的掩模板或掩模上。形成了圖案化的束 57，其在投影系統(tǒng)PS中經(jīng)由反射式元件58、59被成像到晶片臺或襯底臺WT上。通常，比所 示出的元件更多的元件可以大致出現(xiàn)在照射光學(xué)裝置單元44和投影系統(tǒng)PS中。光柵光譜 濾光片51可以依賴于光刻設(shè)備的類型，可選擇地出現(xiàn)。此外，可以出現(xiàn)比圖中顯示的更多 的反射鏡，例如可以設(shè)置比反射式元件58、59多1-4個的反射式元件。輻射收集器50在現(xiàn) 有技術(shù)中是已知的。
替代作為收集器反射鏡50的掠入射反射鏡，可以使用正入射收集器。在一種實施 例中，如此處描述的收集器反射鏡50具體地可以是具有反射器142、143和146的巢狀收集 器，且如在除圖2之外的其它圖中示意性地示出的在此處進一步用作為收集器(或收集器反射鏡)的例子。因此，在可應(yīng)用的情況下，作為掠入射收集器的收集器反射鏡50還可以 通常被解釋為收集器，而在一個實施例中也可以被解釋成正入射收集器。
此外，除了光柵光譜濾光片51之外，如圖2中示意性地顯示的，可以應(yīng)用透射式濾 光片，或在一個實施例中根本不使用濾光片。對于EUV是透射的和對于UV輻射是較不透射 的或甚至基本上吸收UV輻射的濾光片在現(xiàn)有技術(shù)中是已知的。因此，“光柵光譜純度濾光 片”在此處被還表示為“光譜純度濾光片”，其包括光柵或透射式濾光片。未在圖2中示出 的但被包含作為可選的光學(xué)元件的可以是EUV透射式濾光片(例如布置在收集器反射鏡50 的上游)或在照射單元44和/或投影系統(tǒng)PS中的光學(xué)EUV透射式濾光片。
在一種實施例(也參見上文)中，輻射收集器50可以是掠入射收集器。收集器50 被沿著光軸0對準(zhǔn)。源SO或其所成的像可以位于光軸0上。輻射收集器50可以包含反射 器142、143、146(也被稱為包括多個沃爾特(Wolter)型反射器的Wolter型反射器)。有 時，它們也被稱為殼。這些反射器(或殼)142、143、146可以是巢狀的且是關(guān)于光軸0可旋 轉(zhuǎn)對稱的。在圖2中(以及在其它圖中)，內(nèi)部反射器由參考標(biāo)記142表示，中間反射器由 參考標(biāo)記143表示，而外部反射器由參考標(biāo)記146表示。輻射收集器50包圍特定體積，即 在外部反射器146內(nèi)的體積。典型地，雖然可設(shè)置小的開口，但是在外部反射器146內(nèi)的這 一體積被圓周地封閉。所有的反射器142、143和146包含至少部分地包含反射層或多個反 射層的表面。因此，反射器142、143和146(可以設(shè)置更多的反射器和具有多于3個的反射 器或殼的輻射收集器(也被稱為收集器反射器)50的實施例被包含在本文中)，被至少部分 地設(shè)計用于反射和收集來自源SO的EUV輻射，至少一部分反射器可以不必設(shè)計用于反射和 收集EUV輻射。例如，反射器的后側(cè)的至少一部分可以不必設(shè)計用于反射和收集EUV輻射。 后者的部分也可以稱為后側(cè)。在這些反射層的表面上，另外可以具有用于保護的覆蓋層或 設(shè)置在反射層的表面的至少一部分上的用作濾光片的覆蓋層。
輻射收集器50典型地設(shè)置在源SO的附近或源SO的像中。每一反射器142、143、 146可以包括至少兩個相鄰的反射表面，離源SO更遠(yuǎn)的反射表面以比更靠近源SO的反射表 面與光軸0所成的角度更小的角度設(shè)置。這樣，掠入射收集器50被配置成產(chǎn)生沿光軸0傳 播的(E)UV輻射束。至少兩個反射器可以大致共軸地設(shè)置和延伸且圍繞光軸0是基本上旋 轉(zhuǎn)對稱的。應(yīng)當(dāng)理解，輻射收集器50可以具有在外反射器146的外表面上的另外的特征或 圍繞外反射器146的另外的特征，例如保護性保持器、加熱器等。附圖標(biāo)號180表示兩個反 射器之間的空間，例如在反射器142和143之間的空間。
參考圖1和2，光刻設(shè)備1中的傳感器(即內(nèi)部傳感器)可以位于光刻設(shè)備1中 的任何位置，諸如在輻射系統(tǒng)42、照射單元44和/或投影系統(tǒng)PS等中。本領(lǐng)域技術(shù)人員 可知，繪出所有可能的傳感器和傳感器位置將是多余的，而通過舉例的方式，在圖1中示出 了兩個位置傳感器IFl和IF2。這樣的傳感器可以用于掩模MA或晶片W的對準(zhǔn)。如上所 述，傳感器可以例如是晶片臺傳感器、掩模臺傳感器、檢測器傳感器、收集器傳感器、照射器 傳感器、位置傳感器(諸如位置傳感器IFl和IF2)、能量傳感器等。所述傳感器可以被布置 以測量對準(zhǔn)、照射、位置等。在一種實施例中，傳感器的感測表面包括釕。
圖3a和圖北更詳細(xì)地示意性地示出了具有感測表面202的傳感器201的側(cè)視圖。 圖3c和3d示意性地示出了立體圖，在此處微小反應(yīng)器(參見下文)在階段1(圖3c)期間 未被布置在感測表面202的上方且在階段II (圖3d)期間被布置在感測表面202的上方。在階段II中，可以應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明處理感測表面202的方法。圖!Be示意性地示出了與圖 3a中示出的實施例相關(guān)的可替代實施例，其中微小反應(yīng)器具有延伸的邊緣(參見下文)。
現(xiàn)在將具體參考圖3a_;3e進一步描述本發(fā)明的實施例。
感測表面202可以是基本上平坦的，但是還可以是凹的或凸的(也參見圖北)。傳 感器201布置在光刻設(shè)備1中的位置上，即它是內(nèi)部傳感器。為了說明在這種情形中的傳感 器201，用于傳感器的支撐件(諸如壁、掩模臺、晶片臺、反射鏡等)用標(biāo)記200表示。感測 表面202可以經(jīng)受碳質(zhì)沉積物(也被稱為含碳的沉積物，用標(biāo)記291表示)，諸如碳沉積或 碳?xì)浠衔锍练e物。由于在光刻設(shè)備1中或用于光刻處理的泵、潤滑劑、抗蝕劑等的使用， 可以形成這樣的含碳沉積物四1。沉積物291還可以表示成碎片。含碳沉積物291看上去 是可被氫基(用H*表示)至少部分移除的，其可能導(dǎo)致?lián)]發(fā)性碳?xì)浠衔锏男纬?諸如甲 烷)。這可以通過一個或更多的泵(未示出)抽出，所述泵可以被布置以在光刻設(shè)備1中 (在光刻處理期間)保持低于大氣壓的壓力。
使用氫基的潛在缺點可能是它們還與光刻設(shè)備1中存在的其它材料反應(yīng)。光刻設(shè) 備1可以包括錫(Sn，例如焊料中的錫)或鋅(Zn，例如作為不銹鋼中的微量元素)以及還 有Sn (例如由于Sn源造成的Sn沉積物)。當(dāng)氫基被釋放時，它們還與其它金屬或金屬氧化 物反應(yīng)，從而可能形成金屬氫化物(諸如SiH2或SnH4等)，其可以再次沉積在光學(xué)元件上。 這樣的過程可以被稱為“氫引起的脫氣(hydrogen induced outgassing) ”。這是不被期望 的。因此，期望從感測表面202移除包含碳的沉積物四1，同時不使光刻設(shè)備中存在的其它 表面(尤其是包含Si或Sn的表面)受氫基影響。本發(fā)明的另一潛在優(yōu)點是因為并不是光 刻設(shè)備1的所有的部件都適應(yīng)于原子H，且因為對于本發(fā)明來說所述根可能不能基本上從 微小環(huán)境移出，所以現(xiàn)在材料的適應(yīng)性可能是較不重要的問題或不再是一個問題。
因此，本發(fā)明提供了光刻設(shè)備1的一個實施例，所述光刻設(shè)備1包括這樣的內(nèi)部傳 感器201且另外地包括微小反應(yīng)器210，其中傳感器201或微小反應(yīng)器210、或者傳感器201 和微小反應(yīng)器210是可運輸?shù)?。微小反?yīng)器210可以包括用于包含氫的氣體226的進口 220、氫基產(chǎn)生器260和用于包含氫基的氣體266的出口 230。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，術(shù) 語“進口”和“出口”還可以分別表示多個進口和多個出口。微小反應(yīng)器210具體地被布置 以在根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于處理傳感器201的感測表面202的方法中使用微小反應(yīng)器 210期間，產(chǎn)生包括氫基的局部微小環(huán)境255至感測表面202，用于處理感測表面202。在 一個實施例中，微小反應(yīng)器210可以被布置以對傳感器201的感測表面202進行凈化。有 利地，揮發(fā)性氫化物被以這種方式從微小環(huán)境255中移出且被排放，從而基本上防止了揮 發(fā)性氫化物在感測表面202上的沉積。包含氫基的氣體266的氣流可以是脈沖式的或連續(xù) 的。
這樣，感測表面202，尤其是基本上僅感測表面202可以被用氫基處理，且基本 上不使光刻設(shè)備1中的其它部件或物品受氫基影響，這是因為微小反應(yīng)器210和傳感器 201(更具體是感測表面20 被布置成一個在另一個的上方(或者反之亦然)。因此，在此 處使用了術(shù)語“微小環(huán)境”。
可以將本領(lǐng)域中已知的裝置和方法用于將傳感器201從用于感測的位置運送至 用于處理的位置，反之亦然，其中微小反應(yīng)器210被運送至傳感器201，或上述兩者可以被 彼此地運送。這樣的裝置可以包括運送器，該運送器包括軌道、可移動臂、縮疊臂、晶片臺、掩模臺等。通過舉例的方式，在圖3a中，示意性地示出了運送器215，其在這一實施例中允 許運送微小反應(yīng)器210。運送器215可以例如是縮疊臂。在示意性示出的實施例中，運送 器被連接至光刻設(shè)備壁1001。在此處，示出運送器215被布置以運送微小反應(yīng)器210。然 而，運送器215還可以被用于運送傳感器201，或可以采用用于運送微小反應(yīng)器210的運送 器215和用于運送傳感器201的第二運送器215。
在圖北中，示意性地示出的運送器215包括輪子，允許傳感器201或?qū)嶋H上其上 設(shè)置有傳感器201的支撐件200被運送。在此處，運送器215可以例如在光刻設(shè)備底部1002 上進行運送。
微小反應(yīng)器210包括氫基產(chǎn)生器沈0，即在微小反應(yīng)器210內(nèi)來自包含氫的氣體 226的氫分子總量的至少一部分被轉(zhuǎn)換成氫基，即包含氫基的氣體沈6。氫基產(chǎn)生器260可 以包括由從一個或更多的振蕩場電極、磁控管RF產(chǎn)生器和一個或更多的熱(即可加熱的) 絲構(gòu)成的組中選擇的一個或更多的氫基產(chǎn)生器260。在一種特定的實施例中，氫基產(chǎn)生器 260包括被布置以被加熱的絲，用于將分子態(tài)氫轉(zhuǎn)換成氫基。
圖3a_;3b示意性示出了這樣的實施例，其中，所述絲用標(biāo)記265表示。在一個實施 例中，絲沈5可以是例如W(鎢)或Ta(鉭)線或線圈(或本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的另外材料)， 依賴于材料的種類和期望的溫度和需要的溫度，其可以被加熱至例如約1500-3000° K或 甚至更高，用于在包含壓的氣體100中使全部H2分子的至少一部分的H2的化學(xué)鍵解離。
在一個實施例中，可以通過沿著熱絲引導(dǎo)包含氫的氣體2 來提供氫基，從而制 造了包含氫基的氣體266。在一個實施例中，包含氫的氣體2 包括從由H2、HD, D2, HT, DT 和T2構(gòu)成的組中選擇的一種或更多的氣體。在此處，術(shù)語“包含氫的氣體”是指包含氫分子 的氣體(即吐及其類似物)。術(shù)語“包含氫基的氣體”是指包括氫基的氣體(即H及其類似 物)。氫原子或氫基的類似物包括D (氘)和T (氚)，壓的類似物包括D2, T2, HD, TD,和HT。 為了簡便起見，H2(包括其類似物)和H(包括其類似物)被另外地分別表示成吐和H。因 此，H2可以表示從由H2, D2, T2, HD, TD和HT構(gòu)成的組中選擇的一種或更多種，H可以表示從 由H，D和T構(gòu)成的組中選擇的一種或更多種。在此處，術(shù)語“包含氫的氣體”尤其涉及包括 這樣的分子的氣體或由這樣的分子構(gòu)成的氣體，例如在包含壓的吐稀釋的氣體的情形中， 諸如H2和一種或更多的惰性氣體(諸如He)的混合物。在此處，術(shù)語“包含氫基的氣體”尤 其涉及包括這樣的根的氣體，其氣體進一步地通常包括吐和一種或更多種惰性氣體(諸如 He)。
這一包含氫基的氣體沈6的至少一部分經(jīng)由出口 230從微小反應(yīng)器210流出。氫 基與感測表面202上的沉積物291形成接觸，沉積物(尤其是包含碳的沉積物)可以被移 除。用標(biāo)記四0(參見圖3b)表示的廢氣可以通過排氣裝置(未示出)排出，該排氣裝置與 微小反應(yīng)器210是一體的或被布置在其它地方。
本發(fā)明的實施例可以規(guī)定局部的微小環(huán)境255基本上僅被提供至感測表面202。 在一種實施例中，所述方法包括至少部分地清潔感測表面202以除去含碳沉積物(諸如 碳沉積物和/或碳?xì)浠衔锏某练e物)。這可能允許材料的選擇自由度更大，尤其是非傳感 器材料，這是因為這些材料基本上不受氫基(即包含根的氣體)影響。局部的微小環(huán)境255 在感測表面202上方的體積中形成，且不遠(yuǎn)離感測表面202。因此，用標(biāo)記250表示的傳感 器201的環(huán)境可能基本上不包含或接收氫基。注意到，氫基可能相對快速地(再)聚集；因此，可以產(chǎn)生包含氫基的局部微小環(huán)境255，而用標(biāo)記250表示的(另外的)環(huán)境基本上不 包含或接收氫基。這樣，環(huán)境250可能不遭受氫引起的脫氣和/或材料劣化。
這例如是在圖!3b-3d中示出的。當(dāng)進行處理時，氫基(即包含氫基的氣體沈6)可 以基本上不遷移至離反應(yīng)器210很遠(yuǎn)的位置。用標(biāo)記L2表示氫基可以從微小反應(yīng)器210 移動離開的距離，且所述距離可以例如在小于約5cm(諸如0-5cm或在0-2cm或甚至O-Icm) 的范圍內(nèi)。在微小環(huán)境255外面的氫引起的脫氣將因此被極大地限制。這并不意味著氫氣 不會擴散至更遠(yuǎn)的地方，而是這樣的氣體基本上不再包含氫基。
氫基的遷移可以尤其通過采用微小反應(yīng)器210的外部部件來防止，尤其是采用反 應(yīng)器腔的外部部件，其可以被布置成引導(dǎo)至感測表面202的一部分和/或其周圍(即環(huán)境 250)，可以包括具有約大于0. 02或約大于0. 1的氫基表面再結(jié)合系數(shù)的材料(也參見下 文)。因此，通過采用這樣的部件，可以促進氫基的再結(jié)合，因此可以減小氫基(進一步地) 到光刻設(shè)備1中的運送，且可以局部地維持(至感測表面202的)局部微小環(huán)境。
可以通過源225提供包含氫的氣體，其可以在光刻設(shè)備1中或在光刻設(shè)備1的外 部。另外，假定絲265可以被加熱，則可以提供電壓源沈4，其也可以位于光刻設(shè)備1中或在 光刻設(shè)備1的外部。
在一種實施例中，微小反應(yīng)器210可以包括具有腔開口 240的反應(yīng)器腔Ml。這 一腔開口 240可以至少部分地與出口 230重合。然而，氫基產(chǎn)生器260還可以被布置在被 包含在微小反應(yīng)器210中的獨立的腔。例如，微小反應(yīng)器210可以由一個或更多的腔構(gòu)成， 例如兩個腔。在示意圖中，僅示出了一個腔。然而，微小反應(yīng)器210可以例如包括具有出口 230的氫基產(chǎn)生腔，所述氫基產(chǎn)生腔被布置以產(chǎn)生氫基，且在其下游處布置了一個腔以經(jīng)由 出口 230接收在氫基產(chǎn)生腔中產(chǎn)生的氫基的總量的至少一部分且所述腔被布置以產(chǎn)生至 感測表面202的微小環(huán)境255。未示出這樣的實施例。因此，在一種實施例中，在處理方法 中使用微小反應(yīng)器210期間，出口 230被布置以提供包含氫基的氣體266至傳感器201的感 測表面202，尤其是如示意圖中顯示地當(dāng)出口 230大致與反應(yīng)器腔開口 240重合時。然而， 出口 230另外可以在一個實施例中被布置以在所述處理方法中使用微小反應(yīng)器210期間將 包含氫基的氣體266提供至在出口的下游的獨立的反應(yīng)器腔Ml。之后，包含氫基的氣體 266可以經(jīng)由反應(yīng)器腔開口 240從反應(yīng)器腔Ml被提供至傳感器201的感測表面202 (未示 出這一實施例)。
在圖3a和北中示意性地示出的實施例中，微小反應(yīng)器210包括反應(yīng)器腔M1，其 中反應(yīng)器腔Ml還包括氫基產(chǎn)生器260，其中出口 230基本上與反應(yīng)器腔開口 240重合。反 應(yīng)器210和在這一實施例中反應(yīng)器腔241另外具有壁212，所述壁212設(shè)置有內(nèi)部表面211。
在此處，反應(yīng)器腔241尤其被布置成使得當(dāng)反應(yīng)器201和微小反應(yīng)器210被布置 用于處理時，反應(yīng)腔Ml的反應(yīng)器腔開口 240被引導(dǎo)至感測表面202。這樣的反應(yīng)器腔開 口 240可以被布置以被移動至在感測表面202的附近的位置，或者感測表面202可以被布 置以被移動至反應(yīng)器腔開口 240的附近，或反應(yīng)器腔開口 240和感測表面202可以被布置 以移動至它們在彼此附近的各自位置。
當(dāng)反應(yīng)器腔開口 240和感測表面202被適當(dāng)?shù)卦O(shè)置在彼此附近的位置上時，可以 獲得了一種配置，其中可以應(yīng)用處理感測表面202的方法，尤其是在由反應(yīng)器腔241和感測 表面202基本上封閉的體積內(nèi)。在圖3a和北中示意性地示出了這一配置；在圖3c中，傳感器201和微小反應(yīng)器210被偏置(諸如例如可以是在執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的用于處理感測表 面202的方法之前或之后的情形)，其用階段I表示，且被使得到達階段II (圖3d)中的彼 此附近的位置(通過移動微小反應(yīng)器210、通過移動傳感器201或通過移動上述兩者)，其 還可以被表示成處理階段(即感測表面202被根據(jù)本發(fā)明的方法進行處理的階段)?；?上由反應(yīng)器腔241和感測表面202封閉的體積用標(biāo)記242表示。
感測表面202可以具有感測表面面積或感測表面橫截面面積，其用標(biāo)記205表示 (參見圖3c和3d)。當(dāng)感測表面202基本上是平坦的時，如圖3a所示，采用感測表面面積； 當(dāng)傳感器例如是凸的時，如圖北所示，或是凹的時，采用感測表面橫截面面積。這些都用標(biāo) 記205表示。所述面積通常將在約Imm2至IOOcm2的范圍內(nèi)。注意到，術(shù)語“傳感器”201還 可以包括多個傳感器201，諸如傳感器陣列。另外，反應(yīng)器腔開口 240可以具有腔開口面積。 這一腔開口面積用標(biāo)記245表示(圖3c和3d)。當(dāng)反應(yīng)器腔開口面積245小于感測表面面 積或感測表面橫截面面積205時，可以通過“掃描”感測表面202來清潔感測表面202，即將 反應(yīng)器腔開口 240布置在感測表面202上方的不同位置處。再次，這可以通過運送傳感器 201、或微小反應(yīng)器210或通過移動傳感器201和微小反應(yīng)器210來執(zhí)行。
注意到此處的術(shù)語“在上方”并不意味著微小反應(yīng)器210位于感測表面202的上 方，而是感測表面202和微小反應(yīng)器210、或反應(yīng)器腔開口 240彼此靠近，且包含氫基的氣 體260可以到達感測表面202，例如在小于約2cm(諸如0. 2_2cm)的距離處，或在小于約 Icm(諸如0.2-lcm)的距離處。這些距離采用反應(yīng)器腔開口 240和感測表面之間的最短距 離以及微小反應(yīng)器210和感測表面202之間的最短距離，它們分別用標(biāo)記L3和L4表示，且 在圖3a_3e中是基本上一致的。
在圖3a、;3b和!Be中，微小反應(yīng)器210位于頂部，但是這些側(cè)視圖可以在0-360°的 范圍內(nèi)進行任何旋轉(zhuǎn)(在附圖的平面中)，且仍然代表了根據(jù)本發(fā)明的可行的布置。
反應(yīng)器腔開口面積245可以基本上等于或大于感測表面面積或感測表面橫截面 面積205。在這樣的實施例中，可以是反應(yīng)器腔241可以甚至部分地包圍感測表面202。尤 其在腔開口面積245具有上述的尺寸或小于感測表面面積或感測表面橫截面面積205時， 可以基本上僅對于感測表面202產(chǎn)生微小環(huán)境255。在一種實施例中，微小反應(yīng)器210可 以布置以產(chǎn)生基本上僅至感測表面202的局部微小環(huán)境255。因此，反應(yīng)器腔開口面積M5 同感測表面面積或感測表面橫截面面積205的比尤其在約0. 2-2或約0. 5-2的范圍內(nèi)，或 在約0.5-1. 5的范圍內(nèi)，或在約0.5-1. 2的范圍內(nèi)。反應(yīng)器腔開口面積M5同感測表面面 積或感測表面橫截面面積205的比可以在約1-2或約1. 05-2的范圍內(nèi)、或在約1. 1-1. 5的 范圍內(nèi)或在約1. 1-1.2的范圍內(nèi)。
當(dāng)感測表面面積或感測表面橫截面面積205小于反應(yīng)器腔開口面積245時或當(dāng)傳 感器201 (即傳感器橫截面)小于反應(yīng)器腔開口面積245時，腔開口 240可以至少部分地在 感測表面202或傳感器201上方滑動。在圖北中，這將意味著微小反應(yīng)器210沿支撐件 200的方向(進一步)移動，直至恰好基本上包圍感測表面202為止。
光刻設(shè)備1可以在一個實施例中進一步包括用標(biāo)記270表示的冷卻元件，所述冷 卻元件被布置以冷卻微小反應(yīng)器210的至少一部分。這樣，可以冷卻反應(yīng)器壁212的內(nèi)表 面211，尤其是反應(yīng)器腔241的反應(yīng)器壁的內(nèi)表面。這可能有利于保護該壁。還可能有利于 在根據(jù)本發(fā)明的處理期間從感測表面202排出的碳?xì)浠衔锏某练e物。這還可以允許實現(xiàn)清潔動作對光刻設(shè)備1和/或其元件的熱穩(wěn)定性的作用被限制，即可能限制對微小反應(yīng)器 210的環(huán)境250的處理的效果。
在一特定的實施例中，反應(yīng)器壁212的內(nèi)表面211，尤其是反應(yīng)器腔Ml的反應(yīng) 器壁212的內(nèi)表面211，可以包括基本上不會與氫或氫基或氫和氫基兩者反應(yīng)的材料，尤 其在處理條件下。例如，這樣的壁212或尤其是表面211可以由鋁或不銹鋼構(gòu)成。在一種 實施例中，反應(yīng)器腔Ml的內(nèi)表面211可以包括具有約小于等于0. 02的氫基表面再結(jié)合 系數(shù)的材料，而在一個變形中包括具有小于等于0.001的氫基表面再結(jié)合系數(shù)的材料。使 用滿足這一標(biāo)準(zhǔn)的這樣的材料或材料的組合，看上去與具有大于0. 02的氫基表面再結(jié)合 系數(shù)的材料相比使得氫基再結(jié)合降低?？梢栽谖墨I尤其是W. V. Smith，丨‘The surface recombination of H atoms and OH radicals " , J. Chem. Phys. 11,110-125(1943)禾口 B. J. Wood, H. Wise, " Kinetics of Hydrogen Atom Recombination on Surfaces ", J. Phys. Chem. 65，1976-1983(1961)中找到有關(guān)再結(jié)合系數(shù)的信息。在一種實施例中，壁 212可以包括不銹鋼或鋁，在一特定實施例中，壁212包括設(shè)置有具有低根表面再結(jié)合系數(shù) 的涂層(諸如石英或Si3N4或在下文描述的或本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的其它材料)的不銹鋼 或鋁(即在一個實施例中是內(nèi)表面211)。在一種實施例中，用標(biāo)記219表示的微小反應(yīng)器 210的外部部件，尤其是反應(yīng)器腔Ml的外部部件，可以被布置以被引導(dǎo)至感測表面202的 一部分和/或其周圍(諸如襯底200)，可以包括具有約大于0. 02或約大于0. 1的氫基表面 再結(jié)合系數(shù)的材料。
在圖3c_3e中示出了一個例子。在圖3c和3d中，壁212的邊緣(用作外部部件 219，即被布置在最下游處的壁212的一部分)被布置以在執(zhí)行處理感測表面202的方法期 間被引導(dǎo)至感測表面202，所述邊緣用標(biāo)記213表示，其包括具有相對高的根表面再結(jié)合系 數(shù)的這樣的材料216 (用作涂層或外表面)，即具有至少約0. 02的表面再結(jié)合系數(shù)。
在圖!Be中，壁212具有延伸邊緣217 (用作外部部件219)，從而產(chǎn)生一種“帽子形 狀”，其中用標(biāo)記218表示的延伸邊緣的下游表面包括具有相對高的根表面再結(jié)合的這樣的 材料216。再次，另外地延伸邊緣下游表面217被布置成在執(zhí)行處理感測表面202的方法期 間被引導(dǎo)至感測表面202。
下述的表1示出了許多材料和它們各自對于氫基的表面再結(jié)合系數(shù)。
表1 對于各種材料的氫表面再結(jié)合系數(shù)Y (在約300-800K的范圍內(nèi))
權(quán)利要求
1. 一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括投影系統(tǒng)，被構(gòu)造且被布置以將輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上； 內(nèi)部傳感器，具有感測表面；和微小反應(yīng)器，其相對于所述傳感器是可移動的，所述微小反應(yīng)器包括 用于包含氫的氣體的入口， 氫基產(chǎn)生器，和 用于包含氫基的氣體的出口，所述微小反應(yīng)器被構(gòu)造且被布置以產(chǎn)生包括氫基的局部微小環(huán)境，以處理所述感測表
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述微小反應(yīng)器是相對于所述傳感器可移動 的，用于在使用所述光刻設(shè)備期間產(chǎn)生僅基本上至所述感測表面的局部微小環(huán)境。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光刻設(shè)備，其中所述微小反應(yīng)器是相對于所述傳感器可 移動的，用于使得所述微小反應(yīng)器處于所述傳感器的附近，以產(chǎn)生所述微小環(huán)境。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的光刻設(shè)備，其中所述傳感器包括從由晶片臺傳感器、掩 模臺傳感器、探測器傳感器、收集器傳感器、收集器框架傳感器、照射器傳感器、照射器框架 傳感器、位置傳感器和能量傳感器構(gòu)成的組中選擇的傳感器。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光刻設(shè)備，其中所述微小反應(yīng)器被布置以對所述 傳感器的感測表面進行凈化。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光刻設(shè)備，其中所述微小反應(yīng)器包括具有腔開口 的反應(yīng)器腔，其中所述感測表面具有感測表面面積或感測表面橫截面面積，其中，所述反應(yīng) 器腔開口具有腔開口面積，其中所述反應(yīng)器腔開口面積同所述感測表面面積或所述感測表 面橫截面面積的比在約0. 2-2的范圍內(nèi)，且其中，所述反應(yīng)器腔開口面積基本上等于或大 于所述感測表面面積或所述感測表面橫截面面積。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光刻設(shè)備，其中所述微小反應(yīng)器包括具有腔開口 的反應(yīng)器腔，其中所述反應(yīng)器腔的內(nèi)表面包括基本上不會與氫和氫基反應(yīng)的材料。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光刻設(shè)備，還包括處理傳感器，所述處理傳感器 被布置以評估所述處理的結(jié)果。
9.一種處理光刻設(shè)備的內(nèi)部傳感器的感測表面的方法，其中所述傳感器具有感測表 面，所述方法包括步驟提供包括氫基的局部微小環(huán)境；和 用所述氫基處理所述感測表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述局部微小環(huán)境基本上僅被提供至所述感測表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，還包括至少部分地清潔所述感測表面除去含碳 沉積物的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求9-11中任一項所述的方法，還包括評估所述處理的感測表面的步馬聚ο
13.根據(jù)權(quán)利要求9-12中任一項所述的方法，還包括評估來自所述感測表面的脫氣的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求9-13中任一項所述的方法，其中所述光刻設(shè)備還包括微小反應(yīng)器， 其中所述微小反應(yīng)器包括用于包含氫的氣體的入口、氫基產(chǎn)生器和用于包含氫基的氣體的 出口，其中所述方法還包括以下步驟將所述感測表面布置至所述微小反應(yīng)器，或?qū)⑺鑫⑿》磻?yīng)器布置至所述感測表面， 或?qū)⑺龈袦y表面和所述微小反應(yīng)器彼此地布置；和 產(chǎn)生包括氫基的所述局部微小環(huán)境；和 用所述氫基處理所述感測表面。
15.一種使用光刻設(shè)備的器件制造方法，所述光刻設(shè)備包括具有感測表面的傳感器，所 述方法包括以下步驟圖案化輻射束；將所述輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上； 提供包括氫基的局部微小環(huán)境；和 用所述氫基處理所述感測表面。
全文摘要
光刻設(shè)備(1)包括被構(gòu)造且被布置以將輻射束(B)投影到襯底(W)的目標(biāo)部分(C)上的投影系統(tǒng)(PS)、具有感測表面(202)的內(nèi)部傳感器(201)和相對于傳感器(201)可移動的微小反應(yīng)器(210)。微小反應(yīng)器包括用于包含氫的氣體(226)的入口(220)、氫基產(chǎn)生器(260)和用于包含氫基的氣體(266)的出口(230)。微小反應(yīng)器(210)被構(gòu)造且被布置以產(chǎn)生包含氫基的局部微小環(huán)境(255)，用于處理感測表面(202)。
文檔編號G03F7/20GK102037408SQ200980113418
公開日2011年4月27日 申請日期2009年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月15日
發(fā)明者B·T·沃爾斯克利基恩, D·H·厄姆, J·H·J·莫爾斯 申請人:Asml荷蘭有限公司, 卡爾蔡司Smt有限責(zé)任公司