有機(jī)發(fā)光顯示裝置、顯示器及減少漏電流的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置、顯示器及減少漏電流的方法。該顯示器包括多個(gè)所述裝置，該裝置包括多個(gè)子像素電路單元，每個(gè)子像素電路單元連接有第一TFT，第一TFT的柵極連接GATE線，第一電極連接子像素電路單元，每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括一個(gè)第二TFT，所述第二TFT的柵極連接GATE線，第二TFT的第一電極與各第一TFT的第二電極連接，第二TFT的第二電極連接電壓V0。本發(fā)明通過在像素電路與電壓V0之間配置TFT，減少了像素電路的漏電流。同時(shí)，本發(fā)明中除第一TFT外，其它級TFT均是由屬于同一像素的各子像素共用，從而大大減少了TFT的數(shù)量，也就減少了TFT所占用的像素面積，可以更好地提升PPI，適應(yīng)高PPI產(chǎn)品的需求，實(shí)現(xiàn)更高分辨率的顯示，提升了顯示器的品質(zhì)。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置、顯示器及減少漏電流的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器領(lǐng)域，具體地說，涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置、顯示器及減少漏電流的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光顯示器件(OLED)是主動(dòng)發(fā)光器件。相比現(xiàn)在的主流平板顯示技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器(TFT -1XD )，OLED具有高對比度、廣視角、低功耗、體積更薄等優(yōu)點(diǎn)，有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一 O
[0003]隨著消費(fèi)者對顯示屏品質(zhì)要求的逐漸提高，PPI (pixels per inch)逐漸升高是未來的顯示器發(fā)展的主要方向，對有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器(AMOLED)而言，PPI的升高就意味著像素面積的減少，而在工藝條件和電路確定的情況下，減少的像素面積非常有限。
[0004]為了減少像素電路的漏電流，需要在像素電路上設(shè)置TFT (薄膜晶體管)?，F(xiàn)有技術(shù)中，有機(jī)發(fā)光顯示器件每個(gè)像素包括多個(gè)子像素，每個(gè)子像素均連接有兩個(gè)TFT (雙柵結(jié)構(gòu))或三個(gè)以上的TFT (多柵結(jié)構(gòu))。如圖1所示是一種雙柵結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示器件。每個(gè)像素11由多個(gè)子像素12、13、14構(gòu)成，其中每個(gè)子像素的第一 TFT Mn、M12、M13的柵極接GATE線(柵極驅(qū)動(dòng)線)，源極接相應(yīng)子像素的像素電路，而漏極分別接第二 TFT M21、M22、M23的源極；第二 TFT M21,M22,M23的柵極接GATE線，源極均連接到電壓V0。這種結(jié)構(gòu)中的TFT會(huì)占用很大像素面積，使得像素面積難以做得更小，影響PPI的提升。如果是多柵結(jié)構(gòu)，而會(huì)存在更多地TFT，對提升PPI的影響更明顯。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置、顯示器及減少漏電流的方法，在實(shí)現(xiàn)減少有機(jī)發(fā)光顯示像素漏電流的同時(shí)，可以盡量減少TFT所占用的像素面積，以更好地提升PPI，適應(yīng)高PPI產(chǎn)品的需求。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括多個(gè)子像素電路單元，每個(gè)子像素電路單元連接有第一薄膜晶體管TFT，第一 TFT的柵極連接GATE線，第一 TFT的第一電極連接子像素電路單元，每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括一個(gè)第二 TFT，所述第二 TFT的柵極連接GATE線，第二 TFT的第一電極與各第一 TFT的第二電極連接，第二TFT的第二電極連接電壓W。
[0007]進(jìn)一步地，在所述第二 TFT的第二電極與所述電壓VO之間還連接有第三TFT，所述第三TFT的柵極連接GATE線，第三TFT的第一電極連接第二 TFT的第二電極，第三TFT的第二電極連接電壓VO。
[0008]進(jìn)一步地，在所述第二 TFT的第二電極與所述電壓VO之間還連接有第三TFT至第N TFT,所述第三TFT至第N TFT的柵極均連接GATE線，所述第三TFT的第一電極連接第二TFT的第二電極，第N TFT的第一電極連接第N-1 TFT的第二電極，最后一級TFT的第二電極接電壓V0，其中，N為大于3的自然數(shù)。
[0009]進(jìn)一步地，所述TFT為P型TFT或N型TFT。
[0010]本發(fā)明還提供一種包含有上述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光顯示器。
[0011]本發(fā)明還提供一種減少有機(jī)發(fā)光顯示裝置漏電流的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括多個(gè)子像素電路單元，該方法包括:
為每個(gè)子像素電路單元配置一個(gè)第一薄膜晶體管TFT，所述第一 TFT的柵極連接GATE線，第一電極連接子像素電路單元；
為每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置配置一個(gè)第二 TFT，所述第二 TFT的柵極連接GATE線，第二TFT的第一電極與各第一 TFT的第二電極連接，第二 TFT的第二電極連接電壓VO。
[0012]進(jìn)一步地，還包括:為每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置配置一個(gè)第三TFT，所述第三TFT連接于所述第二 TFT與電壓VO之間，其中，所述第三TFT的柵極連接GATE線，第三TFT的第一電極連接第二 TFT的第二電極，第三TFT的第二電極連接電壓VO。
[0013]進(jìn)一步地，還包括:為每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置配置第三TFT至第N TFT，所述第三TFT至第N TFT連接于所述第二 TFT與電壓VO之間，所述第三TFT至第N TFT的柵極均連接GATE線，所述第三TFT的第一電極連接第二 TFT的第二電極；第N TFT的第一電極連接第N-1 TFT的第二電極，最后一級TFT的第二電極接電壓V0，其中，N為大于3的自然數(shù)。
[0014]進(jìn)一步地，所述TFT為P型TFT或N型TFT。
[0015]本發(fā)明通過在像素電路單元與電壓VO之間配置TFT，減少了像素電路的漏電流。同時(shí)，本發(fā)明中除第一 TFT外，其它級TFT均是由屬于同一像素裝置的各子像素共用，從而大大減少了 TFT的數(shù)量，也就減少了 TFT所占用的像素面積，可以更好地提升PPI，適應(yīng)高PPI產(chǎn)品的需求，實(shí)現(xiàn)更高分辨率的顯示，提升了顯示器的品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中雙柵結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置局部電路圖。
[0017]圖2是本發(fā)明的一雙柵結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置實(shí)施例的局部電路圖。
[0018]圖3是本發(fā)明的一多柵結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置實(shí)施例的局部電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實(shí)施，但所舉實(shí)施例不作為對本發(fā)明的限定。
[0020]首先說明的是，本發(fā)明中所述第一電極和第二電極，分別是指TFT中除柵極外的另外兩個(gè)極。
[0021]如圖2所示，本發(fā)明的一雙柵結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置實(shí)施例的局部電路圖，在本實(shí)施例中，每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置21包括多個(gè)子像素電路單元22、23、24，本實(shí)施例中有三個(gè)子像素電路單元，分別為R、G、B子像素。每個(gè)子像素電路單元分別連接有第一薄膜晶體管TFT Mn、M12、M13，各第一 TFT M11, M12, M13的柵極連接GATE線，第一電極(本實(shí)施例中為源極)連接子像素電路單元，每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置21還包括一個(gè)第二 TFT M2，第二 TFT M2的柵極連接GATE線，第二 TFT M2的第一電極(本實(shí)施例中為源極)與各第一 TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)連接，第二 TFT M2的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)連接電壓VO。本發(fā)明中，第二 TFT構(gòu)成共用模塊25，也即屬于同一個(gè)顯示裝置的各子像素電路單元共用一個(gè)第二 TFT，從而大大減少了 TFT的數(shù)量，也就減少了對像素面積的占用，進(jìn)而允許像素可以做得更為密集，也即提高了 PPI。且實(shí)驗(yàn)表明，本發(fā)明極大地減少了 TFT的數(shù)量，但是減少漏電流的效果并不會(huì)明顯降低。
[0022]如圖3所示實(shí)施例，每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置31包括多個(gè)子像素電路單元32、33、34，而其在圖2所示實(shí)施例基礎(chǔ)上，又增加了第三TFT，第三TFT連接于第二 TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)與電壓VO之間，第三TFT的柵極連接GATE線，第二 TFT的第一電極(本實(shí)施例中為源極)連接第二 TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)，第二 TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)連接電壓V0。而在其它實(shí)施例中，可以增加更多的TFT。如果共有N級(N為大于3的自然數(shù))用于減少漏電流的TFT，則第一 TFT、第二 TFT的電路結(jié)構(gòu)與圖2所示實(shí)施例基本相同，不同的是第二 TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)接第三TFT的第一電極(本實(shí)施例中為源極)，其后每一級TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)接下一級TFT的源級，即第N TFT Mn的第一電極(本實(shí)施例中為源極)連接第N-1 TFT M1^1的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)，而最后一級TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)接電壓V0。第一TFT至第N TFT的柵極均連接GATE線。在本實(shí)施例中，第二 TFT至第N TFT構(gòu)成了共用模塊35，各子像素電路單元共用同一個(gè)共用模塊35來減少漏電流，在進(jìn)一步減少漏電流的同時(shí)，也減少了 TFT的數(shù)量，提高了 PPI。
[0023]本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器，由多個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置構(gòu)成，而每個(gè)多個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置均采用上述多個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置實(shí)現(xiàn)，使得本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器每個(gè)像素可以占用更小的面積，從而提高顯示器的PPI，實(shí)現(xiàn)更高分辨率的顯示，提升了顯示器的品質(zhì)。
[0024]本發(fā)明的減少有機(jī)發(fā)光顯示裝置漏電流的方法，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括多個(gè)子像素電路單元，該方法包括:
為每個(gè)子像素電路單元配置一個(gè)第一薄膜晶體管TFT，所述第一 TFT的柵極連接GATE線，第一電極(本實(shí)施例中為源極)連接子像素電路單元；
為每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置配置一個(gè)第二 TFT，所述第二 TFT的柵極連接GATE線，第二TFT的第一電極(本實(shí)施例中為源極)與各第一 TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)連接，第二 TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)連接電壓VO。
[0025]該方法還可以包括:為每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置配置一個(gè)第三TFT，所述第三TFT連接于所述第二 TFT與電壓VO之間，其中，所述第三TFT的柵極連接GATE線，第三TFT的第一電極(本實(shí)施例中為源極)連接第二 TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)，第三TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)連接電壓VO。
[0026]該方法還可以進(jìn)一步包括:為每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示像素配置第三TFT至第N TFT，所述第三TFT至第N TFT連接于所述第二 TFT與電壓VO之間，所述第三TFT至第N TFT的柵極均連接GATE線，所述第三TFT的第一電極(本實(shí)施例中為源極)連接第二 TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)；第N TFT的第一電極(本實(shí)施例中為源極)連接第N-1 TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)，最后一級TFT的第二電極(本實(shí)施例中為漏極)接電壓V0，其中，N為大于3的自然數(shù)。
[0027]通過上述方法，為每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置配置一個(gè)第二 TFT，并可同時(shí)配置第三至第N TFT，利用第二 TFT至第N TFT來減少有機(jī)發(fā)光顯示裝置的漏電流。同時(shí)，由于屬于每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的各子像素電路單元共用同一組減少漏電流的TFT，從而使有機(jī)發(fā)光顯示器每個(gè)像素可以占用更小的面積，從而提高顯示器的PPI，實(shí)現(xiàn)更高分辨率的顯示，提升了顯示器的品質(zhì)。
[0028]本發(fā)明中，TFT可以是P型TFT，也可以是N型TFT。
[0029]以上所述實(shí)施例僅是為充分說明本發(fā)明而所舉的較佳的實(shí)施例，TFT類型不限于PTFT或者NTFT，本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于此。本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括多個(gè)子像素電路單元，每個(gè)子像素電路單元連接有第一薄膜晶體管TFT，第一 TFT的柵極連接GATE線，第一 TFT的第一電極連接子像素電路單元，其特征在于，每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括一個(gè)第二 TFT，所述第二 TFT的柵極連接GATE線，第二 TFT的第一電極與各第一 TFT的第二電極連接，第二 TFT的第二電極連接電壓VO0
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在所述第二TFT的第二電極與所述電壓VO之間還連接有第三TFT，所述第三TFT的柵極連接GATE線，第三TFT的第一電極連接第二 TFT的第二電極，第三TFT的第二電極連接電壓VO。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在所述第二TFT的第二電極與所述電壓VO之間還連接有第三TFT至第N TFT,所述第三TFT至第N TFT的柵極均連接GATE線，所述第三TFT的第一電極連接第二 TFT的第二電極，第N TFT的第一電極連接第N-1 TFT的第二電極，最后一級TFT的第二電極接電壓V0，其中，N為大于3的自然數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述TFT為P型TFT或N型TFT。
5.—種包含有權(quán)利要求1?4任意一項(xiàng)所述有機(jī)發(fā)光顯不裝置的有機(jī)發(fā)光顯不器。
6.一種減少有機(jī)發(fā)光顯示裝置漏電流的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括多個(gè)子像素電路單元，其特征在于，該方法包括: 為每個(gè)子像素電路單元配置一個(gè)第一薄膜晶體管TFT，所述第一 TFT的柵極連接GATE線，第一電極連接子像素電路單元； 為每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置配置一個(gè)第二 TFT，所述第二 TFT的柵極連接GATE線，第二TFT的第一電極與各第一 TFT的第二電極連接，第二 TFT的第二電極連接電壓VO。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的減少有機(jī)發(fā)光顯示裝置漏電流的方法，其特征在于，還包括: 為每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置配置一個(gè)第三TFT，所述第三TFT連接于所述第二 TFT與電壓VO之間，其中，所述第三TFT的柵極連接GATE線，第三TFT的第一電極連接第二 TFT的第二電極，第三TFT的第二電極連接電壓VO。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的減少有機(jī)發(fā)光顯示裝置漏電流的方法，其特征在于，還包括: 為每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置配置第三TFT至第N TFT，所述第三TFT至第N TFT連接于所述第二 TFT與電壓VO之間，所述第三TFT至第N TFT的柵極均連接GATE線，所述第三TFT的第一電極連接第二 TFT的第二電極；第N TFT的第一電極連接第N-1 TFT的第二電極，最后一級TFT的第二電極接電壓V0，其中，N為大于3的自然數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6、7或8所述的減少有機(jī)發(fā)光顯示裝置漏電流的方法，其特征在于，所述TFT為P型TFT或N型TFT。
【文檔編號】G09G3/32GK104424880SQ201310366069
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月21日
【發(fā)明者】胡思明, 邱勇, 黃秀頎, 高孝裕, 永井肇 申請人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司, 昆山國顯光電有限公司