本公開通常涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。更詳細(xì)地，示例性實(shí)施方式通常涉及包括分別發(fā)射具有不同波長的兩種藍(lán)色光的兩個(gè)有機(jī)發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，以及用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法。

背景技術(shù)：

顯示裝置是顯示圖像的裝置。近來，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器已經(jīng)獲得了許多關(guān)注。

有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器具有自發(fā)光特性。因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光二極管顯示器不需要單獨(dú)的光源(例如，液晶顯示器(LCD)需要的背光單元)，所以相比于LCD裝置，OLED裝置可相對(duì)薄且重量輕。此外，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器展現(xiàn)了其它有益特性，例如，低功耗、高亮度、高響應(yīng)速度等。

通常，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括有機(jī)發(fā)光元件，有機(jī)發(fā)光元件配置為對(duì)于作為顯示圖像的最小單元的每個(gè)像素發(fā)射具有不同波長的光。有機(jī)發(fā)光元件包括依次沉積的第一電極、發(fā)射光的有機(jī)層以及第二電極，在該情況下，有機(jī)層通過使用掩模沉積在第一電極上。

特別地，在有機(jī)發(fā)光元件中的藍(lán)色元件的情況，發(fā)射具有約380nm至490nm波長范圍的藍(lán)色可見光線。因?yàn)樗{(lán)色可見光線是屬于相對(duì)較高能可見射線譜帶的短波區(qū)域的一部分，所以當(dāng)眼睛持續(xù)暴露于藍(lán)色可見光線時(shí)，眼睛中的自由基增加，從而導(dǎo)致視力下降。

因此，需要具有高分辨率和高像素生命周期同時(shí)減小、最小化或防止由于藍(lán)色可見光線引起的視力退化的用戶友好的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

在本背景部分公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本發(fā)明構(gòu)思背景的理 解，并且因此，其可包含不形成本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

示例性實(shí)施方式提供了對(duì)用戶友好的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有高分辨率、高顏色復(fù)現(xiàn)性(高色域)以及高元件效率，同時(shí)通過形成分別發(fā)射具有不同波長的兩種藍(lán)色光線的兩種有機(jī)發(fā)光元件而不增加用于沉積有機(jī)層的掩模來減少、最小化或防止由于藍(lán)色可見光線引起的視力下降。

附加方面將在下文以詳細(xì)描述的方式來闡述，并且將部分地從本公開中變得顯而易見，或可通過本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)踐而習(xí)得。

示例性實(shí)施方式公開了有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括：第一有機(jī)發(fā)光元件，配置為發(fā)射對(duì)應(yīng)于第一波長范圍的光；第二有機(jī)發(fā)光元件，配置為發(fā)射與第二波長范圍對(duì)應(yīng)的光，第二波長范圍的中心波長比第一波長范圍的中心波長短；第三有機(jī)發(fā)光元件，配置為發(fā)射與第三波長范圍對(duì)應(yīng)的光，第三波長范圍的中心波長比第一波長范圍的中心波長長；第四有機(jī)發(fā)光元件，配置為發(fā)射與第四波長范圍對(duì)應(yīng)的光，第四波長范圍的中心波長比第三波長范圍的中心波長長；以及空穴注入層，布置在第一有機(jī)發(fā)光元件、第二有機(jī)發(fā)光元件、第三有機(jī)發(fā)光元件以及第四有機(jī)發(fā)光元件下方。第一有機(jī)發(fā)光元件包括布置在空穴注入層上的第一輔助層，以及第四有機(jī)發(fā)光元件包括布置在空穴注入層上的第二輔助層。

示例性實(shí)施方式也公開了用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，該方法包括：在形成有像素電路的襯底上形成空穴注入層；在空穴注入層上形成第一輔助層和第二輔助層，第一輔助層和第二輔助層布置在空穴注入層的不同位置上；在第一輔助層上形成第一有機(jī)發(fā)射層；以及在第二輔助層上形成第一空穴傳輸層。

示例性實(shí)施方式還公開了有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括：第一有機(jī)發(fā)光元件，配置為發(fā)射對(duì)應(yīng)于第一波長范圍的光；第二有機(jī)發(fā)光元件，配置為發(fā)射與第二波長范圍對(duì)應(yīng)的光，第二波 長范圍的中心波長比第一波長范圍的中心波長短；第三有機(jī)發(fā)光元件，配置為發(fā)射與第三波長范圍對(duì)應(yīng)的光，第三波長范圍的中心波長比第一波長范圍的中心波長長；第四有機(jī)發(fā)光元件，配置為發(fā)射與第四波長范圍對(duì)應(yīng)的光，第四波長范圍的中心波長比第三波長范圍的中心波長長；以及空穴注入層，布置在第一有機(jī)發(fā)光元件、第二有機(jī)發(fā)光元件、第三有機(jī)發(fā)光元件以及第四有機(jī)發(fā)光元件下方。第一有機(jī)發(fā)光元件和第四有機(jī)發(fā)光元件每個(gè)均包括輔助層，以及第四有機(jī)發(fā)光元件包括空穴傳輸層。

前述一般描述和后文的詳細(xì)描述為示例性的和說明性的，并意在提供對(duì)權(quán)利要求所要保護(hù)的主題的進(jìn)一步說明。

附圖說明

被包括以提供對(duì)本發(fā)明構(gòu)思進(jìn)一步理解的附圖并入并構(gòu)成本說明書的一部分，其示出了發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式，并且與描述一起用于解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理。

圖1是示出了像素以第一形狀布置在根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的排列結(jié)構(gòu)的俯視平面圖。

圖2是沿剖面線II-II截取的圖1中的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。

圖3是示出了根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的空穴注入層的厚度和CIE色度圖的y軸(CIE_y)之間的相關(guān)性的圖表。

圖4是將根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中第三輔助層的每個(gè)厚度在CIE色度圖上的位置示為點(diǎn)1和點(diǎn)2的圖表。

圖5是示出了對(duì)于依賴于根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中第三輔助層的厚度的每個(gè)波長的歸一化輻射光譜的圖表。

圖6是示出了像素在根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中以第二形狀布置的排列結(jié)構(gòu)的俯視平面圖。

圖7是沿圖6中的剖面線VII-VII截取的剖視圖。

圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13和圖14是依次示出了根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法的視圖。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中，出于說明的目的，多個(gè)詳細(xì)細(xì)節(jié)被陳述以提供對(duì)各示例性實(shí)施方式的完全理解。然而，顯而易見的是，多種示例性實(shí)施方式可在沒有這些詳細(xì)細(xì)節(jié)的情況下或具有一個(gè)或多個(gè)等同布置的情況下被實(shí)現(xiàn)。在其它情況下，眾所周知的結(jié)構(gòu)和裝置以框圖形式示出以避免不必要地使各種示例性實(shí)施方式變得不清楚。

在附圖中，為了清楚和描述目的，層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對(duì)尺寸可能被夸大。此外，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。

當(dāng)元件或?qū)臃Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接至”或“聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可直接在另一元件或?qū)由?、連接至或聯(lián)接至另一元件或?qū)?，或可存在介于中間的元件或?qū)?。然而，?dāng)元件或?qū)臃Q為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接至”或“直接聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在介于中間的元件或?qū)?。為了本公開的目的，“X、Y和Z中的至少一個(gè)”和“從由X、Y和Z構(gòu)成的組中選出的至少一個(gè)”可理解為僅X、僅Y、僅Z，或X、Y和Z中的兩個(gè)或更多個(gè)的任意組合(例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ)。在說明書全文中，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。如在本文中使用的，用語“和/或”包括關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任何和全部組合。

雖然用語第一、第二等在本文中可以用來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段不應(yīng)被這些用語限制。這些用語用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層、和/或區(qū)段與另一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層、和/或區(qū)段區(qū)分開。因此，在不背離本公開講授的情況下，下文中討論的第一元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段可以被稱作第二元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段。

諸如“在...之下(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“在...上(above)”、“上(upper)”等空間相對(duì)用語可在本文中為了描述的目的而使用，并從而用于描述如附圖中所示的一個(gè)元件或特征與另一元件(多個(gè)元件)或特征(多個(gè)特征)的關(guān)系?？臻g相對(duì)用語意在包含設(shè)備在使用、操作、和/或制造時(shí)除了附圖中所描繪的定位之外的不同定位。例如，如果附圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件或特征“下方”或“之下” 的元件將定向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌爸稀?。因此，示例性用語“在...下方”可包含在...之上和在...下方兩個(gè)定向。此外，設(shè)備可以為其它定向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或處于其它定向)，并且，由此，本文中使用的空間相對(duì)描述語相應(yīng)地被解釋。

在本文中使用的用辭用于描述特定實(shí)施方式的目的，并不意在限制。如在本文中使用的，除非上下文中明確地另有指示，否則單數(shù)形式“一(a)”、“一(an)”、“所述(the)”也意在包括復(fù)數(shù)形式。此外，用語“包含”、“包含有”、“包括”和/或“包括有”在本說明書中使用時(shí)表示存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組，但不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在或添加。

在本文中參照作為理想化示例性實(shí)施方式和/或中間結(jié)構(gòu)的示意圖的截面圖對(duì)多種實(shí)施方式進(jìn)行描述。由此，可預(yù)期到因例如制造技術(shù)和/或公差而導(dǎo)致的圖示形狀上的變化。因此，本文中公開的示例性實(shí)施方式不應(yīng)理解為受特定示出的區(qū)域形狀的限制，而是包括因比如制造而導(dǎo)致的形狀上的偏差。例如，示為矩形的注入?yún)^(qū)域一般將在其邊緣處具有圓倒角的或彎曲的特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，通過注入形成的埋入?yún)^(qū)可導(dǎo)致在埋入?yún)^(qū)和發(fā)生注入的表面之間區(qū)域中的一些注入。因此，附圖中示出的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，并且它們的形狀不意在示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，并且不意在限制。

除非另有限定，否則本文中使用的所有用語(包括技術(shù)用語和科學(xué)用語)具有與本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員中的一個(gè)通常的理解相同的意義。除非本文中明確地如此限定，否則用語(例如在常用詞典中定義的用語)應(yīng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)的上下文中的含義一致的含義，并且將不被以理想化或過度正式意義解釋。

在下文中，將參照?qǐng)D1和圖5描述根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

圖1是示出了其中像素以第一形狀布置在根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的排列結(jié)構(gòu)的俯視平面圖。

參照?qǐng)D1，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000包括第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3以及第四像素PX4。這里，像素可指代用于顯示圖像的最小單元。第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3以及第四像素PX4分別為子像素，并且第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3以及第四像素PX4中的每種均可排列成圖案(例如，如圖1中所示)。如圖1所示，第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3以及第四像素PX4中的每種的數(shù)量為復(fù)數(shù)。第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3以及第四像素PX4可構(gòu)成一個(gè)像素，然而其不限于此，并且第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3以及第四像素PX4可選擇性地構(gòu)成一個(gè)像素。

圖1是在從垂直于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000的前表面的方向觀察有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000的情況下的示意圖，并且第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3以及第四像素PX4分別包括有機(jī)發(fā)光元件，從而在圖1中所示的形狀中發(fā)射對(duì)應(yīng)于每個(gè)波長范圍的光。更具體地，圖1中所示的第一像素PX1至第四像素PX4分別表示其中通過每個(gè)有機(jī)發(fā)光元件發(fā)射對(duì)應(yīng)于每個(gè)波長范圍的光的區(qū)域。

更加詳細(xì)地，第一像素PX1可配置為發(fā)射藍(lán)光，并包括配置為發(fā)射藍(lán)光的第一有機(jī)發(fā)光元件以及連接至第一有機(jī)發(fā)光元件的像素電路。由第一像素PX1發(fā)射的藍(lán)光可以是具有459nm至490nm的第一波長范圍的天藍(lán)色；但是，波長范圍不限于此，只要第一像素PX1發(fā)射相比于第二像素PX2更長波長的藍(lán)光即可。

第二像素PX2也可配置為發(fā)射藍(lán)光，并包括配置為發(fā)射藍(lán)光的第二有機(jī)發(fā)光元件以及連接至第二有機(jī)發(fā)光元件的像素電路。但是，由第二像素PX2發(fā)射的藍(lán)光可以是具有440nm至458nm的第二波長范圍的深藍(lán)色；但是波長范圍不限于此，只要第二像素PX2發(fā)射相比于第一像素PX1更短波長的藍(lán)光即可。

第三像素PX3可配置為發(fā)射具有第三波長范圍的綠光，并包括配置為發(fā)射綠光的第三有機(jī)發(fā)光元件以及連接至第三有機(jī)發(fā)光元件的像素電路。

第四像素PX4可配置為發(fā)射具有第四波長范圍的紅光，并包括配置 為發(fā)射紅光的第四有機(jī)發(fā)光元件以及連接至第四有機(jī)發(fā)光元件的像素電路。

如圖1中所示，在單位面積中的第三像素PX3的數(shù)量可大于單位面積中的第四像素PX4的數(shù)量。此外，單位面積中的第四像素PX4的數(shù)量可大于單位面積中的第一像素PX1的數(shù)量或單位面積中的第二像素PX2的數(shù)量。例如，不限于此，一個(gè)像素單元PU可包括一個(gè)第一像素PX1、一個(gè)第二像素PX2、四個(gè)第三像素PX3以及兩個(gè)第四像素PX4。

此外，在第一示例性實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000的像素排列可與下文中的第一形狀相同。

參照?qǐng)D1的左上部分，兩個(gè)或更多個(gè)第三像素PX3布置為在第一行中以預(yù)定間隔分開，第四像素PX4和第一像素PX1在與第一行相鄰近的第二行中交替布置，兩個(gè)或更多個(gè)第三像素PX3布置為在與第二行相鄰近的第三行中以預(yù)定間隔分開，第二像素PX2和第四像素PX4在與第三行相鄰近的第四行中交替布置，并且重復(fù)第一行至第四行的排列，直到第N行(N為自然數(shù))。在這種情況下，發(fā)射藍(lán)光的第一像素PX1和第二像素PX2與發(fā)射紅光的第四像素PX4形成為大于發(fā)射綠光的第三像素PX3。

此外，布置在第一行中的一個(gè)或多個(gè)第三像素PX3以及布置在第二行中的一個(gè)或多個(gè)第一像素PX1和一個(gè)或多個(gè)第四像素PX4交替排列。更具體地，參照?qǐng)D1的左上部分，兩個(gè)或更多個(gè)第三像素PX3布置為在第一列中以預(yù)定間隔分開，第四像素PX4和第二像素PX2在與第一列相鄰近的第二列中交替布置，兩個(gè)或更多個(gè)第三像素PX3布置為在與第二列相鄰近的第三列中以預(yù)定間隔分開，第一像素PX1和第四像素PX4在與第三列相鄰近的第四列中交替布置，并且重復(fù)該像素排列，直到第M列(M為自然數(shù))。如圖1所示，根據(jù)第一示例性實(shí)施方式，如果假設(shè)將與第三像素PX3對(duì)應(yīng)的像素設(shè)定為第一行和第一列，則第三像素PX3可僅排列在奇數(shù)行和奇數(shù)列中。第一像素PX1可僅排列在2(2n-1)行及4n列(n為自然數(shù))中。第二像素PX2可僅排列在4m行及2(2m-1)列(m為自然數(shù))中。第四像素PX4可排列在2(2p-1)行和2(2p-1)列中以及排列在4p行和4p列中。

根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000具有其中像素以上述第一形狀布置的像素排列結(jié)構(gòu)，并且其伴隨著顯示顏色的渲染驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，同時(shí)共享相鄰像素，從而通過少量像素實(shí)現(xiàn)高分辨率。

第一像素PX1和第二像素PX2可通過像素控制器(未示出)控制為分別發(fā)射具有不同波長范圍的可見藍(lán)色光線，從而實(shí)現(xiàn)更多種方法的像素驅(qū)動(dòng)。

例如，可通過驅(qū)動(dòng)第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3以及第四像素PX4中的全部來以第一驅(qū)動(dòng)模式驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000。在第一驅(qū)動(dòng)模式中，圖像可以以高可見度和高發(fā)射效率顯示，從而適合于在戶外環(huán)境中使用有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000，例如，位于建筑外具有充足太陽光線的地方。

可通過僅驅(qū)動(dòng)第一像素PX1、第三像素PX3和第四像素PX4而不驅(qū)動(dòng)第二像素PX2來以第二驅(qū)動(dòng)模式驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000。因?yàn)樽鳛榫哂邢鄬?duì)長的所顯示的可見藍(lán)色光線波長的藍(lán)色波長范圍，459nm至490nm的第一波長范圍對(duì)應(yīng)于對(duì)視力無害的波長范圍，因此其可適合于長時(shí)間觀看有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000的情況或有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000的用戶是兒童或需要更加敏感的視力保護(hù)的其他人的情況。第二驅(qū)動(dòng)模式對(duì)于用戶視力的保護(hù)可以是相對(duì)有效的。

此外，可通過僅驅(qū)動(dòng)第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4而不驅(qū)動(dòng)第一像素PX1來以第三驅(qū)動(dòng)模式驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000。在這種情況下，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000可提供高顏色復(fù)現(xiàn)性，并且第三驅(qū)動(dòng)模式可有效地用于需要高顏色復(fù)現(xiàn)性的工作。

圖2是沿剖面線II-II截取的圖1中的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。

如圖2所示，第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3以及第四像素PX4分別包括第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1、第二有機(jī)發(fā)光元件OLED2、第三有機(jī)發(fā)光元件OLED3以及第四有機(jī)發(fā)光元件OLED4，并且第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1、第二有機(jī)發(fā)光元件OLED2、第三有機(jī)發(fā)光元件OLED3和第四有機(jī)發(fā)光元件OLED4每個(gè)均共同具有如下結(jié)構(gòu)，即，在該結(jié)構(gòu)中，襯底SUB、像素電路PC、第一電極(未示出)、空穴注入 層HIL、有機(jī)發(fā)射層、電子傳輸層ETL、電子注入層EIL以及公共電極CE被依次沉積。

然而，在根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000中，在第一像素PX1中，第一輔助層OL1可形成于空穴注入層HIL和第一有機(jī)發(fā)射層EL1之間，并且在第四像素PX4中，第二輔助層OL2可形成于空穴注入層HIL和第四有機(jī)發(fā)射層EL4之間。

此外，在空穴注入層HIL和第四有機(jī)發(fā)射層EL4之間還可形成第一空穴傳輸層HTL1，并且在第一空穴傳輸層HTL1和第四有機(jī)發(fā)射層EL4之間還可形成第三輔助層OL3。

此外，在空穴注入層HIL和第三有機(jī)發(fā)射層EL3之間還可形成第二空穴傳輸層HTL2。

襯底SUB可以是柔性的、可拉伸的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的，并因此，整個(gè)柔性顯示面板FD可以是柔性的、可拉伸的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。襯底SUB可以是柔性的、可拉伸的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的，使得整個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000可以是柔性的、可拉伸的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。

像素電路PC可布置在襯底SUB上，并且第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4分別連接至有機(jī)發(fā)光元件OLED1、OLED2、OLED3和OLED4。像素電路PC可包括線路、兩個(gè)或更多個(gè)薄膜晶體管以及至少一個(gè)電容器，該線路具有至少一條掃描線、數(shù)據(jù)線、驅(qū)動(dòng)電源線和公共電源線，兩個(gè)或更多個(gè)薄膜晶體管和至少一個(gè)電容器連接至與一個(gè)有機(jī)發(fā)光元件對(duì)應(yīng)的線路。像素電路PC可具有已公開的各種結(jié)構(gòu)。

第一電極(未示出)可形成于像素電路PC和空穴注入層HIL之間以連接至像素電路PC，并且第一電極可以是作為空穴注入電極的陽極。第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4可分別連接至四個(gè)不同的第一電極(未示出)。第一電極(未示出)可布置為與第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1至第四有機(jī)發(fā)光元件OLED4分開。例如，第一電極的用于第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1、第二有機(jī)發(fā)光元件OLED2、第三有機(jī)發(fā)光元件OLED3和第四有機(jī)發(fā)光元件OLED4的部分可彼此分開。

如圖2所示，空穴注入層HIL可布置在第一電極(未示出)中的每個(gè)上，并可設(shè)置在第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1、第二有機(jī)發(fā)光元件OLED2、第三有機(jī)發(fā)光元件OLED3以及第四有機(jī)發(fā)光元件OLED4下方，并具有對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光元件OLED1、OLED2、OLED3和OLED4中的每個(gè)整體延伸的形狀?？昭ㄗ⑷雽親IL用于幫助從作為陽極的第一電極(未示出)中的每個(gè)注入的空穴順利注入到主發(fā)射層中對(duì)應(yīng)的一個(gè)主發(fā)射層，例如，第一有機(jī)發(fā)射層EL1、第二有機(jī)發(fā)射層EL2、第三有機(jī)發(fā)射層EL3和第四有機(jī)發(fā)射層EL4。

空穴注入層HIL可包括接觸第一電極(未示出)并且P型摻雜的P型空穴注入層(未示出)。因?yàn)镻型空穴注入層(未示出)是P型摻雜的，所以來自第一電極(未示出)的空穴可容易地注入到主發(fā)射層。

電子傳輸層ETL可布置在分別與第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1、第二有機(jī)發(fā)光元件OLED2、第三有機(jī)發(fā)光元件OLED3以及第四有機(jī)發(fā)光元件OLED4對(duì)應(yīng)的第一有機(jī)發(fā)射層EL1、第二有機(jī)發(fā)射層EL2、第三有機(jī)發(fā)射層EL3和第四有機(jī)發(fā)射層EL4上，并且電子傳輸層ETL可具有完全遍布第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1、第二有機(jī)發(fā)光元件OLED2、第三有機(jī)發(fā)光元件OLED3以及第四有機(jī)發(fā)光元件OLED4之上延伸的形狀。電子傳輸層ETL用于幫助從具有陰極功能的公共電極CE(將稍后描述)注入的電子順利地注入到有機(jī)發(fā)射層中的每個(gè)。

此外，電子注入層EIL可設(shè)置在電子傳輸層ETL上，并可具有完全遍布第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1、第二有機(jī)發(fā)光元件OLED2、第三有機(jī)發(fā)光元件OLED3以及第四有機(jī)發(fā)光元件OLED4之上延伸的形狀。

公共電極CE可以是作為電子注入電極的陰極。公共電極CE可完全遍布第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1、第二有機(jī)發(fā)光元件OLED2、第三有機(jī)發(fā)光元件OLED3以及第四有機(jī)發(fā)光元件OLED4之上形成。

公共電極CE可包括諸如鎂(Mg)、銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)的金屬薄膜、由包括兩種或更多種金屬的合金(例如，鎂(Mg)-銀(Ag)合金、鈣(Ca)-銀(Ag)合金)制成的金屬薄膜、金屬氧化物(例如，銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO)、鋁錫氧化物(AlTO))、用金屬氧化物摻雜的金屬薄膜、或包括導(dǎo)電聚合 物電極或由單層或多層制成的透光導(dǎo)電材料或半透光導(dǎo)電材料。

第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1發(fā)射具有第一波長范圍(可以是459nm至490nm)的藍(lán)光，并可由如下結(jié)構(gòu)形成，即，在該結(jié)構(gòu)中，第一電極(未示出)、空穴注入層HIL、第一輔助層OL1、第一有機(jī)發(fā)射層EL1、電子傳輸層ETL、電子注入層EIL以及公共電極CE被依次沉積在像素電路PC上。

第一有機(jī)發(fā)射層EL1可包括藍(lán)色發(fā)射材料以發(fā)射可見藍(lán)色光線，并可形成為具有第三厚度L3。藍(lán)色發(fā)射材料可發(fā)射具有第二波長范圍(440nm至458nm)的深藍(lán)色的可見藍(lán)色光線。

但是，在第一示例性實(shí)施方式的情況下，通過控制空穴注入層HIL的厚度和第一輔助層OL1的厚度，可控制發(fā)射具有459nm至490nm的第一波長范圍的藍(lán)色可見光線。

第一輔助層OL1可布置在第一有機(jī)發(fā)射層EL1和空穴注入層HIL之間。第一輔助層OL1包括有機(jī)聚合物或無機(jī)聚合物，并且第一輔助層OL1為具有導(dǎo)電性的材料，或可形成為具有第一厚度L1。通過控制第一厚度L1的范圍，第一輔助層OL1可將用于從第一有機(jī)發(fā)射層EL1發(fā)射的藍(lán)光的波長范圍控制為具有459nm至490nm的波長范圍。

第一輔助層OL1可具有例如大于0并小于20nm的厚度，優(yōu)選地為大于0并小于10.7nm，但是其不限于此，并且厚度可根據(jù)空穴注入層HIL的厚度設(shè)計(jì)。

如上所述，通過控制空穴注入層HIL的厚度和第一輔助層OL1的厚度，在第一像素PX1中，從空穴注入層HIL至公共電極CE的距離可形成為對(duì)應(yīng)于最佳距離，在該最佳距離，通過對(duì)應(yīng)于由第一有機(jī)發(fā)射層EL1發(fā)射并具有第一波長范圍的藍(lán)光而產(chǎn)生相長干涉。

圖3是示出了根據(jù)第一示例性實(shí)施方式空穴注入層的厚度和CIE色度圖的y軸(CIE_y)之間的相關(guān)性的圖表。圖3示出了例如當(dāng)?shù)谝惠o助層OL1的厚度為約10.7nm時(shí)對(duì)于空穴注入層HIL的每個(gè)厚度的CIE色度圖上的顏色變化。

作為空穴注入層HIL的厚度像第一輔助層OL1的厚度那樣影響由第一有機(jī)發(fā)射層EL1發(fā)射的藍(lán)光的波長的一個(gè)示例，圖3是示出了當(dāng)?shù)谝? 輔助層OL1的厚度形成為10.7nm時(shí)空穴注入層HIL的厚度和CIE_y之間的相關(guān)性的圖表。即，不同于圖3，雖然第一輔助層OL1的厚度被不同地控制，但是由圖表表現(xiàn)出的空穴注入層HIL的厚度和CIE_y之間的趨勢(shì)與圖3中的相同。

參照?qǐng)D3，空穴注入層HIL的厚度和CIE_y的關(guān)系表示了向右上的曲線的相關(guān)性。在第一示例性實(shí)施方式中，通過將第一輔助層OL1的厚度形成為10.7nm，可獲得類似圖3中的相關(guān)性。在這種情況下，為了獲得從第一有機(jī)發(fā)射層EL1發(fā)射為在CIE_y上對(duì)應(yīng)于天藍(lán)色的值0.08的可見藍(lán)色光線，空穴注入層HIL的厚度可控制為120nm至140nm，例如，約130nm。

如上所述，在根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000中，通過控制空穴注入層HIL的厚度和第一輔助層OL1的厚度，可對(duì)于從第一有機(jī)發(fā)射層EL1發(fā)射的可見藍(lán)色光線控制波長范圍，以具有第一波長范圍，而不是第二波長范圍。

第二有機(jī)發(fā)光元件OLED2配置為發(fā)射具有440nm至458nm(作為相比于上述第一波長范圍短的第二波長范圍)的第二藍(lán)光，并可由如下結(jié)構(gòu)形成，即，在該結(jié)構(gòu)中，第一電極(未示出)、空穴注入層HIL、第二有機(jī)發(fā)射層EL2、電子傳輸層ETL、電子注入層EIL和公共電極CE被依次沉積在像素電路PC上。

第二有機(jī)發(fā)射層EL2可通過包括藍(lán)色發(fā)射材料來發(fā)射可見藍(lán)色光線，并可形成為具有第四厚度L4。藍(lán)色發(fā)射材料可發(fā)射具有第二波長范圍(其為440nm至458nm的波長范圍)的深藍(lán)色的可見藍(lán)色光線。即，可包括與如上所述的用于第一有機(jī)發(fā)射層EL1相同的藍(lán)色發(fā)射材料。

在第二像素PX2中，從空穴注入層HIL到公共電極CE的距離可形成為對(duì)應(yīng)于最佳距離，在該最佳距離，對(duì)應(yīng)于由第二有機(jī)發(fā)射層EL2發(fā)射的具有第二波長范圍的藍(lán)光產(chǎn)生相長干涉。

在第一示例性實(shí)施方式中，因?yàn)榈诙袡C(jī)發(fā)射層EL2和第一有機(jī)發(fā)射層EL1可由相同材料制成，所以第一有機(jī)發(fā)射層EL1和第二有機(jī)發(fā)射層EL2可通過使用一個(gè)掩模來同時(shí)堆疊。在這種情況下，作為第一有機(jī)發(fā)射層EL1厚度的第三厚度L3和作為第二有機(jī)發(fā)射層EL2厚度的第四 厚度L4可確定為彼此相等。

通常，在形成有機(jī)發(fā)射層的過程中，為了形成不同的有機(jī)發(fā)射層，當(dāng)形成每個(gè)有機(jī)發(fā)射層時(shí)使用不同的掩模。如果作為用于第一有機(jī)發(fā)射層和第二有機(jī)發(fā)射層的發(fā)射源的藍(lán)色發(fā)射材料是不同的，則使用兩個(gè)掩模過程。

然而，在根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000中，因?yàn)榈谝挥袡C(jī)發(fā)射層EL1和第二有機(jī)發(fā)射層EL2具有相同材料，所以具有相同材料的第一有機(jī)發(fā)射層EL1和第二有機(jī)發(fā)射層EL2可通過利用一個(gè)掩模同時(shí)形成。此外，通過控制第一輔助層OL1的厚度和空穴注入層HIL的厚度以控制基本上由第一有機(jī)發(fā)射層EL1發(fā)射的波長范圍，可僅通過一個(gè)掩模過程同時(shí)形成具有不同波長范圍的兩個(gè)OLED，即，包括有機(jī)發(fā)射層EL1的OLED1和包括有機(jī)發(fā)射層EL2的OLED2。

第三有機(jī)發(fā)光元件OLED3配置為發(fā)射具有相比于第一波長更長的第三波長的綠光，并可由如下結(jié)構(gòu)形成，即，在該結(jié)構(gòu)中，第一電極(未示出)、空穴注入層HIL、第二空穴傳輸層HTL2、第三有機(jī)發(fā)射層EL3、電子傳輸層ETL、電子注入層EIL以及公共電極CE被依次沉積在像素電路PC上。

第二空穴傳輸層HTL2可布置于第三像素PX3中的第三有機(jī)發(fā)射層EL3和空穴注入層HIL之間，并可形成為具有第六厚度L6。第六厚度L6可形成為例如大于0并小于40nm，或例如大于0并小于38nm，但是其不限于此，并可根據(jù)空穴注入層HIL和第三有機(jī)發(fā)射層EL3的厚度來不同地設(shè)計(jì)。第二空穴傳輸層HTL2用于容易地傳輸待注入到第三有機(jī)發(fā)射層EL3的空穴?？昭◤牡谝浑姌O(未示出)通過空穴注入層HIL注入至第二空穴傳輸層HTL2。

如圖2所示，第二空穴傳輸層HTL2可設(shè)置在第三像素PX3中的第三有機(jī)發(fā)射層EL3和空穴注入層HIL之間。第二空穴傳輸層HTL2可不形成于第三像素PX3的邊界之外，并且在根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000不被驅(qū)動(dòng)的黑圖像顯示狀態(tài)中，可防止無意的微電流通過像素電路PC和第一電極(未示出)流至除第三像素PX3外的其它像素。

第三有機(jī)發(fā)射層EL3可包括綠色發(fā)射材料以發(fā)射具有相比于第一波長范圍更長的第三波長范圍的綠光。第三有機(jī)發(fā)射層EL3可具有相比于第一有機(jī)發(fā)射層EL1和第二有機(jī)發(fā)射層EL2更厚的厚度。此外，在第三像素PX3中，從空穴注入層HIL到公共電極CE的距離可配置為對(duì)應(yīng)于最佳距離，在該最佳距離，通過對(duì)應(yīng)于由第三有機(jī)發(fā)射層EL3發(fā)射的具有第三波長范圍的綠光產(chǎn)生相長干涉。

第四有機(jī)發(fā)光元件OLED4可配置為發(fā)射具有相比于第三波長更長的第四波長的紅光，并可由以下結(jié)構(gòu)形成，即，在該結(jié)構(gòu)中，第一電極(未示出)、空穴注入層HIL、第二輔助層OL2、第一空穴傳輸層HTL1、第四有機(jī)發(fā)射層EL4、電子傳輸層ETL、電子注入層EIL和公共電極CE被依次沉積在像素電路PC上。

此外，第四有機(jī)光發(fā)光元件OLED4還可包括位于第一空穴傳輸層HTL1和第四有機(jī)發(fā)射層EL4之間的第三輔助層OL3。

第二輔助層OL2可布置在空穴注入層HIL和第一空穴傳輸層HTL1之間，并具有第二厚度L2。第二輔助層OL2可由與上述第一輔助層OL1相同的導(dǎo)電材料形成，在這種情況下，第二厚度L2可形成為具有等于第一厚度L1的厚度。更具體地，第一輔助層OL1和第二輔助層OL2可通過一個(gè)掩模過程同時(shí)形成。

此外，在第四像素PX4中，第二輔助層OL2的厚度可被控制為使從空穴注入層HIL到公共電極CE的距離對(duì)應(yīng)于最佳距離，在該最佳距離，對(duì)應(yīng)于具有第四波長范圍的紅光產(chǎn)生相長干涉。

第一空穴傳輸層HTL1可布置在第四像素PX4中的第四有機(jī)發(fā)射層EL4和第二輔助層OL2之間，并可形成為具有第五厚度L5。第一空穴傳輸層HTL1用于容易地將從第一電極(未示出)注入的空穴傳輸至第四有機(jī)發(fā)射層EL4?？昭赏ㄟ^空穴注入層HIL從第一電極(未示出)注入至第一空穴傳輸層HTL1。

第一空穴傳輸層HTL1可由與上述第二空穴傳輸層HTL2相同的材料形成，在這種情況下，第五厚度L5可等于第六厚度L6。更具體地，第一空穴傳輸層HTL1和第二空穴傳輸層HTL2可通過一個(gè)掩模過程同時(shí)形成。

如圖2所示，第一空穴傳輸層HTL1可僅形成于第四有機(jī)發(fā)射層EL4和與第四像素PX4對(duì)應(yīng)的空穴注入層HIL之間。更具體地，第一空穴傳輸層HTL1可不形成于第四像素PX4的邊界之外，并且在根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000不被驅(qū)動(dòng)的黑圖像顯示狀態(tài)的情況中，可防止不期望的微電流通過像素電路PC和第一電極(未示出)流至除第四像素PX4外的其它像素。

第四有機(jī)發(fā)射層EL4包括紅色發(fā)射材料以發(fā)射具有相比于第三波長范圍更長的第四波長范圍的紅光。第四有機(jī)發(fā)射層EL4具有比第三有機(jī)發(fā)射層EL3更厚的厚度，在這種情況下，從第四像素PX4的空穴注入層HIL到公共電極CE的距離可比從第三像素PX3的空穴注入層HIL到公共電極CE的距離長。這里，從第四像素PX4的空穴注入層HIL到公共電極CE的距離可形成為與最佳距離對(duì)應(yīng)，在該最佳距離，對(duì)應(yīng)于由第四有機(jī)發(fā)射層EL4發(fā)射的第四波長范圍產(chǎn)生相長干涉。

根據(jù)多種配置，在第一空穴傳輸層HTL1和第四有機(jī)發(fā)射層EL4之間還可形成第三輔助層OL3。第三輔助層OL3可以以例如小于10nm的厚度形成；但是，如果在某些配置中必要，則可省略第三輔助層OL3。

如果第二輔助層OL2的厚度配置為具有與第一輔助層OL1相同的厚度，并且如果第一空穴傳輸層HTL1的厚度配置為具有與第二空穴傳輸層HTL2相同的厚度，則可能難以滿足對(duì)于由第四像素PX4發(fā)射的紅光的相長干涉條件。

但是，類似根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000，通過進(jìn)一步將用于控制從第四像素PX4的空穴注入層HIL到公共電極CE的距離的第三輔助層OL3形成為對(duì)應(yīng)于最佳距離，在該最佳距離，對(duì)應(yīng)于第四有機(jī)發(fā)光層EL4發(fā)出的具有第四波長范圍的紅色光產(chǎn)生相長干涉，從而補(bǔ)償共振條件。

圖4是將根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000中第三輔助層的每個(gè)厚度在CIE色度圖上的位置示為點(diǎn)1和點(diǎn)2的圖表，以及圖5是示出了對(duì)于依賴于根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中第三輔助層的厚度的每個(gè)波長的歸一化輻射光譜的圖表。

在圖4中，參考點(diǎn)(點(diǎn)0)是表示由傳統(tǒng)紅光發(fā)射二極管顯示器發(fā)射 的紅光的中心波長在CIE色度圖上的位置，第一點(diǎn)(點(diǎn)1)是表示當(dāng)?shù)谌o助層OL3不存在時(shí)紅光中心波長在CIE色度圖上的位置，以及第二點(diǎn)(點(diǎn)2)是表示當(dāng)?shù)谌o助層OL3的厚度為10nm時(shí)發(fā)射的紅光的中心波長在CIE色度圖上的位置。

在圖5中，以第一點(diǎn)(點(diǎn)1)作為中心波長由虛線圖表示波長范圍的歸一化輻射光譜，并且以第二點(diǎn)(點(diǎn)2)作為中心波長由實(shí)線圖表示波長范圍的歸一化輻射光譜。

圖4中的X軸表示CIE色度圖的X軸(CIE_X)，Y軸表示CIE色度圖的Y軸(CIE_y)，以及比例尺降低的向右下的直線表示波長范圍，并且可確定參考點(diǎn)(點(diǎn)0)、第一點(diǎn)(點(diǎn)1)和第二點(diǎn)(點(diǎn)2)全部位于紅光波長范圍的600nm至700nm之間。

第一點(diǎn)(點(diǎn)1)具有比參考點(diǎn)(點(diǎn)0)短的中心波長，并且第二點(diǎn)(點(diǎn)2)具有比參考點(diǎn)(點(diǎn)0)稍長的中心波長；但是，色度圖上的差別對(duì)于用戶識(shí)別紅光光線而言表現(xiàn)為并不明顯。

此外，參照?qǐng)D5，可確認(rèn)以第一點(diǎn)(點(diǎn)1)作為中心波長的虛線圖和以第二點(diǎn)(點(diǎn)2)作為中心波長的實(shí)線圖之間的波長范圍基本上相同，除了兩個(gè)中心波長之間的微小差別和歸一化輻射光譜的差別。

更具體地，即使進(jìn)一步形成第三輔助層OL3，也僅存在中心波長范圍的值的微小變化和亮度的變化。因此，紅光的波長范圍基本上相同，使得紅光的共振條件可容易地通過以確定的厚度形成第三輔助層OL3來補(bǔ)償，以產(chǎn)生共振條件。

如上所述，在根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000中，通過分別形成第一輔助層OL1、第二輔助層OL2和第三輔助層OL3，從每個(gè)像素中的空穴注入層HIL到公共電極CE的距離可被控制為使得每層均具有在每個(gè)像素中發(fā)射的光產(chǎn)生相長干涉的最佳距離。

此外，通過利用第一輔助層OL1來控制第一有機(jī)發(fā)射層EL1的可見藍(lán)色光線波長范圍，具有不同波長范圍的第一有機(jī)發(fā)射層EL1和第二有機(jī)發(fā)射層EL2可通過一個(gè)掩模過程被同時(shí)形成，從而減少有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000的制造時(shí)間和制造成本。

接下來，將參照?qǐng)D6和圖7描述根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā) 光二極管顯示器2000。根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器2000包括與根據(jù)上述第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000至少部分相同的結(jié)構(gòu)。例如，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器2000和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000可具有相同的元件、配置、結(jié)構(gòu)等，除了由不同于圖1中的上述第一形狀的圖6中所示的第二形狀形成的像素排列。

在下文中，當(dāng)描述根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器2000時(shí)，為了簡明，對(duì)于已關(guān)于第一示例性實(shí)施方式描述了的配置、元件、結(jié)構(gòu)等的詳細(xì)描述將被省略。

圖6是示出了像素在根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中以第二形狀布置的排列結(jié)構(gòu)的俯視平面圖，以及圖7是沿圖6中的剖面線VII-VII截取的剖視圖。

參照?qǐng)D6，根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器2000包括與上文描述的第一示例性實(shí)施方式相同類型的第一像素PX1'、第二像素PX2'、第三像素PX3'以及第四像素PX4'，但是像素的排列不同。

圖6示出了一個(gè)第一像素PX1'、一個(gè)第二像素PX2'、一個(gè)第三像素PX3'以及一個(gè)第四像素PX4'被分別布置的結(jié)構(gòu)，發(fā)射天藍(lán)色光的第一像素PX1'布置在中心，發(fā)射深藍(lán)色光的第二像素PX2'布置在第一像素PX1'的右側(cè)，第三像素PX3'布置在位于第一像素PX1'左側(cè)的左部區(qū)域的底部，以及第四像素PX4'布置在相對(duì)于第三像素PX3'的左部區(qū)域中上部區(qū)域。但是，排列不限于此。例如，第三像素PX3'和第四像素PX4'可位于第一像素PX1'和/或第二像素PX2'的右側(cè)。

在將圖6中所示的第一像素PX1'至第四像素PX4'的排列定義為一個(gè)單元排列的第一行和第一列時(shí)，根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器2000具有圖6中的單位像素被重復(fù)直到形成第N行和第M列(N和M為自然數(shù))的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器2000具有第二形狀的排列結(jié)構(gòu)，在該排列結(jié)構(gòu)中，圖6中所示的像素如上所述連續(xù)且重復(fù)，并且可通過采用共享相鄰近像素的渲染驅(qū)動(dòng)表現(xiàn)顏色來用少量像素實(shí)現(xiàn)高分辨率。

參照?qǐng)D7，每個(gè)像素共同具有以下結(jié)構(gòu)，即，在該結(jié)構(gòu)中，襯底SUB、 像素電路PC、第一電極(未示出)、空穴注入層HIL、相應(yīng)的有機(jī)發(fā)射層、電子傳輸層ETL、電子注入層EIL以及公共電極CE被依次沉積。

然而，在根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器2000中，具有厚度L11的第一輔助層OL1'可形成于第一像素PX1'上的空穴注入層HIL和第一有機(jī)發(fā)射層EL1'之間，并且具有等于厚度L11的厚度L12的第二輔助層OL2'可形成于第四像素PX4'中的空穴注入層HIL和第四有機(jī)發(fā)射層EL4'之間。

此外，具有厚度L15的第一空穴傳輸層HTL1'可形成于空穴注入層HIL和第四有機(jī)發(fā)射層EL4'之間，并且還可在第一空穴傳輸層HTL1'和第四有機(jī)發(fā)射層EL4'之間形成第三輔助層OL3'。

此外，還可在空穴注入層HIL和第三有機(jī)發(fā)射層EL3'之間形成具有等于厚度L15的厚度L16的第二空穴傳輸層HTL2'。

類似于上文描述的第一示例性實(shí)施方式，第一輔助層OL1'和第二輔助層OL2'可通過一個(gè)掩模過程形成，并且通過控制第一輔助層OL1'和空穴注入層HIL的厚度，第一有機(jī)發(fā)射層EL1'可配置為發(fā)射具有459nm至490nm的第一波長范圍而不是440nm至458nm的第二波長范圍的天藍(lán)色的可見藍(lán)色光線。

第一有機(jī)發(fā)射層EL1'可形成為具有厚度L13，第二有機(jī)發(fā)射層EL2'可形成為具有等于厚度L13的厚度L14，并且可包括發(fā)射440nm至458nm的第二波長范圍的相同的藍(lán)色發(fā)射材料。在整個(gè)說明書中，相同或相等的厚度可以是基本上相同或相等的厚度。例如，可以忽略當(dāng)一種材料布置在不同像素上但是同時(shí)在不同像素中沉積層不同(例如，形成第一有機(jī)發(fā)射層EL1'和第二有機(jī)發(fā)射層EL2')時(shí)可形成的微小厚度差別。雖然可能存在這種微小厚度差別，但是從一個(gè)掩模形成的分開的結(jié)構(gòu)，例如，第一有機(jī)發(fā)射層EL1'和第二有機(jī)發(fā)射層EL2'，具有基本上相同的厚度。

第一有機(jī)發(fā)射層EL1'和第二有機(jī)發(fā)射層EL2'可通過類似上文描述的第一示例性實(shí)施方式的一個(gè)掩模過程形成。

類似上文描述的第一示例性實(shí)施方式，第一空穴傳輸層HTL1'和第二空穴傳輸層HTL2'可形成為具有相同材料和相同厚度，并可通過一個(gè)掩模過程同時(shí)形成。

類似上文描述的第一示例性實(shí)施方式，還可在第一空穴傳輸層HTL1'和第四有機(jī)發(fā)射層EL4'之間形成第三輔助層OL3'，從而控制第四像素PX4'的空穴注入層HIL和公共電極CE之間的距離，以滿足用于由第四像素PX4'發(fā)射的紅光的相長干涉條件。

如上所述，在具有與第一示例性實(shí)施方式不同的像素排列的第二形狀的根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器2000的情況下，高顏色復(fù)現(xiàn)性(高色域)、高元件效率以及對(duì)用戶的相對(duì)于可見藍(lán)色光線的視力保護(hù)可全部被實(shí)現(xiàn)，而不必受限于像素排列方法。

接下來將參照?qǐng)D8至圖14描述根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000的制造方法。

圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13和圖14是依次示出了根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法的視圖。

參照?qǐng)D8，空穴注入層HIL可形成于布置在襯底SUB上的像素電路PC上。雖然圖8中未示出，但是第一電極可布置在像素電路PC和空穴注入層HIL之間。作為示例，空穴注入層HIL的下層可通過具有導(dǎo)電材料而形成為第一電極。

然后，如圖9所示，第一輔助層OL1和第二輔助層OL2可在空穴注入層HIL上形成為分開的。第一輔助層OL1和第二輔助層OL2可由相同材料形成，包括有機(jī)聚合物或無機(jī)聚合物，并具有相同導(dǎo)電性，以及可形成為具有相同厚度。在第一示例性實(shí)施方式中，通過一個(gè)掩模過程，如圖9中所示，第一輔助層OL1和第二輔助層OL2可被同時(shí)形成。

然后，如圖10所示，第一有機(jī)發(fā)射層EL1可形成于第一輔助層OL1上。第一有機(jī)發(fā)射層EL1可包括發(fā)射與440nm至458nm的第二波長范圍對(duì)應(yīng)的藍(lán)光的發(fā)光材料。在第一示例性實(shí)施方式中，在空穴注入層HIL上，第一有機(jī)發(fā)射層EL1和與第一有機(jī)發(fā)射層EL1分離的第二有機(jī)發(fā)射層EL2可被同時(shí)形成。

在第一示例性實(shí)施方式中，第一有機(jī)發(fā)射層EL1和第二有機(jī)發(fā)射層EL2可形成為具有相同材料和相同厚度，并可通過一個(gè)掩模過程被同時(shí)形成。

然后，如圖11所示，第一空穴傳輸層HTL1可形成于第二輔助層OL2 上。在第一示例性實(shí)施方式中，第二空穴傳輸層HTL2可與第一空穴傳輸層HTL1一起形成。第二空穴傳輸層HTL2形成于空穴注入層HIL上；但是，第二空穴傳輸層HTL2可形成于與第一空穴傳輸層HTL1、第一有機(jī)發(fā)射層EL1和第二有機(jī)發(fā)射層EL2分離的位置處。第一空穴傳輸層HTL1和第二空穴傳輸層HTL2可形成為具有相同材料和相同厚度，并可通過一個(gè)掩模過程被同時(shí)形成。

此外，如圖12所示，第三輔助層OL3可形成于第一空穴傳輸層HTL1上。如上所述，當(dāng)設(shè)計(jì)使得分別在第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1、第二有機(jī)發(fā)光元件OLED2、第三有機(jī)發(fā)光元件OLED3以及第四有機(jī)發(fā)光元件OLED4中發(fā)射的光處于通過相長干涉形成共振的條件中時(shí)，第三輔助層OL3可以是用來補(bǔ)償?shù)谒南袼豍X4的共振距離的控制因素。但是，根據(jù)不同配置條件，其可被省略。

然后，如圖13和圖14所示，第二空穴傳輸層HTL2上的第三有機(jī)發(fā)射層EL3和第三輔助層OL3上的第四有機(jī)發(fā)射層EL4可被分別形成。當(dāng)?shù)谌o助層OL3被省略時(shí)，第四有機(jī)發(fā)射層EL4可直接形成于第一空穴傳輸層HTL1上。

然后，通過依次形成電子傳輸層ETL、電子注入層EIL和公共電極CE，具有圖2中所示結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000可被制造。

如上所述，在根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000及其制造方法中，雖然第一有機(jī)發(fā)射層EL1和第二有機(jī)發(fā)射層EL2包括發(fā)射440nm至458nm的第二波長范圍的藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)射材料，但是，通過控制第一輔助層OL1和空穴注入層HIL的厚度，第一像素PX1可配置為發(fā)射與459nm至490nm的第一波長范圍對(duì)應(yīng)的藍(lán)光。

此外，類似第一像素PX1和第二像素PX2，雖然發(fā)射不同波長范圍的像素的種類增加了，但是掩模過程沒有增加，而且第一有機(jī)發(fā)射層EL1和第二有機(jī)發(fā)射層EL2可通過一個(gè)掩模形成，從而提供了具有減少的制造時(shí)間和成本的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000。

此外，通過根據(jù)由第一像素PX1至第四像素PX4發(fā)射的每種光控制從每個(gè)空穴注入層HIL到公共電極CE的距離來產(chǎn)生相長干涉，提供了具有改善的像素發(fā)射效率的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000。

根據(jù)示例性實(shí)施方式，包括了分別發(fā)射具有不同波長的兩種藍(lán)光的有機(jī)發(fā)光元件，從而提供能夠?qū)崿F(xiàn)高顏色復(fù)現(xiàn)性(高色域)和對(duì)用戶相對(duì)于可見藍(lán)色光線的視力保護(hù)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施方式，在不增加沉積有機(jī)層的掩模的情況下，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器提供有對(duì)于發(fā)射具有不同波長的光的多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件的改善的發(fā)射效率。

雖然在本文中已經(jīng)描述了某些示例性實(shí)施方式和實(shí)現(xiàn)，但是其它實(shí)施方式和修改從本描述中將是顯而易見的。因此，本發(fā)明構(gòu)思不限于這樣的實(shí)施方式，而是具有本權(quán)利要求和各種明顯修改以及等效排列的更寬的范圍。