有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 此文件涉及有機(jī)發(fā)光二極管，更具體而言，涉及由于具有能夠注入更多電子的n 型電荷生成層（n-CGL)或電子輸送層而可降低驅(qū)動(dòng)電壓并提高壽命的有機(jī)發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，隨著對(duì)于平板顯示器的需求增長(zhǎng)，有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)備（OLED設(shè)備）引起 注意。OLED是一種使用有機(jī)材料將電能轉(zhuǎn)化為光能的設(shè)備，并且其包含設(shè)置在陽(yáng)極和陰極 之間能夠發(fā)光的有機(jī)材料層。OLED可形成各種結(jié)構(gòu)。在那些OLED中，對(duì)于堆疊有多個(gè)發(fā)射 層的串聯(lián)有機(jī)發(fā)光二極管的研宄在進(jìn)行中。
[0003] 串聯(lián)有機(jī)發(fā)光二極管由多個(gè)發(fā)光部件形成，其每個(gè)具有空穴注入層、空穴輸送層、 發(fā)射層、電子輸送層和堆疊在陽(yáng)極和陰極之間的電子注入層。n型電荷生成層和p型電荷生 成層形成在串聯(lián)有機(jī)發(fā)光二極管的各個(gè)發(fā)光部件之間。電荷在n型電荷生成層和p型電荷 生成層之間生成，電子流動(dòng)至鄰近n型電荷生成層的電子注入層，而空穴被輸送至鄰近n型 電荷生成層的空穴注入層。在此情況中，設(shè)備效率取決于P型電荷生成層和n型電荷生成 層之間的界面特性和能級(jí)差，以及n型電荷生成層和摻雜的堿金屬之間的界面特性和能級(jí) 差。
[0004] 隨著n型電荷生成層和P型電荷生成層之間的能級(jí)差變大，在鄰近P型電荷生成 層的空穴注入層的界面處生成更多電荷，使得電子難以注入n型電荷生成層。
[0005] 此外，在n型電荷生成層摻雜有堿金屬的情況中，堿金屬擴(kuò)散到P型電荷生成層 中，造成漏泄電流。漏泄電流降低設(shè)備的壽命。
[0006] 相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 1.用于有機(jī)光電設(shè)備的化合物，包含所述化合物的有機(jī)發(fā)光二極管，以及包含所 述有機(jī)發(fā)光二極管的顯示器（韓國(guó)特開(kāi)專利2013-0079237號(hào)）。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)發(fā)光二極管，其包括在陽(yáng)極和陰極之間的至少一個(gè) 發(fā)光部件，并且包括至少一個(gè)有機(jī)層和發(fā)射層，所述至少一個(gè)有機(jī)層由具有一個(gè)或多個(gè)雜 原子的化合物組成，并且所述化合物具有因所述雜原子的能級(jí)和因所述能級(jí)的導(dǎo)電特性。
【附圖說(shuō)明】
[0009] 附圖被包括在本說(shuō)明書中以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并結(jié)合到本說(shuō)明書中且 構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式，且與說(shuō)明書一起用于解釋本發(fā)明 的原理。在附圖中：
[0010] 圖1是本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的截面圖；
[0011] 圖2是本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方式的串聯(lián)有機(jī)發(fā)光二極管的截面圖；
[0012] 圖3是本發(fā)明的又一個(gè)示例性實(shí)施方式的串聯(lián)有機(jī)發(fā)光二極管的截面圖；
[0013] 圖4是用于解釋本發(fā)明各示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電壓降低的 圖表；
[0014] 圖5是用于解釋本發(fā)明各示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的壽命增加的圖表； 和
[0015] 圖6A~6C是用于解釋本發(fā)明各示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的玻璃化轉(zhuǎn)變 溫度和熔化溫度的圖表。
【具體實(shí)施方式】
[0016] 通過(guò)參考實(shí)施方式和附圖的以下詳述可更容易理解本發(fā)明和實(shí)行本發(fā)明的方法 的優(yōu)點(diǎn)和特征。然而，本發(fā)明可以不同形式實(shí)施并且不應(yīng)被理解為限于本文中提及的實(shí)施 方式。相較而言，提供這些實(shí)施方式使得本公開(kāi)將徹底和完整，并且將本發(fā)明的范圍充分傳 達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明僅由權(quán)利要求的范圍限定。整個(gè)說(shuō)明書中相似的附圖標(biāo)記指 代相似的元件。
[0017] 將理解當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一個(gè)元件或?qū)?之上"時(shí)，所述元件或?qū)涌芍苯釉诹?一個(gè)元件或?qū)由?，或者在介于中間的元件或?qū)由稀?br>[0018] 將理解，盡管可在本文中使用"第一"、"第二"等術(shù)語(yǔ)來(lái)描述各種元件，這些元件不 應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件與其他元件區(qū)分。因此，下文討論的第一 元件可被稱作第二元件，而不偏離本發(fā)明的技術(shù)精神。
[0019] 整個(gè)說(shuō)明書中相似的附圖標(biāo)記指代相似的元件。
[0020] 附圖中所示組件的尺寸和厚度出于解釋的方便而示出，但本發(fā)明并非必需限于 此。
[0021 ] 如本領(lǐng)域技術(shù)人員將充分理解的，本發(fā)明各示例性實(shí)施方式的特征可彼此部分或 全部組合，并可以技術(shù)上相互作用或以各種方式共同運(yùn)作。示例性實(shí)施方式可單獨(dú)或彼此 組合執(zhí)行。
[0022] 除非單獨(dú)定義，本文所用的術(shù)語(yǔ)"取代"是指取代基或化合物中的至少一個(gè)氫原子 被氘、鹵素基團(tuán)、羥基、氨基、取代或未取代的C1~C30胺基、硝基、取代或未取代的C3~ C40甲硅烷基、C1~C30烷基、C1~C10烷基甲硅烷基、C3~C30環(huán)烷基、C6~C30芳基或 C1~C30烷氧基置換。
[0023] 下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的各實(shí)施方式。
[0024] 本發(fā)明示例性實(shí)施方式的化合物由下述化學(xué)式1表示：
[0025] [化學(xué)式1]
[0026]
[0027] 其中XI和X2為碳或氮，并且XI和X2中至少一個(gè)為氮。雖然不受理論限制，XI 和X2中至少一個(gè)為氮，并且當(dāng)化合物摻雜有堿金屬時(shí)，可在氮的非共價(jià)電子對(duì)和堿金屬之 間部分形成化學(xué)鍵。例如，在n型電荷生成層由化合物形成并摻雜有堿金屬形成時(shí)，堿金屬 從n型電荷生成層到p型電荷生成層中的擴(kuò)散被最小化，從而提高有機(jī)發(fā)光二極管的壽命。 此外，所述化合物包含一個(gè)或多個(gè)雜原子，并且所述化合物具有因雜原子的能級(jí)和因能級(jí) 的導(dǎo)電特性。換言之，由于XI和X2中至少一個(gè)為氮，所以所述化合物具有取決于LUMO(最 低未占分子軌道）能級(jí)的導(dǎo)電特性，促進(jìn)電子注入電子輸送層。當(dāng)用比XI和X2中至少一 個(gè)遠(yuǎn)的氮原子取代相同環(huán)中的化學(xué)式1的N時(shí)，上述優(yōu)勢(shì)將被減小。而且，與在比&和X 2 中至少一個(gè)遠(yuǎn)的位置取代的氮原子相比，在比&和乂2中至少一個(gè)近的位置取代的氮原子促 進(jìn)向電荷生成層或電子輸送層的電子轉(zhuǎn)移或電子注入。
[0028] L為單鍵，取代或未取代的C1~C60亞芳基，或者具有一個(gè)或多個(gè)選自氮、氧和硫 的雜原子的取代或未取代的5元~60元雜亞芳基。
[0029] &為取代或未取代的C6~C60芳基，具有一個(gè)或多個(gè)選自氮、氧和硫的雜原子的 取代或未取代的5元~60元雜芳基，或者C1~C20烷基。
[0030] R2為氫、取代或未取代的C6~C60芳基，具有一個(gè)或多個(gè)選自氮、氧和硫的雜原子 的取代或未取代的5元~60元雜芳基，芳基胺基團(tuán)或者仲胺基團(tuán)。
[0031] &或1?2可以為具有雜原子的取代或未取代的5元~60元雜芳基。所述雜原子可 選自氮、氧和硫。優(yōu)選地，所述雜原子可以為氮。由于&或1? 2可以包含氮原子，在氮的非共 價(jià)電子對(duì)和堿金屬之間可部分形成化學(xué)鍵。因此，提高了前述導(dǎo)電特性，并減少了摻雜的堿 金屬?gòu)膎型電荷生成層到p型電荷生成層中的擴(kuò)散。當(dāng)&或R 2為具有氮雜原子的雜芳基 時(shí)，與具有其他原子的雜芳基相比促進(jìn)合成并且提高有機(jī)發(fā)光二極管的壽命。
[0032] 可選擇性地調(diào)節(jié)1、1?1或1?2以確定化合物的整個(gè)共軛長(zhǎng)度，并且可根據(jù)結(jié)合位置調(diào) 節(jié)化合物的結(jié)晶度和溶解度。另外，當(dāng)L、&或R 2為具有一個(gè)或多個(gè)雜原子的活性基團(tuán)時(shí)， 可調(diào)節(jié)向發(fā)射層或電子輸送層的電子注入量。
[0033] 此外，當(dāng)化合物的結(jié)晶度和溶解度通過(guò)&或1?2變得足夠高時(shí)，L可以是單鍵。當(dāng)L 是單鍵時(shí)，所述化合物可具有低分子量，并因此可降低沉