專利名稱：一種太陽能光伏模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于大面積光伏(photovoltaic, PV)太陽能模塊及制造該模塊的 方法。
背景技術(shù)：
大部分太陽能電池的單一 電池電壓太低而無法直接合用于或有效率地用 在許多應(yīng)用上。舉例而言，銅-銦-鎵-二硒化物(CuInxGahSe2，或縮寫為CIGS) 材料的單一電池電壓，視CIGS材料(太陽能電池的吸收體)的組成而定，位在 0. 5至0.8伏特(volts)之間。
相較于傳統(tǒng)以結(jié)晶硅晶圓為基材的PV模塊制程，薄膜光伏(PV)制程技術(shù) 的一大優(yōu)點為用于在同一基板上大面積制造太陽能電池時，能整體整合 (monolithic integration)個別太陽能電池，而不需仰賴用于大面積結(jié)晶硅 PV模塊的工業(yè)生產(chǎn)中麻煩且費力的電池連接(如串聯(lián)及/或并聯(lián))。
在PV模塊的制造上，個別電池以串聯(lián)方式連接以得到適用于不同應(yīng)用的 高電壓。通常，視以串聯(lián)方式互連的電池數(shù)目而定，PV模塊的輸出電壓范圍 可位于10至100伏特之間。
圖1A和圖1B說明利用移除半導(dǎo)體膜以產(chǎn)生分別串聯(lián)連接電池的陣列所制 成的非晶硅(a-Si:H) PV模塊的傳統(tǒng)串接結(jié)構(gòu)。該互連通常發(fā)生在將第一電池 的如氧化錫的前透明導(dǎo)電層10(前觸點)互連至鄰接電池的如鋁的背導(dǎo)電層12 的制程中。這些層分別封裝在兩片玻璃14及16間。為使第n+l個電池的隨后 沉積的背觸點膜直接與毗連的第n個電池的前觸點接觸，毗接至且位于模塊的 導(dǎo)電層10和12間的半導(dǎo)體Si膜18(p-i-/1層)，利用例如激光劃線(laser scribe)的方式切割以外露Sn02前觸點10。以此方法，該陣列的個個電池以串 聯(lián)方式連接以增加模塊的輸出電壓。通常，該模塊通過乙烯-乙酸乙烯酯(EVA) 的密封層19密封以隔絕空氣，該密封層19亦用以黏結(jié)前玻璃基板14和背玻 璃基板16。另一利用CIGS PV膜的傳統(tǒng)裝置模塊顯示于圖2。在這些裝置中，光從背 對架板21之側(cè)落在裝置上，其目的是連接透明導(dǎo)電的氧化物(TCO)，例如連接 第n個電池的氧化鋅(ZnO)的前電極20到第n+l個電池的鉬(Mo)背電極22。 每個電池的串接通常使用激光或機械方法以移除不同薄膜材料的窄線而分開 不同薄膜及不同電池所產(chǎn)生。在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)玻璃/Mo/CIGS/緩沖物/ZnO的CIGS PV 裝置中，三道劃線步驟分別在位置A23，位置B25，及位置C27上進行(參見圖 2的圖示)，以在Mo層22、 CIGS膜24、及CIGS/緩沖物/ZnO層20中產(chǎn)生分隔 線。第一及最后劃線步驟用以在相同的基板上產(chǎn)生不同的(電性分隔)電池，同 時第二劃線步驟(用于移除CIGS膜以外露Mo膜)是使毗連電池得以串聯(lián)形式電 性連接(太陽能電池的整體整合)的關(guān)鍵程序。
此外，該Zn0前觸點(及TC0薄膜， 一般包含用于以非晶硅(a-Si)為基材 的PV模塊的Sn02)于傳統(tǒng)上是利用例如激光燒蝕(laser ablation)及機械刮除 (mechanical scratch)的劃線技術(shù)而分隔。此方法會損壞CIGS半導(dǎo)體薄膜， 且在"切割"溝槽中的材料可能會劣化。剩留在分隔槽中的殘材經(jīng)常會造成降 低該等PV裝置輸出功率的短路。上述的緩沖物(buffer,未圖示)雖非必要， 但一般而言為較佳之層。該緩沖層可包括高阻抗ZnO (HR Zn0)或如n型CdS 的n型半導(dǎo)體的極薄膜，以由該極薄膜與p型CIGS吸收體膜形成接合點。其 它有用的緩沖材料包含ZnS及CdZnS。還有其余材料在較后引用的參考文獻中 提出。緩沖層在導(dǎo)電性ZnO沉積前沉積至光吸收層之上。為簡要起見，在此處 所述的圖示中，"TC0" —詞意指包含ZnO以及緩沖層及ZnO的層積。
一般對這些現(xiàn)有技術(shù)及他們關(guān)于以串連的膜的機械及/或化學(xué)移除的缺點 的討論來說，請參見例如美國專利第6459032號及第6380477號。傳統(tǒng)的切割 方法例如教示于美國專利第5131954號、第4892592號及第6288325號。此外， 在美國專利第4724011號及第4517403號，描述有另一個不需移除半導(dǎo)體薄膜 的串接結(jié)構(gòu)。這些方法不外乎是依賴使用激光或局部加熱使薄膜短路(并非可 預(yù)測的或穩(wěn)健的制程)或是后沉積物理處理的一些性質(zhì)。上述引用專利所教示 內(nèi)容系以參考文獻并入本文中。William N. Shafarman及Lars Stolt于 "/fe/7必ooA: of fV]otovcJt:aic Science and /leering"中,由 Antonio Lugue及Steven Hegedus, John Wiley & Sons Ltd, England (2003)編輯的 最新綜述文章"Ov(7nG^)Se2 SoJar Ce"s" ， page 567, Chapter 13，亦以參考文獻并入本文中。這些參考文獻教示廣為知悉且用于所屬領(lǐng)域中制造
CIGS太陽能裝置的方法和這些裝置的特性。如在后文參考及并入本文中所提 出的，術(shù)語"CIGS"亦包含其中一些可由硫置換硒的化合物。
特別于CIGS半導(dǎo)體裝置的情況下，并不直接使用激光移除材料。該材料 熔化且再填滿由激光燒蝕形成的槽(溝)，而不會留下必須制造良好的電接觸的 干凈Mo表面。再者，目前使用的機械切割的傳統(tǒng)技術(shù)(依賴刀的鋒刃切穿層狀 物)對CIGS膜而言不是穩(wěn)健制程，因為切割的質(zhì)量對很多參數(shù)過于敏感，例如 Mo膜的形貌、Mo膜的表面組成物(MoSex在CIGS長成的高溫期間形成)、CIGS 膜的特性(包含黏著強度)及與刀頂端有關(guān)的基板移動的平滑度，以及對刀的壓 力等等。前ZnO及背Mo間的互連經(jīng)常呈現(xiàn)大電阻(劣等觸點)。此外，由于需 保持一些安全系數(shù)，移除膜經(jīng)常導(dǎo)致太陽能電池的活性區(qū)域過度的損失。因此， 在前及后觸點間產(chǎn)生高質(zhì)量的互連路徑極度需要更簡單的替代方法。
至于ZnO前觸點，用于形成互連的機械切割既慢、亦難處理、又不十分完 善，且需要在設(shè)備上的高資金投資(例如高度準(zhǔn)確運動的切割臺，以確保平 板運動的一致性及準(zhǔn)確性)，并且難以在不會損壞底下層狀物的情況下，調(diào)整 用于理想隔離質(zhì)量的切割深度。我們早已指出通常伴隨切割技術(shù)而由殘材引起 的短路問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開了 一種太陽能光伏模塊，包括在共享基板上以串聯(lián)方式互連的 光伏太陽能電池的陣列，每一電池包括前電極及與上述前電極隔開的背電極， 以及在上述前電極及背電極間的光吸收光伏膜，上述前電極為透光，且其中， 該陣列的第n個太陽能電池的前電極位在后繼電池的背電極的上方并通過該 光伏膜的一部分而連接至該后繼電池，亦即該陣列的第(n+l)個電池的背電極， 該光伏膜的該部分己被改質(zhì)成比該光伏膜的其余部分具有實質(zhì)上較高的導(dǎo)電 性。
該光吸收光伏膜可為CIGS層。
該光伏膜的該高導(dǎo)電性部分通過沿著隔開的窄帶摻雜連續(xù)的光伏膜而形 成，其中，該第n個電池的前電極位在后繼第n+l個電池的背電極上。 該摻雜物可為硒化銅。本發(fā)明還公開了一種光伏模塊，包括在基板上以串聯(lián)方式互連的薄膜
CIGS光伏太陽能電池的陣列，該陣列的電池包括-
金屬背電極，在上述基板上， 一電池的背電極與鄰接電池的背電極隔開;
光吸收CIGS光伏膜，該膜設(shè)置在該陣列中的該電池的背電極上及該些背 電極間的空間上；以及
TC0前電極層，其系于上述CIGS膜上， 一電池的該TCO層位于鄰接電池 的該背電極上，且其中，在一電池的該TCO層與該鄰接電池的背電極間的該 CIGS膜已被摻雜物改質(zhì)而在毗連電池間形成狹窄導(dǎo)電串聯(lián)互連帶。
該TCO層包含至少一薄緩沖物。
該背電極為鉬，該TCO層包括氧化鋅及該導(dǎo)電互連摻雜物包括硒化銅，該 模塊還包括玻璃蓋板及密封層。
本發(fā)明還公開了一種制造太陽能光伏模塊的方法，該模塊包括以串聯(lián)方式 互連的太陽能電池的陣列，該方法包括下述步驟
在具有隔開的第一電極的基板上沉積連續(xù)且高電阻的光吸收光伏層以及 以摻雜劑沿著窄導(dǎo)電帶摻雜上述光伏層而沿著上述窄帶形成穿透上述光伏層 的導(dǎo)電通路，之后在具有上述導(dǎo)電帶的上述光伏層上形成隔開的第二電極，以 便在上述的陣列中的一電池的該第一電極與鄰接電池的該第二電極間提供串 聯(lián)方式的互連。
在沉積光吸收光伏膜之前，可將呈窄帶的摻雜物涂覆于毗連該陣列的該隔 開的第一電極邊緣處，藉以在沉積上述光伏膜期間形成上述膜中的導(dǎo)電帶。
該光伏膜包括CIGS，以及該摻雜物為選自下列群組的成員Cu、 Ag、 In、 Tl、 Ga、 K、 Cs或它們各自的硒化物、碲化物、硫化物或碘化物。
該摻雜物可為硒化銅。
該陣列的第一電極為在玻璃基板上的鉬膜，而該陣列的第二電極為TC0 薄膜。
該TCO層包括ZnO及緩沖層。
該具阻抗的連續(xù)光吸收光伏膜沉積于上述的第一電極上及與該電極的間 隔上，且接著，摻雜物的窄帶在上述的PV膜的上沉積，之后對該陣列進行熱 處理使該摻雜物擴散到上述的光伏膜，以便在其中產(chǎn)生上述的窄導(dǎo)電通路。
該光伏膜包括CIGS,以及該摻雜物為選自下列群組的成員Cu、 Ag、 In、Tl、 Ga、 K、 Cs及它們各自的硒化物、碲化物、硫化物和碘化物。 該摻雜物可為硒化銅。
該陣列的第一電極為在玻璃基板上的鉬膜，而該陣列的第二電極為TC0 電極。
該TC0層包括Zn0及緩沖層。
該緩沖層包括硫化銅。
該緩沖層包括硫化銅。
本發(fā)明利用大幅增加在正常光吸收PV膜所欲電接觸區(qū)域的導(dǎo)電性而達 成，且不會顯著影響平坦基板的厚度或側(cè)構(gòu)形。于此處，并非移除如目前經(jīng) PV膜組制造商實作的活性光吸收膜窄帶，且在適當(dāng)處留下膜而完成該互連， 而是改變它的導(dǎo)電性，以便制成從一電池的第一電極連接至鄰接電池的第二電 極的有效的串聯(lián)互連。導(dǎo)電性變化系藉由于光吸收層并入適當(dāng)?shù)膿诫s物(或合 金元素)而完成，該摻雜物可大幅地降低在接觸區(qū)域中的活性半導(dǎo)體層的電阻 (電阻性)以便在摻雜區(qū)中使該區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上能導(dǎo)電。


圖1A及1B顯示了現(xiàn)有技術(shù)具有以串聯(lián)方式連接的PV太陽能電池的非晶 硅(a-Si:H) PV模塊陣列的剖視圖2顯示現(xiàn)有技術(shù)具有以串聯(lián)方式連接的太陽能電池的陣列的未經(jīng)封裝 的CIGS PV板的前剖視圖3至7描述逐步形成本發(fā)明的太陽能PV模塊的一個具體實施例的前剖 視圖，其中，該導(dǎo)電通路使用于CIGS的前沉積的窄摻雜物帶而形成；
圖8至13描述逐步形成本發(fā)明的太陽能PV模塊的另一個具體實施例的前 剖視圖，其中，該導(dǎo)電通路經(jīng)將窄摻雜物帶涂覆到隨后藉加熱擴散該摻雜物至 該CIGS膜而形成的活性膜表面的手段所形成。
其中，附圖標(biāo)記
10前透明導(dǎo)電層 12背導(dǎo)電層
14,16玻璃 18 半導(dǎo)體硅膜
19密封層 20 前電極
21架板 22 背電極23位置A24CIGS膜
25位置B27位置c
30鉬膜32基板
34鉬膜分隔線36摻雜物
38CIGS膜40導(dǎo)電通路
42透明導(dǎo)電電極層、TC0層44TC0電池分隔線
60鉬Mo背電極62鉬分隔線 .
64玻璃基板66CIGS膜
68摻雜物線70高導(dǎo)電度狹窄互連通路
72TC0膜、前電極74分隔線
具體實施例方式
本發(fā)明將就CIGS PV(photovoltaic, PV)太陽能模塊方面來描述。但是， 對所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，除了CIGS以外，能被用在本發(fā)明的實作中的光 吸收光伏膜為顯而易知。再者，如此處所用的"TC0" —詞將包括任何適合的 透明導(dǎo)電膜，該透明導(dǎo)電膜包含有那些包含例如引用在Shafarman & Stolt 參考文獻中所教示的緩沖層的層狀物。
一般而言，根據(jù)本發(fā)明，太陽能電模塊包括在基板上形成以串聯(lián)方式互連 薄膜PV太陽能電池的陣列。該陣列的每一電池包括與鄰接電池的背電極隔開 的背電極、與一電池的背電極接觸且至少部分延伸至鄰接電池的背電極的光吸 收PV膜、在該PV膜的上的TCO前電極，該PV膜小部分位在鄰接電池背電極 的小部分上，每一電池的TC0前電極及背電極分別地與鄰接電池的前電極及背 電極隔開，且其中，改質(zhì)(modify)位于一電池的TCO層及鄰接電池的背電極間 的正常高電阻PV膜，以便在鄰接電池間形成導(dǎo)電串接。
本發(fā)明的主要實施例為CIGS膜可能在其沉積后的適當(dāng)位置留下，但會在 電池互連的區(qū)域中改變其導(dǎo)電性，以便在第一電極(例如ZnO透明電極)及鄰接 電池的第二電極(例如Mo電極)間制造有效的互連。導(dǎo)電性變化可以通過在互 連區(qū)域的CIGS膜中并入一種或多種適合的摻雜物或合金元素而達成。通常， 該摻雜物改變該CIGS膜的片電阻(sheet resistance)從約105 Ohm/Square至 10 Ohm/Square以下。在CIGS膜中用于降低該片電阻的可能的摻雜物為金屬，例如Cu、 Ag、 In、 Au、 Tl、 Ga、 K和Cs或其化合物例如硒化物、碲化物、硫 化物或碘化物。 一般來說，相較于如Cu2Se的摻雜物，控制及限制金屬摻雜物 的橫向擴散是較為困難的，因而控制該陣列的互聯(lián)機的寬度。欲用的摻雜物的 用量亦即該摻雜物層的厚度及其寬度則依CIGS吸收層的厚度而定。
如實施例，對1.5微米厚CIGS膜而言，具有約0.5微米厚而呈窄帶的摻 雜物化合物應(yīng)該足夠形成低電阻互連路徑。當(dāng)呈窄帶的Cu2Se摻雜物層在形成 CIGS之前沉積時，由于在形成該CIGS的溫度(通常為50(TC至600°C),故在 CIGS層形成后不需進一步的熱處理，該摻雜物易擴散到CIGS以形成僅含少量 增寬的窄摻雜物線的低電阻互連。但是，當(dāng)摻雜物層在現(xiàn)有CIGS層之上沉積 時，陣列必須進行熱處理以使摻雜物擴散至CIGS層而形成導(dǎo)電通路。加熱至 約30(TC持續(xù)二分之一小時便足夠。
此發(fā)明的兩個具體實施例以相關(guān)

。在第一具體實施例(圖3至7) 中，在如玻璃的基板32上形成圖案化的鉬膜30作為模塊的背電極。在毗連的 Mo膜間的空間34形成電池分隔線。呈薄窄帶的"摻雜物"材料36沉積在毗 連Mo膜分隔線34的Mo膜30上。合適的摻雜物包含但不限定于Cu2Se、 Cu2S 及含銀的合金。當(dāng)沉積連續(xù)的CIGS膜38時，摻雜物36擴散到該CIGS膜38 以形成包括摻雜的CIGS或合金的CIGS的局部導(dǎo)電通路40。在CIGS半導(dǎo)體膜 38形成期間，當(dāng)形成導(dǎo)電通路作為自然程序的部分時，此制程不需發(fā)生特定 的后沉積處理。此為本發(fā)明的具體實施例的較佳方法。在沉積CIGS膜之后， 在陣列的上形成透明導(dǎo)電電極層42(含或不含緩沖層)，例如ZnO或CdS/HR ZnO/ZnO。然后通過該TCO層提供TCO電池分隔線44。只要該分隔線44延伸 穿過TCO層42，該些分隔線44亦可以或可以不延伸穿過或部分延伸穿過CIGS 膜38(比較圖6及圖7)。導(dǎo)電互連在陣列中的毗連電池間形成串聯(lián)連接。
圖8至13說明形成本發(fā)明的新穎PV模塊的第二具體實施例。根據(jù)此具體 實施例，以在所欲的位置用后沉積方式修改CIGS膜的導(dǎo)電性而完成。此處， 于玻璃基板64上提供經(jīng)Mo分隔線62分開的Mo背電極60。在陣列的上沉積 連續(xù)的CIGS膜66為所屬領(lǐng)域技術(shù)人員所周知的。在CIGS膜66形成之后，窄 摻雜物線68沉積在毗連Mo分隔線62處位于Mo電極60上的CIGS膜66上。 樣品隨后的處理(熱或激光或熱壓處理)導(dǎo)致?lián)诫s物擴散到CIGS主體，以在所 欲的位置產(chǎn)生高導(dǎo)電度狹窄互連通路70。 TCO膜72沉積在CIGS膜66之上。然后在TC0膜72中形成分隔線74，以便提供陣列的電池的前電極72。 一電池 的TCO電極72不論是否有移除任何CIGS膜，皆與鄰接電池的Mo背電極60 產(chǎn)生良好電接觸。如先前所示，該TCO膜可為導(dǎo)電的氧化物，例如ZnO或ZnSnO 且可并入薄緩沖層，例如服ZnO及/或CdS。再者，在前電極的隔離期間，于 下方的CIGS膜全部、部分或沒有被移除。
應(yīng)注意前述提及的兩個具體實施例中，摻雜物沒有大量橫向擴散，此橫向 擴散將導(dǎo)致互連導(dǎo)線不必要的加寬，且會在不同活性CIGS材料中產(chǎn)生死角。
在所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所周知的任何方法可用在所欲的位置上沉積材料。 該些方法包含網(wǎng)版印刷、激光加熱、以印刷頭定義界線、通過罩幕蒸鍍等等。 更甚者，若TCO層通過罩幕沉積，而使每一電池的TCO層與鄰接電池的TCO 層分隔開來，隨后將不需隔離步驟而使CIGS層(包含導(dǎo)電帶)能保持為連續(xù)層。
權(quán)利要求
1. 一種太陽能光伏模塊，包括在共享基板上以串聯(lián)方式互連的光伏太陽能電池的陣列，每一電池包括前電極及與上述前電極隔開的背電極，以及在上述前電極及背電極間的光吸收光伏膜，上述前電極為透光，且其中，該陣列的第n個太陽能電池的前電極位在后繼電池的背電極的上方并通過該光伏膜的一部分而連接至該后繼電池，亦即該陣列的第(n+1)個電池的背電極，該光伏膜的該部分已被改質(zhì)成比該光伏膜的其余部分具有實質(zhì)上較高的導(dǎo)電性。
2. 如權(quán)利要求1所述的太陽能光伏模塊，其特征在于，該光吸收光伏膜為 CIGS層。
3. 如權(quán)利要求2所述的太陽能光伏模塊，其特征在于，該光伏膜的該高導(dǎo) 電性部分通過沿著隔開的窄帶摻雜連續(xù)的光伏膜而形成，其中，該第n個電池 的前電極位在后繼第n+l個電池的背電極上。
4. 如權(quán)利要求3所述的太陽能光伏模塊，其特征在于，該摻雜物為硒化銅。
5. —種光伏模塊，包括在基板上以串聯(lián)方式互連的薄膜CIGS光伏太陽能 電池的陣列，其特征在于，該陣列的電池包括金屬背電極，在上述基板上， 一電池的背電極與鄰接電池的背電極隔開； 光吸收CIGS光伏膜，該膜設(shè)置在該陣列中的該電池的背電極上及該些背 電極間的空間上；以及TC0前電極層，其系于上述CIGS膜上， 一電池的該TCO層位于鄰接電池 的該背電極上，且其中，在一電池的該TCO層與該鄰接電池的背電極間的該 CIGS膜已被摻雜物改質(zhì)而在毗連電池間形成狹窄導(dǎo)電串聯(lián)互連帶。
6. 如權(quán)利要求5所述的光伏模塊，其特征在于，該TCO層包含至少一薄緩 沖物。
7. 如權(quán)利要求6所述的光伏模塊，其特征在于，該背電極為鉬，該TCO 層包括氧化鋅及該導(dǎo)電互連摻雜物包括硒化銅，該模塊還包括玻璃蓋板及密封 層。
8. —種制造太陽能光伏模塊的方法，該模塊包括以串聯(lián)方式互連的太陽能 電池的陣列，其特征在于，該方法包括下述步驟在具有隔開的第一電極的基板上沉積連續(xù)且高電阻的光吸收光伏層以及以摻雜劑沿著窄導(dǎo)電帶摻雜上述光伏層而沿著上述窄帶形成穿透上述光伏層 的導(dǎo)電通路，之后在具有上述導(dǎo)電帶的上述光伏層上形成隔開的第二電極，以 便在上述的陣列中的一電池的該第一電極與鄰接電池的該第二電極間提供串 聯(lián)方式的互連。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在沉積光吸收光伏膜之前，將 呈窄帶的摻雜物涂覆于毗連該陣列的該隔開的第一電極邊緣處，藉以在沉積上 述光伏膜期間形成上述膜中的導(dǎo)電帶。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該光伏膜包括CIGS，以及該 摻雜物為選自下列群組的成員Cu、 Ag、 In、 Tl、 Ga、 K、 Cs或它們各自的硒 化物、碲化物、硫化物或碘化物。
11. 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，該摻雜物為硒化銅，該陣列 的第一電極為在玻璃基板上的鉬膜，而該陣列的第二電極為TCO薄膜。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，該TCO層包括ZnO及包括硫 化銅的緩沖層。
13. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該具阻抗的連續(xù)光吸收光伏 膜沉積于上述的第一電極上及與該電極的間隔上，且接著，摻雜物的窄帶在上 述的PV膜的上沉積，之后對該陣列進行熱處理使該摻雜物擴散到上述的光伏 膜，以便在其中產(chǎn)生上述的窄導(dǎo)電通路。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，該光伏膜包括CIGS，以及 該摻雜物為選自下列群組的成員Cu、 Ag、 In、 Tl、 Ga、 K、 Cs或它們各自的 硒化物、碲化物、硫化物或碘化物。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，該摻雜物為硒化銅，該陣列 的第一電極為在玻璃基板上的鉬膜，而該陣列的第二電極為TCO電極。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，該TCO層包括ZnO及包括硫 化銅的緩沖層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種太陽能光伏模塊及其制造方法，該太陽能光伏模塊包括在共享基板上以串聯(lián)方式互連且間隔的光伏太陽能電池的陣列，每一電池包括在上述基板上的第一電極、在該第一電極上的活性光伏膜、第二電極，上述電極中的至少一個為透光且其中該陣列的第n個太陽能電池的第二電極經(jīng)由光伏膜的一部分而連接至后繼電池，亦即該陣列第(n+1)個電池的第一電極，光伏膜的該部分比光伏膜的其余部分具有實質(zhì)上較高的導(dǎo)電性。本發(fā)明利用在所欲的電接觸的區(qū)域經(jīng)由在該所欲區(qū)域的膜中摻雜雜質(zhì)以大幅增加連續(xù)光吸收光伏膜的導(dǎo)電性而達成。
文檔編號H01L27/142GK101459183SQ20081018578
公開日2009年6月17日 申請日期2008年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月10日
發(fā)明者李沅民 申請人:泰瑞太陽能國際有限公司