外觀的主體10以及設(shè)置在主體10 中并且具有配置成用于打開的正面或門的儲藏容器20。主體10包括形成儲藏容器20的 內(nèi)部殼11以及形成外觀的外部殼13,并且包括配置成向儲藏容器20供應(yīng)冷空氣的冷空氣 供應(yīng)裝置。所述冷空氣供應(yīng)裝置包括壓縮機3、冷凝器、膨脹閥、蒸發(fā)器26、排氣風(fēng)扇27等。 壓縮機3配置成壓縮制冷劑和使經(jīng)壓縮的制冷劑冷凝。在主體10的底部后側(cè)處設(shè)置其中 安裝所述冷凝器的機械室23。儲藏容器20通過分隔壁17劃分成左側(cè)和右側(cè)。冷藏室單元 21設(shè)置在主體10的右側(cè)中和冷凍室單元22設(shè)置在主體10的左側(cè)中。
[0030] 制冷器1進一步包括配置成打開和關(guān)閉儲藏容器20的門30。冷藏室單元21和 冷凍室單元22分別通過與主體10以樞軸方式組合的冷藏室單元門31和冷凍室單元門33 打開和關(guān)閉。在冷藏室單元門31和冷凍室單元門33的背面處設(shè)置多個門擋護板（door guard) 35以容納食物等。多個架子24設(shè)置在儲藏容器20中并且將儲藏容器20劃分成多 個部分。貨物例如食物堆在架子24上。此外，將多個儲藏盒25設(shè)置成以滑動方式插入到 儲藏容器20中和從儲藏容器20取出。制冷器1進一步包括容許門30可旋轉(zhuǎn)地與主體10 組合的上部鉸鏈41和下部鉸鏈43。
[0031] 在形成儲藏容器20的內(nèi)部殼11和與內(nèi)部殼11的外側(cè)組合并且形成外觀的外部 殼13之間設(shè)置泡沫體空間2。將泡沫體絕熱材料15填充在泡沫體空間2中。使用泡沫體 絕熱材料例如基于泡沫塑料的絕熱材料，例如聚氨酯泡沫體、和聚乙烯泡沫體。為了增強泡 沫體絕熱材料15的絕熱性質(zhì)，隨同泡沫體絕熱材料15 -起填充真空絕熱板（VIP) 100。
[0032] 圖3為根據(jù)本公開內(nèi)容的實例制冷器的部件的橫截面圖。圖4為根據(jù)本公開內(nèi)容 的實例真空絕熱板的橫截面圖。真空絕熱板1〇〇包括：芯材料120,其為多孔材料并且形成 內(nèi)部真空空間；和外殼材料110,其包圍芯材料120并且保持內(nèi)部真空狀態(tài)。外殼材料110 阻止細(xì)微的氣體和水滲透到處于真空狀態(tài)的內(nèi)部中并且保持真空絕熱板100的使用壽命。
[0033] 芯材料120包括具有優(yōu)異的絕熱性能的玻璃纖維。當(dāng)芯材料120具有其中層疊多 個通過纖細(xì)的玻璃纖維編織的板的結(jié)構(gòu)時，可獲得高的絕熱效果。特別地，當(dāng)玻璃纖維之間 的孔尺寸減小時，由于輻射的影響被最小化，因此預(yù)期高的絕熱效果。
[0034] 同時，芯材料120包括二氧化硅。即使當(dāng)與玻璃纖維相比，二氧化硅被使用更長的 時間時，其在性能方面也具有更小的變化并且因此在長期可靠性方面具有優(yōu)異的特性。真 空絕熱板100進一步包括吸氣劑130。吸氣劑130設(shè)置在芯材料120內(nèi)部，并且吸收被引 入到芯材料120中的氣體和水的至少一種以保持芯材料120的真空狀態(tài)。吸氣劑130為粉 末形式，并且被形成為具有預(yù)定的塊體或長方體形狀。此外，將吸氣劑130施加至外殼材料 110的內(nèi)表面或者芯材料120的表面，或者插入到芯材料120中。吸氣劑130由例如CaO、 BaO、或MgO的材料制成并且包括催化劑。同時，如上所述，外殼材料110由氣體阻隔膜制成， 因為應(yīng)當(dāng)阻止細(xì)微的氣體和水滲透到處于真空狀態(tài)的芯材料120中。下文中，在以下實施 方式中，將描述由氣體阻隔膜制成的外殼材料110。
[0035] 作為相關(guān)領(lǐng)域中的外殼材料，通常使用鋁箔外殼材料或者沉積了鋁的外殼材料。 鋁箔外殼材料由于外部的細(xì)微的氣體和水被厚的鋁層有效地阻擋而具有優(yōu)異的耐久性，但 是存在其中熱量通過邊緣流動的熱橋的問題。此外，沉積了鋁的外殼材料具有比鋁箔外殼 材料薄的鋁層，不具有熱橋，但是由于如下而具有問題：外部的細(xì)微的氣體和水的阻擋性質(zhì) 降低，當(dāng)將外殼材料折疊或彎曲時產(chǎn)生細(xì)小的針孔，和耐久性降低。根據(jù)實施方式的氣體阻 隔膜110是通過原子層沉積（ALD)工藝形成的，以保證優(yōu)異的氣體阻隔效果、耐久性、和柔 性。
[0036] 圖5為說明用于形成根據(jù)本公開內(nèi)容的氣體阻隔膜的原子層沉積方法的實例過 程的圖。原子層沉積方法是其中通過自限性化學(xué)吸附來生長氧化物、氮化物、金屬薄膜等的 氣相沉積方法。在原子層沉積工藝中，將適合的前體蒸氣和反應(yīng)氣體交替地暴露于基底以 沉積原子層，和重復(fù)原子層的沉積以進行沉積至期望厚度。在此情況下，薄膜生長通過氣體 分子與基底的表面的反應(yīng)性官能團之間的化學(xué)吸附而發(fā)生。
[0037] 如圖5中所示，原子層沉積方法的一個循環(huán)由4個步驟構(gòu)成。首先，在步驟1中， 將第一前體供應(yīng)至基底設(shè)置在其中的腔室，并且使所述基底暴露于第一前體。所供應(yīng)的第 一前體與所述基底的表面反應(yīng)并且進行化學(xué)吸附。因此，在所述基底的表面上沉積第一前 體的原子層。當(dāng)所述基底的表面的吸附區(qū)域被飽和時，在供應(yīng)額外的前體時不再發(fā)生反應(yīng)。 這被稱作自限性化學(xué)吸附。在步驟2中，在第一前體不再與所述基底的表面反應(yīng)時，供應(yīng)惰 性氣體例如Ar或N2以除去額外的（多余的）第一前體和反應(yīng)副產(chǎn)物。這被稱作吹掃。
[0038] 在步驟3中，向所述腔室供應(yīng)第二前體并且使所述基底暴露于第二前體。此處，第 二前體指的是反應(yīng)氣體。所供應(yīng)的第二前體與吸附到所述基底的表面上的第一前體反應(yīng)并 且進行化學(xué)吸附。當(dāng)所述基底的表面的吸附區(qū)域被第二前體飽和時，不再發(fā)生反應(yīng)。在步 驟4中，再次向所述腔室供應(yīng)惰性氣體以除去額外的第二前體和反應(yīng)副產(chǎn)物。一個循環(huán)包 括步驟1-4的過程。當(dāng)重復(fù)該循環(huán)時，期望的厚度的原子層薄膜生長。根據(jù)步驟1和步驟 3中的自限性化學(xué)吸附，可進行跨越大的區(qū)域的優(yōu)異的厚度控制和均勻的生長并且在3D結(jié) 構(gòu)體上形成共形膜。同時，在用于制造氣體阻隔膜110的方法的原子層沉積工藝中，沉積溫 度選自室溫（例如約22°C)_約120°C的范圍，和更特別地，選自室溫（例如約22°C)_約 80°C的范圍。
[0039] 圖6為說明根據(jù)本公開內(nèi)容的氣體阻隔膜的實例制造方法的流程圖。如上所述， 氣體阻隔膜110是通過應(yīng)用原子層沉積工藝制造的。首先，原子層沉積工藝的第一循環(huán)開 始（211)。為此，供應(yīng)三甲基鋁（TMA)作為第一前體并且使其吸附到基底的表面上（212)。 所供應(yīng)的TMA與所述基底的表面反應(yīng)并且進行化學(xué)吸附。因此，TMA層沉積到所述基底的 表面上。當(dāng)所述基底的表面的吸附區(qū)域被飽和時，即使當(dāng)供應(yīng)額外的TMA時也不再發(fā)生反 應(yīng)。
[0040] 然后，進行吹掃，其中供應(yīng)惰性氣體以除去額外的TMA和反應(yīng)副產(chǎn)物（213)。當(dāng)額 外的TMA和反應(yīng)副產(chǎn)物被完全除去時，供應(yīng)戊二醇（PD)作為第二前體并且使其吸附到所述 基底的表面上（214)。戊二醇的名稱根據(jù)在戊烷中羥基與其結(jié)合的碳原子在碳原子中的位 置而分類并且其特性不同。在該實施方式中，使用其中羥基與第1個和第5個碳原子結(jié)合 的1，5-戊二醇。所供應(yīng)的戊二醇與吸附到所述基底的表面上的TMA反應(yīng)并且進行化學(xué)吸 附。此處，產(chǎn)生包含表示為化學(xué)式[Al-0-(CH2)5-0]M單元的化合物，其中n為大于1的整 數(shù)。而且，當(dāng)所述基底的表面的吸附區(qū)域被飽和時，不再發(fā)生反應(yīng)。
[0041] 進行吹掃，其中供應(yīng)惰性氣體以除去額外的戊二醇和反應(yīng)副產(chǎn)物（215)。操作 212-215分別對應(yīng)于以上原子層沉積工藝的一個循環(huán)的步驟1-4。根據(jù)氣體阻隔膜110的 期望厚度，進行所述循環(huán)一次或多次。為此，將操作212-215重復(fù)一次或多次（216和217)。 根據(jù)圖6中的以上工藝形成于所述基底中的包括[Al-0-(CH2)5-0]n(其中n為大于1的整 數(shù)）的單元的化合物層是通過充當(dāng)有機材料的戊二醇和充當(dāng)無機材料的TMA的化學(xué)吸附形 成的并且包括有機部分和無機部分。因此，所述層被稱作有機-無機混雜層。
[0042] 因此，氣體阻隔膜110包括有機-無機混雜層。用于形成所述有機-無機混雜層 的有機材料為具有5個碳原子的烴衍生物，和作為具體實例，使用1，5_戊二醇。同時，氣體 阻隔膜110進一步包括有機-無機混合層。所述有機-無機混合層包括充當(dāng)無機層的氧化 鋁層、以及有機-無機混雜層。下文中，將詳細(xì)地描述制造有機-無機混合層的方法。
[0043] 圖7為說明根據(jù)本公開內(nèi)容的氧化鋁層的實例制造方法的流程圖。圖8A和8B為 說明根據(jù)本公開內(nèi)容的有機-無機混合層的實例制造方法的流程圖。氧化鋁層也是通過 應(yīng)用原子層沉積工藝制造的。如圖7中所示，首先，所述原子層沉積工藝的第一循環(huán)開始 (221)。為此，供應(yīng)三甲基鋁（TMA)作為第一前體并且使其吸附到基底的表面上（222)。所 供應(yīng)的TMA與所述基底的表面反應(yīng)并且進行化學(xué)吸附。因此，TMA層沉積到所述基底的表 面上。當(dāng)所述基底的表面的吸附區(qū)域被飽和時，即使當(dāng)供應(yīng)額外的TMA時也不再發(fā)生反應(yīng)。
[0044] 然后，進行吹掃，其中供應(yīng)惰性氣體以除去額外的TMA和反應(yīng)副產(chǎn)物（223)。當(dāng)額 外的TMA和反應(yīng)副產(chǎn)物被完全除去時，供應(yīng)水蒸氣（H20)作為第三前體并且使其吸附到所 述基底的表面上（224)。所述水蒸氣與吸附到所述基底的表面上的TMA反應(yīng)并且進行化學(xué) 吸附。此處，產(chǎn)生A1203。而且，當(dāng)所述基底的表面的吸附區(qū)域被飽和時，不再發(fā)生反應(yīng)。
[0045] 進行吹掃，其中供應(yīng)惰性氣體以除去額外的水蒸氣和反應(yīng)副產(chǎn)物（225)。操作 222-225分別對應(yīng)于以上原子層沉積工藝的一個循環(huán)的步驟1-4。根據(jù)氣體阻隔膜110的 期望厚度，進行所述循環(huán)一次或多次（Y)。為此，將操作222-225重復(fù)一次或多次（Y) (226 和 227)。
[0046] 所述有機-無機混合層包括通過將使用TMA和戊二醇生長薄膜的循環(huán)重復(fù)一次或 多次（X)而產(chǎn)生的有機-無機混雜層和通過將使用TMA和水蒸氣生長薄膜的循環(huán)重復(fù)一次 或多次（Y)而產(chǎn)生的氧化鋁層。因此，所述有機-無機混合層是通過將包括一次或多次（X) 的用于產(chǎn)生所述有機_無機混雜層的子循環(huán)和一次或多次（Y)的用于產(chǎn)生所述氧化鋁層的 子循環(huán)的超循環(huán)重復(fù)而產(chǎn)生的。下文中，將參照圖8詳細(xì)地進行描述。
[0047] 如圖8A和8B中所示，首先，第一超循環(huán)開始（230)。為此，用于產(chǎn)生有機-無機混 雜層的第一子循環(huán)開始（241)。供應(yīng)三