該用途中玻璃層疊體100多曝露于(例如I小時(shí)以上)高溫條件下(例如360°C以上)。
[0137]此處，顯示裝置用面板包括IXD、OLED、電子紙、等離子顯示面板、場致發(fā)射面板、量子點(diǎn)LED面板、MEMS (Micro Electro Mechanical Systems，微電子機(jī)械系統(tǒng))快門面板等。
[0138]〈表面處理工序〉
[0139]表面處理工序S106是至少對支撐基板的第二主面(與存在有機(jī)硅樹脂層側(cè)相反一側(cè)的面)實(shí)施選自由電暈處理、等離子體處理和UV臭氧處理組成的組中的至少I種處理的工序。在第I發(fā)明中，旨在對上述形成的玻璃層疊體中的支撐基板的第二主面實(shí)施上述處理。更具體而言，對圖2的(C)的支撐基板10的第二主面1a實(shí)施上述處理。通過實(shí)施本工序S106，在上述加熱工序S102時(shí)揮發(fā)并附著在支撐基板10的第二主面1a的有機(jī)硅樹脂、其原料成分等被去除，支撐基板10的第二主面1a被潔凈化。S卩，通過對上述層疊工序S104中得到的玻璃層疊體實(shí)施上述處理，可得到處理過的玻璃層疊體。另外，如后所述，在本工序S106中，可以對玻璃層疊體中的支撐基板的第二主面和玻璃層疊體中的玻璃基板的露出表面一并實(shí)施上述處理。
[0140]作為本工序S106中實(shí)施的電暈處理(電暈清洗)，可實(shí)施公知的電暈處理。另外，電暈處理是指通過電暈放電照射而使塑料薄膜、紙和金屬箔等處理基材的表面改性的表面處理技術(shù)。在高壓電極與接地電極之間施加由高頻電源裝置發(fā)出的高頻、高電壓時(shí)，產(chǎn)生電暈放電。
[0141]對電暈處理的方法沒有特別限制，例如優(yōu)選在支撐玻璃層疊體的輸送輥和與其相向設(shè)置的電極之間施加高電壓使其產(chǎn)生電暈放電，使玻璃層疊體依次在其間移動(dòng)而進(jìn)行表面處理的方法。作為具體的電暈處理用裝置，可列舉出由高頻電源(高頻振蕩器)、高壓變壓器和放電電極構(gòu)成，在其前后組裝有輸送玻璃層疊體的輸送機(jī)的裝置。對高頻振蕩器的頻率沒有特別限制，例如優(yōu)選為0.1?100kHz，優(yōu)選最大輸出功率為0.5?50kW左右的高頻振蕩器。對玻璃層疊體的輸送速度(處理速度)沒有特別限制，優(yōu)選為I?10m/min。
[0142]另外，在層疊工序S104后實(shí)施表面處理工序S106時(shí)，優(yōu)選使用以下說明的電暈處理裝置。
[0143]圖4是示出電暈處理裝置的一個(gè)實(shí)施方式的側(cè)面圖。電暈處理裝置60至少具備第I高壓電極62、第I接地電極64、第2高壓電極66以及第2接地電極68。第I高壓電極62與第I接地電極64隔著規(guī)定間隔相向配置而構(gòu)成第I電極對70，在這些第I高壓電極62與第I接地電極64之間形成放電空間。此外，第2高壓電極66與第2接地電極68隔著規(guī)定間隔相向配置而構(gòu)成第2電極對72，在這些第2高壓電極66與第2接地電極68之間形成放電空間。第I電極對70與第2電極對72如圖4所示，沿著輸送層疊工序S104中得到的依次具有支撐基板、有機(jī)硅樹脂層和玻璃基板的玻璃層疊體X的方向相鄰配置。進(jìn)而，如圖4所示，玻璃層疊體X由輸送輥74進(jìn)行輸送，在第I高壓電極62與第I接地電極64之間和第2高壓電極66與第2接地電極68之間移動(dòng)。
[0144]此外，第I高壓電極62與第I高頻電源76連接而被施加高頻電壓。此外，第2高壓電極66與第2高頻電源78連接而被施加高頻電壓。需要說明的是，在圖4中，使用了第I高頻電源76和第2高頻電源78這兩者，但不限定于該方式，第I高頻電源76和第2高頻電源78可以使用(共用)同一電源。
[0145]進(jìn)而，第I高壓電極62和第2高壓電極66分別配置在隔著圖4中的玻璃層疊體X輸送的路徑(輸送路徑)的上側(cè)(一側(cè))和下側(cè)(另一側(cè))。換言之，第I高壓電極62與第2高壓電極66沿著玻璃層疊體X的輸送方向交錯(cuò)配置。
[0146]使用輸送輥74向上述電暈處理裝置60輸送玻璃層疊體X時(shí)，由于第I高壓電極62和第2高壓電極66分別配置在玻璃層疊體X的輸送路徑的一側(cè)和另一側(cè)，因此能夠有效地對所輸送的玻璃層疊體X的兩面進(jìn)行電暈處理。即，能夠?qū)ΣＡ盈B體X中的支撐基板的第二主面(與有機(jī)硅樹脂層側(cè)相反一側(cè)的面)和玻璃基板的露出表面(與有機(jī)硅樹脂層側(cè)相反一側(cè)的面)實(shí)施電暈處理。
[0147]另外，高頻電源的條件、玻璃層疊體X的輸送速度(處理速度)的條件的適宜范圍如上所述。
[0148]此外，在圖4中，第I高壓電極62配置在附圖中的上側(cè)、第2高壓電極66配置在附圖中的下側(cè)，但不限定于該方式，其位置關(guān)系可以顛倒。
[0149]此外，在僅對玻璃層疊體X的單側(cè)的面(支撐基板的第二主面)實(shí)施強(qiáng)的電暈處理時(shí)，可以將第I高壓電極62和第2高壓電極66 —起配置在附圖中的上側(cè)或下側(cè)。
[0150]進(jìn)而，在圖4中，記載了包括第I電極對70和第2電極對72這兩者的電暈處理裝置，但電極對的數(shù)量不限定于該方式。
[0151]作為第I高壓電極62、第2高壓電極66、第I接地電極64和第2接地電極68，可使用金屬電極或被電介質(zhì)被覆的電極，但為了穩(wěn)定進(jìn)行用于電暈處理的放電，優(yōu)選相向配置的第I高壓電極62和第I接地電極64的至少一者以及相向配置的第2高壓電極66和第2接地電極68中的至少一者被電介質(zhì)被覆。更優(yōu)選第I高壓電極62和第I接地電極64兩者以及第2高壓電極66和第2接地電極68兩者被電介質(zhì)覆蓋。由此，能夠擴(kuò)大高壓電極與接地電極間的間隔，變得容易穩(wěn)定輸送玻璃層疊體X。
[0152]另外，作為被電介質(zhì)被覆的電極(電介質(zhì)被覆電極)，優(yōu)選在不銹鋼、鋁等金屬之類的導(dǎo)電性的芯材的表面涂布了陶瓷的陶瓷電極。一般，對樹脂薄膜進(jìn)行電暈處理時(shí)等，作為電介質(zhì)被覆電極，使用在金屬芯材上涂布了橡膠材料的橡膠電極，但由于重量和剛性的關(guān)系而直徑粗，因此電暈處理裝置60大型化，輸送輥間產(chǎn)生空隙，有時(shí)會(huì)在薄的玻璃層疊體X的輸送中出現(xiàn)故障。陶瓷電極由于輕量且剛性高，因此直徑小于橡膠電極，因而不容易產(chǎn)生這種問題。
[0153]此外，橡膠電極容易因放電而橡膠被膜受損，因此難以將電極固定使用。因此，一般在橡膠電極上設(shè)置旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，邊使其旋轉(zhuǎn)邊使用，存在裝置復(fù)雜且大型化的問題。陶瓷電極即使在相同部位反復(fù)放電也不容易損傷，因此無需設(shè)置這種旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。
[0154]等離子體處理(等離子體清洗)包括大氣壓(或常壓)等離子體處理和低壓低溫等離子體處理。
[0155]在常壓等離子體處理中，對氣體施加放電能量，在常壓下進(jìn)行電離，使其產(chǎn)生等離子體。作為其特征，可列舉出:由于是常壓工藝而無需形成真空、設(shè)備簡單且生產(chǎn)率也高。作為方式，主要有稀有氣體類常壓等離子體和控制施加電壓進(jìn)行輝光放電的脈沖方式常壓等離子體，可以使用任一種。
[0156]在低壓低溫等離子體處理中，使玻璃層疊體通過可減壓的低溫等離子體處理裝置內(nèi)，使裝置內(nèi)為無機(jī)氣體的氣氛，在保持壓力為0.001?lOTorr、優(yōu)選為0.01?ITorr的狀態(tài)下對電極間施加頻率50Hz?13.6MHz的電力。通過施加0.1?50kW的電力進(jìn)行輝光放電而產(chǎn)生無機(jī)氣體的低溫等離子體。在其中設(shè)置玻璃層疊體，對支撐基板進(jìn)行處理。對玻璃層疊體進(jìn)行連續(xù)處理時(shí)，一邊使玻璃層疊體依次移動(dòng)，一邊對表面進(jìn)行等離子體處理。作為該無機(jī)氣體，可以使用氦氣、氖氣、氬氣等稀有氣體和氧氣、氮?dú)?、空氣、碳酸氣、氨氣等。這些氣體不限于I種，可以是2種以上的混合物。
[0157]在常壓等離子體處理和低壓低溫等離子體處理的任一種中，等離子體處理時(shí)間均優(yōu)選為0.1?1000秒，更優(yōu)選為I?100秒。
[0158]UV臭氧處理是指照射UV(紫外線)使空氣中的氧氣轉(zhuǎn)化成臭氧，通過該臭氧和紫外線來使被照射面潔凈化的處理。
[0159]UV光源只要能通過UV照射使氧氣轉(zhuǎn)化成臭氧就沒有特別限制。作為UV光源，可列舉出低壓未燈。低壓未燈產(chǎn)生185nm和254nm的UV光，185nm線能夠使氧氣轉(zhuǎn)化成臭氧。照射時(shí)的照度根據(jù)使用的光源而不同，一般使用幾十?幾百mW/cm2的光源。此外，通過集光、擴(kuò)散，能夠改變照度。照射時(shí)間根據(jù)燈的照度和未處理層的種類而不同，通常為I分鐘?24小時(shí)。處理溫度通常為10?200°C。此外，UV的照射量(即紫外線量)通常為lmj/cm2 以上，優(yōu)選為 I ?100000mJ/cm 2，更優(yōu)選為 10 ?100000mJ/cm2。
[0160]通過實(shí)施上述工序S106，附著在支撐基板10的第二主面1a側(cè)的附著物被去除。
[0161]上述工序S106的處理前后的支撐基板10的第二主面1a的水接觸角之差(處理前的水接觸角-處理后的水接觸角)優(yōu)選為30度以上，更優(yōu)選為50度以上。對上限沒有特別限制，通常為70度以下。
[0162]〈〈第2方式》
[0163]圖5是示出本發(fā)明的玻璃層疊體的制造方法的第2方式中的制造工序的流程圖。如圖5所示，第2方式依次具備加熱工序S102、表面處理工序S106和層疊工序S104。
[0164]與上述第I方式相比，除了表面處理工序S106的實(shí)施順序不同這一點(diǎn)以外，其處理的方法均與上述第I方式的各工序相同。更具體而言，在第2方式中，在加熱工序S102中制造帶樹脂層的支撐基板，接著，對該帶樹脂層的支撐基板中的支撐基板的第二主面?zhèn)葘?shí)施上述表面處理(例如電暈處理)，然后，在帶樹脂層的支撐基板中的有機(jī)硅樹脂層上層疊玻璃基板，得到玻璃層疊體。本實(shí)施方式也能夠得到所期望的玻璃層疊體。
[0165]需要說明的是，若比較上述第I方式與第2方式，則優(yōu)選為第I方式。在第I方式的情況下，由于在形成有機(jī)硅樹脂層之后、表面處理工序S106之前層疊玻璃基板，因此雜質(zhì)不容易附著在有機(jī)硅樹脂層上，玻璃基板的密合性更優(yōu)異。
[0166]使用上述第I方式和第2方式中得到的玻璃層疊體制造電子器件(包括玻璃基板和電子器件用構(gòu)件的帶構(gòu)件的玻璃基板)。此外，根據(jù)需要而對玻璃層疊體的玻璃基板實(shí)施研磨處理。
[0167]以下對這些研磨工序和電子器件制造工序(構(gòu)件形成工序和分離工序)的步驟進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0168]〈研磨工序〉
[0169]研磨工序是對所得玻璃層疊體100中的玻璃基板20的第二主面20b進(jìn)行研磨的工序。通過設(shè)置本工序，能夠去除玻璃基板20的第二主面20b的微小凹凸和瑕疵，能夠提高要形成電子器件用構(gòu)件的面的平坦性。因此，能夠提高作為產(chǎn)品的電子器件的可靠性。該效果對于本發(fā)明中使用的厚度為0.3mm以下的玻璃基板是顯著的。這是由于厚度0.3mm以下的玻