專利名稱：軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及印制線路板制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法。
背景技術(shù)：
部分軟硬結(jié)合板由于疊構(gòu)設(shè)計特點，需要采用覆箔法層壓表層；其中銅箔直接和軟板的CVL (Coverlayer,覆蓋膜)接觸。這部分軟硬結(jié)合板有的對可靠性要求很高,工藝技術(shù)上要求孔壁要做到正凹蝕效果。軟板基材的材質(zhì)特殊，在沉銅前的去鉆污流程采取一般的濕法處理無法獲得理想的正凹蝕效果，沉銅前要進行等離子(Plasma)處理才可以達到理想效果。但等離子對軟板基材上的CVL有很強的咬蝕效果，一般標稱25um PI (Polyimide，聚酰亞胺)膜厚的CVL材質(zhì)直接和等尚子處理后可能嘆蝕掉IOum左右的厚度，由此最后PI I旲厚只有10_15um,而月旲厚度變薄將會帶來后續(xù)的可靠性隱患。因此，在等離子處理時會盡量避免CVL的表層PI膜暴露在等離子氣體氛圍中被咬蝕掉。這樣，一般在軟硬結(jié)合板做等離子工藝處理時對于覆箔法工藝CVL上的銅箔會保留，在等離子處理后再蝕刻掉。圖I示意性地示出了層壓前的軟硬結(jié)合板。圖2示意性地示出了層壓后的軟硬結(jié)合板。在等離子的高真空環(huán)境下，由于表層銅箔41、42和軟板區(qū)I存在空隙，抽真空后形成的內(nèi)外壓力差將導(dǎo)致軟板區(qū)I包括軟板區(qū)上的銅箔一起向外膨脹鼓起。具體地說，在壓合過程中，由于有抽真空要求，真空度一般在10_30tor(托，真空度的單位，ltor=133Pa),也就是說軟板上的銅箔和軟板區(qū)空隙真空度在10_30tor,而在等離子處理過程，真空度非常高，一般在O. 25tor左右，這樣軟板上的銅箔兩側(cè)的真空度相差很大，在100倍左右，從而產(chǎn)生很大的壓力差，因此在將軟板從等離子腔體取出后可以看見軟板區(qū)銅箔急劇向外膨脹。軟板區(qū)越大膨脹得也越大。如果向外膨脹過大，則軟板區(qū)厚度會太大，由此容易搭到等離子腔體的電極上局部放電，而將軟板區(qū)燒蝕；同時軟板區(qū)過度向外膨脹會對軟硬交接處有拉扯，影響到層間結(jié)合力，半固化片31、32的玻璃布和樹脂之間疏松，電鍍?nèi)芤喝菀醉樦杷商帩B入板內(nèi)，導(dǎo)致空洞分層等缺陷。過度膨脹的軟板區(qū)還可能導(dǎo)致后續(xù)的磨板過程銅箔破損(有的出現(xiàn)極微小的針孔，肉眼很難分辨)，在一系列濕制程處理后就會有溶液進入帶來品質(zhì)隱患。也就是說，由于銅箔鼓起高度明顯超出其余位置的板厚，在后續(xù)磨板、圖形制作以及電鍍過程中很容易破損，容易進入溶液對軟板區(qū)圖形腐蝕，從而帶來了品質(zhì)缺陷問題。同時，軟板區(qū)I向外膨脹鼓起時容易拉扯到硬板2的圖形，從而將導(dǎo)致軟硬交接處硬板圖形發(fā)白分層等問題。為了防止軟硬結(jié)合板在等離子處理過程中出現(xiàn)銅箔膨脹，現(xiàn)有技術(shù)提出在和軟板區(qū)連通的廢料區(qū)(在正式圖形之外，廢料區(qū)和整個軟板區(qū)要連在一起，兩者是相通的)鉆排氣孔，等離子處理過程中釋放殘余的氣體使軟板區(qū)里外壓力均衡，避免了軟板區(qū)的膨脹。
但是，上述方法雖然可以解決軟板區(qū)在等離子處理過程中膨脹問題，但由于軟板區(qū)的排氣區(qū)域6上鉆了排氣孔，該孔在做完等離子處理過程后必須用膠帶貼緊或膠粒塞住，后面的所有濕制程(包括孔化電鍍、外層圖形轉(zhuǎn)移、阻焊制作、整平前處理等)必須完好不能有一點破損，否則溶液就會進入板內(nèi)CVL區(qū)域，輕微的影響到外觀，嚴重的造成爆板。因此該方法對操作過程要求很高，每一步濕制程前均要確認排氣孔有無異常，而一旦排氣孔處有溶液進入就算及時采取措施將溶液排出，但難免有溶液結(jié)晶的殘留，嚴重影響到外觀，對品質(zhì)影響較大
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠在無需鉆排氣孔的情況下即可有效地防止軟硬結(jié)合板在等離子處理過程中出現(xiàn)銅箔膨脹的方法。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法，其包括貼膠帶步驟，用于在層壓前在軟板區(qū)上貼一層聚酰亞胺膠帶；層壓步驟，用于采用覆箔法進行層壓以便在軟硬結(jié)合板上覆銅箔，其中在軟板區(qū)上覆蓋銅箔，并且銅箔直接和軟板區(qū)的覆蓋膜接觸；銅箔蝕刻步驟，用于在層壓后通過圖形蝕刻方式蝕刻掉軟板區(qū)上的銅箔；等離子處理步驟，用于執(zhí)行等離子處理以實現(xiàn)去鉆污；聚酰亞胺膠帶去除步驟，用于去除聚酰亞胺膠帶。優(yōu)選地，在層壓步驟中，通過層壓過程的溫度和壓力以及抽真空過程，使得聚酰亞胺膠帶貼在軟板區(qū)的覆蓋膜上。優(yōu)選地，在層壓步驟中，貼聚酰亞胺膠帶的區(qū)域不在硬板的有效圖形區(qū)。優(yōu)選地，在層壓步驟中，在軟板至硬板的方向上，貼聚酰亞胺膠帶的區(qū)域距軟硬交接處 O. 2-1. 0mm。優(yōu)選地，在層壓步驟中，貼聚酰亞胺膠帶的區(qū)域在硬板廢料區(qū)一側(cè)時要比軟板區(qū)尺寸略大。優(yōu)選地，銅箔蝕刻步驟包括依次執(zhí)行的化學(xué)前處理、貼膜、曝光、顯影、蝕刻、去膜。優(yōu)選地，在成品出貨前執(zhí)行聚酰亞胺膠帶去除步驟以去除軟板區(qū)上的聚酰亞胺膠帶。優(yōu)選地，在無需對軟硬結(jié)合板進行加工處理時執(zhí)行聚酰亞胺膠帶去除步驟以去除聚酰亞胺膠帶。在本發(fā)明的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法中，通過層壓前在軟板區(qū)上貼一層耐高溫的聚酰亞胺膠帶保護軟板區(qū)，并在層壓后通過蝕刻方式去除軟板區(qū)上的銅箔，從而露出軟板區(qū)；由此使得等離子處理過程中不會出現(xiàn)銅箔膨脹，并且在等離子處理過程中能夠通過軟板區(qū)上的聚酰亞胺膠帶有效地保障軟板區(qū)上的覆蓋膜不受損傷，不會直接被等離子氣體咬蝕掉。并且，可以在成品出貨前再將該聚酰亞胺膠帶揭掉，以進一步保證軟板區(qū)上覆蓋膜的完整。


結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中圖I示意性地示出了層壓前的軟硬結(jié)合板。圖2示意性 地示出了層壓后的軟硬結(jié)合板。圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法的流程圖。圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法的貼膠帶步驟的示意圖。需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細描述。圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法的流程圖。具體地說，如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法包括貼膠帶步驟SI，用于在層壓前在軟板區(qū)I上貼一層耐高溫的PI (Polyimide，聚酰亞胺)膠帶6，如圖4所示，并且在該聚酰亞胺膠帶6貼好后才進行后續(xù)的軟硬結(jié)合板的正
常層壓。層壓步驟S2，用于采用覆箔法進行層壓以便在軟硬結(jié)合板上覆銅箔(例如圖I所示的銅箔41、42)，銅箔直接和軟板區(qū)I的覆蓋膜接觸；通過層壓過程的溫度和壓力(例如高溫高壓)以及抽真空過程，使得聚酰亞胺膠帶6牢牢貼在軟板的覆蓋膜上。其中，硬板區(qū)20的疊層結(jié)構(gòu)可以是如圖I和圖2所示的疊層結(jié)構(gòu)，也可以與圖I和圖2所示的疊層結(jié)構(gòu)有所不同，實際上，本發(fā)明中硬板區(qū)20的疊層結(jié)構(gòu)并不限于圖I和圖2所示的疊層結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，貼聚酰亞胺膠帶的區(qū)域不在硬板的有效圖形區(qū)，例如在軟板至硬板的方向上，貼聚酰亞胺膠帶6的區(qū)域不與硬板區(qū)20接觸；進一步優(yōu)選地，在軟板至硬板的方向上，貼聚酰亞胺膠帶6的區(qū)域距軟硬交接處O. 2-1. Omm,從而防止聚酰亞胺膠帶6貼到硬板區(qū)，由此避免聚酰亞胺膠帶6壓到硬板有效圖形內(nèi)；此外，優(yōu)選地，貼聚酰亞胺膠帶的區(qū)域6在硬板廢料區(qū)一側(cè)時要比軟板區(qū)I尺寸略大，便于后續(xù)戒掉聚酰亞胺膠帶6方便。銅箔蝕刻步驟S3，用于在層壓后通過圖形蝕刻方式蝕刻掉軟板區(qū)I上的銅箔，具體流程例如包括依次執(zhí)行的化學(xué)前處理、貼膜、曝光、顯影、蝕刻、去膜等步驟。等離子處理步驟S4，用于執(zhí)行等離子處理以實現(xiàn)去鉆污，其中等離子處理時軟板區(qū)I上只有一層聚酰亞胺膠帶6保護，上面的銅箔被蝕刻掉，后續(xù)不會出現(xiàn)軟板區(qū)膨脹問題。聚酰亞胺膠帶去除步驟S5，用于去除聚酰亞胺膠帶6 ;在此，可以做到例如在成品出貨前再揭掉軟板區(qū)I上的聚酰亞胺膠帶6 (例如，可在無需對軟硬結(jié)合板進行加工處理時去除聚酰亞胺膠帶6)，保證了軟板區(qū)I上覆蓋膜的完整。即，優(yōu)選地，可在成品出貨前，或者可在無需對軟硬結(jié)合板進行加工處理時，執(zhí)行聚酰亞胺膠帶去除步驟S5以去除軟板區(qū)上的聚酰亞胺膠帶。在上述本發(fā)明實施例的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法中，通過層壓前在軟板區(qū)上貼一層耐高溫的聚酰亞胺膠帶保護軟板區(qū)，并在層壓后通過蝕刻方式去除軟板區(qū)上的銅箔，從而露出軟板區(qū)；由此使得等離子處理過程中不會出現(xiàn)銅箔膨脹，并且在等離子處理過程中能夠通過軟板區(qū)上的聚酰亞胺膠帶有效地保障軟板區(qū)上的覆蓋膜不受損傷，不會直接被等離子氣體咬蝕掉。并且，可以在成品出貨前再將該聚酰亞胺膠帶揭掉。可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等 同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法，其特征在于包括 貼膠帶步驟，用于在層壓前在軟板區(qū)上貼一層聚酰亞胺膠帶； 層壓步驟，用于采用覆箔法進行層壓以便在軟硬結(jié)合板上覆銅箔，其中在軟板區(qū)上覆蓋銅箔，并且銅箔直接和軟板區(qū)的覆蓋膜接觸； 銅箔蝕刻步驟，用于在層壓后通過圖形蝕刻方式蝕刻掉軟板區(qū)上的銅箔； 等離子處理步驟，用于執(zhí)行等離子處理以實現(xiàn)去鉆污； 聚酰亞胺膠帶去除步驟，用于去除聚酰亞胺膠帶。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法，其特征在于，在層壓步驟中，通過層壓過程的溫度和壓力以及抽真空過程，使得聚酰亞胺膠帶貼在軟板區(qū)的覆蓋膜上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法，其特征在于，在層壓步驟中，貼聚酰亞胺膠帶的區(qū)域不在硬板的有效圖形區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法，其特征在于，在層壓步驟中，在軟板至硬板的方向上，貼聚酰亞胺膠帶的區(qū)域距軟硬交接處O. 2-1. Omm。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法，其特征在于，在層壓步驟中，貼聚酰亞胺膠帶的區(qū)域在硬板廢料區(qū)一側(cè)時要比軟板區(qū)尺寸略大。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法，其特征在于，銅箔蝕刻步驟包括依次執(zhí)行的化學(xué)前處理、貼膜、曝光、顯影、蝕刻、去膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法，其特征在于，在成品出貨前執(zhí)行聚酰亞胺膠帶去除步驟以去除軟板區(qū)上的聚酰亞胺膠帶。
8.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法，其特征在于，在無需對軟硬結(jié)合板進行加工處理時執(zhí)行聚酰亞胺膠帶去除步驟以去除聚酰亞胺膠帶。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種軟硬結(jié)合板等離子處理過程防銅箔膨脹的方法，包括貼膠帶步驟，用于在層壓前在軟板區(qū)上貼一層聚酰亞胺膠帶；層壓步驟，用于采用覆箔法進行層壓以便在軟硬結(jié)合板上覆銅箔，其中在軟板區(qū)上覆蓋銅箔，并且銅箔直接和軟板區(qū)的覆蓋膜接觸；銅箔蝕刻步驟，用于在層壓后通過圖形蝕刻方式蝕刻掉軟板區(qū)上的銅箔；等離子處理步驟，用于執(zhí)行等離子處理以實現(xiàn)去鉆污；聚酰亞胺膠帶去除步驟，用于去除聚酰亞胺膠帶。根據(jù)本發(fā)明，通過層壓前在軟板區(qū)上貼一層耐高溫的聚酰亞胺膠帶保護軟板區(qū)，并在層壓后通過蝕刻方式去除軟板區(qū)上的銅箔，使得等離子處理過程中不會出現(xiàn)銅箔膨脹，并且使覆蓋膜不受損傷。
文檔編號H05K3/36GK102917548SQ201210453488
公開日2013年2月6日 申請日期2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月13日
發(fā)明者劉秋華, 穆敦發(fā), 吳小龍, 吳梅珠, 徐杰棟, 胡廣群, 梁少文 申請人:無錫江南計算技術(shù)研究所