專利名稱：印刷線路板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種印刷線路板的制造方法，其中該印刷線路板包括芯基板，其具有貫通孔；形成在該芯基板上的第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體；以及通孔導(dǎo)體，其形成于貫通孔中并且使第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體相連接。
背景技術(shù)：
在日本特開2006-41463中，通過 使用激光從芯基板的上表面?zhèn)?第一表面?zhèn)?形成第一開口部、以及還使用激光從下表面?zhèn)?第二表面?zhèn)?形成第二開口部來形成貫通孔。第一開口部向著第二表面漸縮，并且第二開口部向著第一表面漸縮。然后，通過利用鍍層金屬填充貫通孔的內(nèi)部，形成直徑小的通孔導(dǎo)體并且使芯基板的上表面和下表面相連接。該公開文本的全部內(nèi)容通過引用合并到本說明書中。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種印刷線路板制造方法，包括預(yù)備芯基板；在所述芯基板中形成貫通孔；在所述芯基板的所述第一表面上形成第一導(dǎo)體；在位于所述芯基板的第二表面上形成第二導(dǎo)體，其中所述第二表面位于所述芯基板的所述第一表面的相反側(cè)；以及在所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，以使得在所述貫通孔內(nèi)形成通孔導(dǎo)體，并且所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體經(jīng)由所述通孔導(dǎo)體相連接。所述貫通孔的形成包括在所述芯基板的所述第一表面中形成第一開口部；從所述第一開口部的底部向著所述第二表面形成第二開口部，以使得所述第二開口部的直徑小于所述第一開口部的直徑；在所述芯基板的所述第二表面中形成第三開口部；以及從所述第三開口部的底部向著所述第一表面形成第四開口部，以使得所述第四開口部的直徑小于所述第三開口部的直徑。


通過參考以下結(jié)合附圖所進(jìn)行的詳細(xì)說明，能夠容易地獲得和更好地理解本發(fā)明的更完整的評價(jià)以及許多隨之而來的優(yōu)點(diǎn)，其中圖I(A) (E)是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的多層印刷線路板制造方法的步驟的圖；圖2(A) ⑶是示出根據(jù)第一實(shí)施例的多層印刷線路板制造方法的步驟的圖；圖3(A) ⑶是示出根據(jù)第一實(shí)施例的多層印刷線路板制造方法的步驟的圖；圖4(A) (C)是示出根據(jù)第一實(shí)施例的多層印刷線路板制造方法的步驟的圖；圖5(A) (C)是示出根據(jù)第一實(shí)施例的多層印刷線路板制造方法的步驟的圖；圖6是安裝IC芯片之前的多層印刷線路板的截面圖；圖7(A)是具有貫通孔的芯基板的截面圖，并且圖7(B)是該貫通孔的截面圖；圖8(A) ⑶是開口部的平面圖；圖9是具有貫通孔的芯基板的截面圖10(A) ⑶是圖解與第一實(shí)施例有關(guān)的貫通孔的圖；圖11是圖解與第一實(shí)施例有關(guān)的貫通孔的圖；以及圖12是圖解與第一實(shí)施例有關(guān)的貫通孔的圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考

實(shí)施方式，其中，在各附圖中，相同的附圖標(biāo)記指示相應(yīng)或相同的元件。通過參考圖6所示的截面圖來說明通過根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的制造方法所制造的多層印刷線路板。圖6示出安裝IC芯片之前的多層 印刷線路板10。在本實(shí)施方式的多層印刷線路板10中，在芯基板20的第一表面F上形成第一導(dǎo)體34A,并且在第二表面S上形成第二導(dǎo)體34B。第一導(dǎo)體34A和第二導(dǎo)體34B經(jīng)由通孔導(dǎo)體36電性連接。在芯基板20的第一表面F和第一導(dǎo)體34A上形成層間樹脂絕緣層50A。在層間樹脂絕緣層50A上形成第三導(dǎo)體58A。第三導(dǎo)體58A和第一導(dǎo)體34A經(jīng)由通路導(dǎo)體60A相連接，其中通路導(dǎo)體60A貫穿層間樹脂絕緣層50A。在層間樹脂絕緣層50A和第三導(dǎo)體58A上形成層間樹脂絕緣層150A。在層間樹脂絕緣層150A上形成第四導(dǎo)體158A。第四導(dǎo)體158A和第三導(dǎo)體58A經(jīng)由通路導(dǎo)體160A相連接，其中通路導(dǎo)體160A貫穿層間樹脂絕緣層150A。同時(shí)，在芯基板20的第二表面S和第二導(dǎo)體34B上形成層間樹脂絕緣層50B。在層間樹脂絕緣層50B上形成第三導(dǎo)體58B。第三導(dǎo)體58B和第二導(dǎo)體34B經(jīng)由通路導(dǎo)體60B相連接，其中通路導(dǎo)體60B貫穿層間樹脂絕緣層50B。在層間樹脂絕緣層50B和第三導(dǎo)體58B上形成層間樹脂絕緣層150B。在層間樹脂絕緣層150B上形成第四導(dǎo)體158B。第四導(dǎo)體158B和第三導(dǎo)體58B經(jīng)由通路導(dǎo)體160B相連接，其中通路導(dǎo)體160B貫穿層間樹脂絕緣層 150B。在層間樹脂絕緣層150A上形成阻焊層70A，并且在層間樹脂絕緣層150B上形成阻焊層70B。阻焊層70A、70B具有分別使第四導(dǎo)體158A、158B的至少一部分暴露的開口 71A、71B。在開口 71A、71B中分別形成焊料凸塊76U、76D。接著，說明圖6中的通孔導(dǎo)體36。芯基板20是具有第一表面F和與第一表面F相對的第二表面S的絕緣基板。芯基板20具有貫通孔28。通孔導(dǎo)體36由通過鍍來填充貫通孔28的金屬構(gòu)成。圖7(A)示出貫通孔28的放大圖。貫通孔28包括第一開口部28A，其形成在芯基板20的第一表面F側(cè)；第二開口部28B，其形成為從第一開口部28A的底部向著第二表面S延伸；第三開口部28C，其形成在芯基板20的第二表面S側(cè)；以及第四開口部28D，其形成為從第三開口部28C的底部向著第一表面F延伸。第一開口部28A和第二開口部28B是通過從芯基板20的第一表面F側(cè)照射激光所形成。第三開口部28C和第四開口部28D是通過從芯基板20的第二表面S側(cè)照射激光所形成。如圖7 (B)和圖8所示，第二開口部28B的直徑X2小于第一開口部28A的直徑Xl，并且第四開口部28D的直徑X4小于第三開口部28C的直徑X3。在第一開口部28A和第二開口部28B中，直徑從芯基板20的第一表面F向著第二表面S變小。在第三開口部28C和第四開口部28D中，直徑從芯基板20的第二表面S向著第一表面F變小。這里，開口部28A 28D各自的直徑Xl X4均表示開口部的內(nèi)徑，并且分別指出了各開口部內(nèi)的任意部位處彼此面對的內(nèi)壁間的距離中的最大值。當(dāng)將第一開口部28A的內(nèi)徑在從芯基板20的第一表面F向著第二表面S的方向上變小的比率設(shè)置為A W1、并將第二開口部28B的內(nèi)徑在從芯基板20的第一表面F向著第二表面S的方向上變小的比率設(shè)置為AW2時(shí)，滿足AWl > AW2。此外，當(dāng)將第三開口部28C的內(nèi)徑在從芯基板20的第二表面S向著第一表面F的方向上變小的比率設(shè)置為AW3、并將第四開口部28D的內(nèi)徑在從芯基板20的第二表面S向著第一表面F的方向上變小的比率設(shè)置為AW4時(shí)，滿足AW3> AW4。因此，貫通孔28通過在第一開口部28A和第二開口部28B的連接部分發(fā)生彎曲而具有彎曲部Pl。另外，貫通孔28通過在第三開口部28C和第四開口部28D的連接部分發(fā)生彎曲而具有彎曲部P2。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，內(nèi)徑變小的比率相對較小的開口部28B、28D從兩側(cè)相互連接。因而，在這些連接部分處，內(nèi)徑趨于變大。即，與第一開口部28A和第三開口部28C直接相連接以形成貫通孔的情況相比較，在本實(shí)施方式中，貫通孔的最小直徑(Wmin)(第三開口部和第四開口部的連接部分的直徑)趨于變大。因此，在該通孔導(dǎo)體中，連接部分很少發(fā)生破裂。此外，在抑制了直徑較小的通 孔導(dǎo)體的可靠性下降的同時(shí)，這些通孔導(dǎo)體以高密度形成。另外，在本實(shí)施方式中，在通孔導(dǎo)體36中產(chǎn)生的應(yīng)力至少分散在兩個(gè)部位第一開口部28A和第二開口部28B的連接部分(彎曲部Pl)以及第三開口部28C和第四開口部28D的連接部分(彎曲部P2)。因此，很少發(fā)生破裂。此外，由于在通孔導(dǎo)體中產(chǎn)生的應(yīng)力分散在彎曲部PU P2，施加于該通孔導(dǎo)體的端部側(cè)的應(yīng)力也減輕，并且通孔導(dǎo)體36和直接位于通孔導(dǎo)體36上的通路導(dǎo)體60很少發(fā)生相互移動，從而提高了這兩者的連接可靠性。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，如圖9所示，當(dāng)將貫通孔28的最大直徑表示為Wmax時(shí)，滿足0. 6彡ffmin/ffmax彡0. 8。在這種情形下,提高了通過從芯基板20的兩側(cè)連接開口部來形成貫通孔的定位精度。此外，即使當(dāng)芯基板20由于熱收縮而翹曲時(shí)，也確保了通孔導(dǎo)體36的良好可靠性。這里，貫通孔28的最大直徑Wmax表示第一開口部28A的直徑Xl或者第三開口部28C的直徑X3。此外，如圖10 (A)所示，通過第二開口部28B的重心且與芯基板20的第一表面F垂直的直線G2可能偏離通過第四開口部28D的重心且與芯基板20的第一表面F垂直的直線G4。在這種情況下，第二開口部28B與第四開口部28D相連接的區(qū)域增大。結(jié)果，提高了通孔導(dǎo)體36的連接可靠性。此外，如圖10(B)所示，當(dāng)將通過第一開口部28A的重心且與芯基板20的第一表面F垂直的直線稱為Gl、并將通過第三開口部28C的重心且與芯基板20的第一表面F垂直的直線稱為G3時(shí)，Gl G4可能兩兩相互偏離。此時(shí)，實(shí)現(xiàn)了與上述相同的效果。接著，參考圖I 5來說明多層印刷線路板10的制造方法。(I)預(yù)備包括增強(qiáng)材料和樹脂的芯基板20 (圖I (A))。在芯基板20的第一表面F和第二表面S上層壓銅箔22。芯基板20的厚度為0. 4 0. 7mm。關(guān)于增強(qiáng)材料，例如，列舉了玻璃布、芳綸和玻璃纖維等。關(guān)于樹脂，列舉了環(huán)氧樹脂和BT (雙馬來酰亞胺三嗪)樹脂等。此外，樹脂含有由氫氧化物制成的粒子。關(guān)于氫氧化物，列舉了諸如氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣和氫氧化鋇等的金屬氫氧化物。當(dāng)氫氧化物因加熱而分解時(shí)，生成水。因此，認(rèn)為這種氫氧化物從形成芯基板的材料中吸取熱量。即，如果芯基板含有氫氧化物，認(rèn)為利用激光處理的性能得到了改善。接著，在銅箔22的表面上，使用含有Na0H(10g/L)、NaClO2 (40g/L)和Na3PO4 ^g/L)的溶液作為黑色氧化浴(氧化浴)來進(jìn)行黑色氧化處理。(2)使用CO2激光器從芯基板20的第一表面F (上表面)側(cè)進(jìn)行激光照射，以在芯基板20的第一表面F側(cè)上形成第一開口部28A (圖I (B))。使用CO2激光器從芯基板20的第一表面F (上表面)側(cè)進(jìn)行激光照射，以從第一開口部28A的底部向著第二表面S形成第二開口部 28B(圖 1(C))。接著，使用CO2激光器從芯基板20的第二表面S (下表面)側(cè)進(jìn)行激光照射，以在該芯基板的第二表面S側(cè)上形成第三開口部(28C)(圖I (D))。使用CO2激光器從芯基板20的第二表面S(下表面)側(cè)進(jìn)行激光照射，以從第三開口部28C的底部向著第一表面F形成第四開口部28D。通過使第二開口部28B和第四開口部28D在芯基板內(nèi)相連接來形成貫通孔 28(圖 1(E))。此時(shí)，如圖7(B)所示，第二開口部28B的直徑X2小于第一開口部28A的直徑XI，并且第四開口部28D的直徑X4小于第三開口部28C的直徑X3。因而，當(dāng)相對于第一開口部28A而形成第二開口部28B時(shí)，在形成位置中產(chǎn)生余量，從而容許位置的偏離。另外，當(dāng)相對于第三開口部28C而形成第四開口部28D時(shí)，在形成位置中也產(chǎn)生余量，從而容許位置的偏離。即，即使第二開口部28B的位置和第四開口部28D的位置略微偏離，也不會妨礙貫通孔的形成。另外，第一開口部28A的直徑和第二開 口部28B的內(nèi)徑在Z軸的負(fù)方向上變小。第三開口部28C的直徑和第四開口部28D的直徑在Z軸的正方向上變小。當(dāng)將第一開口部28A的直徑在從芯基板20的第一表面F向著第二表面S的方向上變小的比率設(shè)置為A W1、并將第二開口部28B的直徑在從芯基板20的第一表面F向著第二表面S的方向上變小的比率設(shè)置為AW2時(shí)，滿足AWl > AW2。另外，當(dāng)將第三開口部28C的直徑在從芯基板20的第二表面S向著第一表面F的方向上變小的比率設(shè)置為AW3、并將第四開口部28D的直徑在從芯基板20的第二表面S向著第一表面F的方向上變小的比率設(shè)置為AW4時(shí)，滿足AW3> AW4。如所述，當(dāng)具有相對較小的直徑變小比率的開口部28B、28D從兩側(cè)相互連接時(shí)，很少發(fā)生這些開口部的位置偏離。如圖11所示，將第一開口部28A相對于Z軸傾斜的角度設(shè)置為0 1，將第二開口部28B相對于Z軸傾斜的角度設(shè)置為0 2，將第三開口部28C相對于Z軸傾斜的角度設(shè)置為0 3，并且將第四開口部28D相對于Z軸傾斜的角度設(shè)置為04，則滿足01> 02以及03
>0 4。以下詳細(xì)說明形成貫通孔28的方法。在芯基板20的第一表面F側(cè)上的預(yù)定位置處，通過CO2激光器的單次發(fā)射形成第一開口部28A。接著,從芯基板20的第一表面F (上表面)側(cè)使用CO2氣體激光器,進(jìn)行激光照射的多次發(fā)射，以從第一開口部28A的底部向著第二表面S形成第二開口部28B。第二開口部28B的直徑小于第一開口部28A的直徑。接著，在芯基板20的第二表面S側(cè)上的預(yù)定位置處，通過CO2氣體激光器的單次發(fā)射形成第三開口部28C。形成第一開口部28A和第三開口部28C時(shí)的激光參數(shù)是相同的。接著，從芯基板20的第二表面S (下表面)側(cè)使用CO2氣體激光器，進(jìn)行激光照射的多次發(fā)射，以從第三開口部28C的底部向著第一表面F形成第四開口部28D。第四開口部28D的直徑小于第三開口部28C的直徑。形成第二開口部28B所使用的激光的直徑(孔徑的直徑)小于形成第一開口部28A所使用的激光的直徑(孔徑的直徑)。形成第二開口部28B所使用的激光脈沖寬度大于形成第一開口部28A所使用的激光脈沖寬度。此外，形成第四開口部28D所使用的激光的直徑(孔徑的直徑)小于形成第三開口部28C所使用的激光的直徑。形成第四開口部28D所使用的激光脈沖寬度大于形成第三開口部28C所使用的激光脈沖寬度。當(dāng)將形成第二開口部28B和第四開口部28D所使用的激光脈沖寬度設(shè)置為A、并且將形成第一開口部28A和第三開口部28C所使用的激光脈沖寬度設(shè)置為B時(shí)，優(yōu)選滿足
I.5 彡 A/B ( 3。因此，(利用最少發(fā)射次數(shù))高效地形成直徑小的貫通孔。如果六作小于1.5，無法形成開口結(jié)構(gòu)，需要增加發(fā)射的次數(shù)，并且制造效率有可能下降。另一方面，如果A/B超過3，則水平方向上發(fā)生過量的熱擴(kuò)散，并且開口的直徑與開口的深度成比例地變得過大。當(dāng)芯基板20的厚度為0. 4mm以上時(shí)，在形成第二開口部28B和第四開口部28D時(shí)的激光發(fā)射的次數(shù)優(yōu)選為2次以上。在這種情況下，高效地形成直徑小的貫通孔。
如圖12所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，第二開口部28B的內(nèi)壁和第四開口部28D的內(nèi)壁沿直線對齊，即X2、X4和Wmin可能是實(shí)質(zhì)上相同的。此時(shí)，上述的0 2和0 4實(shí)質(zhì)上為零(0)。(3)然后，將具有貫通孔28的芯基板20浸入含有預(yù)定濃度的高錳酸的溶液中以進(jìn)行除污處理。此時(shí)，芯基板20的重量減少度優(yōu)選為I. Owt. %以下，更優(yōu)選為0. 5wt. %以下。該芯基板是由具有諸如玻璃布等的增強(qiáng)材料的浸潰樹脂所制成。當(dāng)在除污處理中樹脂溶解時(shí)，玻璃布在貫通孔內(nèi)突出。然而，當(dāng)芯材料的重量減少度在上述范圍內(nèi)時(shí)，抑制了玻璃布的突出，并且當(dāng)在貫通孔內(nèi)填充鍍層金屬時(shí)，幾乎不殘留空隙。鈀催化劑附著至芯基板20的表面。之后，將芯基板20浸入化學(xué)鍍液中，以在芯基板20的第一表面F和第二表面S上以及在貫通孔28的內(nèi)壁上形成化學(xué)鍍膜31 (圖2 (A))。作為用于形成化學(xué)鍍膜31的材料，列舉了銅和鎳等。使用化學(xué)鍍膜作為晶種層，在化學(xué)鍍膜31上形成電解鍍膜32。貫通孔28填充有電解鍍膜(圖2 (B))。此時(shí)，在貫通孔28中，使位于第一表面F側(cè)上的第一開口部28A的直徑和位于第二表面S側(cè)上的第三開口部28C的直徑形成得相對較大。即，在形成于芯基板20中的貫通孔中，位于兩端的開口部28A、28C的直徑形成得相對較大。因而，當(dāng)在貫通孔內(nèi)填充電解鍍層金屬時(shí)，促進(jìn)了電解鍍液在該貫通孔內(nèi)的流通。即，在貫通孔28內(nèi)，電解鍍層金屬易于流通。因此電解鍍層金屬以一種不產(chǎn)生空隙的優(yōu)選的方式，填充在貫通孔28內(nèi)。由此形成了電氣特性良好的通孔導(dǎo)體。(4)在基板表面的電解鍍膜32上形成具有預(yù)定圖案的抗蝕層40(圖2(C))。(5)從未形成有抗蝕層40的部分處去除化學(xué)鍍膜31、電解鍍膜32和銅箔(圖2 0 )。(6)去除抗蝕層40。相應(yīng)的,在芯基板20的第一表面F上形成第一導(dǎo)體34A,并且在芯基板20的第二表面S上形成第二導(dǎo)體34B。第一導(dǎo)體34A和第二導(dǎo)體34B經(jīng)由貫通孔28內(nèi)的通孔導(dǎo)體36相連接(參見圖3 (A))。(7)在芯基板20的兩個(gè)表面F、S上將用于層間樹脂絕緣膜的樹脂膜(商品名ABF-45SH，由Ajinomoto制造)壓成薄片，以形成層間樹脂絕緣層50A、50B (參見圖3 (B))。(8)接著，使用CO2氣體激光器在層間樹脂絕緣層50A、50B上分別形成通路孔開口51A、51B(參見圖3(C))。將該基板浸入諸如高錳酸等的氧化劑中以進(jìn)行除污處理(圖中未示出)。
(9)通過使諸如鈀等的催化劑附著至層間樹脂絕緣層50A、50B的表面、以及通過將該基板浸入化學(xué)鍍液中，形成化學(xué)鍍膜52A、52B(參見圖3(D))。(10)在化學(xué)鍍膜52上形成抗鍍層54 (圖4 (A))。(11)在由抗鍍層54所暴露的化學(xué)鍍膜52上形成電解鍍膜56A、56B(參見圖4 ))。(12)使用含有單乙醇胺的溶液去除抗鍍層54。蝕刻掉電解鍍膜的部位之間的化學(xué)鍍膜，并且形成了第三導(dǎo)體58A、58B和通路導(dǎo)體60A、60B。然后，在第三導(dǎo)體58A、58B的表面上進(jìn)行鍍Sn(錫)以形成SnCu層。在SnCu層上涂敷硅烷偶聯(lián)劑(圖4(C))。(13)接著，重復(fù)上述的步驟(7) (12)(圖5(A))。然后，在基板的兩個(gè)表面上形成具有開口 71A、71B的阻焊層70A、70B。由開口 71A、71B所暴露的第三導(dǎo)體158A、158B的上表面用作焊盤。在焊盤上形成鍍鎳層72A、72B，并且在鍍鎳層72上進(jìn)一步形成鍍金層74A、74B(圖5(C))?？梢孕纬涉団Z金層來代替鎳金層。(19)然后，通過在開口 71A、71B內(nèi)裝填錫球以及通過實(shí)施回流焊，在第一表面(上表面)側(cè)上形成焊料凸塊76U，并且在第二表面(下表面)側(cè)上形成焊料凸塊76D，以完成多層印刷線路板10 (圖6)。第一實(shí)施例根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例來說明多層印刷線路板制造方法。首先，預(yù)備包括玻璃布、環(huán)氧樹脂和氫氧化鎂的芯基板。該芯基板的厚度約為0. 4_。在該芯基板的第一表面和第二表面上分別形成銅箔。使用CO2激光器從芯基板的第一表面?zhèn)冗M(jìn)行激光照射，以在該芯基板的第一表面?zhèn)壬闲纬傻谝婚_口部。這里，激光照射的發(fā)射次數(shù)為I次。第一開口部是至少貫穿銅箔的開口部。接著，使用CO2激光器從芯基板的第一表面?zhèn)冗M(jìn)行激光照射，以從第一開口部的底部向著第二表面形成第二開口部。這里，激光照射的發(fā)射次數(shù)為2次。形成第二開口部所使用的激光的直徑(孔徑的直徑)小于形成第一開口部所使用的激光的直徑(孔徑的直徑)。形成第二開口部所使用的激光的脈沖寬度大于形成第一開口部所使用的激光的脈沖寬度。因而，在第一開口部和第二開口部的邊界處形成彎曲部Pl。使用CO2激光器從芯基板的第二表面?zhèn)冗M(jìn)行激光照射，以在該芯基板的第二表面?zhèn)壬闲纬傻谌_口部。這里，激光照射的發(fā)射次數(shù)為I次。第三開口部是至少貫穿銅箔的開口部。接著，使用CO2激光器從芯基板的第二表面?zhèn)冗M(jìn)行激光照射，以從第三開口部的底部向著第一表面形成第四開口部。這里，激光照射的發(fā)射次數(shù)為2次。形成第四開口部所使用的激光的直徑(孔徑的直徑)小于形成第三開口部所使用的激光的直徑(孔徑的直徑)。形成第四開口部所使用的激光的脈沖寬度大于形成第三開口部所使用的激光的脈沖寬度。在第三開口部和第四開口部的邊界處形成彎曲部。將具有貫通孔的芯基板浸入含有預(yù)定濃度的高錳酸的溶液中，以進(jìn)行除污處理。鈀催化劑附著在芯基板的表面上。然后，將芯基板浸入化學(xué)鍍液中，以在該芯基板的第一表面和第二表面上以及在貫通孔的內(nèi)壁上形成化學(xué)鍍膜。使用化學(xué)鍍膜作為晶種層，在該化學(xué)鍍膜上形成電解鍍膜。貫通孔填充有電解鍍膜。在芯基板表面上的電解鍍膜上形成具有預(yù)定圖案的抗蝕層。
從未形成有抗蝕層的部分去除化學(xué)鍍膜31、電解鍍膜32和銅箔。去除抗蝕層。因此，在芯基板的第一表面上形成第一導(dǎo)體，并且在芯基板的第二表面上形成第二導(dǎo)體。這些第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體經(jīng)由貫通孔內(nèi)的通孔導(dǎo)體相連接。通過上述工序，完成了第一實(shí)施例的印刷線路板中的通孔導(dǎo)體。第二實(shí)施例根據(jù)第二實(shí)施例的印刷線路板制造方法是第一實(shí)施例的變形例。第二實(shí)施例的芯基板的厚度與第一實(shí)施例不同。在第二實(shí)施例中，芯基板的厚度約為0. 7_。當(dāng)在芯基板中形成貫通孔時(shí)，首先，使用CO2激光器從芯基板的第一表面?zhèn)冗M(jìn)行激光照射，以在該芯基板的第一表面?zhèn)壬闲纬傻谝婚_口部。這里，激光照射的發(fā)射次數(shù)為I次。第一開口部是至少貫通銅箔的開口部。接著，使用CO2激光器從芯基板的第一表面?zhèn)冗M(jìn)行激光照射，以從第一開口部的底部向著第二表面形成第二開口部。這里，激光照射的發(fā)射次數(shù)為5次。形成第二開口部所使用的激光的直徑(孔徑的直徑)小于形成第一開口部所使用的激光的直徑(孔徑的直徑)。形成第二開口部所使用的激光的脈沖寬度大于形成第一開口部所使用的激光的脈沖寬度。在第一開口部和第二開口部的邊界處形成彎曲部。使用CO2激光器從芯基板的第二表面?zhèn)冗M(jìn)行激光照射，以在該芯基板的第二表面?zhèn)壬闲纬傻谌_口部。這里，激光照射的次數(shù)為I次。第三開口部是至少貫穿銅箔的開口部。接著，使用CO2激光器從芯基板的第二表面?zhèn)冗M(jìn)行激光照射，以從第三開口部的底部向著第一表面形成第四開口部。這里，激光照射的發(fā)射次數(shù)為5次。形成第四開口部所使用的激光的直徑(孔徑的直徑)小于形成第三開口部所使用的激光的直徑。形成第四開口部所使用的激光的脈沖寬度大于形成第三開口部所使用的激光的脈沖寬度。在第三開口部和第四開口部的邊界處形成彎曲部。因此，在芯基板20內(nèi)形成了貫通孔28。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的印刷線路板制造方法包括以下的技術(shù)特征預(yù)備具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的芯基板；通過在所述芯基板的第一表面?zhèn)壬闲纬傻谝婚_口部、從所述第一開口部的底部向著所述第二表面形成第二開口部、在所述芯基板的第二表面?zhèn)壬闲纬傻谌_口部、以及從所述第三開口部的底部向著所述第一表面形成第四開口部，在所述芯基板中形成貫通孔；在所述芯基板的所述第一表面上形成第一導(dǎo)體；在所述芯基板的所述第二表面上形成第二導(dǎo)體；以及通過在所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料來形成使所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體相連接的通孔導(dǎo)體。在這種方法中，第二開口部的直徑小于第一開口部的直徑，并且第四開口部的直徑小于第三開口部的直徑。首先，在芯基板的第一表面?zhèn)壬闲纬傻谝婚_口部，并且在第一開口部的底部進(jìn)一步形成第二開口部。然后，在該芯基板的第二表面?zhèn)壬闲纬傻谌_口部，并且在第三開口部的底部形成第四開口部。通過使第四開口部和第二開口部相連接，形成貫通孔。在此期間，第二開口部的直徑小于第一開口部的直徑，并且第四開口部的直徑小于第三開口部的直徑。因此，當(dāng)相對于第一開口部而形成第二開口部時(shí)，在形成位置中產(chǎn)生余量，從而容許位置的偏離。此外，當(dāng)相對于第三開口部而形成第四開口部時(shí)，在形成位置中也產(chǎn)生余量，從而容許位置的偏離。即，即使用以形成第二開口部和第四開口部的位置略微偏離，也認(rèn)為這種偏離不會妨礙 貫通孔的形成，并且容易形成直徑小的貫通孔。另外，在位于芯基板的第一表面?zhèn)壬系牡谝婚_口部中以及在位于第二表面?zhèn)壬系牡谌_口部中，直徑被設(shè)置得相對較大。即，在形成于芯基板內(nèi)的貫通孔中，位于兩側(cè)的開口部的直徑被設(shè)置得相對較大。因此，當(dāng)通過在貫通孔內(nèi)填充諸如電解鍍層金屬等的導(dǎo)電材料來形成通孔導(dǎo)體時(shí)，促進(jìn)了導(dǎo)電材料在該貫通孔內(nèi)的流通。即，在該貫通孔內(nèi)，導(dǎo)電材料易于流通。因此，以一種不在貫通孔內(nèi)產(chǎn)生空隙的優(yōu)選的方式填充導(dǎo)電材料，并且形成了電氣特性良好的通孔導(dǎo)體。顯然，根據(jù)以上教導(dǎo)，可以得出本發(fā)明的多種變形和變化。因此，應(yīng)該理解，除了如這里具體說明的以外，可以在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)實(shí)施本發(fā)明。
_3] 相關(guān)串請的交叉引用本申請基于并要求2011年2月22日提交的美國申請61/445，339的優(yōu)先權(quán)，在此通過引用將其全部內(nèi)容合并到本說明書中。
權(quán)利要求
1.一種印刷線路板制造方法，包括 預(yù)備芯基板； 在所述芯基板中形成貫通孔； 在所述芯基板的第一表面上形成第一導(dǎo)體； 在所述芯基板的第二表面上形成第二導(dǎo)體，其中，所述第二表面位于所述芯基板的所述第一表面的相反側(cè)上；以及 在所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，以使得在所述貫通孔內(nèi)形成通孔導(dǎo)體，并且所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體經(jīng)由所述通孔導(dǎo)體相連接， 其中，所述貫通孔的形成包括 在所述芯基板的所述第一表面中形成第一開口部； 從所述第一開口部的底部向著所述第二表面形成第二開口部，以使得所述第二開口部的直徑小于所述第一開口部的直徑； 在所述芯基板的所述第二表面中形成第三開口部；以及 從所述第三開口部的底部向著所述第一表面形成第四開口部，以使得所述第四開口部的直徑小于所述第三開口部的直徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的印刷線路板制造方法，其特征在于， 所述第一開口部的形成包括漸縮所述第一開口部以使所述第一開口部從所述芯基板的所述第一表面向著所述第二表面變窄， 所述第二開口部的形成包括漸縮所述第二開口部以使所述第二開口部從所述芯基板的所述第一表面向著所述第二表面變窄， 所述第三開口部的形成包括漸縮所述第三開口部以使所述第三開口部從所述芯基板的所述第二表面向著所述第一表面變窄，以及 所述第四開口部的形成包括漸縮所述第四開口部以使所述第四開口部從所述芯基板的所述第二表面向著所述第一表面變窄。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的印刷線路板制造方法，其特征在于， 所述第一開口部的形成和所述第二開口部的形成滿足AWl > AW2，其中，A Wl表示所述第一開口部的直徑在從所述芯基板的所述第一表面向著所述第二表面的方向上變小的比率，并且AW2表示所述第二開口部的直徑在從所述芯基板的所述第一表面向著所述第二表面的方向上變小的比率，并且 所述第三開口部的形成和所述第四開口部的形成滿足AW3> AW4，其中，AW3表示所述第三開口部的直徑在從所述芯基板的所述第二表面向著所述第一表面的方向上變小的比率，并且AW4表示所述第四開口部的直徑在從所述芯基板的所述第二表面向著所述第一表面的方向上變小的比率。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的印刷線路板制造方法，其特征在于，所述貫通孔的形成包括照< 射激光，以形成所述貫通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的印刷線路板制造方法，其特征在于，所述激光的照射包括 將形成所述第二開口部所使用的激光直徑設(shè)置為小于形成所述第一開口部所使用的激光直徑，以及 將形成所述第四開口部所使用的激光直徑設(shè)置為小于形成所述第三開口部所使用的激光直徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的印刷線路板制造方法，其特征在于， 將形成所述第二開口部所使用的激光的脈沖寬度設(shè)置為長于形成所述第一開口部所使用的激光的脈沖寬度，并且 將形成所述第四開口部所使用的激光的脈沖寬度設(shè)置為長于形成所述第三開口部所使用的激光的脈沖寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的印刷線路板制造方法，其特征在于，所述激光的照射滿足1.5 ^ B/A ^ 3，其中，A表示形成所述第一開口部和所述第三開口部所使用的激光的脈沖寬度，并且B表示形成所述第二開口部和所述第四開口部所使用的激光的脈沖寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的印刷線路板制造方法，其特征在于，所述激光的照射包括進(jìn)行至少兩次激光發(fā)射以形成所述第二開口部和所述第四開口部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的印刷線路板制造方法，其特征在于，所述激光的照射包括將用以形成所述第二開口部和所述第四開口部的每次激光發(fā)射的激光參數(shù)設(shè)置為基本相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的印刷線路板制造方法，其特征在于，所述貫通孔的形成包括 使通過所述第二開口部的重心且與所述芯基板的所述第一表面垂直的直線偏離通過所述第四開口部的重心且與所述芯基板的所述第二表面垂直的直線。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的印刷線路板制造方法，其特征在于，所述芯基板的厚度為0. 4mm以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的印刷線路板制造方法，其特征在于，所述貫通孔的形成滿足0. 6 ≤ ffmin/ffmax ( 0. 8,其中,Wmax表示所述貫通孔的最大直徑,并且Wmin表示所述貫通孔的最小直徑。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種印刷線路板制造方法。該印刷線路板制造方法包括在芯基板中形成貫通孔；在所述基板的第一表面上形成第一導(dǎo)體；在所述基板的第二表面上形成第二導(dǎo)體；以及在所述孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，以使得在所述孔內(nèi)形成通孔導(dǎo)體并且所述第一和第二導(dǎo)體經(jīng)由所述通孔導(dǎo)體相連接。所述孔的形成包括在所述第一表面中形成第一開口部；從所述第一開口部的底部向著所述第二表面形成第二開口部，以使得所述第二開口部的直徑小于所述第一開口部的直徑；在所述第二表面中形成第三開口部；以及從所述第三開口部的底部向著所述第一表面形成第四開口部，以使得所述第四開口部的直徑小于第三開口部的直徑。
文檔編號H05K3/40GK102686049SQ20121004215
公開日2012年9月19日 申請日期2012年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月22日
發(fā)明者山內(nèi)勉, 川合悟 申請人:揖斐電株式會社