專利名稱：蒸鍍裝置、蒸鍍方法和有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用蒸鍍掩模的蒸鍍裝置、蒸鍍方法、以及使用該蒸鍍裝置和蒸鍍方法的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在各種商品和領(lǐng)域中應(yīng)用平板顯示器，要求平板顯示器進(jìn)一步大型化、高畫質(zhì)化、低耗電化。在這樣的狀況下，具備利用有機(jī)材料的電致發(fā)光(電場(chǎng)發(fā)光)(ElectroLuminescence,以下記為“EL”)的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置，作為在全固體型、低電壓驅(qū)動(dòng)、高速響應(yīng)性、自發(fā)光性等方面優(yōu)異的平板顯示器，受到了高度的關(guān)注。有機(jī)EL顯示裝置，例如，具有在設(shè)置有TFT (薄膜晶體管)的包括玻璃基板等的基板上設(shè)置有與TFT連接的有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)。有機(jī)EL元件是能夠通過(guò)低電壓直流驅(qū)動(dòng)進(jìn)行高亮度發(fā)光的發(fā)光元件，具有依次疊層有第一電極、有機(jī)EL層和第二電極的結(jié)構(gòu)。其中,第一電極與TFT連接。另外,在第一電極與第二電極之間，作為上述有機(jī)EL層，設(shè)置有疊層有空穴注入層、空穴輸送層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子輸送層、電子注入層等的有機(jī)層。全彩色的有機(jī)EL顯示裝置，一般而言，在基板上排列形成有紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的各顏色的有機(jī)EL元件作為子像素，使用TFT使這些有機(jī)EL元件有選擇地以期望的亮度發(fā)光，由此進(jìn)行圖像顯示。在這樣的有機(jī)EL顯示裝置的制造中，在每個(gè)作為發(fā)光元件的有機(jī)EL元件中，圖案形成有至少包括以各顏 色進(jìn)行發(fā)光的有機(jī)發(fā)光材料的發(fā)光層(例如參照專利文獻(xiàn)3 5)。作為進(jìn)行發(fā)光層的圖案形成的方法，例如，已知有使用被稱為遮蔽掩模的蒸鍍用掩模的真空蒸鍍法、噴墨法、激光轉(zhuǎn)印法。例如，在低分子型有機(jī)EL顯示器(OLED)中，以往，利用使用遮蔽掩模的蒸鍍法進(jìn)行有機(jī)層的分涂形成。在使用遮蔽掩模的真空蒸鍍法中，使用能夠?qū)宓恼麄€(gè)蒸鍍區(qū)域進(jìn)行蒸鍍的尺寸的遮蔽掩模。在遮蔽掩模根據(jù)蒸鍍區(qū)域的圖案設(shè)置開(kāi)口部，再施加張力將該掩模固定(例如焊接)在掩?？?，使得該掩模不彎曲。使遮蔽掩模的開(kāi)口部經(jīng)由分隔壁與基板接觸，使蒸鍍顆粒從蒸鍍?cè)赐ㄟ^(guò)遮蔽掩模的開(kāi)口部蒸鍍(附著)在基板的期望位置，由此進(jìn)行發(fā)光層等的圖案形成。圖27是表示使用遮蔽掩模的以往的蒸鍍裝置的概略結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的剖面圖。在使用遮蔽掩模的真空蒸鍍法中，如圖27的(a)所示，使基板301與蒸鍍?cè)?02相對(duì)配置，在遮蔽掩模303設(shè)置與蒸鍍區(qū)域的一部分的圖案對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部304使得蒸鍍顆粒不會(huì)附著在作為目標(biāo)的蒸鍍區(qū)域以外的區(qū)域，使蒸鍍顆粒經(jīng)由該開(kāi)口部304蒸鍍到基板301，由此進(jìn)行圖案形成。基板301被配置在未圖示的真空腔室內(nèi)，蒸鍍?cè)?02被固定在基板301的下方。遮蔽掩模303被密合固定于基板301，或者在基板301和蒸鍍?cè)?02被固定在真空腔室的內(nèi)壁上的狀態(tài)下相對(duì)于基板301相對(duì)移動(dòng)。圖28是表示使用遮蔽掩模的以往的蒸鍍裝置的概略結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子的剖面圖。如圖28所不,使用比基板401小的尺寸的金屬掩模402,對(duì)基板401 —部分一部分地依次進(jìn)行蒸鍍，在基板401的整個(gè)面上形成蒸鍍物質(zhì)406的圖案。另外，用筒狀的分隔壁408包圍蒸鍍?cè)?03的外周，使得將來(lái)自蒸鍍?cè)?03的蒸鍍物質(zhì)406封閉在分隔壁408內(nèi)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本國(guó)公開(kāi)專利公報(bào)“特開(kāi)2004-103341號(hào)公報(bào)(
公開(kāi)日:2004年4月2日)，，專利文獻(xiàn)2:日本國(guó)公開(kāi)專利公報(bào)“特開(kāi)2000-96211號(hào)公報(bào)(
公開(kāi)日:2000年4月
4 日)，，專利文獻(xiàn)3:日本國(guó)公開(kāi)專利公報(bào)“特開(kāi)2000-188179號(hào)公報(bào)(
公開(kāi)日:2000年7月4日)”(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第6294892號(hào)(公告日:2001年9月25日))專利文獻(xiàn)4:日本國(guó)公開(kāi)專利公報(bào)“特開(kāi)平8-227276號(hào)公報(bào)(
公開(kāi)日:1996年9月3日)，，(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第5742129號(hào)(公告日:1998年4月21 H))專利文獻(xiàn)5:日本國(guó)公開(kāi)專利公報(bào)“特開(kāi)平9-167684號(hào)公報(bào)(
公開(kāi)日:1997年6月24日”(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第5688551號(hào)(公告日:1997年11月18日))

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題但是，當(dāng)基板尺寸變大時(shí)，與之相伴，遮蔽掩模303也大型化。其結(jié)果，如圖27的(b)所示，由于遮蔽掩模303的自重彎曲或伸長(zhǎng)，在基板301與遮蔽掩模303之間產(chǎn)生間隙。其結(jié)果，無(wú)法進(jìn)行位置精度高的圖案形成，發(fā)生蒸鍍位置偏移和混色，難以高精度化。另外，伴隨基板尺寸的大型化，遮蔽掩模303和保持其的掩?？蚓薮蠡?、超重化。其結(jié)果，使用這樣的遮蔽掩模303的裝置巨大化、復(fù)雜化，不僅裝置的設(shè)計(jì)變得困難，而且在制造工序或者掩模更換等工序中，也會(huì)發(fā)生操作的安全性的問(wèn)題。因此，利用大型的遮蔽掩模的大型基板的圖案化是極為困難的。另外，在圖28所示的結(jié)構(gòu)中，使用了比基板小的尺寸的掩模，在具有比掩模大的成膜區(qū)域的基板的情況下，需要將圖案連接。因此，在接縫處產(chǎn)生膜厚的不均勻，顯示品質(zhì)下降。或者無(wú)法制造超過(guò)小型掩模的有機(jī)EL顯示裝置。另外，需要按每個(gè)蒸鍍區(qū)域進(jìn)行移動(dòng)一位置對(duì)準(zhǔn)一密合，因此，處理的節(jié)拍時(shí)間增大。另外，在各基板部分的位置對(duì)準(zhǔn)期間，蒸鍍物質(zhì)需要用閘門(shutter)等遮蔽,材料利用率降低。在有機(jī)EL顯示裝置的制造工藝中，能夠應(yīng)用作為現(xiàn)行量產(chǎn)工藝的使用密合型整面遮蔽掩模的蒸鍍方法的基板尺寸為Im見(jiàn)方左右，難以應(yīng)對(duì)具有該尺寸以上的基板尺寸的大型基板。因此，應(yīng)對(duì)大型基板的有機(jī)層分涂技術(shù)目前尚未確立，60英寸級(jí)別以上的大型有機(jī)EL顯示裝置無(wú)法進(jìn)行量產(chǎn)。 另外，在利用噴墨法進(jìn)行的圖案形成中，也會(huì)伴隨微細(xì)化而發(fā)生向相鄰的子像素的混色等，在著液位置控制等圖案化精度方面存在極限。另外，在噴墨法中，一般使用包含高分子的有機(jī)發(fā)光材料。但是，高分子發(fā)光材料存在材料開(kāi)發(fā)困難的問(wèn)題，目前，與低分子發(fā)光材料相比，存在發(fā)光特性、壽命差的問(wèn)題。另外，在使用噴墨法的情況下，必須想辦法使得基底層不溶解于作為上層的材料的溶劑中。因此，不能使用任意的基底層。另外，對(duì)于在大型基板上的圖案形成，由于排出液滴數(shù)的增加和排出范圍的擴(kuò)大，需要多的節(jié)拍時(shí)間。另外，在噴墨法中，根據(jù)排出液的溶劑如何進(jìn)行干燥，膜厚和膜的平坦性變化很大。因此，顯示裝置容易發(fā)生顯示不均勻。另一方面，在使用激光等光源的激光轉(zhuǎn)印法中，使用形成有光熱轉(zhuǎn)換層和有機(jī)供體層的供體基板與形成有第一電極和子像素等的被成膜基板，將供體基板的有機(jī)供體層與被成膜基板的電極等相對(duì)地配置。通過(guò)對(duì)供體基板的光熱轉(zhuǎn)換層照射激光，被光熱轉(zhuǎn)換層吸收的光能被轉(zhuǎn)換為熱。此時(shí)，通過(guò)使激光在期望的區(qū)域掃描，規(guī)定區(qū)域的有機(jī)供體層氣化，在被成膜基板上形成圖案化的有機(jī)層。因此，在激光轉(zhuǎn)印法中，能夠有選擇地僅在第一電極上的規(guī)定區(qū)域轉(zhuǎn)印發(fā)光層。但是，在這樣的激光轉(zhuǎn)印法中，需要進(jìn)行子像素的行數(shù)的次數(shù)的激光掃描。因此，需要多的節(jié)拍時(shí)間。另外，在激光轉(zhuǎn)印法中，由于激光光源的穩(wěn)定性、因機(jī)械的掃描產(chǎn)生的搖晃和焦點(diǎn)距離的變動(dòng)等原因引起的光束輪廓的不均勻性的問(wèn)題，形成的膜的膜厚變得不均勻，這會(huì)導(dǎo)致得到的顯示裝置的顯示不均勻。因此，激光轉(zhuǎn)印法在實(shí)現(xiàn)基板的大型化和量產(chǎn)工藝的方面問(wèn)題很多。 如以上所述，使用目前的任一種圖案形成方法，對(duì)大型基板、特別是第八代(大約2160mmX2460mm)以上的基板進(jìn)行有機(jī)層的圖案形成都是困難的。另外，任一種圖案形成方法在量產(chǎn)化方面都存在問(wèn)題。這樣，到目前為止，能夠?qū)Υ笮突暹M(jìn)行有機(jī)層的圖案形成的制造技術(shù)和制造裝置仍是未知的，由于基板尺寸的制約，無(wú)法實(shí)現(xiàn)大型的有機(jī)EL顯示裝置。另外，一般而言，基板尺寸越大，能由I塊基板形成的面板數(shù)越多，每I塊面板的費(fèi)用越便宜。因此，越使用大型基板，越能夠以低成本制造有機(jī)EL顯示裝置。但是，以往，如上所述由于基板尺寸的制約，無(wú)法實(shí)現(xiàn)低成本的有機(jī)EL顯示裝置。本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而做出的，其目的在于提供能夠在大型基板上形成蒸鍍圖案的蒸鍍方法和蒸鍍裝置、以及使用其的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法。用于解決技術(shù)問(wèn)題的手段為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜的蒸鍍裝置的特征在于:在上述被成膜基板上的成膜的區(qū)域間豎立設(shè)置有規(guī)定高度的分隔壁，上述蒸鍍裝置具備:掩模單元，該掩模單元具備蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)?，上述蒸鍍掩模與被成膜基板相對(duì)、具有開(kāi)口部、并且上述蒸鍍掩模的面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的面積，上述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口，且該射出口與上述蒸鍍掩模相對(duì)配置，上述蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定；接觸單元，該接觸單元使上述被成膜基板與蒸鍍掩模經(jīng)由上述分隔壁接觸；和移動(dòng)單元，該移動(dòng)單元在上述蒸鍍掩模與被成膜基板經(jīng)由上述分隔壁接觸的狀態(tài)下，使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)。
另外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜的蒸鍍方法的特征在于，包括:分隔壁形成工序，在上述被成膜基板上的成膜的區(qū)域間豎立設(shè)置規(guī)定高度的分隔壁；接觸工序，準(zhǔn)備具備蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)?、且上述蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定的掩模單元，使上述蒸鍍掩模與被成膜基板經(jīng)由上述分隔壁接觸，其中，上述蒸鍍掩模具有開(kāi)口部、并且上述蒸鍍掩模的面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的面積，上述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口，且該射出口與上述蒸鍍掩模相對(duì)配置；和蒸鍍工序，在上述蒸鍍掩模與被成膜基板經(jīng)由上述分隔壁接觸的狀態(tài)下，使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)，使上述蒸鍍顆粒經(jīng)由上述蒸鍍掩模的開(kāi)口部依次蒸鍍?cè)诒怀赡せ宓恼翦儏^(qū)域。根據(jù)上述蒸鍍裝置和蒸鍍方法，與以往不同，蒸鍍掩模與被成膜基板未被固定，蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定，因此，能夠如上所述使用面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的面積的蒸鍍掩模，使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)來(lái)進(jìn)行蒸鍍。另外，在被成膜基板上的成膜的區(qū)域間豎立設(shè)置規(guī)定高度的分隔壁，由接觸單元使蒸鍍掩模與被成膜基板經(jīng)由分隔壁接觸。因此，不會(huì)發(fā)生與蒸鍍掩模的大型化相伴的自重彎曲和伸長(zhǎng)的問(wèn)題，即使對(duì)大型基板也能夠進(jìn)行有機(jī)層的圖案形成，而且能夠進(jìn)行位置精度高的圖案形成和高精細(xì)化。另夕卜，被成膜基板不與蒸鍍掩模直接接觸，被成膜基板不會(huì)被蒸鍍掩模損傷。另外，在被成膜基板上的成膜的區(qū)域間以規(guī)定高度設(shè)置有分隔壁，因此，能夠防止在蒸鍍時(shí)成膜的區(qū)域彼此的蒸鍍顆粒的飛散，可靠地防止蒸鍍毛邊達(dá)到相鄰像素而導(dǎo)致混色或特性降低。另外，通過(guò)在上述蒸鍍單元與被成膜基板之間具有一定的分隔壁的狀態(tài)下使蒸鍍單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)來(lái)進(jìn)行蒸鍍，能夠形成寬度和膜厚均勻的成膜圖案(蒸鍍膜)。另外，根據(jù)上述蒸鍍裝置和蒸鍍方法，如上所述使用面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的面積的蒸鍍掩模，因 此，也能夠抑制或避免由于與蒸鍍掩模的大型化相伴保持蒸鍍掩模的框巨大化、超重化而產(chǎn)生的問(wèn)題的發(fā)生。另外，上述規(guī)定圖案能夠?yàn)橛袡C(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)層。上述蒸鍍方法能夠適合用于有機(jī)電致發(fā)光元件的制造。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的特征在于，包括:在TFT基板上制造第一電極的TFT基板和第一電極制造工序；在上述TFT基板上蒸鍍至少包括發(fā)光層的有機(jī)層的有機(jī)層蒸鍍工序；蒸鍍具有與第一電極相反的極性的第二電極的第二電極蒸鍍工序；和將包括上述有機(jī)層和第二電極的有機(jī)EL元件用密封部件進(jìn)行密封的密封工序，上述有機(jī)層蒸鍍工序包括上述的蒸鍍方法的上述分隔壁形成工序、上述接觸工序和上述蒸鍍工序。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，不僅對(duì)大型基板也能夠進(jìn)行有機(jī)層的圖案形成，而且能夠制造進(jìn)行位置精度高的圖案形成和高精細(xì)化的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。發(fā)明效果 根據(jù)本發(fā)明，與以往不同，蒸鍍掩模與被成膜基板未被固定，蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定，因此，能夠如上所述使用面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的面積的蒸鍍掩模，使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)來(lái)進(jìn)行蒸鍍。因此，不會(huì)發(fā)生與蒸鍍掩模的大型化相伴的自重彎曲和伸長(zhǎng)的問(wèn)題，即使對(duì)大型基板也能夠進(jìn)行有機(jī)層的圖案形成，而且能夠進(jìn)行位置精度高的圖案形成和高精細(xì)化。另外，在被成膜基板上的成膜的區(qū)域間豎立設(shè)置規(guī)定高度的分隔壁，由接觸單元使蒸鍍掩模與被成膜基板經(jīng)由分隔壁接觸。因此，被成膜基板不與蒸鍍掩模直接接觸，被成膜基板不會(huì)被蒸鍍掩模損傷。另外，在被成膜基板上的成膜的區(qū)域間以規(guī)定高度設(shè)置有分隔壁，因此，能夠防止在蒸鍍時(shí)成膜的區(qū)域彼此的蒸鍍顆粒的飛散，可靠地防止蒸鍍毛邊達(dá)到相鄰像素而導(dǎo)致混色或特性降低。另外，通過(guò)在上述蒸鍍單元與被成膜基板之間具有一定的分隔壁的狀態(tài)下使蒸鍍單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)來(lái)進(jìn)行蒸鍍，能夠形成寬度和膜厚均勻的成膜圖案(蒸鍍膜)。另外，如上所述使用面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的面積的蒸鍍掩模，因此，也能夠抑制或避免由于與蒸鍍掩模的大型化相伴保持蒸鍍掩模的框巨大化、超重化而產(chǎn)生的問(wèn)題的發(fā)生。


圖1是示意性地表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖2的(a)是表示圖1所示的E部的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的剖面圖，(b)是表示圖1所示的E部的另一個(gè)結(jié)構(gòu)例的剖面圖。圖3是表示RGB全彩色顯示的有機(jī)EL顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖4是表示構(gòu)成圖3所示的有機(jī)EL顯示裝置的像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖5是圖4所示 的有機(jī)EL顯示裝置中的被成膜基板的A-A線向視剖面圖。圖6是按工序順序表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置的制造工序的流程圖。圖7是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的主要結(jié)構(gòu)要素的鳥(niǎo)瞰圖。圖8是從被成膜基板的背面?zhèn)瓤幢景l(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的被成膜基板和掩模單元的平面圖。圖9是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)的一部分的框圖。圖10的(a) (C)是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的被成膜基板和蒸鍍掩模的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形狀的一個(gè)例子的圖。圖11的(a)、(b)是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置的在基板上對(duì)有機(jī)EL層進(jìn)行圖案化時(shí)的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖12是表示使用本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置在TFT基板上形成規(guī)定圖案的方法的一個(gè)例子的流程圖。圖13是表示對(duì)準(zhǔn)調(diào)整方法的流程圖。圖14是表示蒸鍍關(guān)閉(OFF)時(shí)的蒸鍍控制的流程的流程圖。圖15是表示蒸鍍啟動(dòng)(ON)時(shí)的蒸鍍控制的流程的流程圖。圖16是用于將本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置的蒸鍍效果和以往的蒸鍍裝置的蒸鍍效果進(jìn)行比較的結(jié)構(gòu)圖。圖17的(a) (d)是示意性地表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置中的分隔壁的配置例的平面圖。圖18的(a) (b)是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置中的分隔壁的斷續(xù)部與發(fā)光區(qū)域的關(guān)系的平面圖。圖19是表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的另一個(gè)配置例的示意圖?！D20的(a)、(b)是表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置的在基板上對(duì)有機(jī)EL層進(jìn)行圖案化時(shí)的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖21是示意性地表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的結(jié)構(gòu)的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖22是表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置中的分隔壁的結(jié)構(gòu)例的剖面圖。圖23的(a)、(b)是用于說(shuō)明本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置中利用分隔壁對(duì)蒸鍍掩模的位置偏移進(jìn)行校正的剖面圖。圖24的(a)是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置的被成膜基板和蒸鍍掩模的樣子的示意圖，(b)是(a)的C-C線向視剖面圖。圖25是表示本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施方式的蒸鍍裝置的被成膜基板和蒸鍍掩模的樣子的示意圖。圖26的(a)、(b)是表示圖25所示的被成膜基板與蒸鍍掩模的動(dòng)作關(guān)系的示意圖。圖27的(a)是表示使用遮蔽掩模的以往的蒸鍍裝置的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖，(b)是表示(a)所示的裝置的問(wèn)題的示意圖。圖28是表示以往的蒸鍍方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。[實(shí)施方式I]基于圖1 圖18對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明如下。在本實(shí)施方式中，作為使用本實(shí)施方式的蒸鍍裝置的蒸鍍方法的一個(gè)例子，舉出從TFT基板(被成膜基板)側(cè)取出光的底部發(fā)光型的RGB全彩色顯示的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法為例進(jìn)行說(shuō)明。首先，在以下對(duì)上述有機(jī)EL顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖3是表示RGB全彩色顯示的有機(jī)EL顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖4是表示構(gòu)成圖3所示的有機(jī)EL顯示裝置的像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。另外，圖5是圖4所示的有機(jī)EL顯示裝置中的TFT基板的A-A線向視剖面圖。如圖3所示，本實(shí)施方式中制造的有機(jī)EL顯示裝置具有以下結(jié)構(gòu):在設(shè)置有矩陣狀的TFT12 (參照?qǐng)D5)的TFT基板10上依次設(shè)置有與TFT12連接的有機(jī)EL元件20、粘接層30、密封基板40。在此，有機(jī)EL元件20，通過(guò)將疊層有該有機(jī)EL元件20的TFT基板10使用粘接層30與密封基板40貼合，被封入在該一對(duì)基板(TFT基板10、密封基板40)間。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，防止了氧氣和水分從外部向有機(jī)EL元件20浸入。 TFT基板10，如圖5所示，作為支撐基板，具備例如玻璃基板等透明的絕緣基板11。在絕緣基板11上，如圖4所示，設(shè)置有多根配線14，該多根配線14包括:在水平方向敷設(shè)的多根柵極線；和在垂直方向敷設(shè)，且與柵極線交叉的多根信號(hào)線。有機(jī)EL顯示裝置I是全彩色的有源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置，在絕緣基板11上，在由這些配線14包圍的區(qū)域中，呈矩陣狀排列有分別包含紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的各顏色的有機(jī)EL元件20的各顏色的子像素2R、2G、2B。S卩，由這些配線14包圍的區(qū)域是I個(gè)子像素(點(diǎn))，按每個(gè)子像素劃分有R、G、B的發(fā)光區(qū)域。像素2 (即，I個(gè)像素)包括透過(guò)紅色(R)的光的紅色子像素2R、透過(guò)綠色(G)的光的綠色子像素2G、和透過(guò)藍(lán)色(B)的光的藍(lán)色子像素2B這3個(gè)子像素2R、2G、2B (總稱時(shí)，稱為“子像素2”)。 在各子像素2R、2G、2B中，作為承擔(dān)各子像素2R、2G、2B的發(fā)光的各顏色的發(fā)光區(qū)域，分別設(shè)置有由條狀的各顏色的發(fā)光層23R、23G、23B (總稱時(shí)，稱為“發(fā)光層23”)覆蓋的開(kāi)口區(qū)域15R、15G、15B。這些發(fā)光層23R、23G、23B按各顏色通過(guò)蒸鍍形成圖案。另外，條狀的發(fā)光層23收納于在子像素2的列之間形成的分隔壁26 (參照?qǐng)D4)之中。此外，對(duì)于分隔壁26的配置形狀等詳細(xì)內(nèi)容，將在后面進(jìn)行敘述。以下，基于圖5對(duì)本實(shí)施方式的TFT基板10進(jìn)行說(shuō)明。如圖5所示，TFT基板10具有在玻璃基板等透明的絕緣基板11上依次形成有TFT12 (開(kāi)關(guān)元件)、層間膜13 (層間絕緣膜、平坦化膜)、配線14、邊緣罩15和分隔壁26的結(jié)構(gòu)。在上述絕緣基板11上，與各子像素2R、2G、2B對(duì)應(yīng)，分別設(shè)置有TFT12。此外，TFT的結(jié)構(gòu)為以往眾所周知的結(jié)構(gòu)。因此，省略TFT12的各層的圖示和說(shuō)明。層間膜13以覆蓋各TFT12的方式在上述絕緣基板11上遍及上述絕緣基板11的整個(gè)區(qū)域地疊層。在層間膜13上，設(shè)置有配線14，并且形成有有機(jī)EL元件20的第一電極21。另外，在層間膜13中設(shè)置有用于將有機(jī)EL元件20的第一電極21與TFT12電連接的接觸孔13a。由此，TFT12經(jīng)由上述接觸孔13a與有機(jī)EL元件20電連接。邊緣罩15是用于防止由于在第一電極21的圖案端部有機(jī)EL層變薄或發(fā)生電場(chǎng)集中而引起的第一電極21與第二電極25的短路的、覆蓋第一電極21的圖案端部而形成的
絕緣層。另外，在邊緣罩15，對(duì)每個(gè)子像素2R、2G、2B設(shè)置有開(kāi)口區(qū)域15R、15G、15B。該邊緣罩15的開(kāi)口區(qū)域15R、15G、15B成為各子像素2R、2G、2B的發(fā)光區(qū)域。換言之,各子像素2R、2G、2B通過(guò)具有絕緣性的邊緣罩15被分隔開(kāi)。邊緣罩15也作為元件分離膜發(fā)揮作用。接著，對(duì)有機(jī)EL元件20進(jìn)行說(shuō)明。有機(jī)EL元件20是能夠通過(guò)低電壓直流驅(qū)動(dòng)進(jìn)行高亮度發(fā)光的發(fā)光元件，依次疊層有第一電極21、有機(jī)EL層和第二電極25。
第一電極21是具有向上述有機(jī)EL層注入(供給)空穴的功能的層。第一電極21如上所述經(jīng)由接觸孔13a與TFT12連接。在第一電極21與第二電極25之間，如圖5所不,作為有機(jī)EL層,具有從第一電極21側(cè)依次形成有空穴注入層兼空穴輸送層22、發(fā)光層23和電子輸送層兼電子注入層24的結(jié)構(gòu)?？昭ㄗ⑷雽蛹婵昭ㄝ斔蛯?2是具有使向發(fā)光層23的空穴注入效率和空穴輸送效率提高的功能的層。空穴注入層兼空穴輸送層22以覆蓋第一電極21和一部分邊緣罩15的方式均勻地形成在上述TFT基板10的顯示區(qū)域。發(fā)光層23是具有使從第一電極21側(cè)注入的空穴和從第二電極25側(cè)注入的電子復(fù)合而射出光的功能的層。如上所述，與各子像素2R、2G、2B對(duì)應(yīng)，形成有發(fā)光層23R、23G、23B。電子輸送層兼電子注入層24具有使從第二電極25向發(fā)光層23的電子輸送效率和電子注入效率提高的功能。電子輸送層兼電子注入層24以覆蓋發(fā)光層23的方式，在其上遍及上述TFT基板10的顯示區(qū)域整個(gè)面均勻地形成。第二電極25是具有向包括上述那樣的有機(jī)層的有機(jī)EL層注入電子的功能的層。第二電極25以覆蓋電子輸送層兼電子注入層24的方式，在其上遍及上述TFT基板10的顯示區(qū)域整個(gè)面均勻地形成。另外，本實(shí)施方式的疊層順序是以第一電極21為陽(yáng)極、以第二電極25為陰極，相反地，在以第一電極21為陰極、以第二電極25為陽(yáng)極的情況下，有機(jī)EL層的疊層順序反轉(zhuǎn)。

此外，發(fā)光層23以外的層不是必須的層，只要根據(jù)要求的有機(jī)EL元件的特性適當(dāng)形成即可。另外，根據(jù)需要，也能夠追加載流子阻擋層。例如，通過(guò)在發(fā)光層23與電子輸送層兼電子注入層24之間追加空穴阻擋層，能夠阻止空穴漏到電子輸送層兼電子注入層24，能夠提高發(fā)光效率。此外,在本實(shí)施方式中,將空穴注入層和空穴輸送層一體化形成、且將電子輸送層和電子注入層一體化形成，但也可以分別作為獨(dú)立的層形成。接著，在以下對(duì)上述有機(jī)EL顯示裝置I的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖6是按工序順序表不上述有機(jī)EL顯不裝直I的制造工序的流程圖。如圖6所示，本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置I的制造方法，例如，包括TFT基板和第一電極制造工序(SI)、分隔壁形成工序(S2)、空穴注入層兼空穴輸送層蒸鍍工序(S3)、發(fā)光層蒸鍍工序(S4)、電子輸送層兼電子注入層蒸鍍工序(S5)、第二電極蒸鍍工序(S6)、密封工序(S7)。以下，根據(jù)圖6所示的流程圖，參照?qǐng)D3和圖5對(duì)上述的各工序進(jìn)行說(shuō)明。但是，本實(shí)施方式中記載的各結(jié)構(gòu)要素的尺寸、材質(zhì)、形狀等只不過(guò)是一個(gè)實(shí)施方式，不應(yīng)當(dāng)由此限定解釋本發(fā)明的范圍。另外，如上所述，本實(shí)施方式中記載的疊層順序是以第一電極21為陽(yáng)極、且以第二電極25為陰極，相反地，在以第一電極21為陰極、且以第二電極25為陽(yáng)極的情況下，有機(jī)EL層的疊層順序反轉(zhuǎn)。同樣,構(gòu)成第一電極21和第二電極25的材料也反轉(zhuǎn)。首先，如圖5所示，用公知的技術(shù)在形成有TFT12和配線14等的玻璃等絕緣基板11上涂敷感光性樹(shù)脂，利用光刻技術(shù)進(jìn)行圖案化，由此在絕緣基板11上形成層間膜13。作為上述絕緣基板11，例如，使用厚度為0.7 1.1mm、y軸方向的長(zhǎng)度(縱長(zhǎng))為400mm 500mm、x軸方向的長(zhǎng)度(橫長(zhǎng))為300 400mm的玻璃基板或塑料基板。此外,在本實(shí)施方式中使用玻璃基板。作為層間膜13，例如，能夠使用丙烯酸類樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂等。作為丙烯酸類樹(shù)月旨，例如，可以列舉JSR株式會(huì)社制造的Optomer系列。另外，作為聚酰亞胺樹(shù)脂，例如，可以列舉東麗株式會(huì)社制造的Photoneece系列。但是，聚酰亞胺樹(shù)脂一般不透明，是有色的。因此，在如圖3所示作為上述有機(jī)EL顯示裝置I制造底部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置的情況下，作為上述層間膜13，更適合使用丙烯酸類樹(shù)脂等透明性樹(shù)脂。作為上述層間膜13的膜厚，只要能夠?qū)τ蒚FT12產(chǎn)生的臺(tái)階進(jìn)行補(bǔ)償即可，沒(méi)有特別限定。在本實(shí)施方式中，例如，約為2 μ m。接著，在層間膜13中形成用于將第一電極21與TFT12電連接的接觸孔13a。接著，作為導(dǎo)電膜(電極膜)，通過(guò)濺射法等以IOOnm的厚度形成例如ITO (IndiumTin Oxide:銦錫氧化物)膜。接著，在上述ITO膜上涂敷光致抗蝕劑，使用光刻技術(shù)進(jìn)行圖案化后，以氯化鐵作為蝕刻液，對(duì)上述ITO膜進(jìn)行蝕刻。然后，使用抗蝕劑剝離液將光致抗蝕劑剝離，再進(jìn)行基板清洗。由此，在層間膜13上呈矩陣狀形成第一電極21。此外，作為上述第一電極21中使用的導(dǎo)電膜材料，例如，能夠使用:IT0、IZO(Indium Zinc Oxide:銦鋅氧化物)、添加鎵的氧化鋅(GZO)等透明導(dǎo)電材料；金(八11)、鎳(Ni)、鉬(Pt)等金屬材料。另外，作為上述導(dǎo)電膜的疊層方法，除了濺射法以外，還能夠使用真空蒸鍍法、CVD(chemical vapor deposition,化學(xué)蒸鍍)法、等離子體CVD法、印刷法等。作為上述第一電極21的厚度，沒(méi)有特別限定，如上所述，例如，能夠?yàn)镮OOnm的厚度。接著，與層間膜13同樣地操作，以例如約I μ m的膜厚對(duì)邊緣罩15進(jìn)行圖案形成。作為邊緣罩15的材料，能夠使用與層間膜13同樣的絕緣材料。
通過(guò)以上工序，制造TFT基板10和第一電極21 (SI)。接著，在SI中形成的邊緣罩15上形成規(guī)定高度的分隔壁26 (S2)。作為分隔壁26，能夠使用厚膜用的感光性永久膜抗蝕劑。例如，為日本化藥株式會(huì)社的SU-8系列、日立化成工業(yè)株式會(huì)社的K1-1000系列等。通過(guò)使用這樣的材料，利用光刻技術(shù)進(jìn)行圖案化，并進(jìn)行燒制，形成分隔壁26。接著，對(duì)經(jīng)過(guò)上述那樣的工序的TFT基板10，實(shí)施用于脫水的減壓烘焙和作為第一電極21的表面清洗的氧等離子體處理。接著，使用以往的蒸鍍裝置，在上述TFT基板10上，在上述TFT基板10的顯示區(qū)域蒸鍍空穴注入層兼空穴輸送層22 (S3)。本實(shí)施方式的蒸鍍方法和蒸鍍裝置，能夠特別適合用于空穴注入層兼空穴輸送層22的分涂形成(圖案形成)。對(duì)于使用本實(shí)施方式的蒸鍍裝置和蒸鍍方法的空穴注入層兼空穴輸送層22的分涂形成，將在后面詳細(xì)敘述。
此外，在本實(shí)施方式中，空穴注入層兼空穴輸送層22，在相鄰的顏色不同的子像素間間斷地蒸鍍。即，在分隔壁26的側(cè)壁沒(méi)有形成空穴注入層兼空穴輸送層22。作為空穴注入層兼空穴輸送層22的材料，例如，可以列舉:揮發(fā)油、苯乙烯胺、三苯胺、葉啉、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳基烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪、苯并菲、氮雜苯并菲和它們的衍生物；聚硅烷類化合物；乙烯咔唑類化合物；噻吩類化合物、苯胺類化合物等雜環(huán)式共軛類的單體、低聚物或聚合物等。在本實(shí)施方式中，作為空穴注入層兼空穴輸送層22的材料，使用4，4’ - 二[N- (1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(a -NPD)。另外，空穴注入層兼空穴輸送層22的膜厚為 30nm?？昭ㄗ⑷雽蛹婵昭ㄝ斔蛯?2，如上述那樣，可以一體化，也可以作為獨(dú)立的層形成。作為各自的厚膜，例如為10 lOOnm。

接著，在上述空穴注入層兼空穴輸送層22上，以覆蓋邊緣罩15的開(kāi)口區(qū)域15R、15GU5B的方式，與子像素2R、2G、2B對(duì)應(yīng)地分別分涂形成(圖案形成)發(fā)光層23R、23G、23B
(S4)。如上述那樣，在發(fā)光層23R、23G、23B中使用低分子熒光色素、金屬配位化合物等發(fā)光效率高的材料。作為發(fā)光層23R、23G、23B的材料，例如，可以列舉:蒽、萘、卻、菲、花、并四苯、苯并
菲、蒽、二萘嵌苯、茜、熒蒽、苯并熒蒽、二苯并菲、并五苯、六苯并苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪和它們的衍生物；三(8-羥基喹啉)鋁配位化合物；雙(苯并羥基喹啉)鈹配位化合物；三(二苯甲酰甲基)鄰二氮雜菲銪配位化合物；二甲苯甲?；蚁┗?lián)苯等。作為發(fā)光層23R、23G、23B的膜厚，例如為10 lOOnm。本實(shí)施方式的蒸鍍方法和蒸鍍裝置，能夠特別適合用于這樣的發(fā)光層23R、23G、23B的分涂形成(圖案形成)。對(duì)于使用本實(shí)施方式的蒸鍍裝置和蒸鍍方法的發(fā)光層23R、23G、23B的分涂形成，將在后面詳細(xì)敘述。接著，以覆蓋上述空穴注入層兼空穴輸送層22和發(fā)光層23R、23G、23B的方式，在上述TFT基板10的顯示區(qū)域整個(gè)面上蒸鍍電子輸送層兼電子注入層24 (S5)。具體而言，將顯示區(qū)域整個(gè)面開(kāi)口的遮蔽掩模81相對(duì)于TFT基板10進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)調(diào)整之后，使其經(jīng)由在S2中形成的分隔壁與TFT基板10接觸，在使TFT基板10與遮蔽掩模81 一起旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，使從蒸鍍?cè)达w散的蒸鍍顆粒通過(guò)遮蔽掩模81的開(kāi)口部82均勻地蒸鍍?cè)陲@示區(qū)域。作為電子輸送層兼電子注入層24的材料，例如，可以列舉:喹啉、二萘嵌苯、鄰二氮雜菲、二苯乙烯基、吡嗪、三唑、噁唑、噁二唑、芴酮或它們的衍生物、金屬配位化合物；LiF
坐寸ο在本實(shí)施方式中，作為電子輸送層兼電子注入層24的材料，使用Alq (三(8-羥基喹啉)鋁)。另外，電子輸送層兼電子注入層24的膜厚為30nm。如上述那樣，電子輸送層和電子注入層可以一體化也可以作為獨(dú)立的層形成。作為各自的膜厚，例如為10 lOOnm。另外，電子輸送層兼電子注入層的合計(jì)膜厚，例如為20 200nm。
接著，通過(guò)與上述的電子輸送層兼電子注入層蒸鍍工序(S5)同樣的方法，以覆蓋上述電子輸送層兼電子注入層24的方式，在上述TFT基板10的顯示區(qū)域整個(gè)面上蒸鍍第二電極 25 (S6)。作為第二電極25的材料(電極材料)，適合使用功函數(shù)小的金屬等。作為這樣的電極材料，例如，可以列舉鎂合金(MgAg等)、招合金(AlL1、AlCa、AlMg等)、金屬I丐等。第二電極25的厚度，例如為50 IOOnm0在本實(shí)施方式中，作為第二電極25，以50nm的膜厚形成鋁。由此，在TFT基板10上形成包含上述的有機(jī)EL層、第一電極21和第二電極25的有機(jī)EL元件20。接著，如圖3所示，將形成有有機(jī)EL元件20的上述TFT基板10和密封基板40用粘接層30貼合，進(jìn)行有機(jī)EL元件20的封入。作為上述密封基板40，例如使用厚度為0.4 1.1mm的玻璃基板或者塑料基板等絕緣基板。此外，在本實(shí)施方式中使用玻璃基板。此外，密封基板40的縱長(zhǎng)和橫長(zhǎng)，可以根據(jù)作為目標(biāo)的有機(jī)EL顯示裝置I的尺寸適當(dāng)調(diào)整，可以使用與TFT基板10的絕緣基板11大致相同尺寸的絕緣基板，將有機(jī)EL元件20密封之后，根據(jù)作為目標(biāo)的有機(jī)EL顯示裝置I的尺寸進(jìn)行分割。此外，作為有機(jī)EL元件20的密封方法，并不限定于上述的方法。作為其他的密封方式，例如，可以列舉:使用中央凹陷的玻璃作為密封基板40，利用密封樹(shù)脂、燒結(jié)玻璃等，以框狀進(jìn)行密封的方法；在TFT基板10與密封基板40之間填充樹(shù)脂的方法等。上述有機(jī)EL顯示裝 置I的制造方法，不依賴于上述密封方法，能夠應(yīng)用所有的密封方法。另外，在上述第二電極25上，可以以覆蓋該第二電極25的方式設(shè)置有阻止氧氣和水分從外部浸入到有機(jī)EL元件20內(nèi)的、未圖示的保護(hù)膜。上述保護(hù)膜由絕緣性或?qū)щ娦缘牟牧闲纬伞Ｗ鳛檫@樣的材料，例如，可以列舉氮化硅或氧化硅。另外，上述保護(hù)膜的厚度例如為100 lOOOnm。通過(guò)上述工序，有機(jī)EL顯示裝置I完成。在這樣的有機(jī)EL顯示裝置I中，當(dāng)通過(guò)來(lái)自配線14的信號(hào)輸入使TFT12導(dǎo)通(0N)時(shí)，從第一電極21向有機(jī)EL層注入空穴。另一方面,從第二電極25向有機(jī)EL層注入電子，空穴和電子在發(fā)光層23R、23G、23B內(nèi)復(fù)合。復(fù)合的空穴和電子在失活能量時(shí)，作為光射出。在上述有機(jī)EL顯示裝置I中，通過(guò)控制各子像素2R、2G、2B的發(fā)光亮度，顯示規(guī)定的圖像。接著，對(duì)本實(shí)施方式的蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示本實(shí)施方式的蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的概略結(jié)構(gòu)例的剖面圖，圖2的(a)是圖1的E部的放大圖。圖7是本實(shí)施方式的蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的主要結(jié)構(gòu)要素的鳥(niǎo)瞰圖。圖8是從被成膜基板的背面?zhèn)?即與蒸鍍面相反的一側(cè))看本實(shí)施方式的蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的被成膜基板和掩模單元的平面圖。此外，為圖示方便起見(jiàn)，在圖8中，被成膜基板用雙點(diǎn)劃線表示，分隔壁在附圖中沒(méi)有表示。圖1相當(dāng)于從圖8所示的B-B線向視剖面看時(shí)的蒸鍍裝置的剖面。圖9是表示本實(shí)施方式的蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)的一部分的框圖。如圖1所示，本實(shí)施方式的蒸鍍裝置50具備真空腔室60 (成膜腔室)、基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70 (基板移動(dòng)單元、移動(dòng)單元)、掩模單元80、圖像傳感器90和控制電路100 (參照?qǐng)D9)。
如圖1所示，本實(shí)施方式的蒸鍍裝置50具備真空腔室60 (成膜腔室)、基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70 (基板移動(dòng)單元、移動(dòng)單元)、掩模單元80、圖像傳感器90和控制電路100 (參照?qǐng)D9)。在真空腔室60內(nèi)，如圖1所示，設(shè)置有基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70和掩模單元80。此外，在真空腔室60中，為了在蒸鍍時(shí)將該真空腔室60內(nèi)保持為真空狀態(tài)，設(shè)置有經(jīng)由在該真空腔室60設(shè)置的未圖示的排氣口對(duì)真空腔室60內(nèi)進(jìn)行真空排氣的未圖示的真空泵。基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70例如具備:保持被成膜基板200 (例如TFT基板10)的基板保持部件71 (基板保持單元)；和電動(dòng)機(jī)72 (參照?qǐng)D9)?；逡苿?dòng)機(jī)構(gòu)70利用基板保持部件71保持被成膜基板200，并且利用后述的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103 (參照?qǐng)D9)驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)72，由此保持被成膜基板200并使其在水平方向移動(dòng)。此外，基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70可以設(shè)置為在X軸方向和y軸方向均能夠移動(dòng)，也可以設(shè)置為能夠在任一方向移動(dòng)。

此外，作為基板保持部件71，如圖1所示，使用靜電吸盤(接觸單元)。在本實(shí)施方式中，利用作為基板保持部件71的靜電吸盤，將遮蔽掩模81 (蒸鍍掩模)吸附在被成膜基板200側(cè)。另外，被成膜基板200，通過(guò)作為基板保持部件71的靜電吸盤，防止自重彎曲。另外，掩模單元80，如圖1所示，具備遮蔽掩模81、蒸鍍?cè)?5、掩模保持部件87(保持單元)、掩模張緊機(jī)構(gòu)88和閘門89 (參照?qǐng)D9)。作為遮蔽掩模81，例如使用金屬制的掩模。遮蔽掩模81形成為:比被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210面積小，且其至少I邊比被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的寬度短。在此，被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210是指形成規(guī)定圖案的蒸鍍膜211的區(qū)域整體。在本實(shí)施方式中，作為遮蔽掩模81，使用具有以下的大小的矩形狀(帶狀)的遮蔽掩模。遮蔽掩模81，如圖8所示，形成為:作為其長(zhǎng)邊方向(長(zhǎng)軸方向)的長(zhǎng)度的長(zhǎng)邊81a的寬度dl比蒸鍍區(qū)域210的與遮蔽掩模81的長(zhǎng)邊81a相對(duì)的邊(在圖8所示的例子中為蒸鍍區(qū)域210的長(zhǎng)邊210a)的寬度d3長(zhǎng)。另外，遮蔽掩模81形成為:作為其短邊方向(短軸方向)的長(zhǎng)度的短邊81b的寬度d2比蒸鍍區(qū)域210的與遮蔽掩模81的短邊81b相對(duì)的邊(在圖8所示的例子中為蒸鍍區(qū)域210的短邊210b)的寬度d4短。在遮蔽掩模81，如圖7和圖8所示，在一維方向排列設(shè)置有多個(gè)例如帶狀(條狀)的開(kāi)口部82 (貫通口)。上述開(kāi)口部82，在作為被成膜基板200上的蒸鍍膜211 (參照?qǐng)D1)的圖案形成進(jìn)行例如TFT基板10的發(fā)光層23R、23G、23B的分涂形成的情況下，按照這些發(fā)光層23R、23G、23B的同顏色列的尺寸和間距形成。另外，在遮蔽掩模81，如圖1、8所示，例如，沿被成膜基板200的掃描方向(基板掃描方向)設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部83，在該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部83設(shè)置有用于進(jìn)行被成膜基板200與遮蔽掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)(對(duì)準(zhǔn))的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84 (參照?qǐng)D1)。在本實(shí)施方式中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部83，如圖1所示，沿遮蔽掩模81的短邊81b (短軸)設(shè)置。另外，作為遮蔽掩模81，通過(guò)使用其長(zhǎng)邊81a的寬度dl比蒸鍍區(qū)域210的相對(duì)的邊的寬度d3長(zhǎng)、且短邊81b的寬度d2比蒸鍍區(qū)域210的相對(duì)的邊的寬度d4短的遮蔽掩模，能夠在其長(zhǎng)邊方向兩側(cè)部(即，兩短邊81b、81b)形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部83。因此，能夠容易并且更精密地進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。另一方面，在被成膜基板200，如圖8所示，在蒸鍍區(qū)域210的外側(cè)，沿被成膜基板200的掃描方向(基板掃描方向)設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部220，在該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部220設(shè)置有用于進(jìn)行被成膜基板200與遮蔽掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221 (參照?qǐng)D1)。在本實(shí)施方式中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部220，如圖8所示，沿被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的短邊210b (短軸)設(shè)置。在本實(shí)施方式中，條狀的開(kāi)口部82在作為基板掃描方向的遮蔽掩模81的短邊方向延伸設(shè)置，并且在與基板掃描方向正交的遮蔽掩模81的長(zhǎng)邊方向并列設(shè)置有多個(gè)。另外，如圖1所示，在被成膜基板200上，在成膜的區(qū)域之間，并列設(shè)置有多個(gè)規(guī)定高度的分隔壁26。因此，在蒸鍍時(shí)，被成膜基板200與遮蔽掩模81經(jīng)由分隔壁26接觸。在本實(shí)施方式中，使被成膜基板200與遮蔽掩模81接觸時(shí)，分隔壁26位于遮蔽掩模81的開(kāi)口部82彼此之間，分隔壁26按照開(kāi)口部82的形狀，在被成膜基板200的長(zhǎng)邊方向(由移動(dòng)單元相對(duì)移動(dòng)的方向)形成為條狀。如圖1所示，分隔壁26的高度相當(dāng)于被成膜基板200與遮蔽掩模81之間的間隙gl。通過(guò)分隔壁26，被成膜基板200與遮蔽掩模81直接接觸的可能性消除。被成膜基板200與遮蔽掩模81之間的間隙gl即分隔壁26的高度，優(yōu)選在10 μ m以上Imm以下的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為50 μ m左右。當(dāng)間隙gl超過(guò)Imm時(shí)，通過(guò)遮蔽掩模81的開(kāi)口部82的蒸鍍顆粒擴(kuò)展而附著于在蒸鍍區(qū)域的兩側(cè)豎立設(shè)置的分隔壁26，因此，導(dǎo)致蒸鍍顆粒的浪費(fèi)。另一方面，當(dāng)間隙gl不超過(guò)IOym時(shí)，由于遮蔽掩模81或被成膜基板200的變形，遮蔽掩模81與開(kāi)口區(qū)域15R、15G、15B接觸，有可能 損傷在開(kāi)口區(qū)域15R、15G、15B形成的第一電極21或蒸鍍膜。此外，當(dāng)像素間距變大時(shí)(即，分隔壁間的距離變大時(shí))，遮蔽掩模81或被成膜基板200的變形進(jìn)一步變大，因此，需要使間隙gl進(jìn)一步擴(kuò)大。另外，如果間隙gl為50 μ m左右，則能夠使蒸鍍膜211的圖案寬度的展寬充分減小，并且能夠防止遮蔽掩模81與開(kāi)口區(qū)域15R、15G、15B接觸。蒸鍍?cè)?5例如是在內(nèi)部收容蒸鍍材料的容器，如圖1所示，在與遮蔽掩模81之間具有一定的間隙g2 (空隙)(即，分開(kāi)一定距離)而相對(duì)配置。此外，蒸鍍?cè)?5可以是在容器內(nèi)部直接收容蒸鍍材料的容器，也可以是具有負(fù)載鎖定式的配管的容器。蒸鍍?cè)?5例如具有向上方射出蒸鍍顆粒的機(jī)構(gòu)。蒸鍍?cè)?5在與遮蔽掩模81的相對(duì)面具有使上述蒸鍍材料作為蒸鍍顆粒射出(飛散)的多個(gè)射出口 86。在本實(shí)施方式中，如上所述蒸鍍?cè)?5配置在被成膜基板200的下方，被成膜基板200以上述蒸鍍區(qū)域210朝向下方的狀態(tài)被基板保持部件71保持。因此，在本實(shí)施方式中，蒸鍍?cè)?5使蒸鍍顆粒經(jīng)由遮蔽掩模81的開(kāi)口部82從下方向上方蒸鍍(向上沉積)在被成膜基板200上。射出口 86，如圖1和圖7所示，以在遮蔽掩模81的開(kāi)口區(qū)域開(kāi)口的方式分別與遮蔽掩模81的開(kāi)口部82相對(duì)設(shè)置。在本實(shí)施方式中，上述射出口 86與遮蔽掩模81的開(kāi)口部82相對(duì),沿遮蔽掩模81的開(kāi)口部82的并列設(shè)置方向一維排列。
因此，如圖7和圖8所示，在從被成膜基板200的背面?zhèn)瓤磿r(shí)(即在俯視時(shí))，蒸鍍?cè)?5的與遮蔽掩模81的相對(duì)面(即，射出口 86的形成面)，例如按照矩形狀(帶狀)的遮蔽掩模81的形狀，形成為矩形狀(帶狀)。在掩模單元80中，遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5位置被相對(duì)固定。即，遮蔽掩模81與上述蒸鍍?cè)?5的射出口 86的形成面之間的間隙g2總是保持一定，并且，遮蔽掩模81的開(kāi)口部82的位置與上述蒸鍍?cè)?5的射出口 86的位置總是具有相同的位置關(guān)系。但是，遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5的位置關(guān)系在本發(fā)明中不是必須的條件，也能夠使位置關(guān)系變化。此外，在從被成膜基板200的背面看掩模單元80時(shí)(即在俯視時(shí))，蒸鍍?cè)?5的射出口 86以位于遮蔽掩模81的開(kāi)口部82的中央的方式配置。遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5，例如，如圖1所示，被設(shè)置在經(jīng)由掩模張緊機(jī)構(gòu)88保持和固定遮蔽掩模81和蒸鍍?cè)?5的掩模保持部件87 (例如同一保持件)上，由此被一體化，從而，其相對(duì)位置被保持和固定。另外，遮蔽掩模81通過(guò)掩模張緊機(jī)構(gòu)88被施加張力，并被適當(dāng)調(diào)整為不會(huì)產(chǎn)生由自重引起的彎曲或伸長(zhǎng)。另外，閘門89用于控制蒸鍍顆粒到達(dá)遮蔽掩模81而根據(jù)需要使用。閘門89基于來(lái)自后述的蒸鍍啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)控制部104 (參照?qǐng)D9)的蒸鍍關(guān)閉(OFF)信號(hào)或者蒸鍍啟動(dòng)(ON)信號(hào),通過(guò)閘門驅(qū)動(dòng)控制部105 (參照?qǐng)D9)關(guān)閉或者打開(kāi)。閘門89 (參照?qǐng)D9)例如設(shè)置為能夠在遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5之間進(jìn)退(能夠插入它們之間)。閘門89通過(guò)插入遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5之間將遮蔽掩模81的開(kāi)口部82關(guān)閉。這樣，通過(guò)在遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5之間適當(dāng)插入閘門89，能夠防止向多余的部分(非蒸鍍區(qū)域)的蒸鍍。此外，在蒸鍍裝置50中，可以構(gòu)成為:從蒸鍍?cè)?5飛散的蒸鍍顆粒被調(diào)整為向遮蔽掩模81內(nèi)飛散，向遮蔽掩模81外飛散的蒸鍍顆粒由防附著板(遮蔽板)等適當(dāng)除去。另外，在真空腔室60的外側(cè)，作為拍攝單元(圖像讀取單元)例如設(shè)置有具備CXD的圖像傳感器90 (參照?qǐng)D9)，并且，作為控制單元，設(shè)置有與上述圖像傳感器90連接的控制電路100。圖像傳感器90，作為用于進(jìn)行被成膜基板200與遮蔽掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)的位置檢測(cè)單元發(fā)揮作用。另外，控制電路100具備圖像檢測(cè)部101、運(yùn)算部102、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103、蒸鍍啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)控制部104和閘門驅(qū)動(dòng)控制部105。如上所述，在被成膜基板200，如圖8所示，在蒸鍍區(qū)域210的外側(cè)，例如沿基板掃描方向設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部220，在該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部220設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221。圖像檢測(cè)部101，根據(jù)由圖像傳感器90讀入的圖像進(jìn)行在被成膜基板200設(shè)置的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221和遮蔽掩模81的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84的圖像檢測(cè)，并且，根據(jù)在被成膜基板200設(shè)置的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221的表示蒸鍍區(qū)域210的起始端的起始端標(biāo)記和表示蒸鍍區(qū)域210的結(jié)束端的結(jié)束端標(biāo)記，檢測(cè)被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的起始端和結(jié)束端。

此外，起始端標(biāo)記和結(jié)束端標(biāo)記可以相同。在該情況下，在基板掃描方向，判斷是蒸鍍區(qū)域210的起始端還是結(jié)束端。另外，運(yùn)算部102根據(jù)由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)出的圖像，確定被成膜基板200與遮蔽掩模81的相對(duì)移動(dòng)量(例如，被成膜基板200相對(duì)于遮蔽掩模81的移動(dòng)量)。例如，上述運(yùn)算部102計(jì)算對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84的偏移量(X軸方向和y軸方向的偏移成分、以及xy平面的旋轉(zhuǎn)成分)，通過(guò)運(yùn)算確定被成膜基板200的基板位置的校正值。即，上述校正值通過(guò)對(duì)與基板掃描方向垂直的方向和被成膜基板200的旋轉(zhuǎn)方向進(jìn)行運(yùn)算來(lái)確定。此外，在此，被成膜基板的旋轉(zhuǎn)方向是表示被成膜基板200的被成膜面的中心的以z軸為旋轉(zhuǎn)軸的xy平面內(nèi)的旋轉(zhuǎn)方向。上述校正值，作為校正信號(hào)向電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103輸出，電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103基于來(lái)自運(yùn)算部102的校正信號(hào)，對(duì)與基板保持部件71連接的電動(dòng)機(jī)72進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，由此對(duì)被成膜基板200的基板位置進(jìn)行校正。此外，對(duì)于使用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84、221的基板位置校正，將與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84、221的形狀例一并在后面進(jìn)行敘述。電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103通過(guò)驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)72，如上所述使被成膜基板200在水平方
向移動(dòng)。蒸鍍啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)控制部104，當(dāng)由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)出蒸鍍區(qū)域210的結(jié)束端時(shí)，產(chǎn)生蒸鍍關(guān)閉(OFF)信號(hào)，當(dāng)由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)出蒸鍍區(qū)域210的起始端時(shí)，產(chǎn)生蒸鍍啟動(dòng)(ON)信號(hào)。閘門驅(qū)動(dòng)控制部105，當(dāng)從上述蒸鍍啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)控制部104被輸入蒸鍍關(guān)閉(OFF)信號(hào)時(shí)，將閘門89關(guān) 閉，另一方面，當(dāng)從上述蒸鍍啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)控制部104被輸入蒸鍍啟動(dòng)(ON)信號(hào)時(shí)，將閘門89打開(kāi)。接著，對(duì)使用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84、221的基板位置校正以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84、221的形狀例進(jìn)行說(shuō)明。圖10的(a) (C)表示對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84、221的形狀的一個(gè)例子。此外，圖10的(b)和(c)分別為了圖示方便僅將并列配置的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84、221中的2個(gè)摘出表示。運(yùn)算部102根據(jù)由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)出的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84、221的圖像，測(cè)定(算出)X軸方向的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84、221的端部(外緣部)間的距離r和y軸方向的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84、221的端部(外緣部)間的距離q，由此計(jì)算對(duì)準(zhǔn)的偏移量，運(yùn)算基板位置的校正值。例如，在基板掃描方向?yàn)閄軸方向的情況下，圖10的(a) (C)中，r是基板掃描方向的上述端部間的距離，q是與基板掃描方向垂直的方向的上述端部間的距離。運(yùn)算部102通過(guò)在例如被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的兩側(cè)測(cè)定(算出)距離r和距離q，計(jì)算基板掃描時(shí)的對(duì)準(zhǔn)的偏移量。此外，在本實(shí)施方式中，如后所述，列舉在對(duì)被成膜基板200進(jìn)行掃描的同時(shí)進(jìn)行遮蔽掩模81與被成膜基板200的對(duì)準(zhǔn)的情況為例進(jìn)行說(shuō)明，但是，不限于此，也能夠在基板掃描前進(jìn)行充分的對(duì)準(zhǔn)，在基板掃描中不進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。例如，可考慮如后述的實(shí)施方式所示，使被成膜基板200沿被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的一邊(例如，圖10的(a) (c)中的y軸方向)移動(dòng)后，沿與上述邊正交的邊(例如，圖10的(a) (C)中的X軸方向)移動(dòng)。在該情況下，圖10的(a) (C)中，r是與基板掃描方向垂直的方向的上述端部間的距離，q表示被成膜基板200的移動(dòng)方向(位移方向)的上述端部間的距離。在該情況下，運(yùn)算部102通過(guò)測(cè)定四個(gè)角的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的距離r和距離q，計(jì)算基板掃描開(kāi)始時(shí)的對(duì)準(zhǔn)的偏移量和被成膜基板200移動(dòng)(位移)時(shí)的對(duì)準(zhǔn)的偏移量。此外，如圖10的(a) (C)所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84、221的形狀，可以是帶狀，也可以是正方形等四邊形狀，也可以是框狀、十字狀等。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84、221的形狀沒(méi)有特別限定。接著，對(duì)使用本實(shí)施方式的上述蒸鍍裝置50作為有機(jī)EL顯示裝置I的制造裝置對(duì)有機(jī)EL層進(jìn)行圖案形成的方法的一個(gè)例子進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此外，在本實(shí)施方式中，將蒸鍍?cè)?5與遮蔽掩模81之間的間隙g2 (B卩，蒸鍍?cè)?5的射出口 86形成面與遮蔽掩模81之間的距離)設(shè)為100mm，將作為被成膜基板200的上述TFT基板10與遮蔽掩模81之間的間隙gl (即分隔壁26的高度)設(shè)為40 μ m。就上述TFT基板10的基板尺寸而言，在掃描方向?yàn)?20mm，在與掃描方向垂直的方向?yàn)?00mm,就蒸鍍區(qū)域210 (顯示區(qū)域)的寬度而言，掃描方向的寬度(寬度d4)為260mm,與掃描方向垂直的方向的寬度(寬度d3)為310mm。另外，上述TFT基板10的各子像素2R、2G、2B的開(kāi)口區(qū)域15R、15G、15B的寬度設(shè)為360μ (掃描方向)Χ90μ (與掃描方向垂直的方向)。另外，上述開(kāi)口區(qū)域15R、15G、15Β間的間距設(shè)為480 μ m (掃描方向)X 160 μ m (與掃描方向垂直的方向)。此外，上述開(kāi)口區(qū)域15R、15G、15B間的間距(像素開(kāi)口部間間距)表示相鄰的子像素2R、2G、2B的各自的開(kāi)口區(qū)域15R、15G、15B間的間距，不是相同顏色子像素間的間距。另外，作為遮蔽掩模81，使用長(zhǎng)邊81a (長(zhǎng)軸方向)的寬度dl (與掃描方向垂直的方向的寬度)為600mm、短邊81b (短軸方向)的寬度d2 (掃描方向的寬度)為200mm的遮蔽掩模。另外，遮蔽掩模81的開(kāi)口部82的開(kāi)口寬度為150mm (長(zhǎng)軸方向的寬度d5 ;參照?qǐng)D8) X 110 μ m (短軸方向的寬度d6 ；參照?qǐng)D8)，相鄰的開(kāi)口部82、82間的間隔d8 (參照?qǐng)D8)，對(duì)空穴注入層兼空穴輸送層為50 μ m,對(duì)發(fā)光層為370 μ m,相鄰的開(kāi)口部82、82的中心間的間距P (參照?qǐng)D8)，對(duì) 空穴注入層兼空穴輸送層為160 μ m，對(duì)發(fā)光層為480 μ m。此外，在本實(shí)施方式中，作為上述遮蔽掩模81的短邊81b的寬度d2 (短邊長(zhǎng))，優(yōu)選為200mm以上。其理由如下所述。S卩，蒸鍍速率優(yōu)選為lOnm/s以下，當(dāng)蒸鍍速率在lOnm/s以上時(shí)，被蒸鍍的膜(蒸鍍膜211)的均勻性下降，有機(jī)EL特性下降。另外，蒸鍍膜211的膜厚一般為IOOnm以下。當(dāng)膜厚為IOOnm以上時(shí)，需要的施加電壓變高，作為結(jié)果，制造出的有機(jī)EL顯示裝置的消耗電力增加。因此，根據(jù)蒸鍍速率和蒸鍍膜211的厚膜，需要的蒸鍍時(shí)間估計(jì)為10秒以上。另一方面，由于處理能力(節(jié)拍時(shí)間)的限制，例如為了對(duì)寬度2m的玻璃基板以150秒完成蒸鍍，至少需要使掃描速度為13.3mm/s以上。處理時(shí)間150秒是大約每天能夠處理570塊基板的節(jié)拍時(shí)間。為了以上述掃描速度得到如上所述10秒以上的蒸鍍時(shí)間，遮蔽掩模81的開(kāi)口部82需要在掃描方向至少開(kāi)口 133mm以上。在假設(shè)從開(kāi)口部82的端部到遮蔽掩模81的端部的距離(空邊寬度d7 ;參照?qǐng)D8)為30mm左右是妥當(dāng)?shù)那闆r下，遮蔽掩模81的掃描方向的寬度需要為133 + 30 +30 ^ 200mmo因此，遮蔽掩模81的短邊長(zhǎng)(寬度d2)優(yōu)選為200mm以上。但是，如果蒸鍍速率、蒸鍍膜211的膜厚、節(jié)拍時(shí)間的允許量發(fā)生變化，則不限于此。
另外，在本實(shí)施方式中，上述TFT基板10的掃描速度設(shè)為30mm/s。在以下的說(shuō)明中，如上所述，舉出以下的情況為例進(jìn)行說(shuō)明:作為被成膜基板200，使用上述分隔壁形成工序(S2)結(jié)束后的階段的TFT基板10，作為有機(jī)EL層的圖案形成，在上述空穴注入層兼空穴輸送層蒸鍍工序(S3)中，蒸鍍上述空穴注入層兼空穴輸送層22。首先，如圖1所示，將遮蔽掩模81設(shè)置在真空腔室60內(nèi)的蒸鍍?cè)?5之上，用掩模張緊機(jī)構(gòu)88施加張力將遮蔽掩模81保持為水平。接著，使用遮蔽掩模81的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84進(jìn)行調(diào)整，使得基板掃描方向與在遮蔽掩模81形成的條狀的開(kāi)口部82的長(zhǎng)軸方向一致。將TFT基板10投入到真空腔室60中，使用TFT基板10的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221進(jìn)行調(diào)整，使得TFT基板10的相同顏色像素列的方向與基板掃描方向一致(圖12的S11)。然后，在基板端部將遮蔽掩模81與TFT基板10重合，進(jìn)行兩者的粗對(duì)準(zhǔn)(圖12的S12)，在該部分使彼此經(jīng)由分隔壁26接觸(接觸工序，圖12的S13)。接著，掃描TFT基板10，在使TFT基板10與遮蔽掩模81經(jīng)由分隔壁26接觸的同時(shí)，以TFT基板10通過(guò)遮蔽掩模81之上的方式進(jìn)行基板掃描。此時(shí)，如圖11的(a)所示，使用各對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221、84，在掃描的同時(shí)進(jìn)行精密的對(duì)準(zhǔn)，使得TFT基板10的各像素列(子像素列2R、2G、2B)與遮蔽掩模81的開(kāi)口部82的位置一致(圖12的S14)。圖13是表示對(duì)準(zhǔn)調(diào)整方法的流程圖。對(duì)準(zhǔn)的調(diào)整根據(jù)圖13所示的流程進(jìn)行。首先，用圖像傳感器90讀入作為被成膜基板200的上述TFT基板10的基板位置(圖 13 的 S21)。接著，根據(jù)由圖像傳感器90讀入的圖像，由圖像檢測(cè)部101進(jìn)行上述TFT基板10的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221和遮蔽掩模81的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221的圖像檢測(cè)(圖13的S22)。然后，根據(jù)由上述圖像檢測(cè)部101檢測(cè)出的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221、84的圖像，由運(yùn)算部102計(jì)算對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84的偏移量，運(yùn)算確定基板位置的校正值(圖13的S23)。接著，電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103基于上述校正值驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)72，由此對(duì)基板位置進(jìn)行校正(圖13的S24)。接著，再次由圖像傳感器90檢測(cè)校正后的基板位置，重復(fù)S21 S25工序(步驟)。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)重復(fù)由圖像傳感器90檢測(cè)基板位置對(duì)基板位置進(jìn)行校正，能夠在進(jìn)行基板掃描的同時(shí)對(duì)基板位置進(jìn)行校正，能夠在對(duì)TFT基板10與遮蔽掩模81進(jìn)行精密對(duì)準(zhǔn)的同時(shí)進(jìn)行成膜。接著，使TFT基板10的掃描方向反轉(zhuǎn)，用與上述同樣的方法，在相同的位置蒸鍍?cè)摽昭ㄗ⑷雽蛹婵昭ㄝ斔蛯硬牧稀Ｓ纱?，在各子像素的開(kāi)口區(qū)域15R、15G、15B上得到膜厚30nm的空穴注入層兼空穴輸送層22 (圖12的S16)。此外，在S14 S16中，在TFT基板10的非蒸鍍區(qū)域位于遮蔽掩模81的開(kāi)口部82上時(shí)(例如，在S14所示的步驟結(jié)束后，直至在S16中掃描方向反轉(zhuǎn)的期間)，在蒸鍍?cè)?5與遮蔽掩模81之間插入閘門89，防止蒸鍍顆粒附著在非蒸鍍區(qū)域(圖12的S15)。在此，對(duì)于上述S15中的使用閘門89的蒸鍍控制，在以下參照?qǐng)D14和圖15進(jìn)行說(shuō)明。 圖14是表示蒸鍍關(guān)閉(OFF)時(shí)的蒸鍍控制的流程的流程圖。另外，圖15是表示蒸鍍啟動(dòng)(ON)時(shí)的蒸鍍控制的流程的流程圖。
首先，對(duì)蒸鍍關(guān)閉(OFF)時(shí)的流程進(jìn)行說(shuō)明。
如圖14所示，作為被成膜基板200的上述TFT基板10的基板位置，如在圖13中說(shuō)明的那樣，在蒸鍍處理期間，由圖像傳感器不斷地讀入(圖14的S31)。
如在圖13中說(shuō)明的那樣，圖像檢測(cè)部101根據(jù)由上述圖像傳感器90讀入的圖像進(jìn)行TFT基板10的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221和遮蔽掩模81的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221的圖像檢測(cè)。圖像檢測(cè)部101檢測(cè)出表示蒸鍍區(qū)域的結(jié)束端的結(jié)束端標(biāo)記作為TFT基板10的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221，由此，如圖14所示，檢測(cè)出蒸鍍區(qū)域210的結(jié)束端(圖14的S32)。
如上所述，當(dāng)由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)出蒸鍍區(qū)域210的結(jié)束端時(shí)，蒸鍍啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)控制部104產(chǎn)生蒸鍍關(guān)閉(OFF)信號(hào)(圖14的S33)。
閘門驅(qū)動(dòng)控制部105，當(dāng)從蒸鍍啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)控制部104被輸入蒸鍍關(guān)閉(OFF)信號(hào)時(shí)，將閘門89關(guān)閉(圖14的S34)。當(dāng)閘門89被關(guān)閉時(shí)，蒸鍍顆粒不會(huì)到達(dá)掩模，蒸鍍關(guān)閉(OFF)(圖14的S35)。
接著，對(duì)蒸鍍啟動(dòng)(ON)時(shí)的流程進(jìn)行說(shuō)明。
如圖15所示，作為被成膜基板200的上述TFT基板10的基板位置，在蒸鍍處理期間，由圖像傳感器90不斷地讀入，這與上述同樣(圖15的S41)。
圖像檢測(cè)部10·1檢測(cè)出表示蒸鍍區(qū)域的起始端的起始端標(biāo)記作為TFT基板10的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221，由此檢測(cè)出蒸鍍區(qū)域210的起始端(圖15的S42)。
當(dāng)由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)出蒸鍍區(qū)域210的結(jié)束端時(shí)，蒸鍍啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)控制部104產(chǎn)生蒸鍍啟動(dòng)(ON)信號(hào)(圖15的S43)。
閘門驅(qū)動(dòng)控制部105，當(dāng)從蒸鍍啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)控制部104被輸入蒸鍍啟動(dòng)(ON)信號(hào)時(shí)，將閘門89打開(kāi)(圖15的S44)。當(dāng)閘門89被打開(kāi)時(shí)，蒸鍍顆粒到達(dá)掩模，蒸鍍啟動(dòng)(ON)(圖15的S45)。
另外，上述S16中的往返·掃描，如以下那樣進(jìn)行。首先，在由S21 S24所示的步驟進(jìn)行精密對(duì)準(zhǔn)的同時(shí)掃描基板，當(dāng)由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)出蒸鍍區(qū)域210的結(jié)束端時(shí)，通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)72使TFT基板10反轉(zhuǎn)。在此期間，通過(guò)S31 S35所示的步驟，蒸鍍關(guān)閉(OFF),由S21 S24所示的步驟進(jìn)行TFT基板10的位置校正,通過(guò)S41 S45所示的步驟在蒸鍍區(qū)域210的起始端蒸鍍啟動(dòng)(0N)。然后，在由S21 S24所示的步驟再次進(jìn)行精密對(duì)準(zhǔn)的同時(shí)掃描基板。
這樣，如在S16中所示的那樣，形成期望膜厚的發(fā)光層23R。
在本實(shí)施方式中，在S16所示的步驟之后，將形成有上述空穴注入層兼空穴輸送層22的TFT基板10從上述真空腔室60取出(S17)。
作為另一個(gè)例子，對(duì)以下的情況進(jìn)行說(shuō)明:在上述空穴注入層兼空穴輸送層工序(S3)結(jié)束后的階段的TFT基板10上，作為有機(jī)EL層的圖案形成，在發(fā)光層蒸鍍工序(S4)中進(jìn)行發(fā)光層23R (參照?qǐng)D11的(b))的分涂形成。
與蒸鍍空穴注入層兼空穴輸入層材料的情況同樣地操作，投入TFT基板10 (圖12的S11)，進(jìn)行粗對(duì)準(zhǔn)(圖12的S12)，使TFT基板10與遮蔽掩模81經(jīng)由分隔壁26接觸(圖12的S13)。如圖11的(b)所示，使用各對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221、84在掃描的同時(shí)進(jìn)行精密對(duì)準(zhǔn)，使得TFT基板10的紅色的像素列(子像素列2R)與遮蔽掩模81的開(kāi)口部82的位置一致，與此同時(shí)，通過(guò)與空穴注入層兼空穴輸送層22同樣的基板掃描,蒸鍍發(fā)光層23R,從蒸鍍?cè)?5飛散的蒸鍍顆粒附著在TFT基板10的期望位置(圖12的S14)。通過(guò)基板的往返掃描得到規(guī)定膜厚的發(fā)光層(圖12的S16)。
與上述的空穴注入層兼空穴輸入層22的形成同樣，在發(fā)光層23的圖案形成中，在S14 S16中，在TFT基板10的非蒸鍍區(qū)域位于遮蔽掩模81的開(kāi)口部82上時(shí)(例如，在S14所示的步驟結(jié)束后，直至在S16中掃描方向反轉(zhuǎn)的期間)，在蒸鍍?cè)?5與遮蔽掩模81之間插入閘門89，防止蒸鍍顆粒附著在非蒸鍍區(qū)域(圖12的S15)。
在S16所示的步驟之后，將形成有上述發(fā)光層23R的TFT基板10從上述真空腔室60取出(圖12的S17)。
發(fā)光層23R的有機(jī)材料，通過(guò)將紅色的3-苯基_4( I’-萘基)_5_苯基-1，2，4_三唑(TAZ)(主體材料)和雙(2- (2’ -苯并[4，5-α]噻吩基)吡啶_N，C3’)乙酰丙酮合銥(btp2Ir (acac))(紅色發(fā)光摻雜劑)分別以5.0nm/s、0.53nm/s的蒸鍍速度進(jìn)行共蒸鍍來(lái)制作。與空穴注入層兼空穴輸送層22同樣地使基板的掃描方向反轉(zhuǎn)進(jìn)行蒸鍍，得到膜厚50nm的紅色的發(fā)光層23R。
然后，使用綠色的發(fā)光層23G形成用的掩模單元80和真空腔室60，與上述發(fā)光層23R的成膜處理同樣地進(jìn)行綠色的發(fā)光層23G的成膜。
另外，在這樣形成發(fā)光層23G之后，使用藍(lán)色的發(fā)光層23B形成用的掩模單元80和真空腔室60，與上述發(fā)光層23R、23G的成膜處理同樣地進(jìn)行藍(lán)色發(fā)光層23B的成膜。
如上述說(shuō)明的那樣，作為相當(dāng)于發(fā)光層240B的藍(lán)色的發(fā)光層材料，通過(guò)將TAZ(主體材料)和2- (4’-叔丁基苯基)-5- (4”聯(lián)苯基)-1，3，4_噁二唑(t-Bu PBD)(藍(lán)色發(fā)光摻雜劑)分別以5.0nm/s、0.67nm/s的蒸鍍速度進(jìn)行共蒸鍍來(lái)制作。另外，膜厚為50nm。
另外，作為相當(dāng)于發(fā)光層23G的綠色的發(fā)光層材料，通過(guò)使用TAZ (主體材料)和Ir (ppy) 3 (綠色發(fā)光摻雜劑),分別以5.0nm/s、0.67nm/s的蒸鍍速度進(jìn)行共蒸鍍來(lái)制作。另外，膜厚為50nm。
通過(guò)以上那樣的工序，得到以紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)圖案形成有發(fā)光層23的TFT基板10。
根據(jù)本實(shí)施方式，使用上述的蒸鍍裝置50作為有機(jī)EL顯示裝置I的制造裝置，使用上述的蒸鍍方法制造有機(jī)EL顯示裝置1，由此，與以往相比，能夠?qū)崿F(xiàn)更大型的有機(jī)EL顯示裝置I。
在以往的掩模蒸鍍法中，將遮蔽掩模與被成膜基板對(duì)準(zhǔn)貼合、或者利用磁力使遮蔽掩模與被成膜基板接觸，在將遮蔽掩模和被成膜基板一體化的狀態(tài)下進(jìn)行蒸鍍。另外，遮蔽掩模形成為與被成膜基板大致相同的大小。
因此，存在以下問(wèn)題:由于遮蔽掩模的自重彎曲和伸長(zhǎng)，在被成膜基板與遮蔽掩模之間產(chǎn)生間隙，發(fā)生蒸鍍位置偏移和混色，難以高精細(xì)化。
另外，以往，蒸鍍?cè)幢还潭ㄔ谡婵涨皇抑校虼?，在使用小型的遮蔽掩模，使遮蔽掩模移?dòng)的同時(shí)，對(duì)被成膜基板的一部分區(qū)域依次進(jìn)行蒸鍍的情況下，需要用于防止附著的遮蔽板，使得在沒(méi)有遮蔽掩模的區(qū)域中蒸鍍顆粒不附著在被成膜基板上，且需要使其與遮蔽掩模一致地依次移動(dòng)。在該情況下，結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。
另外，在不使用可動(dòng)的遮蔽板，根據(jù)遮蔽掩模的移動(dòng)，將與每個(gè)移動(dòng)的區(qū)域?qū)?yīng)的蒸鍍?cè)磫?dòng)(0N)，將除此以外的蒸鍍?cè)辞袚Q為關(guān)閉(OFF)的情況下，不僅需要具有均勻的蒸鍍分布的被高度控制的基板尺寸的面蒸鍍?cè)矗谊P(guān)閉(OFF)的蒸鍍?cè)床贿\(yùn)轉(zhuǎn)，因此成為處理效率低的裝置。
與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，如上所述，與以往不同，將遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5 —體化(將相對(duì)位置固定化)，在作為被成膜基板200的TFT基板10與遮蔽掩模81之間設(shè)置分隔壁26，使TFT基板10在經(jīng)由分隔壁26與遮蔽掩模81接觸的狀態(tài)下通過(guò)其上進(jìn)行掃描，由此，使通過(guò)遮蔽掩模81的開(kāi)口部82的蒸鍍顆粒蒸鍍?cè)赥FT基板10上。
即，根據(jù)本實(shí)施方式，使用上述掩模單元80，在上述TFT基板10與掩模單元80之間設(shè)置有具有一定高度(例如gl)的分隔壁26的狀態(tài)下，例如，使TFT基板10相對(duì)于掩模單元80相對(duì)移動(dòng)。另外，在分隔壁26間存在遮蔽掩模81的開(kāi)口部82，因此，通過(guò)使從蒸鍍?cè)?5的射出口 86射出的蒸鍍顆粒經(jīng)由上述遮蔽掩模81的開(kāi)口部82依次蒸鍍?cè)谏鲜鯰FT基板10的蒸鍍面的蒸鍍區(qū)域210，在TFT基板10的蒸鍍區(qū)域210形成規(guī)定的圖案。
另外，根據(jù)本實(shí)施方式，相鄰的像素被分隔壁26分隔，因此，蒸鍍顆粒不會(huì)侵入相鄰像素，能夠抑制由混色引起的顯示品質(zhì)的降低。另外，遮蔽掩模81僅與分隔壁26接觸，因此，能夠防止遮蔽掩模81與發(fā)光區(qū)域接觸，防止TFT基板10上的有機(jī)EL元件損傷。另夕卜，通過(guò)充分確保分隔壁26的高度，即使在基板掃描時(shí)遮蔽掩模81振動(dòng)，也能夠防止該掩模與發(fā)光區(qū)域接觸。優(yōu)選形成為相對(duì)于分隔壁間的寬度具有1/10以上的高度的分隔壁26即可。在本實(shí)施方式中，分隔壁26間的寬度為130 μ m，因此，分隔壁26的高度為13μπι以上即可。
另外，根據(jù)本實(shí)施方式，與以往不同，使用比TFT基板10 (被成膜基板)面積小的遮蔽掩模81 (蒸鍍掩模)，不需要使用與TFT基板10同等尺寸的掩模，不會(huì)發(fā)生在使用以往的掩模的蒸鍍方法中成為問(wèn)題的、與掩模的大型化相伴的自重彎曲和伸長(zhǎng)、掩?？虻某鼗?。因此，即使對(duì)大型的 TFT基板10也能夠進(jìn)行有機(jī)EL層的圖案形成。
例如，在以往的掩模蒸鍍法中，由于與遮蔽掩模的大型化相伴的自重彎曲等而在遮蔽掩模與被成膜基板之間產(chǎn)生空隙時(shí)，如圖16的(a)所示，傾斜入射到掩模的開(kāi)口部的蒸鍍顆粒，傾斜地通過(guò)空隙而附著在基板上。因此，根據(jù)入射角度和空隙的寬度會(huì)產(chǎn)生蒸鍍毛邊。入射角度的正切和空隙與蒸鍍毛邊的關(guān)系為正比例關(guān)系。
另一方面，根據(jù)本實(shí)施方式，如圖2所不,對(duì)遮蔽掩模81上的I個(gè)開(kāi)口部82,在被成膜基板200上在與其對(duì)應(yīng)的位置的兩側(cè)設(shè)置有分隔壁26。因此，如圖16的(b)所示，傾斜入射的蒸鍍顆粒被分隔壁26阻擋，蒸鍍毛邊必然限于像素內(nèi)。因此，蒸鍍毛邊量不依賴于蒸鍍顆粒的入射角度或分隔壁26的高度，另外，能夠可靠地防止蒸鍍毛邊達(dá)到相鄰像素而導(dǎo)致混色和特性降低。
另外，在分隔壁26間存在遮蔽掩模81的開(kāi)口部82，因此，空穴注入層兼空穴輸送層22和發(fā)光層23不會(huì)附著在分隔壁26的上表面。因此，即使在基板掃描時(shí)遮蔽掩模81在分隔壁26上滑行，也不用擔(dān)心發(fā)生已經(jīng)蒸鍍的膜的剝落或由此引起的有機(jī)EL元件的特性的損傷。
另外，根據(jù)本實(shí)施方式，從蒸鍍?cè)?5向遮蔽掩模81大致垂直地飛散(飛翔)的蒸鍍顆粒，通過(guò)遮蔽掩模81的開(kāi)口部82，大致垂直地飛翔而附著在TFT基板10上，形成蒸鍍膜211。此時(shí)，在TFT基板10與遮蔽掩模81之間設(shè)置有一定高度的分隔壁26，因此，在掃描TFT基板10的期間也保持一定，能夠形成寬度和膜厚均勻的蒸鍍膜211。
因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠得到基板面內(nèi)均勻地形成有圖案的有機(jī)層，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示品質(zhì)高的有機(jī)EL顯示裝置I。
而且，通過(guò)如上所述在掃描TFT基板10的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，能夠在提高材料利用效率的狀態(tài)下在上述TFT基板10上形成均勻性高的蒸鍍膜211。
如上所述，使用比TFT基板10面積小的遮蔽掩模81，因此，能夠抑制以下那樣的問(wèn)題的發(fā)生:伴隨遮蔽掩模的大型化，保持遮蔽掩模的框巨大化、超重化，對(duì)其進(jìn)行操作的裝置也巨大化、復(fù)雜化，產(chǎn)生制造工序中的操作的危險(xiǎn)性。因此，裝置的設(shè)計(jì)變得容易(裝置縮小化)，另外掩模更換等的安全性提高。
另外，在本實(shí)施方式中，如圖17的(a)所示，使用將沒(méi)有斷續(xù)部的分隔壁26隔著子像素列設(shè)置的結(jié)構(gòu)。但是，本發(fā)明不限于該結(jié)構(gòu)。例如，可以列舉圖17的(b)、(c)、(d)等斷續(xù)地形成有分隔壁26的結(jié)構(gòu)。
當(dāng)這樣斷續(xù)地形成時(shí)，即使在分隔壁26的錐角大的情況下第二電極25由分隔壁26的壁面切斷電連接，也能夠 通過(guò)斷續(xù)部(斷續(xù)地形成的分隔壁間的部分)確保第二電極25的電連接。
例如，在分隔壁26的壁面為倒錐形狀(錐角超過(guò)90° )的情況下，在蒸鍍時(shí)第二電極不會(huì)附著在分隔壁壁面上，因此，第二電極25成為在像素列方向被分割為條狀的結(jié)構(gòu)。于是，僅在條紋方向有電流的通路，因此，第二電極25的電阻增加，會(huì)產(chǎn)生由第二電極25引起的電壓下降、和向顯示區(qū)域內(nèi)的各像素的施加電壓的不均勻。但是，如果分隔壁26具有斷續(xù)部，則電流的通路成為網(wǎng)眼狀，因此能夠抑制第二電極25的電阻增加。
但是，在掃描TFT基板10的同時(shí)形成蒸鍍膜的圖案時(shí)，例如，如圖18的(a)所示，有可能蒸鍍顆粒通過(guò)斷續(xù)部侵入相鄰像素，導(dǎo)致混色。為了抑制該現(xiàn)象，如圖18的(b)所示，只要在像素的平面圖中，使能夠通過(guò)斷續(xù)部的直線不通過(guò)其它像素的發(fā)光區(qū)域上即可。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，即使有通過(guò)斷續(xù)部侵入相鄰像素的蒸鍍顆粒，該蒸鍍顆粒也不附著在其它像素的發(fā)光區(qū)域。因此，不會(huì)發(fā)生混色。
另外，根據(jù)本實(shí)施方式，如上所述將遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置固定，在基板掃描時(shí)，例如僅使TFT基板10移動(dòng)即可，不需要像以往那樣在使遮蔽掩模與被成膜基板接觸的狀態(tài)使遮蔽掩模移動(dòng)，或者使蒸鍍?cè)聪鄬?duì)于這樣與遮蔽掩模接觸的被成膜基板移動(dòng)。
因此，不需要用于強(qiáng)固地固定使得遮蔽掩模與被成膜基板不偏移、而且使兩者移動(dòng)的復(fù)雜的機(jī)構(gòu)，不需要為了得到均勻的膜厚而進(jìn)行蒸鍍?cè)吹木艿恼翦兞靠刂?、移?dòng)控制。
另外，根據(jù)本實(shí)施方式，如上所述將遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置固定，因此，不需要用于防止蒸鍍顆粒附著在多余的部分(非蒸鍍區(qū)域)的遮蔽板，即使使用遮蔽板，也只要將遮蔽板固定即可，能夠使結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
另外，在本實(shí)施方式中，使用掩模尺寸的蒸鍍?cè)?5，不需要基板尺寸的面蒸鍍?cè)?，就蒸鍍分布的均勻性而言，也只要能夠僅在與基板掃描方向垂直的方向進(jìn)行控制即可。
除此以外，不需要像以往那樣將基板尺寸的蒸鍍?cè)辞袚Q為啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)，因此處理效率變高。
此外，在本實(shí)施方式中，形成為上述掩模單元80固定配置在真空腔室60內(nèi)的結(jié)構(gòu)，但本實(shí)施方式并不限定于此。
上述蒸鍍裝置50，可以具備固定被成膜基板200的基板保持部件71 (例如靜電吸盤)來(lái)代替上述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70，并且具備使上述掩模單元80在保持上述遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置的狀態(tài)下相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)的掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)(掩模單元移動(dòng)單元)。或者，可以具備基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70和掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)兩者。
即，上述被成膜基板200和掩模單元80只要設(shè)置成至少一個(gè)能夠相對(duì)移動(dòng)即可，在使任一個(gè)移動(dòng)的情況下均能夠得到本發(fā)明的效果。
此外，作為上述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70和掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)，例如，可以是輥式的移動(dòng)機(jī)構(gòu)，也可以是油壓式的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
在如上所述使掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)的情況下，上述掩模單元80，例如，按每個(gè)掩模保持部件87 (例如同一保持件)，使遮蔽掩模81和蒸鍍?cè)?5相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)。由此，能夠在保持上述遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置的狀態(tài)下使上述掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)。
在這樣使掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)的情況下，優(yōu)選上述遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5例如由同一保持件(保持部件、保持單元)保持而一體化。
但是，在如上所述使被成膜基板200相對(duì)于掩模單元80相對(duì)移動(dòng)的情況下，上述遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5只要相對(duì)位置固定即可，不一定需要一體化。
例如，上述掩模單元80中，可以蒸鍍?cè)?5被固定在真空腔室60的內(nèi)壁的例如底壁上，并且掩模保持部件87被固定在上述真空腔室60的任一內(nèi)壁上，由此，上述遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置固定。
另外，以上述遮蔽掩模81的開(kāi)口部82按照上述蒸鍍?cè)?5的射出口 86的配置，各射出口 86在俯視時(shí)位于任一開(kāi)口部82內(nèi)，并且開(kāi)口部82與射出口 86 —對(duì)一地對(duì)應(yīng)設(shè)置的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是，本實(shí)施方式并不限定于此。開(kāi)口部82與射出口 86不一定需要相對(duì)配置，另外，也可以不必一對(duì)一地對(duì)應(yīng)。
具體而言，開(kāi)口部82的間距P與射出口 86的間距可以不一致。另外，開(kāi)口部82的寬度d5或者寬度d6與射出口 86的開(kāi)口寬度(開(kāi)口徑)可以不一致。例如，在圖1所示的例子中，射出口 86的開(kāi)口徑可以大于也可以小于開(kāi)口部82的寬度d6。另外，可以對(duì)一個(gè)開(kāi)口部82設(shè)置有多個(gè)射出口 86，也可以對(duì)多個(gè)開(kāi)口部82設(shè)置有一個(gè)開(kāi)口 86。另外，也可以多個(gè)射出口 86中的一部分(至少一個(gè))射出口 86或者射出口 86的一部分區(qū)域與非開(kāi)口部(即，遮蔽掩模81的開(kāi)口部82以外的區(qū)域(例如開(kāi)口部82、82之間的區(qū)域))相對(duì)設(shè)置。
但是，從降低蒸鍍顆粒附著在遮蔽掩模81的非開(kāi)口部的量、盡可能提高材料利用效率的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選各射出口 86分別與開(kāi)口部82相對(duì)設(shè)置，使得各射出口 86的至少一部分(即，至少一部分區(qū)域)與一個(gè)或多個(gè)開(kāi)口部82重疊。另外，更優(yōu)選射出口 86與開(kāi)口部82相對(duì)設(shè)置，使得各射出口 86在俯視時(shí)位于任一開(kāi)口部82內(nèi)。
另外，在本實(shí)施方式中，舉出遮蔽掩模81的開(kāi)口部82和蒸鍍?cè)?5的射出口 86 —維排列的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明。但是，本實(shí)施方式并不限定于此。遮蔽掩模81的開(kāi)口部82與蒸鍍?cè)?5的射出口 86只要分別相互相對(duì)配置即可，也可以二維排列。
另外，在本實(shí)施方式中，舉出遮蔽掩模81的開(kāi)口部82和蒸鍍?cè)?5的射出口 86分別設(shè)置有多個(gè)的情況為例進(jìn) 行了說(shuō)明。但是，本實(shí)施方式并不限定于此。遮蔽掩模81只要具備至少I個(gè)開(kāi)口部82即可，蒸鍍?cè)?5只要具備至少I個(gè)射出口 86即可。
即，遮蔽掩模81和蒸鍍?cè)?5可以具有分別僅設(shè)置有I個(gè)開(kāi)口部82和射出口 86的結(jié)構(gòu)。在該情況下，也能夠通過(guò)使掩模單元80和被成膜基板200中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)，使蒸鍍顆粒經(jīng)由遮蔽掩模81的開(kāi)口部82依次蒸鍍?cè)诒怀赡せ?00的蒸鍍區(qū)域210，在被成膜基板200上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜。
另外，在本實(shí)施方式中，舉出遮蔽掩模81具有狹縫狀的開(kāi)口部82的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明。但是，上述開(kāi)口部82的形狀只要適當(dāng)設(shè)定為能夠得到期望的蒸鍍圖案即可，沒(méi)有特別限定。
另外，在本實(shí)施方式中，舉出基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70具備靜電吸盤作為基板保持部件71的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明。通過(guò)這樣利用靜電吸盤保持被成膜基板200，能夠有效地防止被成膜基板200發(fā)生因自重引起的彎曲。
但是，本實(shí)施方式并不限定于此，根據(jù)被成膜基板200的大小，例如，作為上述基板保持部件71，也可以使用通過(guò)對(duì)基板施加張力而機(jī)械地夾持保持基板的輥等保持部件。
另外，在本實(shí)施方式中，作為閘門89，舉出設(shè)置有能夠在遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5之間進(jìn)退的閘門的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明。但是，本實(shí)施方式并不限定于此，例如，可以使用能夠進(jìn)行啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)切換的蒸鍍?cè)?5作為蒸鍍?cè)?5，在被成膜基板200的不需要蒸鍍的部分位于遮蔽掩模81的開(kāi)口區(qū)域(即，與開(kāi)口部82相對(duì)的區(qū)域)的情況下，將蒸鍍關(guān)閉(0FF)，使得蒸鍍分子不飛翔。
例如，作為閘門89，可以在蒸鍍?cè)?5設(shè)置通過(guò)將蒸鍍?cè)?5的射出口 86關(guān)閉來(lái)阻止蒸鍍顆粒射出(放出)的閘門89。
或者，可以代替在上述射出口 86設(shè)置閘門89，基于蒸鍍啟動(dòng)(ON)信號(hào)或者蒸鍍關(guān)閉(OFF)信號(hào)，將蒸鍍?cè)?5的電源接通/斷開(kāi)(0N/0FF)，`由此使蒸鍍顆粒的產(chǎn)生停止。
無(wú)論是哪種方式，根據(jù)本實(shí)施方式，如上所述使用比基板面積小的遮蔽掩模81，并且遮蔽掩模81與蒸鍍?cè)?5 —體化，因此，不需要像以往那樣對(duì)多個(gè)蒸鍍?cè)?或者射出口)中的一部分蒸鍍?cè)?或者射出口)進(jìn)行啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)控制，只要在非蒸鍍區(qū)域，將蒸鍍?cè)?5本身、即全部射出口 86啟動(dòng)(ON)或者關(guān)閉(OFF)即可。因此，不需要復(fù)雜的機(jī)構(gòu)，能夠簡(jiǎn)單地進(jìn)行啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)控制。
另外，在本實(shí)施方式中，如上所述，舉出從TFT基板10側(cè)取出光的底部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置I的制造方法為例進(jìn)行了說(shuō)明。但是，本實(shí)施方式并不限定于此。本發(fā)明也能夠適合應(yīng)用于從密封基板40側(cè)取出光的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置I。
另外，在本實(shí)施方式中，舉出作為TFT基板10和密封基板40的支撐基板使用玻璃基板的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是本實(shí)施方式并不限定于此。
作為這些TFT基板10和密封基板40中的各支撐基板，在有機(jī)EL顯示裝置I為底部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置的情況下，除了玻璃基板以外，也能夠使用例如塑料基板等透明基板。另一方面，在上述有機(jī)EL顯示裝置I為頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置的情況下，作為上述支撐基板，除了上述那樣的透明基板以外，也能夠使用例如陶瓷基板等不透明的基板。
另外，在本實(shí)施方式中，舉出陽(yáng)極(本實(shí)施方式中的第一電極21)形成為矩陣狀的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明。但是，作為上述陽(yáng)極，只要具有作為向有機(jī)EL層供給空穴的電極的功能即可，其形狀、材質(zhì)和大小，沒(méi)有特別限定，例如，可以形成為條狀。但是，在有機(jī)EL元件的性質(zhì)上，優(yōu)選陽(yáng)極和陰極中的至少一個(gè)是透明的。一般而言，使用透明的陽(yáng)極。
另外，在本實(shí)施方式中，上述掃描速度、蒸鍍速度、上述TFT基板10的往返掃描次數(shù)，并不限定于上述的值。通過(guò)對(duì)這些進(jìn)行調(diào)整，能夠以期望的節(jié)拍時(shí)間得到期望的膜厚。
另外，作為被成膜基板200的TFT基板10與遮蔽掩模81之間的間隙gl、和上述蒸鍍?cè)?5與遮蔽掩模81之間的間隙g2也不限定于上述的值。
另外，蒸鍍?cè)?5與遮蔽掩模81之間的間隙g2只要根據(jù)蒸鍍顆粒的空間擴(kuò)展的分布和從蒸鍍?cè)?5輻射的熱的影響適當(dāng)進(jìn)行調(diào)整即可。
[實(shí)施方式2]
對(duì)本實(shí)施方式主要基于圖2的(b)、圖19 圖23進(jìn)行說(shuō)明如下。
此外，在本實(shí)施方式中，主要對(duì)與上述的實(shí)施方式I的不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)于與實(shí)施方式I中使用的結(jié)構(gòu)要素具有相同功能的結(jié)構(gòu)要素，賦予相同的編號(hào)，省略其說(shuō)明。
在上述實(shí)施方式I中，說(shuō)明了在掃描TFT基板10的同時(shí)進(jìn)行與遮蔽掩模81的對(duì)準(zhǔn)的情況，但是本發(fā)明不限于此，也能夠是在掃描前進(jìn)行充分的對(duì)準(zhǔn)，在基板掃描中不進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的情況。在這樣的情況下，如圖19所示，不需要沿被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的側(cè)面配置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221，只要在被成膜基板200的四個(gè)角等配置即可。
另外，與實(shí)施方式I的不同點(diǎn)是，如圖2的(b)所示，以與從TFT基板10的蒸鍍區(qū)域的形成面突出形成的凸形狀的分隔壁26的端面卡合的方式，在與其接觸的遮蔽掩模81的端面形成有凹部81c(凹形狀)。圖2的(b)是表不圖1的E部的另一個(gè)結(jié)構(gòu)例的不意圖。即，在遮蔽掩模81中，與分隔壁26接觸的部分的板厚小于其它部分的板厚。當(dāng)然，分隔壁26和凹部81c的形狀不限于圖2所示的形狀。例如，也可以將分隔壁26的端面形成為凹形狀，將與其接觸的遮蔽掩模81的端面形成為凸形狀。
在本實(shí)施方式中，凹部81c的深度為10 μ m，且寬度為40 μ m。分隔壁26的寬度在接觸部為大約26 μ m，因此，遮蔽掩模81的凹部81c與分隔壁26之間空出有合計(jì)約14 μ m的空隙。另外，在遮蔽掩模81形成凹部81c，能夠通過(guò)光刻技術(shù)和蝕刻時(shí)間的調(diào)整容易地形成。
因此，在使被成膜基板200與遮蔽掩模81經(jīng)由分隔壁26接觸時(shí)，分隔壁26與凹部81c嚙合，由此，不需要 另外進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)，不會(huì)導(dǎo)致裝置的復(fù)雜化、節(jié)拍時(shí)間的增大。
以下，參照?qǐng)D20，以在TFT基板10上對(duì)空穴注入層兼空穴輸送層22和發(fā)光層23的有機(jī)EL層進(jìn)行圖案形成時(shí)的方法為例，僅說(shuō)明與實(shí)施方式I不同的工序的部分。
與實(shí)施方式I同樣地進(jìn)行遮蔽掩模81的位置調(diào)整之后，將TFT基板10投入到真空腔室60中，使用遮蔽掩模81的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記84和TFT基板10的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記221進(jìn)行調(diào)整，使得基板的相同顏色像素列的方向與基板掃描方向一致。然后，在TFT基板10的端部使該基板10與遮蔽掩模81重合，在該部分使彼此經(jīng)由分隔壁26接觸。此時(shí)，如圖20的(a)那樣，使得分隔壁26與遮蔽掩模81的凹部81c嚙合。即，分隔壁26在遮蔽掩模81的凹部81c與遮蔽掩模81接觸。
接著，以30mm/s對(duì)TFT基板10進(jìn)行掃描，在使TFT基板10與遮蔽掩模81接觸的同時(shí)，進(jìn)行基板掃描使得TFT基板10通過(guò)遮蔽掩模81上。此時(shí)，在蒸鍍時(shí)，不特別進(jìn)行基板與遮蔽掩模的位置對(duì)準(zhǔn)。在TFT基板10通過(guò)遮蔽掩模81之上時(shí)，從蒸鍍?cè)?5飛散的蒸鍍顆粒通過(guò)遮蔽掩模81的開(kāi)口部82附著在TFT基板10的期望位置。在TFT基板10完成通過(guò)遮蔽掩模81之后，膜厚15nm的該空穴注入層兼空穴輸送層材料附著在TFT基板10上。
接著，使TFT基板10的掃描方向反轉(zhuǎn)，用同樣的方法在相同的位置蒸鍍?cè)摽昭ㄗ⑷雽蛹婵昭ㄝ斔蛯硬牧?。由此，得到膜?0nm的空穴注入層兼空穴輸送層。
使用同樣的方法，對(duì)發(fā)光層23也進(jìn)行圖案形成。此外，紅色的發(fā)光層23R的蒸鍍時(shí)，使用圖20的(b)那樣的遮蔽掩模81。即，在遮蔽掩模中，在分隔壁26的部分均形成有凹部，但是僅在紅色的像素列形成有開(kāi)口。
此外，其它的步驟與實(shí)施方式I同樣。
通過(guò)以上的步驟完成圖案形成有空穴注入層兼空穴輸送層22和發(fā)光層23的有機(jī)EL顯示裝置I。
根據(jù)本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，遮蔽掩模81的凹部81c與分隔壁26嚙合，因此，即使在蒸鍍時(shí)不特別進(jìn)行TFT基板10與遮蔽掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)，也不會(huì)彼此的位置偏移而發(fā)生混色，能夠僅在期望位置進(jìn)行蒸鍍。
此外，在本實(shí)施方式中，在蒸鍍時(shí)不進(jìn)行TFT基板10與遮蔽掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)，但是不限于此，也能夠與實(shí)施方式I同樣地在掃描的同時(shí)進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。在該情況下，除了遮蔽掩模81的凹部81c與分隔壁26的嚙合的效果以外，還同時(shí)利用對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)進(jìn)行TFT基板10與遮蔽掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)，因此，能夠進(jìn)行更精密的位置對(duì)準(zhǔn)。另外，粗略的位置對(duì)準(zhǔn)由遮蔽掩模81的凹部81c與分隔壁26的嚙合進(jìn)行，由對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)進(jìn)行的TFT基板10與遮蔽掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)僅進(jìn)行微調(diào)即可，還具有能夠簡(jiǎn)化對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)或降低成本的效果。
另外，根據(jù)本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，不需要在蒸鍍時(shí)進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)，因此，只要遮蔽掩模81在TFT基板IO上與分隔壁26接觸，接觸面為怎樣的形狀都可以。例如，彎曲也可以。通過(guò)將遮蔽掩模81按壓在TFT基板10的表面上，掩模面也能夠容易地追隨基板面。因此，對(duì)于板厚不同的玻璃基板或各種柔性基板(例如薄的塑料基板等)也能夠得到本發(fā)明的效果O
此外，在本實(shí)施方式中，如圖21所示，對(duì)遮蔽掩模81不設(shè)置張緊機(jī)構(gòu)，取而代之使用掩模按壓機(jī)構(gòu)88’。當(dāng)然，不限于此，也能夠使用其他的掩模保持方法，或者也能夠設(shè)置張緊機(jī)構(gòu)。在設(shè)置有張緊機(jī)構(gòu)的情況下，只要適當(dāng)調(diào)整對(duì)遮蔽掩模81施加的張力，使得TFT基板10上的分隔壁26與遮蔽掩模81在TFT基板10在整個(gè)端面接觸即可。另外，在上述那樣的利用對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)在蒸鍍時(shí)調(diào)整遮蔽掩模81的位置的情況下，在操作上更優(yōu)選利用張緊機(jī)構(gòu)對(duì)掩模施加張力。
在本實(shí)施方式中，遮蔽掩模81的凹部81c的端部為矩形(垂直)，但是不限于此，只要是凹部81c與分隔壁26嚙合的結(jié)構(gòu)，能夠使用各種形狀。另外，對(duì)于分隔壁26，也同樣能夠使用各種形狀。
例如，圖22是表示遮蔽掩模81的凹部81c與分隔壁26的形狀例的圖。這些結(jié)構(gòu)能夠以二重曝光等光刻技術(shù)、濕式和干式蝕刻的處理?xiàng)l件容易地制作。如果為該圖的(b)的形狀(即凹部81c的壁面與分隔壁26的壁面均為倒錐形狀。在此，凹部81c的壁面為倒錐形是指以凹部81c為基準(zhǔn)，突出的部分的壁面所成的角度超過(guò)90°的狀態(tài))，則成為遮蔽掩模81的凹部81c卡住分隔壁26的狀態(tài)，能夠使遮蔽掩模81與分隔壁26的接觸力強(qiáng)化。此外，在最初使遮蔽掩模81與分隔壁26接觸時(shí)，僅將遮蔽掩模81按壓在TFT基板10上，不能形成這樣的卡住的狀態(tài)，因此，在最初使遮蔽掩模81與分隔壁26接觸時(shí)，只要使遮蔽掩模81的凹部81c的寬度擴(kuò)大或者使分隔壁26的寬度減小以使得不會(huì)產(chǎn)生卡住的狀態(tài)即可。然后，通過(guò)進(jìn)行掃描，能夠產(chǎn)生上述那樣的遮蔽掩模81的凹部81c與分隔壁26卡住的狀態(tài)。另外，如果為圖22的(c)那樣的形狀，則能夠進(jìn)一步抑制遮蔽掩模81與TFT基板10的位置偏移。
另外，圖23表示遮蔽掩模81的凹部81c的壁面為正錐形狀、分隔壁26的壁面為正錐形狀的情況。在該情況下，即使假設(shè)TFT基板10與遮蔽掩模81的位置如圖23的(a)那樣發(fā)生偏移，通過(guò)使TFT基板10與遮蔽掩模81經(jīng)由分隔壁26接觸的按壓(參照?qǐng)D23的(b)的箭頭)，兩者的壁面彼此互相滑動(dòng)，作為結(jié)果，在校正位置偏移的方向力發(fā)揮作用。因此，壁面的正錐形結(jié)構(gòu)對(duì)防止位置偏移有效果。
另外，在本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，能夠使基板與掩模的距離以遮蔽掩模81的凹部81c的深度的量進(jìn)一步接近。因此，能夠使附著在分隔壁26的壁面上的材料的量減少，能夠提高材料利用效率和蒸鍍速度。
[實(shí)施方式3]
基于圖24對(duì)本實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明如下。
圖24的(a)是表示本實(shí)施方式的蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的TFT基板10與遮蔽掩模81的另一個(gè)概略結(jié)構(gòu)例的平面圖，圖24的(b)是圖24的(a)的C-C線向視剖面圖。
在本實(shí)施方式中，與實(shí)施方式I和2不同的部分，如圖24所示，是在TFT基板10的背面存在磁鐵73 (接觸單元)。如圖24的(b)所示，在作為基板保持部件71的靜電吸盤上配置有磁鐵73。遮蔽掩模81使用具有磁性的物質(zhì)(例如殷鋼材料或SUS的特定種類等)，利用磁鐵73施加吸引力。
此外，通過(guò)與實(shí)施方式I同樣的蒸鍍步驟，制作出有機(jī)EL顯示裝置。
根據(jù)本實(shí)施方式，在TFT基板10的背面存在磁鐵73，因此，在掃描TFT基板10時(shí)，當(dāng)在俯視時(shí)遮蔽掩模81與磁鐵73相互靠近或者重合時(shí)，遮蔽掩模81通過(guò)磁力被吸附在TFT基板10側(cè)。因此，分隔壁26與遮蔽掩模81的密合力進(jìn)一步增加。通過(guò)該密合力，能夠防止由于掃描時(shí)的振 動(dòng)或彎曲而在基板與掩模之間產(chǎn)生空隙，作為結(jié)果，能夠防止蒸鍍顆粒侵入期望的像素區(qū)域以外的區(qū)域而發(fā)生混色。在此，空隙是指分隔壁26的最上部與遮蔽掩模81的間隙。
在本實(shí)施方式中，使用了掩模張緊機(jī)構(gòu)88，但是也能夠與實(shí)施方式2同樣地使用掩模按壓機(jī)構(gòu)88’取而代之，或者使用其他的掩模保持方法。
[實(shí)施方式4]
基于圖25、26對(duì)本實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明如下。
圖25是表示本實(shí)施方式的蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的TFT基板10與遮蔽掩模81的又一個(gè)概略結(jié)構(gòu)例的平面圖。與實(shí)施方式3不同的部分是，在TFT基板10的背面，僅在遮蔽掩模81上存在磁鐵73，該磁鐵73在基板掃描方向被分割為多個(gè)。該被分割的磁鐵73為電磁鐵，能夠各自獨(dú)立地進(jìn)行磁力啟動(dòng)/關(guān)閉(0N/0FF)。裝置剖面圖與圖24的(b)同樣，在作為基板保持部件71的靜電吸盤上配置有磁鐵73。
但是，與實(shí)施方式3不同，磁鐵73不與TFT基板10 —起被掃描(但是，在掃描遮蔽掩模81側(cè)時(shí)，與遮蔽掩模81—起被掃描)。因此，在基板掃描時(shí)，作為基板保持部件71的靜電吸盤，在磁鐵73上滑行。遮蔽掩模81使用具有磁性的物質(zhì)(例如殷鋼材料或SUS的特定種類等)，利用磁鐵73施加吸引力。
蒸鍍步驟與實(shí)施方式I同樣，但是，此時(shí)，磁力的賦予方法如圖26那樣進(jìn)行。SP，如圖26的(a)所不,在磁鐵73的一列與TFT基板10重疊的情況下,僅該一列磁力被啟動(dòng)(ON)，其它列磁力被關(guān)閉(OFF)。
接著，掃描TFT基板10，在如圖26的(b)那樣磁鐵73的兩列與基板重疊的情況下，僅將該兩列啟動(dòng)(0N)。這樣，僅在遮蔽掩模81與磁鐵73之間存在TFT基板10時(shí)將磁力啟動(dòng)(0N)。此外，在TFT基板10結(jié)束通過(guò)遮蔽掩模81上的情況下，也同樣地，對(duì)在遮蔽掩模81與磁鐵73之間不存在TFT基板10的區(qū)域的磁鐵73，將磁鐵73的磁力關(guān)閉(OFF)。
通過(guò)以上所述的步驟，制作出有機(jī)EL顯示裝置。
根據(jù)本實(shí)施方式，在將磁鐵73的磁力啟動(dòng)(ON)時(shí)，總是在遮蔽掩模81與磁鐵73之間存在TFT基板10，通過(guò)該磁力，使遮蔽掩模81與TFT基板10側(cè)接觸。因此，能夠得到與實(shí)施方式3同樣的效果。
另外，根據(jù)本實(shí)施 方式，磁鐵73僅在遮蔽掩模81上或其周邊部分設(shè)置，因此，能夠防止與其他附隨于基板的機(jī)構(gòu)的功能干擾或物理(配置)干擾。另外，只要遮蔽掩模81上的小的磁鐵73即可，因此能夠減小磁鐵73的特性偏差的影響。
此外，在本實(shí)施方式中，當(dāng)在磁鐵73上存在TFT基板10時(shí)，將該磁鐵73的磁力啟動(dòng)(0N)，但是啟動(dòng)(ON)的時(shí)機(jī)并不限于此。例如，也能夠即使在磁鐵73上存在TFT基板10也不啟動(dòng)(0N)，而在蒸鍍區(qū)域或其附近區(qū)域覆蓋在磁鐵73上時(shí)將磁力啟動(dòng)(0N)。同樣，在即使在TFT基板10還殘留在遮蔽掩模81與磁鐵73之間的狀態(tài)下，也不需要利用磁力賦予遮蔽掩模81與TFT基板10上的分隔壁的接觸力的情況下，能夠?qū)⒋盆F73的磁力關(guān)閉(OFF)。
此外，在本實(shí)施方式中雖然沒(méi)有特別記載，但是靜電吸盤成為在磁鐵的表面滑行的機(jī)構(gòu)，因此，可以賦予使它們的摩擦降低的結(jié)構(gòu)。例如，可以在磁鐵或靜電吸盤的表面形成有多個(gè)半球狀的凸型結(jié)構(gòu)(未圖示，接觸面積減少結(jié)構(gòu))。利用該結(jié)構(gòu)，磁鐵與靜電吸盤的接觸面積減少，能夠降低相互的摩擦。另外，例如，可以對(duì)它們的接觸面實(shí)施降低摩擦的表面處理。另外，為了消除摩擦，可以在磁鐵73與靜電吸盤之間形成有空隙。另外，可以容易地理解，即使在靜電吸盤以外的基板保持方法或其他部件與磁鐵接觸的情況下，上述的摩擦的問(wèn)題也同樣能夠適用。
此外，在上述的各實(shí)施方式記載的蒸鍍方法中，對(duì)利用向上沉積進(jìn)行蒸鍍的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但是，也可以蒸鍍?cè)?5配置在TFT基板10 (被成膜基板200)的上方，如上所述使蒸鍍顆粒經(jīng)由遮蔽掩模81的開(kāi)口部82從上方向下方蒸鍍到被成膜基板200上(向下沉積)。
或者，可以蒸鍍?cè)?5具有向橫向射出蒸鍍顆粒的機(jī)構(gòu)，在被成膜基板200的蒸鍍面(被成膜面)側(cè)朝向蒸鍍?cè)?5側(cè)在垂直方向立起的狀態(tài)下，使蒸鍍顆粒經(jīng)由遮蔽掩模81在橫向蒸鍍?cè)诒怀赡せ?00上(側(cè)向沉積)。
另外，在上述的各實(shí)施方式中，舉出有機(jī)EL顯示裝置I具備TFT基板10、在該TFT基板10上形成有機(jī)層的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限定于此。上述有機(jī)EL顯示裝置I中，可以不是TFT基板10，而是在形成有機(jī)層的基板不形成TFT的無(wú)源型的基板，作為被成膜基板200，也可以使用上述無(wú)源型的基板。
另外，在上述的各實(shí)施方式中，如上所述舉出在TFT基板10上形成有機(jī)層的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限定于此，也能夠適合用于不是形成有機(jī)層而是形成電極圖案的情況。本發(fā)明的蒸鍍裝置50和蒸鍍方法，除了如上所述能夠適合應(yīng)用于有機(jī)EL顯示裝置I的制造方法以外，也能夠適合應(yīng)用于通過(guò)蒸鍍形成圖案化的膜的所有制造方法和制造裝置。
<要點(diǎn)概要>
如以上所述，上述的各實(shí)施方式的蒸鍍裝置，是在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜的蒸鍍裝置，在上述被成膜基板上的成膜的區(qū)域間豎立設(shè)置有規(guī)定高度的分隔壁，該蒸鍍裝置具備:掩模單元，該掩模單元具備蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)?，上述蒸鍍掩模與被成膜基板相對(duì)、具有開(kāi)口部、并且上述蒸鍍掩模的面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的面積，上述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口，且該射出口與上述蒸鍍掩模相對(duì)配置，上述蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定；接觸單元，該接觸單元使上述被成膜基板與蒸鍍掩模經(jīng)由上述分隔壁接觸；和移動(dòng)單元，該移動(dòng)單元在上述蒸鍍掩模與被成膜基板經(jīng)由上述分隔壁接觸的狀態(tài)下，使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)。
另外，如以上所述，上述的各實(shí)施方式的蒸鍍方法，是在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜的蒸鍍方法，該蒸鍍方法包括:分隔壁形成工序，在上述被成膜基板上的成膜的區(qū)域間豎立設(shè)置規(guī)定高度的分隔壁；接觸工序，準(zhǔn)備具備蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)?、且上述蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定的掩模單元，使上述蒸鍍掩模與被成膜基板經(jīng)由上述分隔壁接觸，其中，上述蒸鍍掩模具有開(kāi)口部、并且上述蒸鍍掩模的面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的面積，上述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口，且該射出口與上述蒸鍍掩模相對(duì)配置；和蒸鍍工序，在上述蒸鍍掩模與被成膜基板經(jīng)由上述分隔壁接觸的狀態(tài)下，使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)，使上述蒸鍍顆粒經(jīng)由上述蒸鍍掩模的開(kāi)口部依次蒸鍍?cè)诒怀赡せ宓恼翦儏^(qū)域。
根據(jù)上述蒸鍍裝置和蒸鍍方法，與以往不同，蒸鍍掩模與被成膜基板未被固定，蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定，因此，能夠如上所述使用面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的面積的蒸鍍掩模，使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)來(lái)進(jìn)行蒸鍍。
另外，在被成膜基板上的成膜的區(qū)域間豎立設(shè)置規(guī)定高度的分隔壁，使蒸鍍掩模與被成膜基板經(jīng)由分隔壁接觸。
因此，不會(huì)發(fā)生與蒸鍍掩模的大型化相伴的自重彎曲和伸長(zhǎng)的問(wèn)題，即使對(duì)大型基板也能夠進(jìn)行有機(jī)層的圖案形成，而且能夠進(jìn)行位置精度高的圖案形成和高精細(xì)化。另夕卜，被成膜基板不與蒸鍍掩模直接接觸，被成膜基板不會(huì)被蒸鍍掩模損傷。另外，在被成膜基板上的成膜的區(qū)域間以規(guī)定高度設(shè)置有分隔壁，因此，能夠防止在蒸鍍時(shí)成膜的區(qū)域彼此的蒸鍍顆粒的飛散，可靠地防止蒸鍍毛邊達(dá)到相鄰像素而導(dǎo)致混色或特性降低。
另外，通過(guò)在上述蒸鍍單元與被成膜基板之間具有一定的分隔壁的狀態(tài)下使蒸鍍單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)來(lái)進(jìn)行蒸鍍，能夠形成寬度和膜厚均勻的成膜圖案(蒸鍍膜)。
另外，根據(jù)上述蒸鍍裝置和蒸鍍方法，如上所述使用面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的面積的蒸鍍掩模，因此，也能夠抑制或避免由于與蒸鍍掩模的大型化相伴保持蒸鍍掩模的框巨大化、超重化而產(chǎn)生的問(wèn)題的發(fā)生。
因此，根據(jù)上述的各實(shí)施方式，能夠提供能夠在大型基板上形成蒸鍍圖案的蒸鍍方法和蒸鍍裝置、以及有機(jī)EL顯示裝置的制造方法。
在上述蒸鍍裝置中，優(yōu)選上述蒸鍍掩模具有與上述分隔壁卡合的卡合部。
例如，可以上述分隔壁的剖面為凸形狀，上述卡合部的剖面為凹形狀，也可以上述分隔壁的剖面為凹形狀，上述卡合部的剖面為凸形狀。另外，也可以上述分隔壁的壁面為正錐形狀，上述卡合部的壁面朝向上述被成膜基板為倒錐形狀，也可以上述分隔壁的壁面為倒錐形狀，上述卡合部的壁面朝向上述被成膜基板為正錐形狀。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，上述蒸鍍掩模在上述卡合部與上述分隔壁接觸，因此上述蒸鍍掩模與上述被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)變得容易。例如，能夠通過(guò)凸形狀的結(jié)構(gòu)與對(duì)應(yīng)的凹形狀的結(jié)構(gòu)的嚙合、或者正錐形狀的結(jié)構(gòu)與對(duì)應(yīng)的正錐形狀的結(jié)構(gòu)的卡合，對(duì)位置偏移等進(jìn)行校正。因此，在使上述掩模單元和上述被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)來(lái)進(jìn)行蒸鍍時(shí)，不需要另外設(shè)置用于進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的單元，不會(huì)導(dǎo)致裝置的復(fù)雜化和節(jié)拍時(shí)間的增大。
在上述蒸鍍裝置中，優(yōu)選上述分隔壁沿上述移動(dòng)單元使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)的方向形成為條狀。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在使上述掩模單元和上述被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)來(lái)進(jìn)行蒸鍍時(shí)，通過(guò)分隔壁，能夠得到沿兩者的相對(duì)移動(dòng)方向的位置對(duì)準(zhǔn)效果。
在上述蒸鍍裝置中，優(yōu)選上述分隔壁斷續(xù)地形成有多個(gè)。另外，更優(yōu)選構(gòu)成為:能夠通過(guò)上述分隔壁斷續(xù)的部分的直線不通過(guò)上述被成膜基板的像素發(fā)光區(qū)域上。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，即使在上述分隔壁上形成的第二電極被分隔壁的壁面切斷電連接，也能夠通過(guò)分隔壁的斷續(xù)部分進(jìn)行電連接。即，通過(guò)斷續(xù)地形成多個(gè)上述分隔壁，電流的通路成為網(wǎng)眼狀，能夠抑制第二電極的電阻增加。
另外，由于能夠通過(guò)上述分隔壁斷續(xù)的部分的直線不通過(guò)上述被成膜基板的像素發(fā)光區(qū)域上，所以，即使存在通過(guò)斷續(xù)部分而侵入相鄰像素的蒸鍍顆粒，該蒸鍍顆粒也不附著在其它像素的發(fā)光區(qū)域。因此，能夠防止混色。
在上述蒸鍍裝置中，優(yōu)選上述接觸單元為在上述被成膜基板的與上述蒸鍍掩模相對(duì)的面的背面設(shè)置的磁鐵。另外，優(yōu)選上述磁鐵設(shè)置在與上述蒸鍍掩模相對(duì)的位置。
根據(jù)上述 結(jié)構(gòu)，通過(guò)作為接觸單元的磁鐵的磁力，上述蒸鍍掩模與在上述被成膜基板上豎立設(shè)置的上述分隔壁接觸。另外，通過(guò)將上述磁鐵設(shè)置在與上述蒸鍍掩模相對(duì)的位置，將蒸鍍掩模向被成膜基板側(cè)吸引。因此，被成膜基板與蒸鍍掩模的接觸力增加。通過(guò)該接觸力，能夠防止由于相對(duì)移動(dòng)時(shí)的振動(dòng)和彎曲而在被成膜基板與遮蔽掩模間產(chǎn)生空隙，作為結(jié)果，能夠防止蒸鍍顆粒侵入期望的像素區(qū)域以外的區(qū)域而發(fā)生混色。
另外，優(yōu)選上述磁鐵的磁力能夠控制。
另外，優(yōu)選上述磁鐵沿上述移動(dòng)單元使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)的方向配置有多個(gè)，且為在與該方向垂直并且與上述被成膜基板平行的方向延伸的條形狀。
另外，優(yōu)選上述磁鐵的磁力被控制成:當(dāng)在該磁鐵與上述蒸鍍掩模之間存在上述被成膜基板時(shí)產(chǎn)生磁力。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)配置多個(gè)條形狀的小的磁鐵，能夠減小磁鐵的特性偏差的影響。
另外，能夠當(dāng)在上述磁鐵與上述蒸鍍掩模之間存在上述被成膜基板時(shí)將該磁鐵的磁力啟動(dòng)(0N)，當(dāng)在上述磁鐵與上述蒸鍍掩模之間不存在上述被成膜基板時(shí)將該磁鐵的磁力關(guān)閉(OFF)。即，僅在需要通過(guò)磁力賦予蒸鍍掩模與被成膜基板的密合力的情況下產(chǎn)生磁鐵的磁力，因此能夠進(jìn)一步減小磁鐵的特性偏差的影響。
在上述蒸鍍裝置中，優(yōu)選在上述磁鐵的與上述被成膜基板的接觸面，形成有使與上述被成膜基板的接觸面積減少的接觸面積減少結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)使上述磁鐵與上述被成膜基板的接觸面積減少，能夠降低相互的摩擦。
在上述蒸鍍裝置中，優(yōu)選上述接觸單元為與上述被成膜基板的和上述蒸鍍掩模相對(duì)的面的背面接觸而保持上述被成膜基板的靜電吸盤。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，即使上述被成膜基板是大型基板，也能夠通過(guò)用上述靜電吸盤吸附來(lái)防止因自重引起的彎曲。
在此，優(yōu)選上述接觸面積減少結(jié)構(gòu)為半球狀的凸型結(jié)構(gòu)。由此，上述磁鐵與上述被成膜基板的接觸、或者上述靜電吸盤與上述被成膜基板的接觸成為點(diǎn)接觸，因此，接觸面積減少，能夠降低相互的摩擦。
在上述蒸鍍裝置中，優(yōu)選上述蒸鍍掩模為矩形狀的蒸鍍掩模，其中，上述蒸鍍掩模的短軸方向的邊比被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的與上述蒸鍍掩模的短軸方向相對(duì)的邊的寬度短，且上述蒸鍍掩模的長(zhǎng)軸方向的邊比被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的與上述蒸鍍掩模的長(zhǎng)軸方向的邊相對(duì)的邊的寬度長(zhǎng)。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，例如，能夠在上述蒸鍍掩模的長(zhǎng)邊方向兩側(cè)部形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部。因此，能夠容易且更精密地進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
在上述蒸鍍裝置中，優(yōu)選在上述被成膜基板和上述蒸鍍掩模上分別形成有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，上述蒸鍍裝置具備位置檢測(cè)單元，該位置檢測(cè)單元使用各個(gè)對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，進(jìn)行上述被成膜基板與上述蒸鍍掩模的位置對(duì)準(zhǔn)。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠容易且更精密地進(jìn)行上述被成膜基板與上述蒸鍍掩模的對(duì)準(zhǔn)。
在上述蒸鍍裝置中，優(yōu)選上述掩模單元是上述射出口分別與上述蒸鍍掩模的開(kāi)口相對(duì)設(shè)置的掩模單元。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使蒸鍍顆粒附著在蒸鍍掩模的非開(kāi)口部的量減少，能夠使材料利用效率提高。
在上述蒸鍍方法中，優(yōu)選在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域中使掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)連續(xù)地相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)使上述蒸鍍顆粒依次蒸鍍?cè)诒怀赡せ宓恼翦儏^(qū)域。
通過(guò)這樣在使掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)連續(xù)地相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，即使在基板相對(duì)移動(dòng)的方向存在蒸鍍顆粒的飛翔分布，該方向的分布也被平均化。因此，能夠得到在基板面內(nèi)均勻地形成有圖案的蒸鍍膜。
在上述蒸鍍方法的上述蒸鍍工序中，優(yōu)選使掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)往返移動(dòng)。
以往，為了使蒸鍍速率可變，例如在蒸鍍?cè)词褂蜜釄宓那闆r下，需要通過(guò)溫度進(jìn)行控制。因此，存在溫度的穩(wěn)定化需要花費(fèi)時(shí)間、伴隨溫度的波動(dòng)蒸鍍速率容易產(chǎn)生偏差的問(wèn)題。但是，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠不通過(guò)溫度控制而通過(guò)往返移動(dòng)的次數(shù)來(lái)控制膜厚，因此，不會(huì)發(fā)生那樣的不良情況。另外，特別是在如上所述在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域中使掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)連續(xù)地相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)使上述蒸鍍顆粒依次蒸鍍?cè)诒怀赡せ宓恼翦儏^(qū)域的情況下，在進(jìn)行如上所述的往返移動(dòng)的情況下，被成膜基板的停止僅在使基板相對(duì)移動(dòng)的方向反轉(zhuǎn)的一瞬，在移動(dòng)中也進(jìn)行蒸鍍，因此節(jié)拍時(shí)間不會(huì)變長(zhǎng)。上述蒸鍍方法的上述蒸鍍工序中，優(yōu)選在上述成膜基板的不需要蒸鍍上述蒸鍍顆粒的區(qū)域中，使蒸鍍顆粒從上述蒸鍍?cè)吹纳涑鐾Ｖ?。通過(guò)這樣在上述被成膜基板的不需要蒸鍍上述蒸鍍顆粒的的區(qū)域中使蒸鍍顆粒從上述蒸鍍?cè)吹纳涑鐾Ｖ梗軌蚍乐瓜蚨嘤嗟牟糠?非蒸鍍區(qū)域)的蒸鍍。另外，上述規(guī)定圖案能夠?yàn)橛袡C(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)層。上述蒸鍍方法能夠適合用于有機(jī)電致發(fā)光元件 的制造。因此，如以上所述，上述的各實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法包括:在TFT基板上制造第一電極的TFT基板和第一電極制造工序；在上述TFT基板上蒸鍍至少包括發(fā)光層的有機(jī)層的有機(jī)層蒸鍍工序；蒸鍍具有與第一電極相反的極性的第二電極的第二電極蒸鍍工序；和將包括上述有機(jī)層和第二電極的有機(jī)EL元件用密封部件進(jìn)行密封的密封工序，上述有機(jī)層蒸鍍工序包括上述的蒸鍍方法的上述分隔壁形成工序、上述接觸工序和上述蒸鍍工序。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，不僅對(duì)大型基板也能夠進(jìn)行有機(jī)層的圖案形成，而且能夠制造進(jìn)行位置精度高的圖案形成和高精細(xì)化的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。本發(fā)明并不限定于上述的各實(shí)施方式，能夠在權(quán)利要求表示的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更，將在不同的實(shí)施方式中分別公開(kāi)的技術(shù)手段適當(dāng)組合而得到的實(shí)施方式也包含與本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的蒸鍍裝置和蒸鍍方法，例如，能夠適合用于在有機(jī)EL顯示裝置的有機(jī)層的分涂形成等成膜工藝中使用的有機(jī)EL顯示裝置的制造裝置和制造方法等。符號(hào)說(shuō)明1 有機(jī)EL顯示裝置2 像素2R、2G、2B 子像素10 TFT基板(被成膜基板)20 有機(jī)EL元件21 第一電極22 空穴注入層兼空穴輸送層(有機(jī)層)23R.23G. 23B 發(fā)光層(有機(jī)層)24 電子輸送層兼電子注入層(有機(jī)層)25 第二電極
26分隔壁50蒸鍍裝置60真空腔室70基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)(移動(dòng)單元)71基板保持部件(接觸單元)72電動(dòng)機(jī)73磁鐵(接觸單元)80掩模單元80R、80G、80B 掩模單元81遮蔽掩模(蒸鍍掩模)81a長(zhǎng)邊81b短邊82開(kāi)口部83對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部

84對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記85蒸鍍?cè)?6射出口87掩模保持部件(接觸單元)88掩模張緊機(jī)構(gòu)(接觸單元)88’掩模按壓機(jī)構(gòu)(接觸單元)89閘門90圖像傳感器100控制電路101圖像檢測(cè)部102運(yùn)算部103電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部104蒸鍍啟動(dòng)/關(guān)閉控制部105閘門驅(qū)動(dòng)控制部200被成膜基板210蒸鍍區(qū)域210a長(zhǎng)邊210b短邊211蒸鍍膜220對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部221對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍裝置，其特征在于: 該蒸鍍裝置為在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜的蒸鍍裝置， 在所述被成膜基板上的成膜的區(qū)域間豎立設(shè)置有規(guī)定高度的分隔壁， 所述蒸鍍裝置具備: 掩模單元，該掩模單元具備蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)矗稣翦冄谀Ｅc被成膜基板相對(duì)、具有開(kāi)口部、并且所述蒸鍍掩模的面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的面積，所述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口，且該射出口與所述蒸鍍掩模相對(duì)配置，所述蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定； 接觸單元，該接觸單元使所述被成膜基板與蒸鍍掩模經(jīng)由所述分隔壁接觸；和移動(dòng)單元，該移動(dòng)單元在所述蒸鍍掩模與被成膜基板經(jīng)由所述分隔壁接觸的狀態(tài)下，使所述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)。
2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述蒸鍍掩模具有與所述分隔壁卡合的卡合部。
3.如權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述分隔壁的剖面為凸形狀， 所述卡合部的剖面為凹形狀。
4.如權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述分隔壁的剖面為凹形狀， 所述卡合部的剖面為凸形狀。
5.如權(quán)利要求3所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述分隔壁的壁面為倒錐形狀， 所述卡合部的壁面朝向所述被成膜基板為倒錐形狀。
6.如權(quán)利要求3所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述分隔壁的壁面為正錐形狀， 所述卡合部的壁面朝向所述被成膜基板為正錐形狀。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述分隔壁沿所述移動(dòng)單元使所述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)的方向形成為條形狀。
8.如權(quán)利要求7所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述分隔壁斷續(xù)地形成有多個(gè)。
9.如權(quán)利要求8所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述分隔壁形成為:能夠通過(guò)所述分隔壁斷續(xù)的部分的直線不通過(guò)所述被成膜基板的像素發(fā)光區(qū)域上。
10.如權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述接觸單元為在所述被成膜基板的與所述蒸鍍掩模相對(duì)的面的背面設(shè)置的磁鐵。
11.如權(quán)利要求10所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述磁鐵設(shè)置在與所述蒸鍍掩模相對(duì)的位置。
12.如權(quán)利要求10或11所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述磁鐵的磁力能夠控制。
13.如權(quán)利要求12所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述磁鐵沿所述移動(dòng)單元使所述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)的方向配置有多個(gè)，且為在與該方向垂直并且與所述被成膜基板平行的方向延伸的條形狀。
14.如權(quán)利要求13所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述磁鐵的磁力被控制成:當(dāng)在該磁鐵與所述蒸鍍掩模之間存在所述被成膜基板時(shí)產(chǎn)生磁力。
15.如權(quán)利要求10 14中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 在所述磁鐵的與所述被成膜基板的接觸面，形成有使與所述被成膜基板的接觸面積減少的接觸面積減少結(jié)構(gòu)。
16.如權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述接觸單元為與所述被成膜基板的和所述蒸鍍掩模相對(duì)的面的背面接觸而保持所述被成膜基板的靜電吸盤。
17.如權(quán)利要求16所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 在所述靜電吸盤的與所述被成膜基板的接觸面，形成有使與所述被成膜基板的接觸面積減少的接觸面積減少結(jié)構(gòu)。
18.如權(quán)利要求15或17所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述接觸面積減少結(jié)構(gòu)為半球狀的凸型結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求1 18中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述蒸鍍掩模為矩形狀的蒸鍍掩模，其中，所述蒸鍍掩模的短軸方向的邊比被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的與所述蒸鍍掩模的短軸方向相對(duì)的邊的寬度短，且所述蒸鍍掩模的長(zhǎng)軸方向的邊比被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的與所述蒸鍍掩模的長(zhǎng)軸方向的邊相對(duì)的邊的寬度長(zhǎng)。
20.如權(quán)利要求1 19中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 在所述被成膜基板和所述蒸鍍掩模上分別形成有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記， 所述蒸鍍裝置具備位置檢測(cè)單元，該位置檢測(cè)單元使用各個(gè)對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，進(jìn)行所述被成膜基板與所述蒸鍍掩模的位置對(duì)準(zhǔn)。
21.如權(quán)利要求1 20中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述掩模單元是所述射出口分別與所述蒸鍍掩模的開(kāi)口部相對(duì)設(shè)置的掩模單元。
22.如權(quán)利要求1 21中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 所述規(guī)定圖案為有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)層。
23.一種蒸鍍方法，其特征在于: 該蒸鍍方法為在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜的蒸鍍方法， 該蒸鍍方法包括: 分隔壁形成工序，在所述被成膜基板上的成膜的區(qū)域間豎立設(shè)置規(guī)定高度的分隔壁； 接觸工序，準(zhǔn)備具備蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)?、且所述蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定的掩模單元，使所述蒸鍍掩模與被成膜基板經(jīng)由所述分隔壁接觸，其中，所述蒸鍍掩模具有開(kāi)口部、并且所述蒸鍍掩模的面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的面積，所述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口，且該射出口與所述蒸鍍掩模相對(duì)配置；和 蒸鍍工序，在所述蒸鍍掩模與被成膜基板經(jīng)由所述分隔壁接觸的狀態(tài)下，使所述掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)，使所述蒸鍍顆粒經(jīng)由所述蒸鍍掩模的開(kāi)口部依次蒸鍍?cè)诒怀赡せ宓恼翦儏^(qū)域。
24.如權(quán)利要求23所述的蒸鍍方法，其特征在于: 在所述蒸鍍工序中，在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域使掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)連續(xù)地相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)，使所述蒸鍍顆粒依次蒸鍍?cè)诒怀赡せ宓恼翦儏^(qū)域。
25.如權(quán)利要求23或24所述的蒸鍍方法，其特征在于: 在所述蒸鍍工序中，使掩模單元和被成膜基板中的至少一個(gè)往返移動(dòng)。
26.如權(quán)利要求23 25中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于: 在所述蒸鍍工序中，在所述成膜基板的不需要蒸鍍所述蒸鍍顆粒的區(qū)域中，使蒸鍍顆粒從所述蒸鍍?cè)吹纳涑鐾Ｖ埂?br> 27.如權(quán)利要求23 26中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于: 所述規(guī)定圖案為有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)層。
28.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括: 在TFT基板上制造第一電極的TFT基板和第一電極制造工序； 在所述TFT基板上蒸鍍至少包括發(fā)光層的有機(jī)層的有機(jī)層蒸鍍工序； 蒸鍍具有與第一電極相反的極性的第二電極的第二電極蒸鍍工序；和 將包括所述有機(jī)層和第二電極的有機(jī)電致發(fā)光元件用密封部件進(jìn)行密封的密封工序，所述有機(jī)層蒸鍍工序包括權(quán)利要求23 27中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法的所述分隔壁形成工序、所述接觸工序和所述蒸鍍工序。
全文摘要
蒸鍍裝置(50)在被成膜基板(200)上的成膜的區(qū)域間豎立設(shè)置有分隔壁(26)，蒸鍍裝置(50)具備掩模單元(80)，其具備相對(duì)位置被固定的遮蔽掩模(81)和蒸鍍?cè)?85)；接觸單元，其使被成膜基板(200)與遮蔽掩模(81)經(jīng)由分隔壁(26)接觸；和移動(dòng)單元，其在維持由接觸單元進(jìn)行的接觸的狀態(tài)下使掩模單元(80)和被成膜基板(200)中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)。
文檔編號(hào)H05B33/22GK103168114SQ20118004992
公開(kāi)日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2011年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月19日
發(fā)明者園田通, 川戶伸一, 井上智 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社